模电-CH3

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ch3数字电路解析

ch3数字电路解析

VCC Q2 Rc
饱 和 区

Q

60μA 40μA 20μA

Q1 iB=0
0 0.5 uBE(V)
0 UCES
VCC uCE(V)
工作原理电路
输入特性曲线
输出特性曲线 截止区
截止状态
+VCC

Rb b c Rc

ui=UIL<0.5V
uo=+VCC

e

饱和状态
+VCC

Rb b c Rc ++
第三章 集成逻辑门电路
§3.1 正负逻辑规定 §3.2 分立元器件组成的门电路 §3.3 TTL集成逻辑门电路 §3.4 CMOS集成逻辑门电路
授课教师:王维
3.1 正负逻辑
一、正逻辑规定(约定)
规定 逻辑电平(表示物理器件的输入、输出物理量) 与 逻辑状态(表示物理器件的逻辑功能)之间的 关 系,即逻辑规定(约定)。——这一规定过程称为逻 辑化过程。
D1 D2 导通 导通
导通 截止 A
截止 导通 B
截止 截止
Y=AB
&
Y
2、二极管或门
5V A
D1 0V B
D2
AB Y
00
0
Y
R
3kΩ
01
1
10
1
11
1
uA uB
uY
D1 D2
Y=A+B
0V 0V
0V
截止 截止
0V 5V 4.3V 截止 导通 A
≥1
5V 0V
4.3V
导通 截止
B
Y
5V 5V

模电数电ch3-1_yy

模电数电ch3-1_yy
模拟与数字电子技术
主讲教师:杨云 联系方式:yangyun@ 学院:信息工程学院 班级:网络工程0901班
第三部分 数字电子技术
课程内容:
3-1 逻辑代数基础 3-2 组合逻辑电路 3-3 时序逻辑电路 *3-4 存储器与可编程逻辑器件 3-5 脉冲信号的产生与整形 3-6 模-数与数-模转换
●Binary-to-Decimal Conversion
2-10进制转换(按权展开)
Weight: 26 25 24 23 22 21 20
Binary number: 1 1 0 1 1 0 1 1101101= 26+25+ = 64+32 23 +22 +8+4 +20 +1=109
● 2-10进制转换(基数连乘、连除)
几种常见的十进制编码
★8421 Code (binary coded decimal—BCD)
10-BCD码转换 10进制数 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 BCD 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 无效码 1010, 1011, 1100, 1101, 1110 and 1111. ●转换下列10进制数到BCD码
代入定理
• 应用举例: 式(17) A+BC
= (A+B)(A+C)
A+B(CD) = (A+B)(A+CD) = (A+B)(A+C)(A+D)
代入定理
• 应用举例: 式 (8)
( A B ) A B 以B C代入 B

( A B C ) A ( BC ) A B C

模电数电ch3-3_yy

模电数电ch3-3_yy

主从RS锁存器特性表
n n 1
CLK
X 0 0 1 1 0
S
X
R
X 0 0 0 0 1 X 0 1 0 1 0
Q
Q
Qn
0 1 1 1 0
0
1 1
1
1 1
1
0 1
0
X X
主从D触发器
主从JK触发器
J
Q S 主 R Q’ 从
Q
K
CLK
Q’
主从JK触发器的工作原理
(1)若J 1, K 0则clk 1时, 若Q n 1, “主”保持1 若Q n 0,置位“主” 1
维持阻塞D触发器
维持阻塞D触发器工作原理
• 在A和B构成的基本 RS触发器的基础之上,增加 了四个逻辑门而构成的 • C 门的输出是基本 RS 触发器的置“ 0 ”通道, D 门的输出是基本 RS 触发器的置“ 1 ”通道。 • C 门和 D 门可以在控制时钟控制下,决定数据 [D] 是否能传输到基本 RS 触发器的输入端。 • E 门将数据 [D] 以反变量形式送到 C 门的输入端 • 再经过 F 门将数据 [D] 以原变量形式送到 D 门的 输入端。 • 然后数据 [D] 等待时钟到来后,通过 C 门 D 门, 以实现置“ 0 ”或置“ 1 ”。
例:
• 教材P223例题10.1
三、存储器件
1、定义 1)存储单元电路:存储一位二进制值信号的器件 2)双稳态电路:有两个稳定状态(0和1),在无外加信号 情况下电路长期处于某一个稳定状态;有一个或多个激励 输入端,在外部信号作用下,可从一个稳态转换到另一个 稳态,以后即使外加激励信号消失,稳定状态依然保持。 3)常用存储单元电路:

模电第三章课件

模电第三章课件

Ad
1 2
(Rc ∥ RL ) Rb rbe
Ac
Rb
(Rc
rbe
∥ RL )
2(1 )Re
K CMR
Rb
rbe 2(1 )Re
Rb rbe
具有恒流源的差分放大电路
等效电阻 为无穷大
I2
IB3,IE3
R2 R1 R2
VEE R3
U BEQ
近似为 恒流
UCC
RC
RC
uo
ui1 RB
开环差模电压放大倍数 Aud→∞;
差模输入电阻 rid→∞; 开环输出电阻 Ro→0; 共模抑制比 KCMR→∞。
uiP
A
uiN
uo
uiP uiN 0
通常将uiP 趋于uiN 这种情况称为“虚短”。
ii 0
通常将 ii 0这种情况称为“虚断”。
R1
R f
u
R
A1
i
u
uo uR
A2
o
i
( a)
2 R rbe
较高
Rid 2( R rbe ) 2( R rbe ) 2( R rbe ) 2( R rbe )
Ro
2Rc
Rc
2Rc
Rc
UCC
RC
RC
uo
RB
RB
T1
T2
uid
V uod
uid
-3UT
-UT 0 UT
3UT
mV
I
UEE
(a)
图3.22 差动放大电路及其电压传输特性 (a)电路图 (b)电压传输特性
第3章 集成运算放大器电路
3.1 概 述
集成运算放大器的电路组成

模电 知识点总结

模电 知识点总结

模电知识点总结一、基本概念1. 电路元件:模拟电子技术的基本元件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。

