镶嵌结构锗纳米晶电输运的研究

镶嵌结构锗纳米晶电输运的研究
张盛华;卢铁城;敦少博;胡强;赵建君;何捷
【期刊名称】《四川大学学报（自然科学版）》
【年(卷),期】2006(043)003
【摘要】利用离子注入然后退火的方法制备了镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合薄膜,从拉曼散射和透射电镜测量了解到薄膜中镶嵌有5～7nm大小的锗纳米晶层.研究了锗纳米晶层在常温和低温下的电输运性质.结果表明:锗纳米晶在100K～300K 温度范围内符合莫特变程跳跃电导(VRH)导电,100K以下的低温电导基本上是一常数,导电主要是电子在相邻纳米晶之间的直接跃迁;经退火可消除离子注入引入的缺陷,能增加薄膜的电导;对由3×1017cm-2注量锗离子注入制备的薄膜观察到半导体向金属导电的转变.
【总页数】5页(P622-626)
【作者】张盛华;卢铁城;敦少博;胡强;赵建君;何捷
【作者单位】桂林医学院物理教研室,广西,桂林,541004;四川大学物理系·辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064rn;四川大学物理系·辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;四川大学物理系·辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;四川大学物理系·辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;四川大学物理系·辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;四川大学物理系·辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064
【正文语种】中文
【中图分类】O4
【相关文献】
1.镶嵌于基质中硅纳米晶的微观结构及其发光机制研究进展 [J], 丁艳华;杜庆田;王乙潜;ROSS Guy
2.荧光EXAFS研究镶嵌在SiO2中的Ge纳米晶的局域结构 [J], 闫文盛;孙治湖;A．V.Kolobov;韦世强
3.纳米锗颗粒镶嵌复合薄膜的显微结构研究 [J], 岳兰平
4.掺杂对锗纳米晶薄膜电输运的影响 [J], 张盛华;卢铁城;敦少博;胡强;赵建君;何捷
5.镶嵌于非晶碳化硅中的高导电性掺杂纳米晶硅的制备与电学性能研究 [J], 季阳;单丹;钱明庆;李伟;徐骏;陈坤基
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。