半导体所获奖情况汇总
半导体年度个人总结(3篇)
一、前言随着科技的飞速发展，半导体行业作为信息时代的基石，正扮演着越来越重要的角色。
在过去的一年里，我作为半导体行业的一名从业者，在紧张而充实的工作中不断学习、成长。
在此，我对自己过去一年的工作进行总结，以便更好地规划未来的发展。
二、工作概述1. 项目参与情况过去一年，我参与了多个半导体相关项目，包括但不限于：（1）某型号芯片的设计与验证；（2）某新型半导体材料的研发与测试；（3）某半导体设备的维护与升级。
2. 工作目标完成情况（1）在芯片设计方面，我成功完成了某型号芯片的设计与验证，满足了客户需求，为公司创造了经济效益。
（2）在材料研发方面，我参与研发的新型半导体材料通过了性能测试，为我国半导体材料国产化进程做出了贡献。
（3）在设备维护方面，我负责的设备维护与升级工作得到了客户的高度认可。
三、成绩与不足1. 成绩（1）在芯片设计方面，我通过不断学习和实践，掌握了多种芯片设计方法，提高了设计效率。
（2）在材料研发方面，我具备较强的实验技能和数据分析能力，为项目的顺利进行提供了有力支持。
（3）在设备维护方面，我具备良好的团队协作精神，与同事共同完成了设备的维护与升级工作。
（1）在项目协调方面，由于沟通能力不足，导致项目进度有时受到影响。
（2）在技术深度方面，对某些前沿技术的了解还不够深入，需要加强学习。
（3）在时间管理方面，有时工作计划不够合理，导致工作效率不高。
四、经验与教训1. 经验（1）善于学习：在项目中，我积极学习新知识、新技术，不断提高自己的综合素质。
（2）注重团队协作：与同事保持良好的沟通，共同解决问题，确保项目顺利进行。
（3）严谨细致：对待工作认真负责，注重细节，确保工作质量。
2. 教训（1）加强沟通：提高沟通能力，确保项目进度不受影响。
（2）深入学习：加强对前沿技术的了解，提高自身技术水平。
（3）合理安排时间：制定合理的工作计划，提高工作效率。
五、明年计划1. 提高沟通能力参加沟通技巧培训，加强与同事、客户的沟通，确保项目顺利进行。
半导体技术年度总结(3篇)
第1篇一、引言2023年，全球半导体行业经历了前所未有的挑战与机遇。
从技术突破到市场变革，从国际合作到竞争加剧，半导体技术领域呈现出多元化的发展趋势。
本文将对2023年半导体技术领域的重大事件、创新成果和市场动态进行总结，以期为广大读者提供一幅2023年半导体技术的全景图。
二、技术创新与突破1. 芯片制造工艺- 3nm工艺：台积电宣布成功生产3nm芯片，成为全球首个实现3nm工艺量产的半导体公司。
该工艺采用GAA（栅极全环绕）晶体管技术，大幅提升芯片性能和能效。
- 2nm工艺：三星宣布2025年量产2nm芯片，继续推动半导体工艺创新。
该工艺采用先进的后端供电网络技术和MBCFET架构，进一步提升性能和能效。
2. 芯片设计- Chiplet技术：Chiplet技术成为芯片设计领域的新宠，通过将芯片分割成多个小芯片（Chiplet），实现灵活的设计和快速迭代。
- AI芯片：随着人工智能技术的快速发展，AI芯片需求旺盛。
多家企业推出高性能AI芯片，如华为的昇腾系列、英伟达的A100等。
3. 新材料与器件- 第三代半导体：氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半导体材料在功率器件、射频器件等领域得到广泛应用。
- 新型存储器：新型存储器如存储类内存（ReRAM）、铁电存储器（FeRAM）等逐渐走向市场，有望替代传统的闪存和DRAM。
三、市场动态1. 全球半导体市场：2023年，全球半导体市场规模达到5143亿美元，同比增长9.8%。
其中，中国市场占比达到32.2%，成为全球最大的半导体市场。
2. 中国半导体产业：中国政府加大对半导体产业的扶持力度，推动产业快速发展。
2023年，中国半导体产业增加值达到1.1万亿元，同比增长12.4%。
3. 并购与投资：全球半导体行业并购活动频繁，如英特尔收购Mobileye、英伟达收购Arm等。
同时，多家半导体企业获得巨额投资，如高通、台积电等。
四、国际合作与竞争1. 国际合作：全球半导体产业合作日益紧密，如台积电与三星、英特尔与Arm等企业之间的合作。
百年诺贝尔物理学奖及其对现代科技的影响
诺贝尔物理学奖及其对现代科技的影响摘要：诺贝尔奖是根据瑞典化学家阿尔弗雷德·诺贝尔的遗嘱所设立的奖项，包括的奖项有和平奖、化学奖、生理学或医学奖、文学奖、物理学奖，旨在奖励那些曾赋予人类最大利益的人。
诺贝尔物理学奖从1901年开始颁发至今已有百余年的历史，目前它已成为国际上最具影响力及权威性的科学奖项。
本文简要介绍了诺贝尔的生平及诺贝尔奖的由来，着重论述了诺贝尔物理学奖对现代科技的影响，由诺贝尔物理学奖的颁发预测了21世纪物理学的发展趋势，揭示了诺贝尔物理学奖颁发的启示。
关键词: 诺贝尔物理学奖现代科技发展趋势启示第一章诺贝尔生平及诺贝尔奖概述1.1 诺贝尔生平阿尔弗雷德·伯纳德·诺贝尔（Alfred Bernhard Nobel），是19世纪著名的化学家，1833年10月21日出生于瑞典首都斯德哥尔摩。
就在诺贝尔出生前一年，一场火烧毁了他的家，全家只好靠借债度日，父亲为了躲债，单身离家出走，幸好由母亲把家务全部担当下来。
诺贝尔凄苦的童年生活使他身体虚弱、性格内向。
诺贝尔8岁上学，仅读了一年就辍学了，这是他一生唯一的一次接受学校教育。
诺贝尔父亲是一位很有才干的机械师，后来他父亲发明的机械在俄国受到欢迎，家境开始好转，在1842年，诺贝尔9岁时全家迁居俄国彼德堡。
由于语言不通，诺贝尔和两个哥哥都进不了当地的学校，只得请家庭教师教他们学习外语和自然科学。
由于诺贝尔的勤奋学习，他的学识不亚于他的两个哥哥，深得教师和父亲的喜爱。
过了不久，诺贝尔的哥哥要回瑞典，诺贝尔也只好停止学业，他就到父亲开办的工厂当助手。
诺贝尔把工厂当大学，努力学习生产理论和生产技能。
为了扩大诺贝尔的视野，使他能学到先进的科学知识和技术，1850年他父亲让他出国进行旅行学习。
两年中，他去过德国、法国、意大利和美国，由于诺贝尔善于观察，认真钻研，知识积累迅速，所以在两年后回俄国时，他已经是一位精通几国语言和受过科学训练的学者。
半导体分立器件企业名录
半导体分立器件企业名录全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：半导体分立器件是现代电子行业中不可或缺的一部分，其在电子设备中扮演着重要的角色。
随着半导体产业的快速发展，许多企业致力于研发和生产各种半导体分立器件，为各种电子产品提供了技术支持。
以下是一份关于半导体分立器件企业名录，介绍一些在这一领域中具有重要地位的企业。
1. 英飞凌半导体（Infineon Technologies）英飞凌半导体是一家总部位于德国的跨国半导体公司，专注于生产各种先进的半导体产品，包括功率半导体器件、传感器、微控制器和安全解决方案等。
该公司的产品广泛应用于汽车、工业、通讯和消费电子等领域，为客户提供优质的半导体解决方案。
2. 台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company，TSMC）台积电是全球领先的芯片制造公司之一，总部位于台湾。
该公司专注于生产先进的半导体分立器件，包括逻辑芯片、存储芯片、功率半导体和模拟器件等。
台积电致力于技术创新和持续发展，为全球客户提供高品质的半导体产品。
3. 意法半导体（STMicroelectronics）意法半导体是一家总部位于瑞士的半导体制造公司，其产品覆盖了智能手机、汽车、工业控制和消费电子等多个领域。
该公司专注于功率半导体、传感器和微控制器等产品的研发和生产，为客户提供全方位的半导体解决方案。
4. 硅力半导体（Silicon Labs）硅力半导体是一家总部位于美国的高科技公司，专注于生产和销售各类精密时钟、晶体振荡器和RF产品等。
该公司产品广泛应用于通讯、工业、汽车和消费电子等领域，为客户提供高性能的半导体器件解决方案。
5. 安森美半导体（ON Semiconductor）安森美半导体是一家跨国半导体生产公司，总部位于美国。
该公司专注于生产功率半导体器件、模拟器件和传感器等产品，广泛应用于汽车、工业控制、通讯和消费电子等领域，为客户提供创新、可靠的半导体产品。
半导体研究所获奖情况
