半导体二极管
半导体二极管(Diode)
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
[解] 理想 恒压
VDD = 10 V IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) UO = 10 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA)
折线 IO = (VDD-Vth)/ (R+rd) = (10-0.5 )/ (2+0.2) = 4.318 (mA)
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
2.4
二极管基本电路及其分析方法
二极管是一种非线性器件，一般采用非线性电路
分析方法。主要介绍模型分析法。 2.4.1 2.4.2 二极管V-I特性的建模 模型分析法应用举例
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
2.4.1 二极管V-I特性的建模
1. 理想模型(ideal model)
模拟电子技术基础
2.3 半导体二极管（Diode）
二极管 ：一个PN结就是一个二极管。
半导体二极管的类型与结构
二极管的V-I特性
★二极管的参数
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
2.3.1 半导体二极管的类型与结构
硅管
(1) 按使用的半导体材料不同分为
锗管 面结型(junction type) 点接触型(point contact type)
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
2
限幅电路
用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分。
例3：理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形v0。
vi
Vm
VR
解： Vi> VR时，二极管导通，vo=vi。
半导体二极管简介
详细描述
在信号调制与解调过程中，二极管用于实现信号的振幅调制、频率调制和相位调制等，以适应不同的通信需求和 传输方式。
03
半导体二极管的发展历程
晶体管的发明
1947年，贝尔实验室的威廉·肖克利 、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了晶 体管，这是电子技术历史上的一个重 大突破。
能效问题
总结词
能效问题是半导体二极管面临的主要挑 战之一，它影响了设备的性能和运行时 间。
VS
详细描述
随着技术的不断进步，对半导体二极管的 能效要求越来越高。由于二极管在转换电 能时存在一定的能量损失，因此提高能效 成为了亟待解决的问题。为了解决这一问 题，科研人员不断探索新的材料和工艺， 以提高二极管的转换效率和稳定性。
04
现代半导体二极管的设计更加注重性能、可靠性和集成度等方面，使 得半导体二极管的应用范围更加广泛。
04
半导体二极管的市场前景
半导体二极管的市场前景
• 半导体二极管是一种电子器件，它只允许电流在一个方向上流 动。由于其独特的单向导电性，二极管在各种电子应用中发挥 着关键作用。
05
半导体二极管的挑战与解决方 案
制造成本问题
总结词
制造成本是影响半导体二极管广泛应用的关键因素之一，降低制造成本有助于提高其市 场竞争力。
详细描述
随着技术的不断进步，半导体二极管的制造成本逐渐降低，但仍面临成本高昂的问题。 为了降低制造成本，科研人员不断探索新的制造工艺和材料，以提高生产效率和降低成 本。此外，政府和企业也加大对半导体二极管产业的扶持力度，推动其向更广泛的应用
可靠性问题
总结词
半导体二极管的类型
半导体二极管的类型半导体二极管的类型及其特性半导体二极管是电子工程中的基础元件，广泛应用于各种电子设备中。
了解不同类型的半导体二极管以及其特性对于电子工程师和设计师至关重要。
本文将详细介绍几种常见的半导体二极管类型及其主要特性。
一、普通二极管普通二极管是最基本的半导体二极管，由P型半导体和N型半导体组成。
它具有单向导电性，即只允许电流从一个方向流过。
正向偏置时，二极管导通，电阻较小；反向偏置时，二极管截止，电阻极大。
普通二极管常用于整流、检波和开关等电路。
二、发光二极管（LED）发光二极管是一种能够将电能转化为光能的特殊二极管。
当LED正向偏置时，电子与空穴复合释放出能量，激发荧光物质发光。
LED具有发光效率高、寿命长、体积小等优点，广泛应用于显示器、照明、指示器等领域。
三、稳压二极管（Zener Diode）稳压二极管是一种利用PN结反向击穿特性实现电压稳定的特殊二极管。
当反向电压达到稳压值时，稳压二极管进入击穿状态，保持电压基本不变。
稳压二极管具有稳定电压、响应速度快等优点，常用于电压稳定器、过电压保护等电路。
四、肖特基二极管（Schottky Diode）肖特基二极管是一种采用金属与半导体接触形成的结构，具有低功耗、快速开关速度和高频特性。
与普通二极管相比，肖特基二极管的反向漏电流较大，但正向压降低，适用于高频整流、检波、开关等电路。
五、光电二极管（Photodiode）光电二极管是一种能够将光能转化为电能的特殊二极管。
当光照射到光电二极管上时，光子激发半导体内的电子，产生电流。
