磁控溅射碳纳米管SnO2材料的工艺对性能的影响
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磁控溅射碳纳米管SnO2材料的工艺对性能的影响
林伟;黄世震;陈文哲
【期刊名称】《陶瓷学报》
【年(卷),期】2008(029)003
【摘要】采用磁控溅射方法制备碳纳米管snO2薄膜,通过分析不同工艺条件下制备的气敏元件在N02气氛中的灵敏度响应特性,以及比较不同的薄膜厚度的气敏元件的性能特性,来研究磁控溅射工艺条件的改变对碳纳米管sn02气敏元件的性能的影响.实验表明:磁控溅射的工艺条件对气敏元件的性能有很大的影响,射频反应溅射碳纳米管SnO2气敏元件有较好的性能,最佳的气敏元件薄膜厚度在30nm左右.【总页数】3页(P236-238)
【作者】林伟;黄世震;陈文哲
【作者单位】福州大学材料科学与工程学院,福州:350002;福州大学物理与信息工程学院,福州:350002;福建省微电子集成电路重点实验室,福州:350002;福州大学材料科学与工程学院,福州:350002;福州大学物理与信息工程学院,福州:350002;福建省微电子集成电路重点实验室,福州:350002;福州大学材料科学与工程学院,福州:350002
【正文语种】中文
【中图分类】TB383
【相关文献】
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