一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法[发明专利]
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专利名称：一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法
专利类型：发明专利
发明人：李伟,盛浩,钟豪,卢满辉,郭国辉,蒋亚东
申请号：CN201510504418.0
申请日：20150817
公开号：CN105115599A
公开日：
20151202
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。
所述四象限光电探测器的每个象限的Si-PIN光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底正面中央上方的P型区4、位于硅本征衬底正面中央上方四周的环形P区3、位于硅本征衬底下方的N型MEMS微结构硅层区2、位于P型区和P区上表面两侧的上电极5，以及位于N型MEMS微结构硅层区下表面的下电极6。
每个单元探测器件通过隔离槽隔开，可以有效减小象限间的信号串扰。
本发明比传统Si-PIN四象限光电探测器具有响应度高、响应波段范围宽、象限间信噪比大等特点，可拓展Si-PIN四象限光电探测器的功能和使用范围，满足大规模市场化应用的需求。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都弘毅天承知识产权代理有限公司
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