光电二极管具有灵敏度高、响应速度快等优点，广泛应用于光通信、光电检测等领域。
总结：半导体二极管作为电子工程中的基础元件，具有多种类型，每种类型都有其独特的特性和应用场景。
普通二极管实现基本的整流和开关功能；发光二极管将电能转化为光能，为显示和照明领域提供支持；稳压二极管实现电压稳定，保护电路免受电压波动影响；肖特基二极管适用于高频电路，提高电路性能；光电二极管实现光能与电能的转换，为光通信和光电检测等领域提供解决方案。
21半导体及二极管
常温下（T=300K）
VT 26(mV ) rd I D I D (mA )
5. 指数模型
i D I S (e
v D / VT
1)
较完整 且较准确
2.3. 稳压二极管
稳压特性
RZ
VZ
正向部分与普通二极管相同 当反向电压加到一定值时，反向 电流急剧增加，产生反向击穿。 稳压原理：在反向击穿时，电流 在很大范围内变化时，只引起很 小的电压变化。 稳压管稳压时必须工作在反向电击穿状态。
稳定的空间电荷区又称高阻区 也称耗尽层
PN结的接触电位
内电场的建立，使PN结中产生 电位差。从而形成接触电位V
接触电位V决定于材料及掺杂浓度 硅： V=0.7 锗： V=0.2
V
2.1.4 PN结的单向导电性
1. PN结加正向电压时的导电情况 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；
具有单向导电性。
2.2 半导体二极管
2.2.1 半导体二极管的结构 2.2.2 二极管的伏安特性
2.2.3 二极管的参数
2.2.1 半导体二极管的结构
在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极 管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平 PN结面积小，结电 容小，用于检波和变频等 面型三大类。
高频电路。
(3) 反向电流IR
(4) 正向压降VF
(5) 极间电容CB
二极管V- I 特性的建模
1. 理想模型
2. 恒压降模型
3. 折线模型
正偏时导通，管 压降为0V;反偏时 截止，电流为0。
管子导通后,管压 降认为是恒定的, 典型值为0.7V。
管压降不是恒定 的,而是随电流的 增加而增加。
半导体二极管及其应用
半导体二极管的应用
激光二极管
激光二极管是一种特 殊的半导体二极管， 它能够产生激光。激 光二极管具有高效率 、低阈值、以及可调 谐的优点，被广泛应 用于各种领域，如通 信、医疗、军事等
5
总结
总结
1
2
3
4
半导体二极管作为 电子学中的基础元 件，具有广泛的应
用领域
从整流器到开关， 从保护电路到激光 二极管，二极管都 发挥着关键的作用
7
结论
2024/7/2
结论
半导体二极管作为电子学中的基础元件，已经经历了漫长的发展历程。 从最初的硅发展到锗，再到现在的硅锗合金等新型材料；从简单的整 流器发展到激光二极管、太阳能电池等多元化领域。这些发展和变化 不仅反映了人类对电子学认识的不断深入，也展示了半导体二极管在 推动科技进步和经济发展中的重要作用
半导体二极管的历史与发展
发展
随着半导体技术的不断进步，半导体二极管的性能也不断提高。材料方面，从早期的硅发 展到锗，再到现在的硅锗合金等新型材料；结构方面，从早期的点接触式发展到肖特基势 垒、PN结等结构；应用方面，从简单的整流器发展到激光二极管、太阳能电池等多元化领 域 同时，人们也在不断探索新的二极管材料和结构，如碳化硅、氮化镓等新型半导体材料， 以及超导二极管等新型结构。这些新型材料和结构的应用将进一步推动半导体二极管的发 展，并带来更多的应用领域和市场机会
整流器
整流器是二极管的基本应用之一。通过利用 二极管的整流效应，可以将交流电转换为直 流电
半导体二极管的应用
开关
二极管可以作为开关 使用，用于控制电路 的通断。其快速的开 关速度和低功耗使得 它在各种开关电路中 得到广泛应用
半导体二极管的应用
半导体二极管
(1-4)
1. 4 二极管的主要参数
1. 最大整流电流 IFM
在规定的环境温度和散热条件下，二极管长 期使用时，所允许流过二极管的最大正向平 均电流。
2. 最高反向工作电压URM
通常称耐压值或额定工作电压，是指保证二 极管截止的条件下，允许加在二极管两端的 最大反向电压。手册上给出的最高反向工作 电压URM一般是击穿电压UBR的一半。
(1-5)
3. 反向电流 IR
指二极管未击穿时的反向电流。反向电流 越小越好。通常反向电流数值很小，但受 温度影响很大，温度越高反向电流越大， 一般温度每升高10o,反向电流约增大一倍。 硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要 比硅管大几十到几百倍。
4. 最最高工作频率fM
指保证二极管导向导电作用的最高工作频 率。当工作频率超过fM时，二极管将失去导 向导电性。
模拟电子技术
半导体二极管
1. 1 半导体二极管的结构和符号
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
点接触型
触丝线
PN结
引线 外壳线
基片
面接触型
二极管的ห้องสมุดไป่ตู้路符号： 阳极
阴极
(1-2)
二极管的主要特性---单向导电
1、二极管的偏置：二极管单向导电的特性，只有外加一定极 性的电压（称为偏置）才能表现出来。阳极电位高于阴极 电位称为二极管的正向偏置，反之称为反向偏置。
