单晶硅太阳能电池片基础知识培训
单晶硅基础必学知识点
单晶硅基础必学知识点
1. 单晶硅的结晶原理：单晶硅是由纯净的硅材料经过熔融、结晶和拉
延等工艺制备而成的。
在熔融过程中，硅材料先被加热至高温状态，
使其融化成液态硅材料。
然后通过控制温度梯度和晶面的生长方向，
使硅材料首先在液面上形成小晶核，然后沿着晶面的生长方向逐渐生长，最终形成大型的单晶硅。
2. 单晶硅的结构特点：单晶硅具有高度有序的晶格结构，所有晶格点
都具有完全一致的原子排列方式。
单晶硅晶体呈现出透明、均匀的外观，并且具有高度的电子迁移率和较低的电阻率，因此可以作为半导
体材料广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
3. 单晶硅的生长方法：单晶硅的生长方法主要包括悬浮区域法、坩埚
法和气相沉积法等。
其中，悬浮区域法是最常用的方法，它通过在硅
熔液中引入渐冷区和温度梯度，使硅材料先形成小晶核，然后沿着生
长方向逐渐生长，最终形成单晶硅。
4. 单晶硅的杂质控制：单晶硅作为半导体材料，需要保持高纯度才能
发挥良好的电子特性。
因此，在生长单晶硅的过程中，需要控制和去
除杂质的含量。
常用的方法包括使用高纯度原料、采用化学处理和热
处理等工艺来去除杂质。
5. 单晶硅的应用领域：单晶硅广泛应用于集成电路、太阳能电池、光
电子器件等领域。
在集成电路中，单晶硅被用作制造晶体管和电子器
件的基底材料；在太阳能电池中，单晶硅可用于制造高效率的太阳能
电池组件；在光电子器件中，单晶硅可用于制造光探测器、激光器等。
以上是单晶硅基础知识的一些重要点，希望对你有帮助！。
《单晶硅太阳能电池》课件
单晶硅太阳能电池的结构
单晶硅太阳能电池由多个层次组成，包括正极、负极、PN结和电流收集器等。这些组成部分相互配合，实现 了太阳能转化为电能的过程。
单晶硅太阳能电池的工作原理
单晶硅太阳能电池基于光伏效应，通过光线照射激发硅晶体内的电子，形成 电流。光电池和电流收集器将产生的电流导出，供电给外部设备。
单晶硅太阳能电池的优点
1 高转换效率
单晶硅太阳能电池具有较高的转换效率，能 够更有效地将太阳能转化为电能。
2 稳定可靠
相比其他材料制造的太阳能电池，单晶硅太 阳能电池具有更高的稳定性和可靠性。
3 长寿命
由于单晶硅太阳能电池的制造工艺和材料质 量较高，其使用寿命一般可达20年以上。
4 可持续发展
单晶硅太阳能电池利用太阳能作为能源，属 于可再生能源，对环境影响较小，有助于可 持续发展。
单晶硅太阳能电池的未来发展
1
发展历程
单晶硅太阳能电池经历了不断的发展过程，技术不断改进，效率和成本逐渐提升。
2
未来趋势
未来，单晶硅太阳能电池有望进一步提高转换效率、降低成本，并在更广泛的领域应用，为 硅太阳能电池的特点、结构、工作原理、应用 和未来发展。它具有高效转换、稳定可靠、可持续发展等优点，在太阳能领 域发挥着重要作用，并有着广阔的发展前景。
《单晶硅太阳能电池》 PPT课件
欢迎来到《单晶硅太阳能电池》PPT课件！在本课程中，我们将深入探讨单晶 硅太阳能电池的特点、结构、工作原理、应用和未来发展。让我们一起来了 解这项令人兴奋的技术吧！
什么是单晶硅太阳能电池？
单晶硅太阳能电池是一种利用单晶硅材料制造的太阳能电池。它具有高效转 换、稳定可靠和长寿命等特点，是目前应用最广泛的太阳能电池类型之一。
单晶硅太阳能电池片基础知识培训
单晶硅电池片生产流程
制绒 Texturing 清洗干燥 Rinse&Dry 扩散 Diffusion
PECVD (Plasma
Enhanced Chemical Vapor Deposition)
去磷硅玻璃(干 刻)Remove PSG
等离子刻蚀& 湿法刻蚀 Edge isolation
印刷 Printing
测试手段：冷热探针测试仪、边缘隔离电阻测试仪。
3刻蚀机整体结构
反应室 真空系统 送气系统 压力控制系 统 • 高频电源和 匹配器 • • • •
4、装片示意图
5、去PSG 什么是磷硅玻璃？ 在扩散过程中发生如下反应：
POCl3分解产生的 P2O5 淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生 4POCl3 3O 2 2P 2O5 6Cl2 成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷 硅玻璃 2P O 5Si 5SiO 4P
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2 5 2
氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用 生成易挥发的四氟化硅气体。 若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反 SiO 4HF SiF 2H O 2 4 2 应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 总反应式为：
SiF4 2HF H2 [SiF6 ]
2、PECVD的作用： Si3N4膜的作用: 减少光的反射 良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。 防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。 低温工艺（有效降低成本） 优良的表面钝化效果 反应生成的H离子对硅片表面进行钝化