其中,电阻用于限制电流,电容用于储存电荷,电感用于储存能量,二极管用于整流、开关等,晶体管用于放大、开关等。

2. 信号:在模拟电子技术中,信号是指随时间或空间变化的电压或电流。

常见的信号形式有直流信号、交流信号、脉冲信号等。

3. 放大器:放大器是模拟电子技术中的重要元件,用于放大输入信号的幅度。

常见的放大器有运放放大器、晶体管放大器等。

4. 滤波器:滤波器是用于选择特定频率范围内的信号,常用于滤除噪声、提取特定频率成分等。

5. 调制解调:调制是将基带信号调制到载波上,解调是将载波信号解调还原为基带信号。

调制解调技术是模拟电子技术中的重要应用之一。

二、基本电路1. 电阻电路:电阻是最基本的电路元件之一,常用于限制电流、调节电压和波形、分压等。

常见的电阻电路包括电压分压电路、电流分压电路、电阻网络等。

2. 电容电路:电容是能存储电荷的元件,常用于滤波、积分、微分等。

常见的电容电路包括RC电路、LC电路、多级滤波器等。

3. 电感电路:电感是储存能量的元件,常用于振荡器、磁耦合放大器等。

常见的电感电路包括RLC电路、振荡电路、滤波器等。

4. 滤波器电路:滤波器是用于选择特定频率范围内的信号的电路,常用于滤除杂散信号、提取特定频率成分等。

常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波滤波器等。

5. 放大器电路:放大器是用于放大电压、电流信号的电路,常用于信号调理、传感器信号放大、运算放大器电路等。

常见的放大器电路包括运算放大器电路、放大器电路、多级放大器电路等。

6. 混频器电路:混频器是用于将两路信号进行混频得到中频信号的电路,常用于调频收音机、超外差接收机等。

常见的混频器电路包括倍频器电路、调频接收机电路、超外差接收机电路等。

7. 调制解调电路:调制解调电路是用于调制解调信号的电路,常用于调制解调的通信系统、调幅收音机、调频收音机等。

模电英文

模电英文

IE=IB+ IC, IC= InC+ ICBO ,
Assume Collectorcurrent
Emitter current
that is InC
IE
generally IC >> ICBO
then IC
IE
IB= IB’ - ICBO
--common-base current gain,
iE I ES (evBE vT 1) I ESevBE vT
VT __thermal voltage IES __ emitter leakage current
2. Current relationships
• We know from transfer process of carriers
•We begin to introduce the physical structure and operation of the bipolar transistor. •We discuss the DC and AC analysis and design of bipolar circuits.
1.Transfer process of carriers in npn
(1) Emitter region emit electrons into base.
(2) Collector region collect electrons injected base from emitter.
(3) B-E voltage controls collector current.
only depend on geometries and
concentration, no relation with Transfer process of carriers

模电知识点笔记

模电知识点笔记

模电知识点笔记一、半导体基础知识。

1. 半导体材料。

- 本征半导体:纯净的、具有晶体结构的半导体,如硅(Si)和锗(Ge)。

在本征半导体中,存在两种载流子:电子(带负电)和空穴(带正电)。

电子是由于共价键中的价电子挣脱共价键的束缚而形成的自由电子,空穴是共价键中留下的空位,它可以吸引相邻共价键中的电子来填补,从而表现出正电荷的移动。

- 杂质半导体。

- N型半导体:在本征半导体中掺入五价元素(如磷P),五价元素的四个价电子与周围硅原子形成共价键,多余的一个价电子很容易成为自由电子,因此N型半导体中电子是多数载流子(多子),空穴是少数载流子(少子)。

- P型半导体:在本征半导体中掺入三价元素(如硼B),三价元素与周围硅原子形成共价键时会产生一个空穴,所以P型半导体中空穴是多子,电子是少子。

2. PN结。

- 形成:当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于P区空穴浓度高,N区电子浓度高,空穴和电子会发生扩散运动。

P区的空穴向N区扩散,N区的电子向P区扩散,扩散的结果是在交界面附近形成一个空间电荷区,这个空间电荷区就是PN结。

- 特性。

- 单向导电性:当PN结外加正向电压(P区接电源正极,N区接电源负极)时,称为正向偏置。

此时,外电场削弱内电场,多子的扩散运动增强,形成较大的正向电流,PN结导通。

当PN结外加反向电压(P区接电源负极,N区接电源正极)时,称为反向偏置。

外电场增强内电场,少子的漂移运动增强,但少子数量少,形成很小的反向电流(几乎为零),PN结截止。

二、二极管及其应用。

1. 二极管的结构和符号。

- 结构:二极管是由一个PN结加上相应的电极引线和管壳构成的。

- 符号:二极管的符号中,箭头方向表示正向电流的方向,即从P区指向N区。

2. 二极管的伏安特性。

- 正向特性:当二极管正向偏置时,正向电压较小时,正向电流几乎为零,这个区域称为死区。

硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。

当正向电压超过死区电压后,正向电流随正向电压的增加而迅速增大。

模电数电ch3-4_yy

模电数电ch3-4_yy
元的k个存储单元,可以对这k个存储单元进行读出
或写入。
若此时R/W=1,则执行读操作,将所选存储单 元中的数据送到I/O端上。
若此时R/W=0时,进行写入数据操作。
当CS=1时,不能对RAM进行读写操作,所有端
均为高阻态。
(3)RAM的存储单元按工作原理分为:
静态存储单元:利用基本RS触发器存储信息。 保存的信息不易丢失。 动态存储单元:利用MOS的栅极电容来存储信 息。由于电容的容量很小,以及漏电流的存在,为 了保持信息,必须定时给电容充电,通常称为刷新。
二、 存储器的应用
1. 存储器容量的扩展 存储器的容量:字数×位数
⑴ 位扩展(即字长扩展):将多片存储器经适当
的连接,组成位数增多、字数不变的存储器。
方法:用同一地址信号控制 n个相同字数的RAM。
例:将256×1的RAM扩展为 256×8的RAM。
将8块256×1的RAM的所有地址线和CS(片选线)
图8-14
三角波细分图
将这255个二进制数通过用户编程的方法,写入 对应的存储单元,如表8-3所示。将2716的高三位地 址 A10A9A8 取 为 0 , 则 该 三 角 波 占 用 的 地 址 空 间 为 000H~0FFH,共256个。
三角波存储表
五、其它类型存储器简介
1. EEPROM 用电气方法在线擦除和编程的只读存储器。 存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管。 写入的数据在常温下至少可以保存十年,擦除/ 写入次数为1万次~ 10万次。 2. 快闪存储器Flash Memory 采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构,同 时保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。理 论上属于ROM型存储器;功能上相当于RAM。 单片容量已达64MB,并正在开发256MB的快闪 存储器。可重写编程的次数已达100万次。