2、二极管的主要特性：单向导电，即正向导通，反向截止。 或曰：只能一个方向导电，另一个方向不导电，即由阳极 向阴极可以顺利的流电流，反方向不流电流。
只能一个方向 电，
(1-3)
1. 3 二极管的伏安特性
I
反向击穿 电压UBR
1.2 半导体二极管
面接触型管子的特点是，PN 结的结面积大，能通过较大电流，但结电容也大，适用于低频较低整流电路。
半导体二极管半导体二极管是由一个PN 结构成的二端元件。
其端钮有确定的命名，即一端叫阳极a ，一端叫阴极k 。
1.2 半导体二极管1.2.1 半导体二极管结构和类型（1）点接触型二极管（2）面接触型二极管（3）平面型二极管点接触型管子的特点是，PN 结的结面积小，因而结电容小，主要用于高频检波和开关电路。
既不能通过较大电流，也不能承受高的反向电压。
平面型管子的特点是，PN 结的结面积大时，能通过较大电流，适用于大功率整流电路；结面积较小时，结电容较小，工作频率较高，适用于开关电路。
1.结构2. 分类普通二极管特殊二极管变容二极管发光二极管光电二极管激光二极管二极管稳压二极管稳压光电转换调谐按材料的不同，常用的二极管有硅管和锗管两种；按其用途二极管分为普通二极管和特殊二极管两大类：整流、滤波、限幅、钳位、检波及开关等。
忽略正向导通压降和电阻，二极管相当短路；二极管反向截止时忽略反向饱和电流，反向电阻无穷大，二极管相当开路路。
I S uiU R 二极管是一种非线性元件，其特性就是PN 结的特性，而电流i D 与两端的电压u D 的关系近似为：1.2.2 二极管的伏安特性普通二极管是应用PN 结的饱和区、死区和导通区的特性制成的二端元件。
电路符号为：（1）伏安关系（2）理想二极管）（1-=T D V u S D e I i I S —反向饱和电流；V T —温度的电压当量，当常温（T=300K ）时，V T =26mV 。
在正常工作范围内，当电源电压远大于二极管正向导通压降时，可将二极管当作理想二极管处理，其伏安特性如图示。
k a D最大整流电流又称为额定正向平均电流，是指二极管长时间使用时，允许通过的最大正向平均电流。
此值取决于PN 结的面积、材料和散热情况。
1.2.3 二极管的主要电参数1）最大整流电流I F2）最高反向工作电压U R3）最大反向电流I RM I F I RM ui U R 最大反向电流是指二极管加上最高反向工作电压时的反向电流值。
半导体二极管(中文+英文)
半导体二极管半导体二极管是含有一个PN结的二端器件。
它是最简单的半导体器件。
P型材料一端称为正极，而N型材料一端称为负极。
二极管是只允许电流朝一个方向流动的半导体器件。
它能被用来把交流电转换成直流电。
二极管的两个引线被分为阳极和阴极。
当二极管的正极电位高于负极电位（其差值大于开启电压，对锗管近似为0.3V，对硅管近似为0.7V）时称二极管是正向偏置，这时二极管的内阻是很小的，有一个较大的电流流过二极管，流过电流的大小取决于外部电路的电阻。
当二极管的正极电压高于负极电位时称二极管反向偏置，这时二极管的内部电阻非常高，所以一个理想的二极管可以阻挡反向的电流而让正向的电流通过。
一个二极管的实际特性曲线并不是十分理想的，如图所示。
当理想二极管反向偏置时，电流不能通过，而实际二极管却有约10μA的电流通过（虽然很小，但仍不够理想）。
如果加上足够大的反向电压，PN结就会被击穿，让电流反向通过。
一般要选择二极管的反向击穿电压远大于电路中可能出现的电压，二极管才不会击穿。
齐纳二极管（稳压管）稳压管是一种特殊的二极管，在正偏的条件下，它与一般的二极管有相同的特性（可以流过一个大电流）。
但是，在反向偏置时，在外加电压低于稳压电压（UZ）时它不导通，在外加电压等于稳压电压（UZ）时稳压管反向导通，同时维持稳压管两端的电压为稳压值（如图）。
流过稳压管电流的大小由两个因子决定，一个为串联的（限流）电阻（RS），另一个为并联的负载电阻（RL）。
电阻RS由公式RS=URs/IZ确定，其中URs=Usource-UZ，在没有负载时，一个特定大小的电流（IZ=IRs）流过稳压二极管和RS，电压降URs加UZ等Usource，Usource至少要比UZ高1V。
当一个负载并连到稳压二极管，流过二极管的电流由于负载的分流而减小，所以通过RS的电流保持为常数（IZ=IRs-IRL）。
稳压管通过改变流过它的电流来维持稳压管两端的电压稳定。
半导体二极管ppt课件
快 恢 复 二 极 管
形形色色的二极管
肖 特 基 二 极 管
二极管的封装 资金是运动的价值，资金的价值是随时间变化而变化的，是时间的函数，随时间的推移而增值，其增值的这部分资金就是原有资金的时间价值
用于电视机、收音机、电源装置等电子产品中
的各种不同外形的二极管如下图所示。二极管
通常用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，
五、二极管的检测 资金是运动的价值，资金的价值是随时间变化而变化的，是时间的函数，随时间的推移而增值，其增值的这部分资金就是原有资金的时间价值
用万用表检测普通二极管的好坏 测试图如图所示
1、万用表置于R×1k挡。测量正向电阻时，万用表的黑表
笔接二极管的正极，红表笔接二极管的负极。
2、万用表置于R×1k挡。测量反向电阻时，万用表的红表
稳压管在电路中主要 功能是起稳压作用。
击穿 特性
稳压管的伏安特性曲线