印刷&烧结Printing&Fire
太阳能电池基本知识培训
Solar basic technology training太阳能基本知识培训Contents：内容：1.Silicon refining process硅的提炼过程2.Wafer types and its productive process硅片的种类及其生产过程3.Solar cell productive process&Important parameters of solar cell太阳能电池片生产流程和太阳能电池的重要参数4.PV modules productive process太阳能组件工艺流程5.Benefit of using back contact modules&description of different types of PVcell modules背结式太阳能电池的优点以及不同类型的太阳能电池模组的描述The detail is as follows：详细介绍如下：1.Silicon purifyingprocess硅的提纯过程Mine 硅矿Silica stone 硅石Metallic silica金属硅Polycrystalline silicon多晶硅 Mono-crystalline silicon 单晶硅2.Wafertypes and its productiveprocess硅片的种类及其生产过程①Wafer types硅片种类 N type silicon N型硅（doping with boron掺杂硼）Mono-crystalline silicon 单晶硅:P type silicon P型硅（doping withphosphorus掺杂磷）Poly-crystalline silicon 多晶硅：P type silicon P型硅② Wafer productive process硅片生产过程1)Silicon powder硅粉2)heated it up and melting it make it to fluid in a chamber在密封的腔体中加热使其熔化3)doping with boron (P type) or phosphorus (N type)掺杂硼（P型硅）或者磷（N型硅）4)castit, became ingot在特殊的炉子里铸造形成硅锭5)cut it into pieces ,the wafer is formatted!切割成片，硅片形成了Detailed illustration is as follows详细图解如下The cutting step detailed illustration is as follows 切片详细图解如下3.Solar cell productive process太阳能电池片生产流程1）.Clean (etching)清洗腐蚀2). Texturizing制绒Mono-crystalline silicon& Poly-crystalline silicon texturizing 单晶硅与多晶硅制绒Mono-crystalline silicon texturizing with alkali Poly-crystalline silicon texturizing with acid 单晶硅碱制绒多晶硅酸制绒3）.Doping form PN junction掺杂，形成PN结Process of doping with phosphorus in diffusion furnace在扩散炉里进行磷扩散的工艺Diffusion purpose ：form PN junction扩散目的：形成PN结4）.PSG(phosphorus silicate glass) etch 去磷硅玻璃Use HF to remove the surface PSG 用氢氟酸去掉表面生成的PSG5）.Edge isolation （Use chemical reagent to remove both sides and bottom useless N type layer）边缘刻蚀（去掉两边和底部掺杂形成的N型层，使硅片上下表面绝缘）6）.PECVD deposition (SINx coating) ARC(Anti-reflective coating), passivationPECVD 淀积氮化硅薄膜:减反射，钝化作用7）Metalization （Screen print）丝网印刷Front side print Back side print正面印刷背面印刷8）.Firing (烧结)9）.Test and sort(测试分选)Major parameters of the solar cell太阳能电池的主要参数I sc：short circuit current 短路电流Voc：open circuit voltage 开路电压Imax：maximum operating current 最大工作电流Vmax：maximum operating voltage 最大工作电压P max：maximum operating power 最大工作功率FF: fill factor 填充因子 FF=P max/I sc*VocEff: efficiency 效率 EFF=cell output/light radiation