最新CMOS模拟集成电路设计-ch3单级放大器1幻灯片

最新CMOS模拟集成电路设计-ch3单级放大器1幻灯片

1 gm3
|| rO1
||
rO 2
||
rO 3
1 Rout gm3 || rO1 || rO2 || rO3
M1 acts as the input device and M2, M3 as the load.
35
脊柱结核术后复发危险 因素的研究
新疆医科大学第一附属医院脊柱外科
结核病一直是困扰发展中国家的 严重传染病。我国人口结核菌感染 率为44.5%,目前约有活动性肺结核 451万(卫生部2000第四次全国结核 病流行病学抽样调查报告)。其中 脊柱结核发病率约占结核病总人数 的3%~5%,占肺外结核的15%。
如果RS较大,
Av 1/gRmDRS
RD RS
增加源级负反馈电阻,使增益是gm的弱函数,实现线性 的提高。线性化的获得是以牺牲增益为代价的。
25
考虑沟道长度调制及体效应时,电路的交流小信号模型为
计算的复杂性大大增加… 我们需要建立一种直观的联系来分析问题
26
辅助定理: 在线性电路中,电压增益等于-GmRout,其中Gm表示输出 与地短接时电路的跨导;Rout表示当输入电压为零时电路 的输出电阻。
思考:
随着放大倍数的 提高,输入电压 范围越来越小, 我们真的能保证 输入信号在这么 小的范围内吗?
反馈
22
电流增大,增益怎么变化?
|Av|gmro
2nCoxIDW L
1 ID
23
带源级负反馈的共源级放大器
24
对于一般的共源放大器 gmnCoxW L(VINVTH)
跨导随着Vin的变化而变化,引入非线性
CMOS模拟集成电路设计-ch3 单级放大器1
分离器件构成的音频放大器

CMOS模拟集成电路设计-ch3单级放大器2

CMOS模拟集成电路设计-ch3单级放大器2

3.4 共源共栅级放大器
大信号分析
Vin≤VTH1,M1处于截止状态,Vout=VDD, 且Vx≈Vb-VTH2(忽略亚阈值导通)
Vin>VTH1,开始出现电流,Vout下降, Vx下降。
如果Vin足够大,M1或M2将进入线性区。 (先后与器件尺寸、RD及Vb有关)
小信号分析
增益 若λ=0,由输入管产生的漏电 流会全部流过共源共栅管
小信号分析
增益
如果RS 0, Av (gm gmb )(ro || RD )
输入阻抗
正因为共栅放大器的输入阻抗较小,所以前面算增益的时候 必须考虑RS
低Rin特性的应用
根据传输线理论: 对于50传输线,接收端匹配50电阻时,反射回来的能 量最小,功率传输效率最高 a结构电压增益只能为gm1×50; b结构为gm1×RD 由于共栅放大器的阻抗变换特性,RD可以远大于50
高输出阻抗是共源共栅的重要特性
Av=-GmRout 高输出阻抗可带来高增益!
Rout2显然不够大,Rout1的作用 没有发挥出来
共源共栅 电流源
输出电压的摆幅:
折叠式共源共栅放大器
所谓“折叠”针对小信号电流。小信号分析与共源共 栅放大器一致。
为了获得相当的性能,折叠式共源பைடு நூலகம்栅放大器的总偏 置电流应比共源共栅放大器的大。
练习 1
交流地 共栅级的阻抗变换特性
练习 2
摆幅问题
源跟随器会使信号直流电平产生VGS的平移,降低信号摆幅
为了保证M1工作在饱和区,要求
VX VGS1 VTH
为了保证M2、M3都工作在饱和区, 要求
VX (VGS3 VTH ) VGS2
电压平移有时候是有用的,如例3.9