正向 特性
资金是运动的价值，资金的价值是随 时间变 化而变 化的， 是时间 的函数 ，随时 间的推 移而增 值，其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
形形色色的二极管
高频二极管
阻尼二极管
金属封装整流二极管
资金是运动的价值，资金的价值是随 时间变 化而变 化的， 是时间 的函数 ，随时 间的推 移而增 值，其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
发光二极管
形形色色的二极管
资金是运动的价值，资金的价值是随 时间变 化而变 化的， 是时间 的函数 ，随时 间的推 移而增 值，其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
高，主要用于信号检测、取样、小电流整流等
整流二极管（2CZ、2DZ等系列）的IFM较大，fM很
半导体分立元件--二极管
半导体分立元件半导体二极管半导体二极管是用半导体材料（主要是硅或锗的单晶）而制成，故又称为晶体二极管（俗称二极管）。
二极管的主要电性能是“单向导电性”，是一种有极性的二端元件（一种典型的非线性元件）。
二极管在电路中主要用作整流、限幅箱位、检波等，在数字电路中用作开关器件。
基本知识1、二极管。
自然界的物质按其导电能力的大小分为导体、半导体、绝缘体。
导体具有良好的导电性能，其电阻率一般小于10-6Ω·m，如铜和银；绝缘体导电能力很差或不导电，其电阻率往往在108Ω·m以上，如橡胶、陶瓷等；而半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，如纯净的硅在常温下的电阻率为2×103Ω·m。
半导体材料（如硅和锗）都是4价元素，其最外层的4个价电子与其相邻的原子核组成“共介键”结构，所以在温度极低时（如绝对零度时）半导体不导电，在常温下，纯净的半导体的导电能力也很弱。
2、半导体的主要特点。
半导体与导体和绝缘体相比有两个显著特点：一是其“热敏性”与“光敏性”。
例如当环境温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率会降低一半左右（即导电能力提高一倍），且光线的照射也会明显地影响半导体的导电性能，人们利用半导体的这一性能，就可以制成各种热敏元件（如热敏电阻）、光敏元件（如光敏电阻、光电管）等；其二是半导体的“掺杂性”。
指在纯净的半导体内掺入微量的杂质，半导体的导电能力就急剧增强。
例如在单晶硅中掺入百分之一的某种杂质，其导电能力将增加一百万倍。
人们正是利用半导体的这一独特性质。
做成“杂质半导体”，从而制造出各种不同性质、不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路等。
3、杂质半导体。
（1）N型半导体（电子型半导体）。
在纯净的半导体中掺入5价元素就得到N型半导体。
5价杂质其最外层的5个价电子除与半导体组成共价键外就多余一个电子（自由电子）。
所以N型半导体中自由电子为“多子”，空穴为“少子”。
半导体二极管
半导体二极管二极管是由一个PN结、电极引线以及外壳封装构成的。
二极管的最大特点是：单向导电性。
其主要包括：稳压、整流、检波、开关、光/电转换等。
1.二极管的分类（1）按材料来分，可分为：硅二极管、锗二极管。
（2）按结构来分，可分为：点接触型二极管、面接触型二极管。
（3）按用途来分，可分为：稳压二极管、整流二极管、检波二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管等。
图1常用二极管的外形和电路符号2.二极管性能的检测（1）外观判别二极管的极性二极管的正、负极性一般都标注在其外壳上。
有时会将二极管的图形直接画在其外壳上如图2（a）示。
对于二极管引线是轴向引出的，则会在其外壳上标出色环（色点），有色环（色点）的一端为二极管的负极端，如图2（b）所示。
若二极管引线是同向引出，其判断如图2 （c）所示。
若二极管是透明玻瑞壳，则可直接看出极性，即二极管内部连触丝的一端为正极。
图2根据判断外观二极管极性（2）万用表检测二极管的极性与好坏检测原理：根据二极管的单向导电性这一特点，性能良好的二极管，其正向电阻小，反向电阻大；这两个数值相差越大越好。
若相差不多，说明二极管的性能不好或已经损坏。
测量时，选用万用表的“欧姆”档。
一般用Rx100或Rx lk档。
而不用Rx1或Rx10k 档。
因为Rx l档的电流太大，容易烧坏二极管。
Rx 10k档的内电源电压太大，易击穿二极管。
测量方法：将两表棒分别接在二极管的两个电极上，读出测量的阻值；然后将表棒对换，再测量一次。
记下第二次阻值。
若两次阻值相差很大，说明该二极管性能良好；并根据测. 量电阻小的那次的表棒接法（称之为正向连接），判断出与黑表棒连接的是二极管的正极。
与红表榜连接的是二极管的负极。
因为万用表的内电源的正极与万用表的“一”插孔连通，内电源的负极与万用表的“ + ”插孔连通。
如采两次测量的阻值都很小，说明二极管己经击穿；如果两次测量的阻值都很大，说明二极管内部己经断路；两次测量的阻值相差不大，说明悦极管性能欠佳。
半导体二极管
半导体二极管引言半导体二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
