s3c2440存储器

S3c2440的存储控制器
1、什么是存储控制器
存储控制器是创建和控制其他存储设备的一种设备。

S3C2440中存储控制器的起始地址为0x48000000结束地址为0x48000030。

通过配置存储控制器提供的13个寄存器的具体数值来达到访问外围设备的目的。

2、如何得到外围设备的访问地址
在说明得到外围设备地址之前，先说明一下什么是片选信号。

读过微机原理的同志应该很清楚了。

在S3C2440中分为nGCS0~nGCS7，共8个片选信号。

分别对应了BANK0~BANK7，当需要访问外围设备的空间时（即访问BANKx 时），nGCSx 引脚输出低电平信号，这样选择相对应的BANKx外围设备来访问。

（注：nGCS0~nGCS7在S3C2440手册中可以查找到相应的地址分配表）
BANK访问地址=BANK起始地址+地址线地址。

3、存储控制器中寄存器的使用
3.1、存储控制器提供的13个寄存器
BWSCON，BANKCONx(x=0~7)，REFRESH，BANKSIZE，
MRSRBx(x=6~7)，共13个寄存器。

在这些寄存器的配置中，当配置BANK0~BANK5的时候，只需要配置BWSCON和BANKCONx(x=0~5)即可。

由于BANK6和BANK7嘤糜谕饨覵DRAM，所以配置的时候除配置BWSCON和BANKCONx(x=6~7)外，还需要配置REFRESH，BANKSIZE，MRSRB6和MRSRB7等4个寄存器。

BWSCON（R/W B us W idth & Wait S tatus Con trol，位宽和等待寄存器）
BWSCON共32位，BWSCON的高4位对应了外设的BANK7，然而BWSCON是每4位对应一个BANK，所以依次类推可以得到其余BANK6~BANK0的对应位数。

STx(x= 0~7)：启动/禁止SDRAM数据掩码引脚。

对于SDRAM此位为0，对于SRAM此位为1。

一般为0。

WSx(x= 0~7)：是否使用存储器的WAIT信号。

通常设为0。

/*0 = WAIT disable*/
DWx(x= 0~7)：用2位来设置对应BANK位宽（数据总线宽度），00=8-bit；01=16-bit；10=32-bit；11=reserved
其中，比较特殊的BANK0，它没有ST0和WS0，且DW0[2:1]为只读，由硬件电路跳线决定01=16-bit；10=32-bit。

BANKCONx(x= 0~5)：用来控制外接设备的访问时序，默认设置0X0700可以满足使用需求。

BANKCONx(x= 6~7)：只有BANK6和BANK7可以用来外接SRAM或SDRAM，所以在配置BANK6~BANK7会有所不同。

MT[16:15]位：用来标识外接的设备是ROM/SRAM，还是SDRAM。

/*00 = ROM or SRAM；01 = Reserved；10 = Reserved；11 = Sync.DRAM */
当MT=0b00时（即外接ROM）：此时设置与BANKCONx(x= 0~5)并无多大差异。

当MT=0b11时（即外接SDRAM）：
Trcd[3:2]：T ime of R AS to C AS d elay（内存行地址传输到列地址的延迟时间）
/*00 = 2 clocks；01 = 3 clocks；10 = 4 clocks*/
SCAN[1:0]：表示SDRAM列的地址，可根据具体芯片情况设置/*00 = 8-bit；01 = 9-bit；10= 10-bit*/
REFRESH：刷新控制寄存器。

REFEN[23]：使能控制SDRAM刷新功能。

/*0 = Disable；1 = Enable (self or CBR/auto refresh)*/
TREFMD[22]：SDRAM刷新模式。

/*0 = CBR/Auto Refresh；1 = Self Refresh (休眠模式)*/
Trp[21:20]：T ime of SDRAM R AS p re-charge（RAS预充电时间）。

/*00 = 2 clocks；01 = 3 clocks；10 = 4 clocks；11 = Not support*/
Tsrc[19:18]：T ime of SDRAM S emi R ow c ycle（半行周期时间）。

/*00 = 4 clocks；01 = 5 clocks；10 = 6 clocks；11 = 7 clocks*/ 注：Reserved[17:11]：Not used.
Refresh Counter[10:0]：SDRAM refresh count value（刷新计数值）。

BANKSIZE寄存器：
BURST_EN[7]：ARM core burst operation enable（ARM内核心突发操作使能）。

/*0 = Disable burst operation；1 = Enable burst operation*/ 注：Reserved[6]：Not used.
SCKE_EN[5]：SDRAM power down mode enable control by SCKE。

（SCKE power down模式使能）/*0 = SDRAM power down mode disable；1 = SDRAM power down mode enable*/
SCLK_EN[4]：SCLK is enabled only during SDRAM access cycle for reducing power consumption. When SDRAM is not accessed SCLK becomes 'L' level（低电平）. /*0 = SCLK is always active. 1 = SCLK is active only during the access (recommended).*/
注：Reserved[3]：Not used.
BK76MAP[2:0]：设置BANK6～BANK7的大小。

/* 010 = 128MB/128MB；001 = 64MB/64MB；000 = 32M/32M；111 = 16M/16M；110 = 8M/8M；101 = 4M/4M；100 =
2M/2M */
MRSRBx(x= 6~7)：SDRAM模式设置寄存器。

能做修改的只有CL[6:4]：代表SDRAM时序的一些参数。

/*000 = 1 clock；010 = 2 clocks；011=3 clocks；Others: reserved*/。