power Rs: series resistance 串联电阻Rsh: shunt series 并联电阻The circuit model of solar cell is as follows：太阳能电池等效电路模型如下：Rs must be as low as possible , Rsh must be as high as possible 串联电阻越小越好，并联电阻越大越好5. PV modules productive process太阳能组件工艺流程1）.Tabbing & stringing串接固定2). Stack-up 叠层Detail is as follows (详细描述如下)3）.Lamination/ AOI inspection层压/自动光学检测4）.Trimming (修边，去掉边缘挤压出的EVA)5）.Framing (装框)6）.Junction box（装接线盒，电池正负极由此导出与外界电路相连）7）Testing（测试）Tester （测试仪） Tested curve and data（测试曲线和数据）8）Clean（组件清洗）Clean the surface and the edge ofthe cell module对电池片表面和边缘进行清洗9）.Sort (分类)According to the electrical performance parameters to sort the cell modules根据最终电气性能参数对电池模组进行分类5. Benefit of using back contact modules&description of different types of PVcell modules背结式太阳能电池的优点以及不同类型的太阳能电池模组的描述1).Back contact solar cell modules description2).Benefit of using back contact solar modules使用背结式太阳能电池模组的优点•With a simple physical change to the H-type cell对传统的H型电池进行物理改造–0.2% abs. cell efficiency increase due to less shadowing–由于阴影面积减少，电池片效率能提高0.2%–0.1 – 0.2% abs. cell efficiency increase due to lower series resistance–由于串联电阻的减少，电池片的效率可以提高0.1%-0.2% •Depending on the process cell Eff >17% on mc-Si and > 18.5% on Cz-Si•基于这个制程，多晶硅电池片效率可以达到17%以上，单晶硅电池片可以达到18.5%以上•Less than 1% power loss from cell to module can be achieved•从电池片到模组的功率损失在1%以下•Manufacturing cost is € 0.02/Wp lower than H-type module•制造成本每瓦比传统型电池片低0.02欧元。
太阳能全面培训资料
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多晶硅太阳电池生产流程
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直拉法拉制单晶示意图及单晶炉
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非晶硅太阳电池：一般采用高 频辉光放电等方法使硅烷气体 分解沉积而成。一般在P层与N 层之间加入较厚的I层。非晶硅 太 阳 电 池 的 厚 度 不 到 1μm ， 不 足晶体硅太阳电池厚度的1/100， 降低制造成本。目前转换效率 为5%--8%，最高效率达14.6%， 层叠的最高效率可达21.0%。
晶体又分为单晶体和多晶体。整块材料从头到尾都按同以规则作周期 性排列的晶体，称为单晶体。整个晶体由多个同样成分、同样晶体结构的 小晶体（即晶粒）组成的晶体，称为多晶体。
硅材料有多种形态，按晶体结构，可分为单晶硅、多晶硅和非晶硅。
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单晶硅：
原子在整个晶体中排列有序
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多晶硅：
将PN结两端用导线连起来，电路中有电流流过，电流的方向由P 区流经外电路至N区。若将外电路断开，就可测出光生电动势。
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2 太阳能电池的结构
硼扩散层 P-N结 N型硅片
P型电极 电极
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1.2 太阳能电池发展概况
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原子在微米数量级排列有序
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非晶硅：