模电课件华科版CH3

模电课件华科版CH3
(ICBO→0)
放大状态下BJT中载流 子的传输过程
令 ICN
IE
共基极电流放大倍数
IC IE IB (1 )IE
IC I E ICBO
IE IB IC
1
IC
1
IB
1
ICBO
令 共射极电流放大倍数
1 一般 几十~几百
放大状态下BJT中载流 子的传输过程
则 IC I B (1 )ICBO
(3) 平面型二极管
光刻窗口 扩散而成
阳极 阴极 引线 引线
P N P 型支持衬底
(c)平面型
往往用于集成电路中。
(4) 二极管的代表符号
阳极 a
k 阴极
D
(d) 代表符号
3.3.2 二极管的V-I 特性 与PN结伏安特性基本相同
(1) 正向特性
当VD>0 即处于正向特性区域,正向区又分为两段:
i) 当0<VD<Vth时,外电场不足以克服PN结的内电场, 正向电流为零,Vth称为死区或开启电压
练习1
15V
25K
+
18K
D 10V B
140K
A
2K
-
5K
10K
先假设D断开 VA= 1V VB= 3.5V
D承受反偏而截止
练习2
电路如图所示,已知ui=5sinωt (V),二极管导通电压UD=0.7V。 试画出ui与uO的波形,并标出幅值。
练习3
写出下列各图所示电路的输出电压值,设二极管导通电压 UD=0.7V。
这些特点使BJT不同于两个单独的PN结,而呈现出极间电流放 大作用。
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
外部条件:
e结正偏,c结反偏 NPN 管:

模拟电子技术CH03-3

模拟电子技术CH03-3

锗二极管2AP15的V-I 特性
3.3.3 二极管的主要参数
(1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容CJ(CB、 CD )
end
3.3 半导体二极管
3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数
3.3.1 半导体二极管的结构
在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极
管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大
类。 (1) 点接触型二极管
PN结面积小,结 电容小,用于检波和 变频等高频电路。
二极管的结构示意图
(a)点接触型
(2) 面接触型二极管
PN结面积大,用于 工频大电流整流电路。
(b)面接触型 (a)面接触型 (b)集成电路中的平面型 (c)代表符号
3.3.2 二极管的伏安特性
二极管的伏安特性曲线可用下ห้องสมุดไป่ตู้表示
iD IS (evD /VT 1)
硅二极管2CP10的V-I 特性

《模拟电子技术》电子教案ch31 电子课件

《模拟电子技术》电子教案ch31 电子课件

三、放大电路的四端网络表示
1ii
RS +
+ ui
us –
– 1
放大 电路
io 2
+
RL
uo

2
us — 信号源电压 Rs — 信号源内阻 RL — 负载电阻
ui — 输入电压 uo — 输出电压 ii — 输入电流 io — 输出电流
第 3 章 放大电路基础
3.1.2 放大电路的主要性能指标
1 ii
60
30 A 1.82 mV
第 3 章 放大电路基础
三、输出电阻
1
2
放大电路的输出相当于 负载的信号源,该信号源的 内阻称为电路的输出电阻。
RS +
+ uiRi Nhomakorabeaus –

1
Ru+oot RL

+ uo

2
计算:
Ro
u i
us RL
0
测量:
1
RS us =0
1
uo
uot RL Ro RL
Ro
第3章 放大电路基础
3.1 放大电路的基础知识
3.1.1 放大电路的组成 3.1.2 放大电路的主要性能指标
第 3 章 放大电路基础
3.1.1 放大电路的组成 一、组成框图
+ RS us