半导体研究所获奖情况2001年国家自然科学二等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究”王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等北京市科技进步一等奖：半导体神经网络技术及其应用王守觉、鲁华祥、石林初、石寅、王向东等国家最高科技奖黄昆先生2000年半导体所获奖情况：院自然科学一等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究”王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等院自然科学二等奖：“非晶硅的光致退化机理及消除途径”孔光临、张殿林、廖显伯、赵奕平、岳国珍院科技进步二等奖：“高功率激光二极管列阵”肖建伟、马骁宇、方高瞻、刘宗顺、刘素平等国家科技进步二等奖“670nm半导体量子阱激光器批量生产”郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴曹青何广平潘贵生1999年1. 670nm半导体量子阱激光器批量生产院科技进步一等奖郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴曹青何广平潘贵生2．新型医药用水装置院科技进步二等奖闻瑞梅沈英立沈英魁杜国栋刘素英栗广勇谢浩波柳光元任民峰半导体所、北京先路水处理新技术公司3．铌酸锂光波导调制器和微波共面传输线的理论研究院自然科学三等奖祝宁华潘裕斌钟宝璇王仁明吴正德半导体所、中山大学、香港城市大学、深圳大学、电子科技大学1998年1. LPE法制备的高效GaAs太阳电池院科技进步二等奖向贤碧汪乐王加宽常秀兰励翠云杜文会葫雨生高俊华王振英上海冶金所、半导体所2．半导体微结构的电子态及有关的物理性质研究院自然科学一等奖夏建白3．InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究院自然科学二等奖李国华韩和相汪兆平刘振先郑宝真4．大功率半导体量子阱激光器国家科技进步三等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英1997年1.大功率半导体量子阱激光器院科技进步一等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英张敬明刘宗顺庄芳捷胡长虹吕卉李秉臣毕可奎刘素平何晓曦李世祖2.砷化镓材料、器件与电路院科技进步二等奖姚林生王占国夏冠群李爱珍孔梅影刘训春郑东范恒何宏家吴德馨杨玉芬徐鸿达杜立新冯先根邹世昌上海冶金所、半导体所、微电子中心3. 1.48 微米掺铒光纤放大器泵浦院科技进步三等奖彭怀德刘德钧阎莉马骁宇王仲明4. 电子工业用气体--硅烷 GB/T 15909--1995 化学工业部科技进步三等奖余京松何道善佘中玉姚奎鸿化工部西南化工研究院、浙江大学、半导体所5.过渡金属和稀土金属硅化物研究院自然科学二等奖许振嘉陈维德丁孙安何杰王佑祥6.III-V族化合物半导体超晶格的喇曼散射研究院自然科学三等奖汪兆平韩和相李国华江德生丁锟7.二次离子质谱分析的应用基础研究院自然科学三等奖王佑祥查良镇姜志雄陈春华8. 长波长分布反馈激光器国家科技进步二等奖王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆天慧良李力马朝华1996年1.1.55微米应变层量子阱分布反馈（DFB）激光器院科技进步一等奖王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆天慧良李力马朝华毕可奎胡雄伟边静祝亚芹王白霞王志杰2.ф2”和ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究院科技进步二等奖林兰英曹福年白玉珂惠峰卜俊鹏刘明焦吴让元何宏家3.DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器院科技进步二等奖王守觉樊崇德石寅王怀荣朱荣华齐荔陆剑侠陶淑艳半导体所、电子部47所4.减压薄层硅外延片的研制院科技进步三等奖梁骏吾郭钟光邓礼生刘素英郑红军5.轨距及轨向检测装置铁道部科技进步二等奖邓兆阳（第五）许善兴（第六）半导体所为第四完成单位6.Recursion 方法及其在复杂杂质问题中的应用院自然科学三等奖王永良7.环境中砷的治理和检测新方法、新设备国家科技进步三等奖闻瑞梅梁骏吾周淑君赵振环刘任重8.一种电路新结构新原理多元逻辑（DYL）及其实用化国家发明三等奖王守觉石寅鲁华祥尹元茂李远境宋振华1995年1.低阈值1.3um InGaAs/InP 双区共腔双稳激光器院科技进步一等奖张权生吴荣汉林世鸣王启明高洪海高文智吕卉王丽明马朝华刘文旭韩勤段海龙张洪琴卢秀玲杜云2.高质量GaAs/AlGaAs二维电子气材料研制及其器件应用院科技进步二等奖梁基本朱战萍徐波廖奇为孔梅影林兰英王占国杨斌李伟3.“31”工程用一期（首批、二批）抗辐射院科技进步三等奖加固CMOS/SOS集成电路研制刘忠立和致经郁元桓于芳杨钦英4.半导体超晶格量子阱喇曼散射微观理论院自然科学二等奖朱邦芬黄昆汤蕙5.俄歇电子能谱定量分析及有关效应的研究院自然科学二等奖陈维德崔玉德6.半导体应变超晶格的会电子束衍射研究院自然科学二等奖半导体所为第三完成单位注：无档案材料无法确定名单7.稀土－铁－硼及稀土－铁－氮永磁材料的理论研究院自然科学三等奖顾宗权赖武彦8.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器国家科技进步三等奖陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影1994年1.MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用院科技进步二等奖杨辉梁骏吾邓礼生郑联喜胡雄伟张霞李建中葛璜李秉臣2.环境中砷的治理和检测的新方法、新设备院科技进步二等奖闻瑞梅彭永清邓礼生刘任重陈朗星刘成海注：无报奖材料，名单仅供参考3.非晶硅图像传感器线型阵列的研制院科技进步三等奖郑怀德廖显伯孔光临刁宏伟周帆4.氢离子敏场效应器件（与微电子中心合作）院科技进步三等奖李东研崔成烈李志强黄晓兰洪重光5. 电子束掺杂研究院科技进步三等奖王培大（排名第二）半导体所为第二完成单位注：无报奖材料，名单仅供参考6.低维半导体量子输运院自然科学一等奖郑厚植周海平邵华李月霞杨富华7.半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究院自然科学三等奖宋春英江德生钟学富葛帷锟 B.Pajot1993年1.超晶格量子阱自电光效应器件院科技进步一等奖吴荣汉林世鸣张权生段海龙王启明曾一平孔梅影孙殿照高洪海高文智韩勤吕卉王丽明芦秀玲杜云2.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器单管及四元线列院科技进步一等奖钟战天（排名第四）李承芳（排名第八）王森（排名第十二）物理所、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.计算机测试程序开发及IC测试与应用开发系统院科技进步二等奖林雨肖钢朱文珍李长海胡升陆文兰姜爱华郗志凤4.非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题的研究院自然科学二等奖孔光临廖显伯秦国刚钟战天孙国胜5.硅表面性质的晶向关系院自然科学三等奖邢益荣 W.Rankle6.金属有机源MOMBE分子束外延设备和MBE－IV型国家科技进步二等奖分子束外延设备孔梅影（第二）孙殿照（第五）梁基本（第九）中科院沈阳科学仪器研制中心、半导体所、物理所注：无报奖材料，名单仅供参考7.半导体超晶格的电子态与声子模理论国家自然科学二等奖黄昆朱邦芬夏建白1992年1.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器院科技进步一等奖陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影曾一平周小川马朝华徐遵图王丽明毕可奎杨国文李立康蒋建瞿伟2.MBE-IV型分子束外延和金属有机源分子束外延设备院科技进步一等奖孔梅影孙殿照梁基本韩汝水朱世荣沈阳科仪研制中心、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.微机控制光加热外延炉的研制和硅外延技术研究院科技进步二等奖梁骏吾杨辉郭钟光邓礼生郑红军张隽吕旭如黄大定汪光川4.多元逻辑高速数码乘法器电路院科技进步二等奖石寅朱荣华王守觉侯静媛赵泉沐曹秀兰5.小面积高效率非晶硅电池的研究院科技进步三等奖廖显伯孔光临郑怀德李海峰刁宏伟6. 2”直径的半绝缘磷化铟单晶院科技进步三等奖刘巽琅叶式中赵建群焦景华曹惠梅7.分子束外延GaAs/AlGaAs高速器件与光电子器件用料院科技进步三等奖孔梅影孙殿照曾一平梁基本郑海群8.长波长InGaAs.APD光接收组件院科技进步三等奖王树堂胡春阳曾靖夏彩虹何军9.半导体超晶格的静电光谱研究院自然科学三等奖李国华江德生韩和相汪兆平赵学恕10.长波1.3 和1.5um无致冷单模激光器研究国家科技进步二等奖彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中张盛廉吕卉武淑珍赵建和11.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱国家科技进步三等奖张一心（排名第四）半导体所为第四完成单位12.