原子在原子尺度上排列有序 短程序包含： 1、近邻原子的种类和数目； 2、近邻原子之间的距离（键长）； 3、近邻原子的几何方位（键角）；
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单晶、多晶和非晶体原子排列
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2.2 晶体结构和取向
构成晶体的最小重复单元为原胞，原胞包含有重现晶体中原子位置所需的
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金属化处理
在薄膜上形成金属电极，以收集和导引产生的电流。
薄膜沉积
在基板上沉积光伏材料薄膜，以增加太阳能电池的转换效率。
材料准备
制备光伏材料，如单晶硅、多晶硅等。
基板处理
清洗、干燥和加工基板，使其适合太阳能电池的制造。
损坏
太阳能电池板在使用过程中可能会受到损坏，如被冰雹、闪电等自然灾害损坏。解决方法包括加强保护措施，以及定期检查和维护太阳能电池板。
发展趋势
中国太阳能电池市场现状及发展趋势
主要竞争者
目前，太阳能电池行业的主要竞争者包括中国、美国和欧洲的企业，其中中国的企业数量最多，且市场份额最大。
竞争格局
太阳能电池行业的竞争格局呈现出多元化的特点，既有大型跨国企业，也有一些具有创新能力和技术优势的中小企业。这些企业在市场上展开激烈的竞争，推动着太阳能电池技术的不断进步和成本的不断降低。
输出功率
太阳能电池板的尺寸和形状因应用场景而异，如平板型、曲面型等。这些因素会影响太阳能电池板的安装和使用。
尺寸和形状
太阳能电池板主要由光伏材料制成，如单晶硅、多晶硅等。制造工艺流程会影响产品的性能和成本。
材料和制造工艺
太阳能电池的制造工艺流程
封装和测试
将太阳能电池封装在保护壳内，并进行性能测试，以确保其符合规格要求。
海洋领域
太阳能电池在海洋领域的应用包括太阳能船、太阳能灯塔等。它们为海上运输和海上作业提供清洁、可持续的能源。
02
太阳能电池技术
太阳能电池的技术参数
太阳能电池板将太阳能转换为电能的效率，通常以百分比表示。一般来说，转换效率越高，性能越好。
转换效率
太阳能电池板在单位时间内输出的电能，通常以瓦特（W）表示。输出功率越高，可以提供的电能越多。
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五线
正极：反面 负极：晶片面 规格： 1、156*156mm 2、140*156mm 3、130*156mm
太阳能板分类
一、玻璃层压 1、全钢化玻璃3.2mm 2、接线盒位置 3、铜带长度 4、厚度4.8+/-0.3mm
二、PET层压 1、厚度值：2mm+/-0.2mm 三、滴胶板 1、厚度值：3.5mm+/-0.3mm
公式
一、根据电压/功率求面积 1、已知5V/5W的太阳能板，求太阳能板面积
二、根据电压/太阳能板外形尺寸求功率 1、已知18V太阳能板，太阳能板外形尺寸为334*600mm
SLL-13太阳能板
太阳能板外形尺寸： 345*345*4.8mm 18V/15.3W
SLL-18太阳能板
太阳能板外形尺寸： 425*425*4.8mm 17.5V/24.5W
SLL-25太阳能板
太阳能板外形尺寸： 500*500*4.8mm 18V/37.8W
航母新旧太阳能板功率尺寸对照表
旧太阳能板
型号 功率 SSL-24 SSL-25 SSL-26 73.8W 61.5W 36.9W 玻璃外型尺 寸 1519 711 805 762 930 996 功率(w)+尺寸 68.4W（70*156*36） 62.5W(65*156*36) 74W(78*156*36) 18.4W(39*156) 45W(46.66*156*36） 45W(46.66*156*36) 22.5W(46.66*18*156 )
正极：反面 负极：反面
SUNPOWER
正极：反面 负极：反面 规格：125*125
多晶硅晶片分类
两线
正极：反面 负极：晶片面 规格： 1、156*156mm
太阳能电池培训手册(上)【范本模板】
第一章太阳电池的工作原理和基本特性1.1半导体物理基础1.1.1半导体的性质世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电,有的不容易导电。
容易导电的称为导体,如金、银、铜、铝、铅、锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃、橡胶、塑料、石英等等;导电性能介于这两者之间的物体称为半导体，主要有锗、硅、砷化镓、硫化镉等等。
众所周知，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱离原子核的束缚，能够自由运动时，称为自由电子。
金属之所以容易导电，是因为在金属体内有大量能够自由运动的电子，在电场的作用下，这些电子有规则地沿着电场的相反方向流动,形成了电流。
自由电子的数量越多,或者它们在电场的作用下有规则流动的平均速度越高，电流就越大。
电子流动运载的是电量，我们把这种运载电量的粒子，称为载流子.在常温下，绝缘体内仅有极少量的自由电子，因此对外不呈现导电性。
半导体内有少量的自由电子，在一些特定条件下才能导电。
半导体可以是元素，如硅（Si）和锗（Ge）,也可以是化合物,如硫化镉（OCLS)和砷化镓(GaAs），还可以是合金，如Ga x AL1-x As，其中x为0—1之间的任意数。