信 号 源
放大 电路
负 载 RL
is
RS
直流电源
二、多级放大电路
信号输入
第第第 一 二 三 信号输出 级级级
第 3 章 放大电路基础
io 2
RS +
+ ui
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2.抑制零点漂移的方法 抑制零点漂移的方法
(1) 在电路中引入直流负反馈。 ) 在电路中引入直流负反馈。 (2) 采用温度补偿。 ) 采用温度补偿。 (3) 采用差分式放大电路。 ) 采用差分式放大电路。
二、差分放大电路 1.电路的组成和抑制温漂的原理 电路的组成和抑制温漂的原理
电路特点: 所在的两边电路参数完全对称。 电路特点:T1、T2 所在的两边电路参数完全对称。
+Vcc Rb1 Rc1 T1 Re2 Rc2 T2 T2 + uo + Rc2 uo Re2 – –
R Rc1 c1
R
RRc2 c2 TT2 2
+ +
uuo o
Rs ++
DZ
– –
uu s s
– –
直接耦合多级放大电路 第二级射极加稳压管
第一、 第二级加射极电阻 第一、二级采用互补管
问题:R Z的接入将逐级抬高集电极的静态电位, 的接入将大大降低第二级的电压放大倍数, 问题:De2的接入将逐级抬高集电极的静态电位,使 , 的接入将大大降低第二级的电压放大倍数 之接近于电源电压,引起后级的静态工作点不合适。 之接近于电源电压,引起后级的静态工作点不合适。 从而影响整个放大电路的放大能力。 从而影响整个放大电路的放大能力。
变压器耦合放大电路
提示: 提示 : ( 1 ) 在直流通路 上求解静态工作点, 上求解静态工作点 , 此时电 容相当于开路, 容相当于开路 , 电感相当于 短路; 短路 ; ( 2 ) 在微变等效电路 上求解交流参数, 上求解交流参数 , 此时电容 和直流电源均相当于短路, 和直流电源均相当于短路 , 变压器相当于阻抗变换器。 变压器相当于阻抗变换器。
3.2 差分放大电路 一、直接耦合放大电路的零点漂移现象 1.直接耦合放大电路的零点漂移 直接耦合放大电路的零点漂移
零漂:输入短路时,输出仍有缓慢变化的电压产生。 零漂:输入短路时,输出仍有缓慢变化的电压产生。 主要原因:温度变化引起, 也称温漂 电源电压波动、 温漂。 主要原因 : 温度变化引起 , 也称 温漂 。 电源电压波动 、 元 件老化等也会产生输出电压的漂移。 件老化等也会产生输出电压的漂移。 思考题:为什么直接耦合放大电路有零点漂移? 思考题:为什么直接耦合放大电路有零点漂移?
0
50 µA 直接耦合多级放大电路 u CE 直流通路 (V) 1 2 3 4 5 6
Rs
U CE1 = U BE 2 = 0.7V I I C1 I B 2 C2 IB 1 + VCC + U BE 2 − I B 2 = U C E1 − I CU CE2 1 RC1 T2 T1
12 − 0.7 = − 5 ≈ 0.2mA = 200µA 2.2 直 流 通 路
5 0

直接耦合多级放大电路
1 2 3 4
计算上图所示直接耦合放大电路的静态工作点, 例1 计算上图所示直接耦合放大电路的静态工作点, 并在输出特性曲线上标出该静态工作点, 并在输出特性曲线上标出该静态工作点,进行失真的定性 分析。计算放大电路的电压放大倍数、 分析。计算放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电 阻。 已知: 20k 720Ω 已知 : Rs=1.5kΩ , Rb1=20kΩ, Rc1=2.2kΩ , Rc2=720Ω , 12V 50, 均为硅管。 Vcc=12V,β1= β2=50, T1、T2均为硅管。
U CE 2 = VCC − I C 2 RC 2 = 12 − 10 ×10 −3 × 720 = 4.8V
+Vcc
+ T1 R b1 R c1 T2
+ R c2 u –
o
R b1 Rs
R c1 T1
R c2 T2 +
uo
ui

