2017杭州电子科技大学电路考研真题专业课
2017 电子科技大学专业课指导用书
电子工业出版社 (2010 年) 西安电子科技大学出 汤小丹等编著 版社 (2007 年) 严蔚敏，吴伟 清华大学出版社 民编著 (2011 年) 孙云卿、雷雨 科学出版社 著， 滕保华、廖旭 科学出版社 著
心理学综合 课程名称 心理学综合 心理学综合 心理学综合 数学物理基础 数学物理基础
现代心理与教育统计 参考书名 心理与教育测量 第三版 实验心理学 第二版 教育心理学 第二版 高等数学 第 1-4 册
计算机网络:自顶向下方 法 第6版 软件工程学科基础 软件工程学科基础综合 综合 第 7 版本科教学版 日语专业基础知识 日语概论 及运用 金融学 金融学基础 第二版 Financial Economics 金融学基础 第二版 口腔综合 测控通信基础 医学综合 医学综合 口腔综合 医学综合 口腔综合 口腔综合 口腔综合 口腔综合 口腔综合 测控通信基础 测控通信基础 课程名称 口腔颌面外科学 信号与系统 临床诊断学 第二版 内科学 第七版 口腔修复学 生理学 第七版 牙周病学 口腔黏膜病学 牙体牙髓病学 口腔解剖生理学 口腔组织病理学 现代通信原理 自动控制原理 参考书名
硕士 类别 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 硕士 类别 硕士
信号与系统和数字 数字设计-原理与实践 电路 第四版 线性代数 通信与信号系统 通信与信号系统 数字图像处理 信号与系统 信号与系统和数字 电路 密码学基础与网络 安全 密码学基础与网络 安全 理论力学 通信与信号系统 经济学基础 课程名称 经济学基础 高等代数 现代通信原理 信号与系统 第二版 数字图像处理 SIGNALSANDSYSTEMS SIGNALSANDSYSTEMS 密码编码学与网络安全 ——原理与实践 第四版 密码学概论 理论力学 第六版 SIGNALSANDSYSTEMS 微观经济学：现代观点 参考书名 经济学 第十七版
电子科技大学832微电子器件17年考研真题
考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。
在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。
7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。
8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。
（备注：填电阻率和厚度也可以）。
9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。
（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。
11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。
（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。
13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。
14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。
15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。
杭州电子科技大学考研电路习题
杭州电子科技大学考研电路习题作业习题与考试题实验预习题：1、根据实验电路给出的元件参数值，估算电路的谐振频率。
2、改变电路的哪些参数可以使电路发生谐振，电路中R的数值是否影响谐振频率值？3、如何判别电路是否发生谐振？测试谐振点的方案有哪些？4、电路发生串联谐振时，为什么输入电压不能太大？如果信号源给出1V的电压，电路谐振时，用真空管毫伏表测ULO和UCO，应该选择多大的量限？5、提高RLC串联电路的品质因数，电路参数应如何改变？6、谐振时，比较输出电压Uo与输入电压Ui是否相等？试分析原因。
7、谐振时，对应的ULO与UCO是否相等？如有差异，原因何在？实验总结题：1、根据测量数据，绘出不同Q值时的两条幅频特性曲线。
2、计算出通频带BW与Q值，说明不同R值对电路的通频带BW和品质因数的影响。
3、对两种不同的测量Q值的方法进行比较，分析误差原因。
4、利用电路的谐振特性，可以测量L或C的元件值。
试设计具体测量线路和测试方法，并说明原理。
考试样题：RLC串联谐振电路（ 10 ）设计一个RLC串联谐振电路，要求R=330Ω，C=自选，L=10mH，要求f0约16kHz，要求有设计过程。
自行设计数据表格，正确选择仪表，测量该电路的幅频特性，获得该电路的特征值（谐振点、通频带、品质因数等）。
注：有关特征值数据须经教师验收。
实验总结题：1、完成必要的误差分析。
2、根据实验数据，画出该电路的幅频特性曲线。
3、计算RLC谐振电路的品质因数Q和通频带BW，与理论值进行比较，说明误差原因。
4、为什么电路谐振时，电感和电容上的电压不相等？5、体会及建议。
大纲：实验教学大纲《电路分析实验》课程教学大纲课程英文译名：Experiments of electronical circuit课程编号：S0403310课内总学时：25学分：1.5开课对象：电子信息学院/信息工程学院本科生课程类别：学院定必修一、课程的任务和目的《电工电路实验》是为本校电子信息工程、电子信息科学与技术、电子科学与技术、光信息科学与技术等专业学生开设的第一门电学专业基础实验课。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
杭州电子科技大学电机往年试题和书上例题