中国科学院文献资源合理布局国家科技进步三等奖孟广钧许鸿英谢淑莲高焕宝陈光楹中科院文献情报中心、中科院兰州文献情报中心、中科院成都文献情报中心、中科院上海文献情报中心、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考1991年1.SSPW小型系列高纯水器北京市星火科技一等奖闻瑞梅注：缺档案无法确定名单2.长寿命卫星用SOS－CMOS集成电路五种电路研制院科技进步二等奖刘忠立和致经郁元桓刘荣寰郭安张桂亭昝育德张永刚李国花于芳茅冬升倪秀珍杨钦英3.长波1.3 和1.5μm无致冷单模激光器研究院科技进步二等奖彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中张盛廉吕卉武淑珍赵建和潘贵生赵玲娟王丽明张洪琴王树堂周汝生4.1.5μm分布反馈激光器院科技进步二等奖王圩张静媛汪孝杰田惠良缪育博王宝军张济志马朝华王丽明吕卉张洪琴5.中科院文献资源合理布局院科技进步二等奖梁荫喜注：无报奖材料，名单仅供参考6.全平面结构8mm小功率开关保护器院科技进步三等奖郑东王良臣方浦明王莉邹立寿药建国周春7.集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究院科技进步三等奖林兰英何宏家刘巽琅曹福年白玉珂惠峰吴让元张金福曹惠梅孙文荣徐寿定赵健群费雪英卜俊鹏8.半导体致冷材料与器件院科技进步三等奖陈廷杰彭少近张韵琴唐代维郑秉茹李瑞云9.砷化镓量子阱微结构的光反射调制谱研究院自然科学三等奖江德生庄蔚华王炳心韩志勇注：无报奖材料，名单仅供参考10.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管国家科技进步二等奖王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香11.电子级气体N2、H2、O2、Ar、He、HCl、国家科技进步三等奖 CO2、NH3 28种杂质分析技术及质量监控闻瑞梅李希云王铁龄王桂英1990年1.八种气体中28种杂质全分析技术及质量监控院科技进步一等奖闻瑞梅李希云王铁龄王桂英注：无报奖材料，名单仅供参考2.半导体制冷技术和设备天津市科技合作一等奖陈廷杰彭少近张韵秦唐代维郑秉茹李瑞云(半导体所)庄如颜王兆乾(计算站)天津市制冷器厂、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管院科技进步二等奖王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹4.8mm脉冲雪崩管振荡器院科技进步二等奖杨玉芬张黄河王保强侯梦会刘衍芳吴晓东彭斌5.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱机电部科技进步二等奖张一心菜田海高维滨6.（HRIMG）高分辨电子显微像模拟计算机软件院科技进步三等奖褚一鸣段小峰何良王凤莲刘学锋都安彦向南玲7.集成光电转换器 (模样) 院科技进步三等奖李远境赵雅珠虞嘉峰姜文甫赵淑兰宋振华胡景香杨亚丽李大虹朱秀珍注：无报奖材料，名单仅供参考8.低位错、元位错掺Te锑化镓单晶研究院科技进步三等奖焦景华佘辉叶式中林汝淦曹惠梅孙文荣鄢秋明金盾9.半导体AlGaAs/GaAs脉冲功率激光器院科技进步三等奖洪坚王仲明龙泽民马国荣肖丽华赵建社孙晓山10.等电子杂质In在GaAs中行为的研究院科技进步三等奖王占国林兰英杨保华徐寿定万寿科杨锡权何宏家曹福年白玉珂钱家骏范缇文孙虹11.PCVD-310型等电子体非晶硅太阳能电池设备院科技进步三等奖廖显伯半导体所为第二完成单位注：无报奖材料，名单仅供参考12.半导体超晶格和量子阱的光学声子模和弗洛里希作用势院自然科学二等奖黄昆朱邦芬13.GaAs/AlAs超晶格中光学声子的拉曼散射研究院自然科学二等奖汪兆平韩和相李国华江德生14.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究国家科技进步三等奖林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文蒋四南范缇文李成基曹福年15.分子束外延GaAs-AlGaAs材料国家科技进步三等奖孔梅影李爱珍黄绮孙殿照梁基本黄运衡陈宗圭杨中兴邱建华1989年1.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究院科技进步一等奖林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文蒋四南范缇文李成基曹福年注：无报奖材料，名单仅供参考2.LPE GaInAsSb/InP异质材料的生长和性质研究院科技进步二等奖龚秀英王占国高风升韩文蔷赵海洋卢文宏注：无报奖材料，名单仅供参考3.电子级气体SJ2794~2797-87电子级气体中机电部科技进步二等奖颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2804.1-87SJ2805~2807-87尹恩华注：无报奖材料，名单仅供参考4.双束合成低能离子束外延实验机院科技进步三等奖秦复光王向明杨光荣刘大白刘志凯彭少近姚振钰任治璋注：无报奖材料，名单仅供参考5.超晶格电子态理论院自然科学一等奖夏建白黄昆朱邦芬汤惠6.砷化镓中杂质缺陷的红外研究院自然科学二等奖江德生宋春英葛惟锟钟学富许振嘉1988年1.掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备院科技进步一等奖梁骏吾邓礼生郑红军黄大定栾洪发2.DMF－1型大幅度矩形纳秒脉冲发生器院科技进步二等奖周旋鲍秉乾李强贾洪盛3.离子色谱在半导体工业中的应用院科技进步三等奖闻瑞梅李希云付仲华刘秀庆4.单层金属工艺条件下高密度布线设计院科技进步三等奖庄文军高春华程可行牛征虎刘新平1987年1.LSIS－II自动布图设计系统院科技进步一等奖庄文君程可行牛征虎高春华马佐成薄建国王怀伦易涪兰刘新华2.共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究院科技进步二等奖王启明王守武林世鸣李建蒙杜宝勋3.分子束外延高质量GaAs-GaAlAs材料研究院科技进步二等奖孔梅影孙殿照梁基本黄运衡曾一平陈宗圭4.抗辐照SOS－CMOS集成电路院科技进步二等奖刘忠立和致经郁元桓昝育德茅冬生5. 硅单晶次缺陷图集北京市科技进步二等奖张一心蔡田海高维滨6.GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究院科技进步三等奖王守武张权生吴荣汉李照银7.匀相位半导体激光器及相位测试设备院科技进步三等奖庄婉如石志文杨培生潘贵生马朝华何军马国华孙富荣8.GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究院科技进步三等奖徐仲英李玉璋葛惟锟许继宗郑宝真徐俊英庄蔚华9.二、三、四毫米波段硅肖特基势垒二极管国家科技进步二等奖王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭郑东陈微10.1.3微米基横模、低阈值、长寿命激光器国家科技进步二等奖王圩彭怀德张盛廉汪孝杰张静媛11.长波长光探测器件及光发射器件国家科技进步二等奖王圩彭怀德注：无报奖材料，名单仅供参考1986年1.二、三、四毫米硅肖特基势垒二极管检测器院科技进步一等奖王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭陈薇郑东2.GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究院科技进步一等奖杨桂林王炳森赵学恕李国华3.1.3μm单模低阈值、长寿命激光器的研制院科技进步二等奖王启明王圩彭怀德张盛廉周汝生4.水平法低位错GaAs的单晶院科技进步二等奖褚一鸣何宏家周伯骏曹福年白玉珂注：无报奖材料，名单仅供参考5.提高高纯水质量的研究院科技进步二等奖闻瑞梅薛继周陶帝先佟静亭龚义元6.短微波半导体器件系统及有关元件质量的研究院科技进步二等奖注：缺档案材料、名单无法确定7.兼容宏单元多元胞模式自动布局和四边通道布线算法院科技进步三等奖程可行庄文君8.多元电路万能函数发生器院科技进步三等奖王守觉王宏道李秀贤注：无报奖材料，名单仅供参考9.高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 院科技进步三等奖林兰英叶式中何宏家方兆强曹福年刘巽琅白玉珂焦景华费雪英10.GaAs表面和介面性质对毫米波器件性质的影响院科技进步三等奖陈克铭王森仇兰华陈维德王良臣11.二、三毫米硅雪崩振荡器院科技进步三等奖杨玉芬刘衍芳张黄河侯梦会蔡田海12.N+NP+型InGaAs/InP异质结构PIN光电探测器院科技进步三等奖王树堂曾靖潘荣浚陈良惠马朝华注：无报奖材料，名单仅供参考13.分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱超晶格院科技进步三等奖材料制备的特性孙殿照徐仲英陈宗圭梁基本庄蔚华许继宗黄运衡王玉田王佑祥注：无报奖材料，名单仅供参考14.高速双向负阻晶体管院科技进步三等奖周旋李凤银曹体伦李锦林鲍秉乾15.砷化镓霍尔器件院科技进步三等奖郑一阳张进昌刘衍芳注：无报奖材料，名单仅供参考16.固体化高压毫微秒脉冲电源院科技进步三等奖周旋李锦林鲍秉乾张建成陈子荣注：无报奖材料，名单仅供参考1985年1.分子束外延技术的研究国家科技进步二等奖孔梅影孙殿照注：无报奖材料，名单仅供参考2.提高砷化镓材料质量的研究国家科技进步二等奖林兰英彭瑞伍林耀望莫培根方兆强3.光纤通信用短波长发射器件和探测器件国家科技进步二等奖王启明庄婉如王树堂注：无报奖材料，名单仅供参考4.可控电参数的低位错磷化铟单晶制备国家科技进步三等奖叶式中刘巽琅刘思林孙同年焦景华注：无报奖材料，名单仅供参考21。