许多有机化合物,如蒽也是半导体.半导体的电阻率较大（约10—5≤ρ≤107Ω⋅m）,而金属的电阻率则很小(约10—8～10—6Ω⋅m)，绝缘体的电阻率则很大（约ρ≥108Ω⋅m)。
半导体的电阻率对温度的反应灵敏，例如锗的温度从200C升高到300C,电阻率就要降低一半左右.金属的电阻率随温度的变化则较小,例如铜的温度每升高1000C，ρ增加40％左右。
电阻率受杂质的影响显著。
金属中含有少量杂质时,看不出电阻率有多大的变化，但在半导体里掺入微量的杂质时，却可以引起电阻率很大的变化，例如在纯硅中掺入百万分之一的硼，硅的电阻率就从2。
14⨯103Ω⋅m减小到0.004Ω⋅m左右。
金属的电阻率不受光照影响，但是半导体的电阻率在适当的光线照射下可以发生显著的变化.1.1。
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制绒机
3、微观绒面图像：
原材料硅 片
粗抛后
绒面
4、异常现象：
1）出现雨点状的斑点，只要加入少量乙醇或异丙醇即可消除。 2）硅片上端部分光亮，表明液位不够或溶液粘稠度过大，使篮框漂浮起 来。 3）硅片表面有流水印，说明溶液内硅酸钠过量，适当加大NaOH的用量； 还有可能喷淋效果不理想。 4）硅片局部或全部发白，说明硅片局部反应不均匀或表面反应受到抑制， 可通过延长反应时间、提高溶液浓度等方法缓解。 5）硅片表面残留硅酸钠，观察清洗效果，提高水洗温度或提高水洗流量。 6）花篮印：一般为硅片与花篮接触阻碍硅片反应的速率，可以通过提过 药液浓度、延长反应时间或清洗花篮等措施进行缓解。
清洗和甩干 Rinse&Dry
1、清洗目的：将硅片表面残留的金属离子、残留灰尘、氧 化物等去除，保证扩散前硅片表面的洁净度。 2、清洗用到的酸：HF、HCL 3、甩干注意事项：
甩干机开关门，要按照指示灯来操作，不允许提前操作，以免造成安全事故 甩干机进行甩干时，硅片要对称放置 甩干机开盖时，要等到转动停止后在取片
单晶硅电池片生产流程
制绒 Texturing 清洗干燥 Rinse&Dry 扩散 Diffusion
PECVD (Plasma
Enhanced Chemical Vapor Deposition)
去磷硅玻璃(干 刻)Remove PSG
等离子刻蚀& 湿法刻蚀 Edge isolation
印刷 Printing
PECVD
1、PECVD工作原理： 借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离， 在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发 生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜。 所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体经解 离后反应，在硅片上长出氮化硅膜。可以根据改变硅烷对 氨的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有 大量的氢原子和氢离子的产生，大大提高硅片表面的钝化 效果。 SiH4+NH3 → SixNy+H2↑
扩散 Diffusion
1、扩散简单示意：
2、扩散的目的：形成PN结。 3、扩散中的化学反应：
C以上 5POCl3 600 3PCl5 P2 O5
4PCl5 5O2 2P2 O5 10Cl 2
C以上 2P2O5 5Si 800 5SiO2 4P
烧结Fire
测试分档 Test&sort
制绒 Texturing
1、制绒原理：利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶向上具有 不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成 角锥体密布的表面形貌 ，以减少硅片表面的反射率。 反应式为：Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑
2、制绒流程：
5.最大功率(Pmax)：太阳电池的伏安特性曲线上，电流电压乘积 的最大值． 6.串联电阻(Rs)：指太阳电池内部的与ＰＮ结等串联的电阻，它 是由半导体材料的体电阻 薄层电阻 电极接触电阻等组成． 7.并联电阻(Rsh)：指太阳电池内部的、跨连在电池两端的等效 电阻． 8.填充因子(FF)：指太阳能电池的最大功率与开路电压和短路电 流乘积之比． 9.转化效率(Eff)：指受光照太阳电池的最大功率与入射到该太阳 电池上的全部辐射功率的百分比．
SiO 2 6HF H2 [SiF6 ] 2H2O
6、等离子刻蚀注意事项： 装片时，硅片必须整理整齐，以防止个别硅片过刻； 装片时碎片、缺角必须挑出； 刻蚀机辉光颜色呈现白色； 对于边缘测试异常的批次，必须整批进行重新刻蚀；
二、湿法刻蚀 1、刻蚀目的：去除硅片四周及背面的N型层。 2、刻蚀原理： 4HNO3 + 3Si =3 SiO2 + 2H2O + 4NO↑ 6HF + SiO2 = H2[SiF6] +2H2O
测试分档Test&Sort
通过模拟太阳灯 光照射到电池片表面, 测试太阳电池的电性 能参数，并将电池片 分出不同的档位
