光储直柔国外研究

光储直柔国外研究
光储直柔（optical storage with direct writing）在国外的研究也
取得了一定的进展。

在美国，斯坦福大学的研究团队开发了一种基于相变材料的光储直柔技术。

他们使用了一种能够在纳秒级别快速调整晶体结构的相变材料，并通过激光束进行直写操作。

这种技术可以实现超高密度的数据存储和读取，并具有良好的可重写性能。

另外，在韩国，庆熙大学的研究人员也进行了光储直柔技术的研究。

他们开发了一种基于液晶材料的光储直柔系统，通过激光束对液晶进行直写操作来实现数据存储。

他们的研究表明，这种技术具有较高的存储密度和读取速度，并且能够实现多次重写。

除了以上两个国家，其他国家的研究机构和大学也在光储直柔领域进行了一些探索和研究。

他们致力于开发新的材料和技术，以实现更高的存储密度、更快的读取速度和更好的可重写性能。

总的来说，国外的光储直柔研究取得了一些突破，但仍然需要进一步的探索和研究才能实现商业化应用。

这种技术的发展有望为数据存储领域带来重大的突破和改进。