作为一种离子流控制器，二极管在电子学中扮演着重要角色。
本文将介绍半导体二极管的基本原理、结构和工作方式，以及在电子设备中的应用。
一、半导体二极管的基本原理半导体二极管基于半导体材料的特性而工作。
半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有在不同条件下改变电阻性质的能力。
当特定电压施加到二极管的两个端口时，会产生特定的电流流动。
这是因为半导体材料具有能够控制电子流动的能力。
二、半导体二极管的结构半导体二极管通常由一个PN结构构成。
PN结是由一段N型半导体和一段P型半导体相接而成的。
N型半导体含有过量的自由电子，而P型半导体则含有过量的空穴。
当PN结连接时，自由电子和空穴会发生迁移，形成电子流和电流。
二极管还有多种包装形式，如玻璃管、塑料封装和金属封装等。
不同的包装形式适用于不同的应用场合，如航空、军事、汽车、电脑等领域。
三、半导体二极管的工作方式半导体二极管具有单向导电性，也就是电流只能在一个方向上流动。
这是因为PN结在不同电压下会产生不同的电流分布。
当正向偏置电压施加到二极管上时，电流会通过PN结而流动。
这时，电子从N型半导体区域流向P型半导体区域，形成正向电流。
相反，当反向偏置电压施加到二极管上时，PN结会变为势垒状态，电流不会流动。
四、半导体二极管的应用半导体二极管在电子设备中有着广泛的应用。
以下是一些常见的应用场景。
1. 整流器：二极管常用于整流电路中，将交流电转化为直流电。
在电子设备中，直流电是许多电路和元件所需的。
2. 信号检测：半导体二极管可以用于信号检测和解调。
通过将信号输入到二极管中，可以检测和过滤特定频率的信号。
3. 功率放大器：二极管可以作为功率放大器的基础元件。
通过控制输入信号和电流的关系，可以实现放大和调节电流的功能。
4. 光电二极管：光电二极管是一种特殊的二极管，能够将光能转化为电能。
这种二极管常用于光电传感器和光通信等领域。
半导体二极管
半导体二极管的应用
半导体二极管的应用
半导体二极管具有广 泛的应用，以下是几
个主要应用领域
半导体二极管的应用
整流：利用二极管的单向导电性，可以将 交流电转换为直流电。这是二极管最基本 的用途之一
检波：在无线电接收机中，二极管可以用 来检波，从复杂的信号中提取出所需要的 音频信号
限幅：在电路中，二极管可以用来限制电 流的幅度，防止电流过大导致电路损坏
电容-电感法：在二极管电路中，利用电 容和电感的充放电特性，可以检测二极 管的性能
晶体管测试仪：专业的晶体管测试仪可 以更全面地检测二极管的各项性能指标
二极管的检测与维护
二极管的维护
避免过电压：过电压可能会损坏二极管，应确保二极管两端的电压在规定范围内 避免过电流：过电流可能会导致二极管发热甚至烧毁，应确保流过二极管的电流不超 过额定值 注意工作环境：高温、高湿、腐蚀性气体等恶劣环境可能会影响二极管的性能和寿命 ，应尽量改善工作环境 定期检查：定期检查二极管的工作状态，如有异常应及时处理 更换操作规范：更换二极管时，应选用同型号、同规格的产品，并遵循安装规范进行 操作 存储与运输：二极管应存储在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中，运输过程中应避 免剧烈震动和冲击
二极管的检测与维护
二极管故障分析
断路故障：可能原因包括焊接不良、引线断裂等。 这种故障会导致电路不导通，解决方法是重新焊接 或更换引线
短路故障：可能原因包括二极管反接、性能不良等 。这种故障会导致电路短路或漏电，解决方法是找 出反接的二极管并纠正，或更换性能不良的二极管
参数变化故障：长期工作或环境变化可能导致二极 管的参数发生变化，如正向压降、反向电阻等。这 种故障可能导致电路性能下降或失效，解决方法是 定期检测和更换二极管
半导体和二极管
半导体和二极管
半导体和二极管是电子学中的两个重要概念。
半导体是一种材料，其电子特性和导电性介于导体和绝缘体之间。
而二极管则是一种由半导体材料制成的电子器件，其最基本的特点是具有单向导电性。
半导体材料通常是元素周期表中的IV族、V族和VI族元素（如硅、锗、硒、磷、锑等），这些材料通常是固体，并且导电性能介于导体和绝缘体之间。
半导体的导电性可以被人为地调制，这是通过添加杂质（称为掺杂）或者通过外部电压来实现的。
二极管是一种由半导体材料制成的电子器件，其主要组成部分是阴极和阳极。
在二极管的两极之间加上正向电压时（即阳极接正、阴极接负），二极管导通，电流可以通过它。
而当加反向电压时（即阳极接负、阴极接正），二极管截止，电流无法通过。
因此，二极管可以被视为一种单向的电流控制元件。
二极管的种类有很多，包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、光二极管等等。
它们在电路中的作用主要是整流、检波、限幅和钳位等。
例如，硅整流器就是一种利用硅二极管实现整流的装置，它可以将交流电转换为直流电。
此外，二极管还可以用于电源的稳压，以及各种电路的保护等。
总的来说，半导体和二极管是电子学中的重要组成部分，它们在电路设计、电力应用和通信技术等领域都有着广泛的应用。
半导体二极管
半导体二极管半导体二极管是由PN结加上引出线和管壳构成的。
一、二极管的分类1、按照所用的半导体材料：可分为锗管和硅管。
2、根据其不同用途：可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。