电机往年试题和书上例题例题1、一台直流发电机，其额定功率PN =145kW，额定电压UN=230V，额定转速nN=1450r/min，额定效率为ηN＝90％，求该发电机的输入功率P1及额定电流 IN各为多少？例题2、一台直流电动机，其额定功率PN =160kW，额定电压UN=220V，额定转速nN=1500r/min，额定效率为ηN＝90％，求该电动机的输入功率P1及额定电流 IN和额定输出转矩TN各为多少？例题3、一台额定功率PN=20kW的他励直流发电机，它的额定电压UN=230V，额定转速nN=1500r/min，电枢回路总电阻Ra=0.156Ω，已知机械损耗和铁损耗pm+pFe=1kW，求额定负载情况下电枢绕组的额定电流、铜损耗、电磁功率、总损耗、输入功率及效率（计算过程中令P2=PN，附加损耗ps=0.01PN）？例题4、一台额定功率PN =6kW的他励直流电动机，它的额定电压UN=220V，额定转速nN=1000r/min，电枢铜耗pcua=500W，空载损耗p0=395W，求额定运行情况下电动机的额定电流Ia 、输出转矩T2、电磁转矩TN、电枢电阻Ra及效率η？（忽略附加损耗）例题5、一台额定功率PN=96kW的他励直流电动机，它的额定电压UN=440V，额定电流IN=250A，额定转速nN=500r/min，电枢回路总电阻为Ra=0.078Ω，忽略电枢反应的影响，求理想空载转速n0，固有机械特性斜率β。
例题6、一台额定功率PN =22kW的他励直流电动机，它的额定电压UN=220V，额定电流IN=115A，额定转速nN=1500r/min，电枢回路总电阻为Ra=0.1Ω，忽略空载转矩T0，电动机拖动恒转矩负载TL=0.85TN(TN为额定负载转矩)运行，求稳定运行时的电动机转速、电枢电流及电动势。
例题7、一台额定功率PN =96kW的他励直流电动机，它的额定电压UN=440V，额定电流IN=250A，额定转速nN=500r/min，电枢回路总电阻为Ra=0.078Ω，忽略空载转矩T0，电动机拖动恒转矩负载运行。
杭州电子科技大学《电路分析》习题库
填空题 一、直流电阻电路 1． 理想电压源的电流由___________________决定。 （与之联结的外电路） 2．一段电路的端电压为 U，端电流为 I，在关联参考方向下，当 P=UI>0 时，该段电路________ 功率。 （吸收） 3．由 n 个节点，b 条支路组成的电路，共有_________个独立 KCL 方程和______ 个独立 KVL 方程。 （n-1，b-n+1） 4．在电路分析中，理想运算放大器的主要特性是流入两输入端的电流为________，两个输入端的 电压为_________。 （0， 同电位） 5．如图电路，I=________。 2A （-1A） 1A I 6．如图电路，3A 电流源中产生的 3A 功率为___________。 1A 6V （-21W） 4V 1 7．如图电路，当 R 增大时，流过 RL 的 电流将_________。 （不变） 8．如图电路，Ix =________。 （1A） IS RL
t
求出 f(t)。 D、6541237 R<2 + Us C
L CC、4321576； Nhomakorabea8．如图是二阶动态电路，其响应_______。 A、是非振荡性的； B、是振荡性的； C、是临界振荡性的； D、无法确定。 （B） ， 9．右图中，当增添受控源（0<<1） 则其响应是______。 A、 非振荡性的； B、振荡性的； C、临界振荡； D、无法确定。 （B）
批注 [L1]:
LC
）
9．在 RCL 串联电路发生_________时，电感电压或电容电压是电源电压的 Q 倍。 （谐振）
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杭州电子科技大学2017-2018-1(秋季)硕士研究生课表
管理
32 2
83
制造与物流系统仿真
84
管理
工厂组织与技术管理
32 2
85 是 经济
管理经济学
48 3
86
会计 财务会计理论与实务1班（会计专硕） 48 3
87
会计
财务管理理论与实务
48 3
88
会计
管理会计理论与实务
48 3
89
会计
审计理论与实务
48 3
90 是 经济
现代经济理论
48 3
91 是 管理
30
外国语
英语听说（秋季）3班
32 1
G2
Gregory 外教
31
外国语
英语听说（秋季）4班
32 1
G2
Gregory 外教
32
外国语
英语听说（秋季）5班
32 1
G2
Gregory 外教
33
外国语
日语（秋季）
32 1
G2
郭已晓
34
图书馆 科技文献检索（秋季）（理工类） 16 1
35
图书馆 科技文献检索（秋季）（人文类） 16 1
中级计量经济学 国际金融理论
国际贸易理论研究 国际投资研究 金融工程专题 公司金融理论
区域产业结构演化研究专题 经济学原著选读
资产评估理论与实务 资产评估导读 证券估值案例
审计理论与实务 投资组合理论与实务
经济统计基础 经济景气分析 R语言程序设计
应用统计学 数字信号处理
32 2 32 2 32 2 32 2 32 2 32 2 32 2 32 2 48 3 32 2 32 2 32 2 32 2 32 2 32 2 32 2 48 3 48 3
电子科技大学考研复试(2017数字电路与模拟电路)
掌握二进制编码器、7段译码器、奇偶校验电路、加法器的设计方法。
掌握利用集成译码器（74138、74139）及附加电路进行组合电路设计的方法；
掌握利用集成数据选择器（74151、74153）进行组合电路设计的方法；
了解MOS器件的基本开关特性；
掌握CMOS逻辑电路的基本结构，能够使用晶体管构成反相器、与非门和或非门电路，并在此基础上构成与门和或门电路。
了解CMOS器件的电平范围、驱动能力、延迟时间和动态功耗等基本概念。
4、组合电路分析与设计
掌握组合电路的基本概念及分析方法；
掌握组合电路的设计方法（SSI）
对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。
模拟电路部分（50%）
第一章常用半导体器件
1、了解半导体基础知识：了解本征半导体与杂质半导体（P型与N型）的导电原理，了解PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN结的单向导电特性，了解PN结的电容效应。
2、了解半导体二极管基本知识：了解二极管的常见结构和电路符号；掌握二极管的伏安特性、二极管的主要参数与几种等效电路；了解稳压二极管的伏安特性、硅管与锗管的区别。理解二极管在直流电源中的整流应用以及稳压二极管的基本应用。
熟悉对偶定理的概念，能够使用加圈方式进行逻辑设计；
了解展开定理的概念，能够根据真值表写出标准逻辑运算式：最小项和表达式、最大项积表达式；
熟悉真值表的卡诺图表现形式，能够利用卡诺图得出最小和表达式（最简“与或”表达式）；
理解无关项的含义，并能利用无关项进行逻辑化简。
3、逻辑门电路
了解逻辑状态的电平表达概念，理解开关电路的基本概念；