半导体工作总结范文(3篇)
第1篇一、前言随着科技的飞速发展，半导体产业作为电子信息产业的核心，其重要性日益凸显。
在过去的一年里，我国半导体产业取得了显著的成果，但也面临着诸多挑战。
在此，我将对过去一年的半导体工作进行总结，以期为今后的工作提供借鉴。
二、工作回顾1. 项目进展过去一年，我司承担了多个半导体项目，包括集成电路设计、封装测试、设备研发等。
在项目实施过程中，我们严格按照项目计划，确保项目进度和质量。
（1）集成电路设计项目：成功完成了多个项目的设计任务，其中某高端芯片设计项目已进入量产阶段。
（2）封装测试项目：完成了多个封装测试线的建设，提高了封装测试能力，降低了产品不良率。
（3）设备研发项目：研发出多款具有自主知识产权的半导体设备，提升了我国半导体产业的竞争力。
2. 技术创新在技术创新方面，我们注重自主研发，加大研发投入，取得了多项技术突破。
（1）在集成电路设计领域，成功研发出适用于多种应用场景的通用IP核，降低了客户设计成本。
（2）在封装测试领域，研发出新型封装技术，提高了产品性能和可靠性。
（3）在设备研发领域，成功研发出多款高性能、低成本的半导体设备，满足了市场需求。
3. 人才培养人才培养是半导体产业发展的关键。
过去一年，我们注重员工培训，提升员工综合素质。
（1）开展内部培训，提高员工专业技能。
（2）选派优秀员工参加外部培训，拓宽视野。
（3）与高校合作，开展产学研项目，培养优秀人才。
4. 市场拓展在市场拓展方面，我们积极开拓国内外市场，提高市场份额。
（1）加强与国内外客户的合作，拓展市场份额。
（2）参加行业展会，提升品牌知名度。
（3）积极拓展海外市场，提高国际竞争力。
三、工作总结1. 成绩与亮点（1）项目进展顺利，成功完成了多个项目的设计、封装测试和设备研发任务。
（2）技术创新取得突破，多项技术成果获得专利授权。
（3）人才培养成效显著，员工综合素质得到提升。
（4）市场拓展取得成果，市场份额稳步提升。
2. 不足与改进（1）部分项目进度仍需加快，确保项目按时完成。
半导体行业制造年度总结(3篇)
第1篇一、行业规模持续扩大2024年上半年，我国芯片制造设备支出达到250亿美元，超过美国、韩国等国家的总和。
预计全年支出将达到500亿美元，创年度纪录。
在全球半导体设备市场中，我国已成为最大的投资者。
此外，我国半导体产业链上下游企业不断壮大，行业规模持续扩大。
二、技术创新成果丰硕2024年，我国半导体行业在技术创新方面取得了丰硕的成果。
在芯片制造领域，我国企业攻克了一系列关键技术，如7纳米、5纳米制程工艺。
在材料领域，我国企业成功研发出碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料，为我国半导体产业的发展奠定了坚实基础。
三、产业链布局逐步完善2024年，我国半导体产业链布局逐步完善。
在芯片设计、制造、封装测试等领域，我国企业纷纷布局，推动产业链上下游协同发展。
此外，我国政府出台了一系列政策措施，鼓励企业加大研发投入，提升产业链整体竞争力。
四、政策支持力度加大2024年，我国政府加大对半导体行业的政策支持力度。
一方面，通过财政补贴、税收优惠等政策，鼓励企业加大研发投入；另一方面，加强知识产权保护，为半导体行业创造良好的发展环境。
五、国际合作不断深化2024年，我国半导体行业与国际市场的合作不断深化。
我国企业积极拓展海外市场，与国外企业开展技术交流与合作，推动产业链国际化。
同时，我国半导体产业在国际市场上也取得了一定的地位，为全球半导体产业发展做出了贡献。
六、市场前景广阔随着5G、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展，我国半导体市场需求持续增长。
2024年，我国半导体市场规模达到1.2万亿元，预计未来几年仍将保持高速增长态势。
总之，2024年我国半导体行业制造取得了显著的成绩。
在技术创新、产业链布局、政策支持、国际合作等方面，我国半导体行业正朝着高质量发展方向迈进。
未来，我国半导体行业将继续保持强劲的发展势头，为我国经济社会发展贡献力量。
第2篇一、市场概况1. 支出持续增长：据国际半导体产业协会（SEMI）最新数据，2024年上半年，我国芯片制造设备支出达到250亿美元，超过美国、韩国等国家的总和。
科研成果报奖介绍
中国科学院半导体研究所科技开发处
北京市科学技术奖的奖励范围
(一)研究、开发或者系统集成高新技术应用于经济 建设和社会发展，拥有自主知识产权，并取得较大
(二)运用科学技术知识对产品、工艺、材料及其系 统等提出具有创新性的技术或者取得发明专利，实 (三)在转化、推广科技成果并使之产业化中，取得 显著经济效益或者社会效益的；
条件：符合国家奖要求并进行过成果登记的科
研成果
中国科学院半导体研究所科技开发处
国家奖推荐单位之二：北京市
北京市科学技术奖的奖励范围 北京市科学技术奖专业评审组
北京市科学技术奖的等级及金额
北京市科学技术奖申报时间及条件
市科学技术奖一等奖、二等奖的获奖项目，
符合国家级科学技术奖申报条件的，由市科 学技术行政部门负责推荐。
中国科学院半导体研究所科技开发处
北京市科学技术奖专业评审组
农业与林业专业评审组 医药、卫生专业评审组 中医中药专业评审组 药物与生物医学工程专业评审组 电子、通讯与仪器仪表专业评审组 计算机与自动化专业评审组 工业技术专业评审组 城市建设专业评审组 环境保护专业评审组 城市管理与交通运输专业评审组 材料科学专业评审组 基础专业评审组 软科学专业评审组
国家最高科学技术奖
国家最高科学技术奖授予在当代科学技术前
沿取得重大突破或者在科学技术发展中有卓 越建树，在科学技术创新、科学技术成果转 化和高新技术产业化中创造巨大经济效益或 者社会效益的科技工作者。 在国家最高科学技术奖的奖金中， 50万元 为获奖者个人所得， 450万元由获奖者自主 选题，用作科学研究经费。
验及相关工作中取得的科学技术成果； （二）在核、航天、航空、船舶、兵器、电子等国 防科技工业主导产业的军民两用技术、产品开发中， 完成科学技术创新、科学技术成果转化取得的科学 技术成果； （三）在国防基础性技术（含技术基础及质量管理） 研究中取得的科学技术成果； （四）在为决策科学化和管理现代化而进行的国防 科技工业软科学研究中取得的科学技术成果。
全球知名半导体企业简介(精)
搜集了些半导体厂商的 LOGO ,让大家认识下。
从事电子元器件这行应该知道业内一些牛逼的企业。
就像广告人知道哪些是4A 广告公司, 会计师知道 4大一样!本文就介绍半导体行业最牛逼的 25家企业。
很多小日本的企业。
不得不承认人家在技术上很牛逼!1. 英特尔,营收额 313.59亿美元英特尔公司 (美国是全球最大的半导体芯片制造商,它成立于 1968年,具有 44年产品创新和市场领导的历史。
1971年,英特尔推出了全球第一个微处理器。
微处理器所带来的计算机和互联网革命,改变了整个世界。
2. 三星,营收额 192.07亿美元三星电子 -主要业务为消费型电子、 DRAM 与 NAND Flash,微控制器和微处理器、无线通信芯片与晶圆代工,美国《财富》杂志 2011年世界 500强行列中排名第 22位,集团旗下的旗舰公司。
2009年营业额约为 99兆 7000亿韩元。
3. 德州仪器,营收额 128.32亿美元德州仪器(英语:Texas Instruments,简称:TI ,是世界上最大的模拟技术部件制造商,全球领先的半导体跨国公司,以开发、制造、销售半导体和计算机技术闻名于世,主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。
除半导体业务外, 还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。
德州仪器(TI 总部位于美国德克萨斯州的达拉斯,并在 25多个国家设有制造、设计或销售机构。
4. 东芝,营收额 101.66亿美元东芝公司(Toshiba Corporation是日本最大的半导体制造商,亦是第二大综合电机制造商,隶属于三井集团旗下。