3、按照管芯结构：可分为点接触型二极管（电流小，高频应用）、面接触型二极管(电流大，用于整流)及平面型二极管。
二、二极管图形符号①整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电的二极管。
②稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管。
③发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。
④光电二极管：将光信号转变为电信号的二极管。
⑤变容二极管：利用反向偏压改变 PN 结电容量的二极管三、型号命名整流二极管——2CZ82B稳压二极管——2CW50变容二极管——2AC1 等等。
四、二极管的特性单向导电性。
正向导通反向载止。
五、二极管的参数1、最大整流电流(IF) （由于电流通过PN结，使得管子发热，电流达到一定程度，管子因过热而烧坏。
）指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。
2、反向击穿电压 (VBR)指管子反向击穿时的电压。
3、最大反向工作电压VRM在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。
4、反向电流IR（由于反向电流与温度有关，所以使用二极管时注意温度的影响。
）5、正向压降VF在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。
小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6V～0.8V；锗二极管约0.1V～0.3V。
6、最高工作频率fM二极管工作的上限频率，超过该频率，结电容起作用，二极管将不能很好的体现单向导电性。
六、二极管的检测1、判别正负极性万用表：R ×100 或 R×1 k 挡；将红、黑表笔分别接二极管两端。
所测电阻小时，黑表笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。
2、质量好坏判别万用表：R 1k。
(1)若正反向电阻均为零，二极管短路；(2)若正反向电阻非常大，二极管开路。
半导体二极管
阴极
(b)
R
＋
＋
Ui －
Uz
－
(c)
图1.10 稳压管的伏安特性曲线、 （a）伏安特性曲线;（b）图形符号;（c）稳压管电路
半导体二极管
2）基本参数
（1）稳定电压UZ是指在规定的测试电流下，稳
压管工作在击穿区时的稳定电压。
（2）稳定电流IZ是指稳压管在稳定电压时的工作 电流，其范围在IZmin～IZmax之间。
半导体二极管
普通二极被击穿后，不能恢复，失去单向导电性， 将造成永久性损坏。
理想二极管：外加正向电压时，正向电压降和正 向电阻等于零，相当于开关闭合； 外加反向电压时，二极管截止，相当于开关断 开。
半导体二极管
三 半导体二极管的主要参数 二极管的参数是定量描述二极管性能的质量指标，
只有正确理解这些参数的意义，才能合理、正确地使 用二极管。
第二节 半导体二极管
一 基本结构和表示符号
在一个PN结的P区和N区各接出一条引线，然后再封装在管壳内，就制成一只晶体二极管。 P区引出线叫正极（或阳极）N区引出端叫负极（阴极）
半导体二极管
它的符号为：
半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。二极管按其 结构的不同可以分为点接触型和面接触型两类。
点接触型二极管的结构，如图1.4（a）所示。这类 管子的PN结面积和极间电容均很小，不能承受高的反向电压和 大电流，因而适用于制做高频检波和脉冲数字电路里的开关元 件，以及作为小电流的整流管。
半导体二极管
二 伏安特性 根据制造材料的不同，二极管可分为硅、锗两大
类。相应的伏安特性也分为两类。图1.5（a）所示为 硅二极管的伏安特性;图1.5（b）所示为锗二极管的伏 安特性。现以图1.5（a）所示硅二极管为例来分析二 极管的伏安特性。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
掺杂性:在纯净的半导体材料中，掺杂微量杂质，其导电能
力大大增强。（可增加几十万至几百万倍）
二、半导体的导电机理
制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到 99.9999999%，常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。
电子电路的分析方法
工程性质、 实践性很强
2. 本课程的性质
本课程是电气信息类学生的重要专业技术基础课
工程性
实际工程需要证明其可行性。强调定性分析。 实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存
在一定的误差范围的。 定量分析为“估算”。 近似分析要“合理”。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。 电子电路归根结底是电路。不同条件下构造不同模型。
因浓度差（电子和空穴） 多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型 半导体结合面， 离子薄层形成的 空间电荷区称为 PN结。空间电 荷区也称耗尽层。