太阳能电池电性能参数说明： 1.短路电流(Isc)：在一定的温度和辐射的条件下，太阳电池在端 电压为零时的输出电流． 2.开路电压(Uoc)：在一定的温度和辐射条件下，太阳电池在空 载（开路）情况下的端电压． 3.最佳工作电流(Ipm)：太阳电池的伏安特性曲线上最大功率点 所对应的电流． 4.最佳工作电压(Vpm)；太阳电池的伏安特性曲线上最大功率点 所对应的电压．
4、注意事项： 插片：戴好手套，手套的戴 法为：内层汗布手套外层PVC 手套。调节插片台风量，然 后用石英吸笔吸取硅片后轻 轻插入石英舟的槽中，每槽 一片插入石英舟（做单面扩 散时每槽插两片）。
上料下料时，不允许在碳化硅桨上拉动石英舟 上料后的石英舟要紧贴均流板； 上片下片时，舟叉的角度和地面不能超过15度； 检查进出舟的速度是否与规定的一致； 等程序结束后，桨退到位后在下片； 硅桨上有炉口滴落物应当用氮气枪轻轻吹去，去除不掉的用洁 净石英棒轻轻划去； 舟叉插入石英舟的速度不能过快，以免对石英舟造成损伤； 运行程序之前，检查工艺程序是否与生产该型号硅片的程序对 应；
除上下舟的操作人员操作外，其他无关人员布不允许在扩散炉 附近逗留； 扩散炉硅桨、操作台面及其上的接磷盒、以及镊子、桌子、传 递窗应保持清洁； 完整填写随工单； 不允许斜靠或者坐在装片用的桌子上，也不允许用手直接触摸 该桌子及其上面的适应托盘、石英舟或其他洁净物品； 下片时，应注意避免或减少硅片受到的摩擦（WHY?）； 下片时，需严格挑出不合格品返工处理。
5、腐蚀深度计算： 腐蚀深度计算公式如下：（eg:M156）
Etch depth=([W(before)-W(after) ]*10000g.cm^3)/(2.33g*243.36cm^2*2)
即：腐蚀深度=（腐蚀前质量-腐蚀后质量）*腐蚀系数
请简单计算单晶156的腐蚀系数是多少？单晶156面积：238.95cm^2
测试手段：冷热探针测试仪、边缘隔离电阻测试仪。
3刻蚀机整体结构
反应室 真空系统 送气系统 压力控制系 统 • 高频电源和 匹配器 • • • •
4、装片示意图
5、去PSG 什么是磷硅玻璃？ 在扩散过程中发生如下反应：
POCl3分解产生的 P2O5 淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生 4POCl3 3O 2 2P 2O5 6Cl2 成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷 硅玻璃 2P O 5Si 5SiO 4P
3、刻蚀槽刻蚀图片：
4、注意事项： 外观不良挑选，对于双面扩散，挑选外观正常的一面作为 正面生产，如亮面均异常，挑出返工，对于单面扩散，外 观不良片，必须挑出返工； 过刻片：对于过刻硅片，必须挑出从前清洗进行返工； 粘片、叠片：如硅片正面没有收到破坏，则可从后清洗返 工，若正面收到破坏，必须从前清洗返工； 收片时，注意正反面，同时减少硅片之间的摩擦。
单晶硅太阳能电池片基础知识培训
单晶与多晶的差异
1、外观差异
单晶电池片 多晶电池片
2、单晶的规格： 单晶125：尺寸：125mmx125mm±0.5mm 对角线：165mm±1mm 单晶156：尺寸： 156mmx156mm±0.5mm 对角线：200mm±1mm 厚度：180~200um±20mm
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氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用 生成易挥发的四氟化硅气体。 若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反 SiO 4HF SiF 2H O 2 4 2 应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 总反应式为：
SiF4 2HF H2 [SiF6 ]
2、PECVD的作用： Si3N4膜的作用: 减少光的反射 良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。 防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。 低温工艺（有效降低成本） 优良的表面钝化效果 反应生成的H离子对硅片表面进行钝化
印刷&烧结Printing&Fire
印刷烧结的作用： 通过丝网印刷的方法，将具有高度化学活性的金属浆 料印刷到硅片上，通过烘干使金属浆料固化，再通过高温 快速烧结，在活性物质的帮助下，金属与硅片表面形成合 金层，从而形成了良好的欧姆接触。
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刻蚀&去PSG
Edge isolation&Remove PSG
一、等离子刻蚀 1、等离子刻蚀目的：去除硅片四周所扩散的N型层。
2、等离子刻蚀原理：
等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使 反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这 些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻 蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。 等离子刻蚀也被称为干法刻蚀。