公司创立于 1875年 7月,原名东京芝浦电气株式会社, 1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成, 业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。
20世纪 80年代以来,东芝从一个以家用电器、重型电机为主体的企业, 转变为包括通讯、电子在内的综合电子电器企业。
26522972_行远自迩_笃行不怠——记厦门大学微电子与集成电路系主任、厦门云天半导体科技有限公司
创新之路Way of Innovation行远自迩 笃行不怠——记厦门大学微电子与集成电路系主任、厦门云天半导体科技有限公司董事长于大全博士 蔡巧玉“无论是延续摩尔定律，还是拓展摩尔定律，都离不开先进封装技术，先进工艺和先进封装是推动集成电路制造技术的两个引擎。
”2021年5月19日，集微龙门阵首次线下论坛举办，在这场以“半导体供应链重整时代下，先进封测的挑战和机遇”为主题的盛会上，厦门大学教授于大全以“新时代先进封装技术”为主题发表演说，将我国封装技术多年发展、“从零到一”的艰辛历程娓娓道来，同时，面向新时代，对封测技术的发展提出自己更高的目标。
由表及里，逐步走进零级封装封装技术，是将制备合格的芯片、元件等装配到载体上，采用适当的连接技术形成电气连接、安装外壳，构成有效组件的整个过程，是连接芯片内部电路和外部电路的桥梁，是实现芯片功率输入、输出与外界连接的途径。
我国封装技术初现于20世纪70年代，腾飞于集成电路产业内成果遍地开花的21世纪，随着中国在设计、制造领域的强势崛起，特色工艺及封装测试也进入了提速的赛道。
研究生硕博连读期间，于大全就与封装技术结下了不解之缘，坚定了在先进封装道路上不断探索的决心。
他2004年博士毕业，在告别了母校——大连理工大学后，走出国门，到彼时更为前沿的科技世界一探究竟。
2005年，功夫不负有心人，他成功申请获批德国“洪堡学者”这一殊荣，开始了在德国夫豪恩霍微集成和可靠性研究所近一年半的研发工作，走进了“芯片堆叠技术”这一领域的大门。
之后，于大全到新加坡微电子研究所工作了3年，开始接触到圆片级封装、微机电系统封装和硅通孔等前沿技术。
在微电子封装中，零级封装一般指圆片级的芯片连接，一级封装指芯片级封装，二级封装指电路板级的封装，而三级封装则指的是整机的组装。
通过5年海外学习和工作，于大全的研究方向也逐渐从二级封装技术逐渐深入到零级封装，在研学路上由浅入深、由表及里，最终触摸到了芯片封装技术的最前沿与核心的部分。
飞兆半导体获《电子系统设计》颁发最佳参考设计奖
受中国政府鼓励及 经济发展投资的刺激 ，电视背光应 用中的高 亮度发光 二极管 （ Ｂ－ Ｅ ）在过去 数年 内推 动产 Ｈ Ｌ Ｄ 能迅 速扩张 。但２ １ 年全球ＭＯＣ ０２ ＶＤ 设备采 购方面４ ％的 ０ 降幅将使Ｌ Ｄ设 备总体支 出五年多以来 首次 出现 下滑 。然 Ｅ
高管 、供应链 核心管理 层齐聚一 堂 ，从提升供应 链效率 、
降低供 应链成 本切入 ，围绕供应链 的全球化 与本地化探讨 如何推动全球光伏产 业链 的合作。
（ 刊 通讯 员） 本
而 ， 随 着 制 造 商 对 生 产 线 和 产 品 设 计 进 行 优 化 和 改进 ，对 于 ￣ ＭＯＣ ＶＤ设 备 ，特 别 是 光 刻 、蚀 刻 、测 试 及 封 装 设 备
低 ，提 高 电源 以 及 Ｌ Ｄ的 寿 命 。 Ｅ
支 出将 于 ２ １年 出现 增 长 。 ０２
尽管 在固态 照明方面 ，ＨＢ Ｌ Ｄ的需求 仍继续增 长 ， —Ｅ 但 液 晶显 示器 （ ＣＤ）电视 背光 装置 中所 应 用的 ＨＢ Ｌ Ｄ Ｌ —Ｅ （ Ｂ—Ｅ 总市场约４ ％）未能在２ １年达 到增长的预期 占Ｈ Ｌ Ｄ ０ ０１ 水平 。电视销售总 额低于增长 目标 ，作为Ｌ Ｄ电视销售 总 Ｃ 额组成部 分的Ｌ Ｄ背光应用设备 的市场渗透 未能达到众 多 Ｅ 专家预期 的水平 。据多方预 测 ，固态 照明领域所用 的Ｌ Ｄ Ｅ （ 目前总计价值约２ 亿美元 ）可能会在２ ２ 年突破３ ０Ｌ美 ５ ００ ０￣
美 元 ）， 日本 （ 亿 美元 ）及韩 国 （ ．亿 美元 ）。在 产 ３ ２６ 能 上 ，台 湾地 区仍 保 持领 先优 势 ，占全世 界Ｌ Ｄ产能 的 Ｅ ２ ％，其次是 中 国大 陆 （ ５ 占全世界产 能的２ ％） 。在新 产 ２
聊聊半导体历史上几位殿堂级牛人（转）
聊聊半导体历史上⼏位殿堂级⽜⼈（转）在微电⼦技术发展的这60多年间，半导体历史⼏位殿堂级的⽜⼈所起的作⽤⽆⼈能敌，正是这些天才推动了微电⼦技术的跨越式发展，当然也⼤⼤改变了我们⼈类⽣活，这些⼈貌似平凡，但天赋秉异，他们都有异于常⼈的能⼒，这⾥聊聊这⼏位⽜⼈的故事。
1、改变世界的两周假期------集成电路之⽗：杰克·基尔⽐（JackKilby）杰克·基尔⽐的发明堪称奇迹，他真正改变了我们的世界。
基尔⽐是２０００年诺贝尔物理学奖获得者。
２０００年的诺贝尔物理奖给了三个⼈：基尔⽐、 ZhoresAlferov、HerbertKroemer，基尔⽐⾝⾼2⽶，在⼈堆⾥很出众，在我们国家这个⾝材早进省队打篮球了，不过基尔⽐很补喜欢篮球，他最喜欢的电⼦科技产品。
在⾼中的时候，他的成绩并不突出，平均成绩为Ｂ。
教他理科的⽼师对他影响不⼤，是⼀位历史⽼师激发了他对学术的热情。
她让他认识到了必须在⽣活中发掘出⾃⼰最⼤的能⼒，并以此为⾃⼰的⽣活⽬标。
基尔⽐家不缺钱，但暑假期间，他还是去⼲农活或是在⽗亲的⼚⾥当临时⼯。
这些暑期⼯作对他的影响是，他决定今后绝不做体⼒劳动者。
1947 年，伊利诺斯⼤学毕业⽣杰克·基尔⽐在⽶尔沃基(Milwaukee)的中⼼实验室(Centralab)找到了⼀份⼯作，基尔⽐⼤量阅读了当时有关微型化电路的论⽂。
他很快就了解到了贝尔实验室发明的晶体管，他很清楚，晶体管是电⼦线路的最好器件。
在听了晶体管发明⼈巴丁(JohnBardeen)在⽶尔沃基的⼀次演讲后，基尔⽐对晶体管的兴趣就更⼤了。
取得硕⼠学位后，基尔⽐与妻⼦迁往德克萨斯州的达拉斯市，供职于德州仪器公司，因为它是惟⼀允许他差不多把全部时间⽤于研究电⼦器件微型化的公司，给他提供了⼤量的时间和不错的实验条件。
基尔⽐⽣性温和，寡⾔少语，加上6英尺6英⼨的⾝⾼，被助⼿和朋友称作“温和的巨⼈”。
正是这个不善于表达的巨⼈酝酿出了⼀个巨⼈式的构思。
高迁移率有机半导体材料与器件的研究 2023国家自然科学奖
高迁移率有机半导体材料与器件的研究2023国家自然科学奖1. 引言1.1 概述随着信息技术的迅速发展，有机半导体材料作为一种新型材料，引起了广泛的关注和研究。
高迁移率有机半导体材料是近年来研究的热点之一，其在电子器件领域具有广阔的应用前景。
本文将重点探讨高迁移率有机半导体材料与器件的研究，并对2023国家自然科学奖对该领域研究的支持和影响进行分析。
1.2 研究背景传统的硅基半导体材料具有成熟稳定的性能和制备工艺，但在柔性电子、可穿戴设备等领域存在局限性。
相比之下，有机半导体材料具有轻质、柔性可弯曲、低成本等优势，因此被认为是未来电子器件发展的重要方向之一。
然而，传统有机半导体材料通常具有较低的载流子迁移率，限制了其在高性能电子器件中的应用。
为了解决这个问题，高迁移率有机半导体材料被提出并广泛研究，以期实现高性能有机器件的制备。
1.3 目的和意义本文旨在系统地介绍高迁移率有机半导体材料及其相关器件的研究进展，并探讨其在电子器件领域的应用前景。
同时，文章将对2023年国家自然科学奖对于该领域研究的支持和影响进行分析，以便更好地了解该领域的最新发展和未来趋势。
相信通过本文的阐述，可以进一步推动高迁移率有机半导体材料与器件的研究，在相关领域取得更多重要突破，并为推动我国信息技术产业发展贡献力量。
以上是“1. 引言”部分内容，接下来将详细阐述“2. 高迁移率有机半导体材料的特点与应用”的相关内容。
2. 高迁移率有机半导体材料的特点与应用2.1 高迁移率有机半导体材料的概念高迁移率有机半导体材料是一类具有高电子或空穴迁移率的有机化合物。
相比传统无机半导体材料，高迁移率有机半导体材料在电子输运速度、可加工性和柔性等方面具备显著优势。
这些材料通常由有机分子或聚合物构成，其分子结构可以被调控和设计以实现更高的载流子迁移率。
2.2 材料特性与性能分析高迁移率有机半导体材料展示了许多独特的特性和优良的性能，使其在各种领域中拥有广泛的应用前景。
科研成果报奖介绍
国际科技合作奖
国际科技合作奖授予在双边或者多边国际科
技合作中对中国科学技术事业做出重要贡献 的外国科学家、工程技术人员、科技管理人 员和科学技术研究、开发、管理等组织。国 际科技合作奖每年授奖的数额不超过10个
中国科学院半导体研究所科技开发处
国家奖奖励等级及金额
国家最高科学技术奖（500万元） 国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科
中国科学院半优秀的科研成果
成果表现形式：报奖、论文、专利
报奖：加速科技进步、促进社会发展、提高我所综合实力
中国科学院半导体研究所科技开发处
报奖渠道 各奖励范围及评审标准
各奖励等级及金额