PN结的形成过程 在出现了空间电荷区后， 由于正负电荷间的相互作用， 在空间电荷区中形成了一个电场，称为内电场，其方向是 从带正电的N区指向带负电的P区。
1.1.3 PN结
PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的伏安特性及其表达式 PN结的击穿特性及电容效应
1、PN结的形成
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气 体、液体、固体均有之。
PN结的形成过程
（动画1-3）
P区空穴 浓度远高 于N区。
N区自由电 子浓度远高 于P区。
扩散运动 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N区的自由电子浓度降低，产生内电场。
要求：
* 认真听讲，有问题及时提出 * 按时独立完成作业，答题须有解题步骤，一周交
一次作业（每周一交） (1) 9121042101、9121042102班的同学 (2) 9121042103、9121042104班的同学 (3) 9121043301及其它专业的同学
* 认真做好试验，充分利用实验来消化、理解课程的理
为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共
价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们 所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 这种结构的立体和平面示意图如图所示。
(c)
(a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图
本征半导体的导电机理
当本征半导体处于热力学温度 0K和没有外界影 响时，它的价电子束缚在共价键中，不存在自由 运动的电子，此时它是良好的绝缘体。当温度升 高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价 电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为 自由电子。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了 一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正 电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个 空位为空穴。 （动画1-1） 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出 现的，称为电子空穴对。
P型半导体的结构示意图
综
上：
本征半导体中掺入微量杂质元素构成杂质半导体。 在常温下，杂质原子均已电离，载流子浓度就大大增加， 使半导体的导电能力大大提高。
掺杂是提高半导体导电能力的有效方法。
在杂质半导体中：
多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度；
而少数载流子的浓度主要取决于温度。
杂质半导体小结：
1、两种杂质半导体： N型——本征硅或锗掺微量五价杂质元素 P型——本征硅或锗掺微量三价杂质元素 2、两种浓度不等的载流子： 多子——由掺杂形成（主要取决于掺入的杂质浓度） 少子——由热激发形成（主要取决于温度） N型半导体中，多子为自由电子，少子为空穴； P型半导体中，多子为空穴，少子为自由电子。 3、微量掺杂就可形成大量的多子。故杂质半导体导电率高。 4、杂质半导体呈电中性。 在N型半导体中， 自由电子数（掺杂+热激发）=空穴数（热激发）+正离子数 在P型半导体中， 空穴数（掺杂+热激发）=自由电子数（热激发）+负离子数
工程估算 ④分立是基础、集成是应用
5. 教材及参考书
教材：华成英、童诗白主编，《模拟电子技术基础》（第四版）， 高等教育出版社
参考书：康华光主编，《电子技术基础》（模拟部分） （第四版） ，
高等教育出版社
课程教学内容简介
1 常用半导体器件 2 基本放大电路 3 多级放大电路 9 功率放大电路 5 放大电路的频率响应 4 集成运算放大电路 6 放大电路中的反馈 7 信号的运算和处理 8 波形的发生和信号的转换 10 直流电源
（动画1-2）
运载电荷的粒子称为载流子
本征半导体中的两种载流子
自由电子： 负电荷载流子 空 穴： 正电荷载流子
相同点： 皆为载流子，所带电量相等
不同点： 电荷极性相反
自由电子的定向运动形成电子电流 空穴的定向运动形成空穴电流
载流子的浓度
载流子复合：自由电子与 空穴在热运动中相遇，使 两者同时消失的现象。 载流子的动态平衡：在一定温度下，单位 时间内本征激发所产生的自由电子-空穴对 的数目与复合而消失的自由电子-空穴对的 数目相等，就达到了载流子的动态平衡状 态，使本征半导体中载流子的浓度一定。
1.1.1 本征半导体
概论 半导体的导电机理 一、 概论
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝 缘体和半导体。
1、定义： 半导体——导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