报奖程序
中国科学院半导体研究所科技开发处
报国家奖渠道
中国科学院半导体研究所科技开发处
国防科技奖励申报条件
（一）按有关规定经过相应的技术评价，并进行 了成果登记； （二）经过一年以上的使用实践（理论研究和一 次性应用成果除外），并证明其技术性能稳定、可 靠； （三）不存在成果权属、技术内容、主要完成单 位和主要完成人及其排序等方面的争议； （四）具有潜在应用价值。
中国科学院半导体研究所科技开发处
北京市科学技术奖的奖励范围
(一)研究、开发或者系统集成高新技术应用于经济 建设和社会发展，拥有自主知识产权，并取得较大
(二)运用科学技术知识对产品、工艺、材料及其系 统等提出具有创新性的技术或者取得发明专利，实 (三)在转化、推广科技成果并使之产业化中，取得 显著经济效益或者社会效益的；
条件：符合国家奖要求并进行过成果登记的科
研成果
中国科学院半导体研究所科技开发处
国家奖推荐单位之二：北京市
北京市科学技术奖的奖励范围 北京市科学技术奖专业评审组
半导体设备厂商有哪些_全球十大半导体设备厂商排名
半导体设备厂商有哪些_全球十大半导体设备厂商排名一、应用材料按维基百科，应用材料公司是全球最大的半导体设备和服务供应商。
应用材料公司创建于1967年，公司总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉。
应用材料公司1984年进入中国，目前在上海，北京，天津，苏州，无锡等地有办事处或仓库，在西安设有太阳能开发中心。
应用材料公司的主要产品为芯片制造相关类产品，例如原子层沉积，物理气相沉积，化学气相沉积，电镀，侵蚀，离子注入，快速热处理，化学机械抛光，测量学和硅片检测等。
应用材料公司每年的研究经费达到约10亿美元。
二、ASML阿斯麦公司（台译：艾司摩尔控股公司）ASML Holding NV（NASDAQ:ASML、Euronext:ASML）创立于1984年，前称ASM Lithography Holding N.V.，于2001年改为现用名，总部位于荷兰费尔德霍芬（Veldhoven），全职雇员12，168人，是一家半导体设备设计、制造及销售公司。
公司主要从事半导体设备的设计、制造及销售，ASML公司主要专精于晶片制造微缩影设备之设计制造与整合，积体电路生产流程中，其关键的制程技术则是微缩影（lithography）技术将电路图影像投射在晶片上之曝光。
业务范围遍及全球，生产与研发单位则分别位于美国康乃狄克州、加州，台湾以及荷兰。
阿斯麦公司在世界14个国家和地区有50个子公司和生产据点，主要产品是用来生产大规模集成电路的核心设备光刻机，在世界同类产品中有90%的市占率。
三、Tokyo Electron东京电子（Tokyo Electron ，8035.JP）成立于1963年，为全球第三大半导体设备生产商，提供给半导体与平面显示器产业。
半导体生产设备，包括涂布机、电浆蚀刻系统、热加工系统、单晶片沉积系统、清洗系统，用于晶圆生产流程，还提供晶圆探针系统。
平板显示器生产设备，包括平面显示镀膜机、平面电浆蚀刻，及电浆体化学气相沉积系统用于薄膜矽太阳能电池。
半导体年度总结报告(3篇)
第1篇一、行业概况2021年，全球半导体行业迎来了蓬勃发展的一年。
在全球经济复苏的背景下，半导体产业呈现出强劲的增长势头。
以下是本年度半导体行业的主要发展概况：1. 市场需求旺盛：随着5G、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展，对半导体的需求持续增长。
尤其是智能手机、数据中心、汽车电子等领域，对高性能、低功耗的半导体产品需求日益增加。
2. 产能扩张：为满足不断增长的市场需求，各大半导体厂商纷纷扩大产能。
台积电、三星、英特尔等全球领先企业纷纷投资建设新工厂，提升产能。
3. 技术创新：本年度，半导体行业在材料、工艺、封装等方面取得了多项突破。
例如，3D NAND闪存、7nm工艺、硅光子技术等，为行业带来了新的发展机遇。
二、市场分析1. 市场规模：根据市场调研机构数据，2021年全球半导体市场规模达到5000亿美元，同比增长约15%。
其中，中国市场规模达到1500亿美元，同比增长约20%。
2. 产品结构：在产品结构方面，集成电路、分立器件、光电器件等均实现增长。
其中，集成电路市场份额最大，达到70%。
3. 地区分布：从地区分布来看，亚洲市场占据全球半导体市场的半壁江山。
中国、韩国、日本等国家和地区市场增长迅速。
三、主要企业动态1. 台积电：作为全球领先的半导体代工企业，台积电在2021年持续扩大产能，推出7nm、5nm等先进制程技术，市场份额进一步提升。
2. 三星：三星在存储器、芯片制造等领域持续发力，推出新一代DRAM、NAND闪存产品，市场份额稳居全球前列。
3. 英特尔：英特尔在2021年推出多款新产品，包括10nm工艺的CPU、GPU等，致力于提升产品竞争力。
四、发展趋势1. 技术创新：未来，半导体行业将继续在材料、工艺、封装等方面进行技术创新，以满足市场需求。
2. 市场格局：随着新兴技术的快速发展，市场格局将发生变化。
中国企业有望在全球半导体市场中占据更大的份额。
3. 国际合作：半导体行业将进一步加强国际合作，共同推动技术创新和市场发展。
中国半导体企业九大领军人物
中国半导体企业九大领军人物时间：2004-12-02 20:30:00 来源：21ic作者：Petrarca王芹生：打造“国家队”王芹生作为“八五”、“九五”、“十五”集成电路CAD技术研究项目的主要负责人，对稳定、培养和壮大我国ICCAD软件队伍，保证ICCAD攻关成果免于流失做出了重大贡献。
她主持了多项国家重点集成电路品种开发和应用项目(47个专题),如我国第一台高档位八位单片机、第一块智能卡(CPU)芯片及系列产品等，主持开发了具有市场引导性的产品。
王芹生主持和领导了华大“908工程”、“工程研究中心”、“909工程”项目建设,这些工程建设为华大形成规模发挥了重要作用。
1990年到2002年，华大年销售收入由52万元增至从2000年起的连续三年超过亿元；从1990年起，华大开发的集成电路设计品种400余个，进入市场的在25%以上。
王芹生实施的人才政策，不仅稳定了科技队伍，而且发现、培养和推出了一批各有专长的技术业务骨干。
华大通过软件产品走向国际市场和向国内市场推广，形成了自己的影响力和品牌效应。
王芹生不仅是这一过程的主要组织与领导者，还是身体力行的穿针引线人。
王芹生：1964年7月毕业于北京航空学院计算机系。
1988年7月至1990年8月在原机械电子工业部计算机司担任副总工程师兼处长。
1990年9月至2002年6月，担任中国华大集成电路设计中心总裁。
2002年6月至今，担任中国华大集成电路设计(集团)有限责任公司副董事长。
王国平：书写“再造”篇章王国平，无锡华润微电子有限公司的领军人物，带领一个面临严重危机的中国最大的民族微电子企业，神话般地卸掉巨额亏损包袱，走上良性发展轨道，并挺立在国内消费类集成电路和分立器件企业的首位。
1998年，面对严重亏损的公司，王国平大胆地提出了“三年再造”设想。
2002年，全球半导体市场整体趋淡，国内消费类电子产品市场竞争异常激烈。
而恰恰就在这一年,公司终于摘掉了年均亏损1.5亿元的“亏损帽子”。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
半导体研究所获奖情况2001年国家自然科学二等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究”王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等北京市科技进步一等奖：半导体神经网络技术及其应用王守觉、鲁华祥、石林初、石寅、王向东等国家最高科技奖黄昆先生2000年半导体所获奖情况：院自然科学一等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究”王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等院自然科学二等奖：“非晶硅的光致退化机理及消除途径”孔光临、张殿林、廖显伯、赵奕平、岳国珍院科技进步二等奖：“高功率激光二极管列阵”肖建伟、马骁宇、方高瞻、刘宗顺、刘素平等国家科技进步二等奖“670nm半导体量子阱激光器批量生产”郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴曹青何广平潘贵生1999年1. 670nm半导体量子阱激光器批量生产院科技进步一等奖郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴曹青何广平潘贵生2．新型医药用水装置院科技进步二等奖闻瑞梅沈英立沈英魁杜国栋刘素英栗广勇谢浩波柳光元任民峰半导体所、北京先路水处理新技术公司3．铌酸锂光波导调制器和微波共面传输线的理论研究院自然科学三等奖祝宁华潘裕斌钟宝璇王仁明吴正德半导体所、中山大学、香港城市大学、深圳大学、电子科技大学1998年1. LPE法制备的高效GaAs太阳电池院科技进步二等奖向贤碧汪乐王加宽常秀兰励翠云杜文会葫雨生高俊华王振英上海冶金所、半导体所2．半导体微结构的电子态及有关的物理性质研究院自然科学一等奖夏建白3．InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究院自然科学二等奖李国华韩和相汪兆平刘振先郑宝真4．大功率半导体量子阱激光器国家科技进步三等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英1997年1.大功率半导体量子阱激光器院科技进步一等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英张敬明刘宗顺庄芳捷胡长虹吕卉李秉臣毕可奎刘素平何晓曦李世祖2.砷化镓材料、器件与电路院科技进步二等奖姚林生王占国夏冠群李爱珍孔梅影刘训春郑东范恒何宏家吴德馨杨玉芬徐鸿达杜立新冯先根邹世昌上海冶金所、半导体所、微电子中心3. 1.48 微米掺铒光纤放大器泵浦院科技进步三等奖彭怀德刘德钧阎莉马骁宇王仲明4. 电子工业用气体--硅烷 GB/T 15909--1995 化学工业部科技进步三等奖余京松何道善佘中玉姚奎鸿化工部西南化工研究院、浙江大学、半导体所5.过渡金属和稀土金属硅化物研究院自然科学二等奖许振嘉陈维德丁孙安何杰王佑祥6.III-V族化合物半导体超晶格的喇曼散射研究院自然科学三等奖汪兆平韩和相李国华江德生丁锟7.二次离子质谱分析的应用基础研究院自然科学三等奖王佑祥查良镇姜志雄陈春华8. 长波长分布反馈激光器国家科技进步二等奖王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆天慧良李力马朝华1996年1.1.55微米应变层量子阱分布反馈（DFB）激光器院科技进步一等奖王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆天慧良李力马朝华毕可奎胡雄伟边静祝亚芹王白霞王志杰2.ф2”和ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究院科技进步二等奖林兰英曹福年白玉珂惠峰卜俊鹏刘明焦吴让元何宏家3.DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器院科技进步二等奖王守觉樊崇德石寅王怀荣朱荣华齐荔陆剑侠陶淑艳半导体所、电子部47所4.减压薄层硅外延片的研制院科技进步三等奖梁骏吾郭钟光邓礼生刘素英郑红军5.轨距及轨向检测装置铁道部科技进步二等奖邓兆阳（第五）许善兴（第六）半导体所为第四完成单位6.Recursion 方法及其在复杂杂质问题中的应用院自然科学三等奖王永良7.环境中砷的治理和检测新方法、新设备国家科技进步三等奖闻瑞梅梁骏吾周淑君赵振环刘任重8.一种电路新结构新原理多元逻辑（DYL）及其实用化国家发明三等奖王守觉石寅鲁华祥尹元茂李远境宋振华1995年1.低阈值1.3um InGaAs/InP 双区共腔双稳激光器院科技进步一等奖张权生吴荣汉林世鸣王启明高洪海高文智吕卉王丽明马朝华刘文旭韩勤段海龙张洪琴卢秀玲杜云2.高质量GaAs/AlGaAs二维电子气材料研制及其器件应用院科技进步二等奖梁基本朱战萍徐波廖奇为孔梅影林兰英王占国杨斌李伟3.“31”工程用一期（首批、二批）抗辐射院科技进步三等奖加固CMOS/SOS集成电路研制刘忠立和致经郁元桓于芳杨钦英4.半导体超晶格量子阱喇曼散射微观理论院自然科学二等奖朱邦芬黄昆汤蕙5.俄歇电子能谱定量分析及有关效应的研究院自然科学二等奖陈维德崔玉德6.半导体应变超晶格的会电子束衍射研究院自然科学二等奖半导体所为第三完成单位注：无档案材料无法确定名单7.稀土－铁－硼及稀土－铁－氮永磁材料的理论研究院自然科学三等奖顾宗权赖武彦8.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器国家科技进步三等奖陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影1994年1.MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用院科技进步二等奖杨辉梁骏吾邓礼生郑联喜胡雄伟张霞李建中葛璜李秉臣2.环境中砷的治理和检测的新方法、新设备院科技进步二等奖闻瑞梅彭永清邓礼生刘任重陈朗星刘成海注：无报奖材料，名单仅供参考3.非晶硅图像传感器线型阵列的研制院科技进步三等奖郑怀德廖显伯孔光临刁宏伟周帆4.氢离子敏场效应器件（与微电子中心合作）院科技进步三等奖李东研崔成烈李志强黄晓兰洪重光5. 电子束掺杂研究院科技进步三等奖王培大（排名第二）半导体所为第二完成单位注：无报奖材料，名单仅供参考6.低维半导体量子输运院自然科学一等奖郑厚植周海平邵华李月霞杨富华7.半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究院自然科学三等奖宋春英江德生钟学富葛帷锟 B.Pajot1993年1.超晶格量子阱自电光效应器件院科技进步一等奖吴荣汉林世鸣张权生段海龙王启明曾一平孔梅影孙殿照高洪海高文智韩勤吕卉王丽明芦秀玲杜云2.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器单管及四元线列院科技进步一等奖钟战天（排名第四）李承芳（排名第八）王森（排名第十二）物理所、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.计算机测试程序开发及IC测试与应用开发系统院科技进步二等奖林雨肖钢朱文珍李长海胡升陆文兰姜爱华郗志凤4.非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题的研究院自然科学二等奖孔光临廖显伯秦国刚钟战天孙国胜5.硅表面性质的晶向关系院自然科学三等奖邢益荣 W.Rankle6.金属有机源MOMBE分子束外延设备和MBE－IV型国家科技进步二等奖分子束外延设备孔梅影（第二）孙殿照（第五）梁基本（第九）中科院沈阳科学仪器研制中心、半导体所、物理所注：无报奖材料，名单仅供参考7.半导体超晶格的电子态与声子模理论国家自然科学二等奖黄昆朱邦芬夏建白1992年1.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器院科技进步一等奖陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影曾一平周小川马朝华徐遵图王丽明毕可奎杨国文李立康蒋建瞿伟2.MBE-IV型分子束外延和金属有机源分子束外延设备院科技进步一等奖孔梅影孙殿照梁基本韩汝水朱世荣沈阳科仪研制中心、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.微机控制光加热外延炉的研制和硅外延技术研究院科技进步二等奖梁骏吾杨辉郭钟光邓礼生郑红军张隽吕旭如黄大定汪光川4.多元逻辑高速数码乘法器电路院科技进步二等奖石寅朱荣华王守觉侯静媛赵泉沐曹秀兰5.小面积高效率非晶硅电池的研究院科技进步三等奖廖显伯孔光临郑怀德李海峰刁宏伟6. 2”直径的半绝缘磷化铟单晶院科技进步三等奖刘巽琅叶式中赵建群焦景华曹惠梅7.分子束外延GaAs/AlGaAs高速器件与光电子器件用料院科技进步三等奖孔梅影孙殿照曾一平梁基本郑海群8.长波长InGaAs.APD光接收组件院科技进步三等奖王树堂胡春阳曾靖夏彩虹何军9.半导体超晶格的静电光谱研究院自然科学三等奖李国华江德生韩和相汪兆平赵学恕10.长波1.3 和1.5um无致冷单模激光器研究国家科技进步二等奖彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中张盛廉吕卉武淑珍赵建和11.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱国家科技进步三等奖张一心（排名第四）半导体所为第四完成单位12.中国科学院文献资源合理布局国家科技进步三等奖孟广钧许鸿英谢淑莲高焕宝陈光楹中科院文献情报中心、中科院兰州文献情报中心、中科院成都文献情报中心、中科院上海文献情报中心、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考1991年1.SSPW小型系列高纯水器北京市星火科技一等奖闻瑞梅注：缺档案无法确定名单2.长寿命卫星用SOS－CMOS集成电路五种电路研制院科技进步二等奖刘忠立和致经郁元桓刘荣寰郭安张桂亭昝育德张永刚李国花于芳茅冬升倪秀珍杨钦英3.长波1.3 和1.5μm无致冷单模激光器研究院科技进步二等奖彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中张盛廉吕卉武淑珍赵建和潘贵生赵玲娟王丽明张洪琴王树堂周汝生4.1.5μm分布反馈激光器院科技进步二等奖王圩张静媛汪孝杰田惠良缪育博王宝军张济志马朝华王丽明吕卉张洪琴5.