半导体的电阻率为10-3～109 cm。典型的半导体有 硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
2、半导体的特殊性质
提供自由电子的五价杂质 原子因带正电荷而成为正 离子，因此五价杂质原子 也称为施主杂质。
(2) P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、 铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。 P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成； 电子是少数载流子，由本征激发形成。
空穴很容易俘获电子，使 杂质原子成为负离子。三 价杂质 因而也称为受主杂 质。
基本概念：概念是不变的，应用是灵活的， “万 变不离其宗”。 基本电路：构成的原则是不变的，具体电路是多种 多样的。 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法，因而有不同的分析方法。
抓住“模电”的几个特点，可以事半功倍： 线性要求和非线性器件的矛盾（概念、分析方法） 器件少、电路多（找出各电路之间的规律，可举一反三）
论内容
课时安排： 总课时：64 学时 其中： 理论课：56学时 实 验：8学时 课程总成绩组成： 期末考试成绩85％＋实验成绩15％ 考试方式：闭卷
1.1 半导体基础知识
1.2 半导体二极管
1.3 晶体三极管 1.4 场效应管
1.1 半导体基础知识
1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结
杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。
掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂
质的本征半导体称为杂质半导体。
一、N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可 形成 N型半导体,也称电子型半导体。 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由本征激发形成。
载流子的浓度
当温度一定时，激发和复合会达到动态平衡。 这时，载流子的浓度可用公式表示为： 3 EG 0 2 kT 2 1 i i
n ＝p ＝K T e
T为热力学温度,k为玻尔兹曼常数，EG0为热力学零度时破坏共价 键所需的能量，K1为与半导体材料载流子有效质量、有效能级 密度有关的常量
可见本征载流子浓度和温度有关，温度升高，本征载 流子浓度就增加，当温度一定时，对固定的一块半导 体材料，本征载流子浓度是一定的。
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成 内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P 区、自由电子从P区向N 区运动。 漂移运动 因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。
在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质, 分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体 和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
主讲：黄 琳
（南京理工大学 电光学院） 办公室：基础实验楼210/211 电 话：84315563
导言
电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔 不入”，应用广泛
广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 交通：飞机、火车、轮船、汽车 军事：雷达、电子导航 航空航天：卫星定位、监测 医学：γ刀、CT、B超、微创手术 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照 相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统
扩散运动：由浓度高到浓度低 （多子的运动） 漂移运动：载流子在电场作用下的定向运动（少子 的运动） PN结：稳定后的空间电荷区
模拟电路
模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大，有功能和性能各异的放
大电路。 其它模拟电路多以放大电路为基础。
以器件为基础、以“放大”为主线，以传递“模拟信号”为目的， 研究各种模拟电子电路的工作原理、特点及性能指标等。 电子元器件的工作原理（二极管、三极管和集成运放） 基本单元电路－放大器的构成原理及互联
模拟信号：连续性。大多数物理量为模拟信号。
注：声音信号、速度信号、温度信号等都是模拟信号 .
数字电路：处理数字信号的电子电路 数字信号：一种离散的信号（包括时间离散和 介于K与K+1之 幅值离散两种情况） “1”的倍 间时需根据阈值