中科院文献资源合理布局院科技进步二等奖梁荫喜注：无报奖材料，名单仅供参考6.全平面结构8mm小功率开关保护器院科技进步三等奖郑东王良臣方浦明王莉邹立寿药建国周春7.集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究院科技进步三等奖林兰英何宏家刘巽琅曹福年白玉珂惠峰吴让元张金福曹惠梅孙文荣徐寿定赵健群费雪英卜俊鹏8.半导体致冷材料与器件院科技进步三等奖陈廷杰彭少近张韵琴唐代维郑秉茹李瑞云9.砷化镓量子阱微结构的光反射调制谱研究院自然科学三等奖江德生庄蔚华王炳心韩志勇注：无报奖材料，名单仅供参考10.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管国家科技进步二等奖王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香11.电子级气体N2、H2、O2、Ar、He、HCl、国家科技进步三等奖 CO2、NH3 28种杂质分析技术及质量监控闻瑞梅李希云王铁龄王桂英1990年1.八种气体中28种杂质全分析技术及质量监控院科技进步一等奖闻瑞梅李希云王铁龄王桂英注：无报奖材料，名单仅供参考2.半导体制冷技术和设备天津市科技合作一等奖陈廷杰彭少近张韵秦唐代维郑秉茹李瑞云(半导体所)庄如颜王兆乾(计算站)天津市制冷器厂、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管院科技进步二等奖王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹4.8mm脉冲雪崩管振荡器院科技进步二等奖杨玉芬张黄河王保强侯梦会刘衍芳吴晓东彭斌5.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱机电部科技进步二等奖张一心菜田海高维滨6.（HRIMG）高分辨电子显微像模拟计算机软件院科技进步三等奖褚一鸣段小峰何良王凤莲刘学锋都安彦向南玲7.集成光电转换器 (模样) 院科技进步三等奖李远境赵雅珠虞嘉峰姜文甫赵淑兰宋振华胡景香杨亚丽李大虹朱秀珍注：无报奖材料，名单仅供参考8.低位错、元位错掺Te锑化镓单晶研究院科技进步三等奖焦景华佘辉叶式中林汝淦曹惠梅孙文荣鄢秋明金盾9.半导体AlGaAs/GaAs脉冲功率激光器院科技进步三等奖洪坚王仲明龙泽民马国荣肖丽华赵建社孙晓山10.等电子杂质In在GaAs中行为的研究院科技进步三等奖王占国林兰英杨保华徐寿定万寿科杨锡权何宏家曹福年白玉珂钱家骏范缇文孙虹11.PCVD-310型等电子体非晶硅太阳能电池设备院科技进步三等奖廖显伯半导体所为第二完成单位注：无报奖材料，名单仅供参考12.半导体超晶格和量子阱的光学声子模和弗洛里希作用势院自然科学二等奖黄昆朱邦芬13.GaAs/AlAs超晶格中光学声子的拉曼散射研究院自然科学二等奖汪兆平韩和相李国华江德生14.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究国家科技进步三等奖林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文蒋四南范缇文李成基曹福年15.分子束外延GaAs-AlGaAs材料国家科技进步三等奖孔梅影李爱珍黄绮孙殿照梁基本黄运衡陈宗圭杨中兴邱建华1989年1.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究院科技进步一等奖林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文蒋四南范缇文李成基曹福年注：无报奖材料，名单仅供参考2.LPE GaInAsSb/InP异质材料的生长和性质研究院科技进步二等奖龚秀英王占国高风升韩文蔷赵海洋卢文宏注：无报奖材料，名单仅供参考3.电子级气体SJ2794~2797-87电子级气体中机电部科技进步二等奖颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2804.1-87SJ2805~2807-87尹恩华注：无报奖材料，名单仅供参考4.双束合成低能离子束外延实验机院科技进步三等奖秦复光王向明杨光荣刘大白刘志凯彭少近姚振钰任治璋注：无报奖材料，名单仅供参考5.超晶格电子态理论院自然科学一等奖夏建白黄昆朱邦芬汤惠6.砷化镓中杂质缺陷的红外研究院自然科学二等奖江德生宋春英葛惟锟钟学富许振嘉1988年1.掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备院科技进步一等奖梁骏吾邓礼生郑红军黄大定栾洪发2.DMF－1型大幅度矩形纳秒脉冲发生器院科技进步二等奖周旋鲍秉乾李强贾洪盛3.离子色谱在半导体工业中的应用院科技进步三等奖闻瑞梅李希云付仲华刘秀庆4.单层金属工艺条件下高密度布线设计院科技进步三等奖庄文军高春华程可行牛征虎刘新平1987年1.LSIS－II自动布图设计系统院科技进步一等奖庄文君程可行牛征虎高春华马佐成薄建国王怀伦易涪兰刘新华2.共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究院科技进步二等奖王启明王守武林世鸣李建蒙杜宝勋3.分子束外延高质量GaAs-GaAlAs材料研究院科技进步二等奖孔梅影孙殿照梁基本黄运衡曾一平陈宗圭4.抗辐照SOS－CMOS集成电路院科技进步二等奖刘忠立和致经郁元桓昝育德茅冬生5. 硅单晶次缺陷图集北京市科技进步二等奖张一心蔡田海高维滨6.GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究院科技进步三等奖王守武张权生吴荣汉李照银7.匀相位半导体激光器及相位测试设备院科技进步三等奖庄婉如石志文杨培生潘贵生马朝华何军马国华孙富荣8.GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究院科技进步三等奖徐仲英李玉璋葛惟锟许继宗郑宝真徐俊英庄蔚华9.二、三、四毫米波段硅肖特基势垒二极管国家科技进步二等奖王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭郑东陈微10.1.3微米基横模、低阈值、长寿命激光器国家科技进步二等奖王圩彭怀德张盛廉汪孝杰张静媛11.长波长光探测器件及光发射器件国家科技进步二等奖王圩彭怀德注：无报奖材料，名单仅供参考1986年1.二、三、四毫米硅肖特基势垒二极管检测器院科技进步一等奖王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭陈薇郑东2.GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究院科技进步一等奖杨桂林王炳森赵学恕李国华3.1.3μm单模低阈值、长寿命激光器的研制院科技进步二等奖王启明王圩彭怀德张盛廉周汝生4.水平法低位错GaAs的单晶院科技进步二等奖褚一鸣何宏家周伯骏曹福年白玉珂注：无报奖材料，名单仅供参考5.提高高纯水质量的研究院科技进步二等奖闻瑞梅薛继周陶帝先佟静亭龚义元6.短微波半导体器件系统及有关元件质量的研究院科技进步二等奖注：缺档案材料、名单无法确定7.兼容宏单元多元胞模式自动布局和四边通道布线算法院科技进步三等奖程可行庄文君8.多元电路万能函数发生器院科技进步三等奖王守觉王宏道李秀贤注：无报奖材料，名单仅供参考9.高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 院科技进步三等奖林兰英叶式中何宏家方兆强曹福年刘巽琅白玉珂焦景华费雪英10.GaAs表面和介面性质对毫米波器件性质的影响院科技进步三等奖陈克铭王森仇兰华陈维德王良臣11.二、三毫米硅雪崩振荡器院科技进步三等奖杨玉芬刘衍芳张黄河侯梦会蔡田海12.N+NP+型InGaAs/InP异质结构PIN光电探测器院科技进步三等奖王树堂曾靖潘荣浚陈良惠马朝华注：无报奖材料，名单仅供参考13.分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱超晶格院科技进步三等奖材料制备的特性孙殿照徐仲英陈宗圭梁基本庄蔚华许继宗黄运衡王玉田王佑祥注：无报奖材料，名单仅供参考14.高速双向负阻晶体管院科技进步三等奖周旋李凤银曹体伦李锦林鲍秉乾15.砷化镓霍尔器件院科技进步三等奖郑一阳张进昌刘衍芳注：无报奖材料，名单仅供参考16.固体化高压毫微秒脉冲电源院科技进步三等奖周旋李锦林鲍秉乾张建成陈子荣注：无报奖材料，名单仅供参考1985年1.分子束外延技术的研究国家科技进步二等奖孔梅影孙殿照注：无报奖材料，名单仅供参考2.提高砷化镓材料质量的研究国家科技进步二等奖林兰英彭瑞伍林耀望莫培根方兆强3.光纤通信用短波长发射器件和探测器件国家科技进步二等奖王启明庄婉如王树堂注：无报奖材料，名单仅供参考4.可控电参数的低位错磷化铟单晶制备国家科技进步三等奖叶式中刘巽琅刘思林孙同年焦景华注：无报奖材料，名单仅供参考21。