us
+ –
ui
+
& I b1
+ Rb1 & Ui r be1 –
β 1 I&b1
第三章 多级放大电路
3.1 3.2 3.3 多级放大电路的分析计算 差分放大电路 直接耦合互补输出级
3.1 多级放大电路的分析计算
级间耦合: 级间耦合:多级放大电路的每一个基本放大电路称 为一级;级与级之间的连接称之为耦合。 为一级;级与级之间的连接称之为耦合。 多级放大电路 有四种基本耦合方式:直接耦合、阻容耦合、 有四种基本耦合方式: 直接耦合、阻容耦合、 变压器耦 合和光电耦合。 合和光电耦合。
一、直接耦合
将前一级的输出用导线直接连接到后一级的输入端 的耦合方式,称之为直接耦合 直接耦合。 的耦合方式,称之为直接耦合。 1.直接耦合放大电路静态工作点的设置及动态参数计算
+Vcc Rb1 Rs T1 + us – + ui – T2 Rc1 Rc2 +
uo
iC(mA) 10
IB=250µA 200µA 150µA 100µA 50µA uCE 5 6 (V)
三、变压器耦合
将前一级的输出通过变压器连接到后一级的输入端 或负载上)的耦合方式,称之为变压器耦合 变压器耦合。 (或负载上)的耦合方式,称之为变压器耦合。 例3 对图所示放大电路进行 +V cc 静态和动态分析。 静态和动态分析。
R b1 C1 Rs + u s R b2 – N1 T1 C e1 R e1 N2 RL uo – +
uI1 – ≈ I E1 I B1 1+ β
+ iE1 iE iE2
I Re C1
≈ I E1
uI 2

+
U CE1 = U C1 - U E1 ≈ VCC − I C 1 Rc + U BE1
-VEE 差分放大电路的组成
-VEE 半边直流 等效电路
共模电压放 (a)双端输出时: 大倍数
(2)动态分析 动态分析 (a)共模输入: △uI1= △ uI2= )共模输入: 称之为共模输入信号。 △uIc,称之为共模输入信号。
Rc1
& & I b2 β 2 I b2
+ rbe2 Rc2 U o –

&
直接耦合多级放大电路
& & & U o − β 2 I b 2 Rc 2 β 2 Rc 2 − β1 I b1 ( Rc1 // rbe 2 ) & Au = = =− & & r & r Ui I b1 be1 I b1 be1 rbe 2 =
2.差放电路的分析计算 差放电路的分析计算
(1)静态分析 静态分析 I B1 Rb + U BE1 + 2 Re I E1 = VEE
+Vcc
+Vcc Rc IB1 Rb IE1 + UCE1 2Re
Rb 上电压很小,近似分析时可忽略不计 Rc Rc + VEE − U BE1u O – ∴ I E1 ≈ Rb Rb T2 2 ReT1
2.直接耦合放大电路的优缺点 优点:具有良好的低频特性, 优点: 具有良好的低频特性 ,可以放大缓慢变化的信 无大电容和电感,容易集成。 号;无大电容和电感,容易集成。 缺点:静态工作点相互影响,分析、计算、 缺点: 静态工作点相互影响 ,分析 、计算 、 设计较复 存在零点漂移。 杂;存在零点漂移。
二、阻容耦合
将前一级的输出用电容连接到后一级的输入端的耦 合方式,称之为阻容耦合 阻容耦合。 合方式,称之为阻容耦合。
图所示阻容耦合放大电路,推导静态工作点、 例2 图所示阻容耦合放大电路, 推导静态工作点、 电压 放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。 放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。
+Vcc R b11 C1 Rs + u s R b12 – R c1 C2 T1 C e1 R e1 R c2 R b2 T2 C3 RL
uo
+ –
提示: 提示 : ( 1 ) 在直流 通路上求解静态工作点, 通路上求解静态工作点 , 此时电容相当于开路; 此时电容相当于开路 ; ( 2 ) 在 微变 等 效电路 上求解交流参数, 上求解交流参数 , 此时 电容和直流电源均相当 于短路。 于短路。
阻容耦合多级放大电路
阻容耦合放大电路的直流通路是相互独立的, 阻容耦合放大电路的直流通路是相互独立的,电路 的分析、计算和调试比较容易, 的分析、计算和调试比较容易,是分立元件放大电路的 主要耦合方式。其缺点是低频特性差,不能放大缓慢变 主要耦合方式。其缺点是低频特性差, 化的信号;由于耦合电容容量较大,所以不便于集成化。 化的信号;由于耦合电容容量较大,所以不便于集成化。
I C 2 = β 2 I B 2 = 50 × 0.2 = 10mA
从图中可以看出, 的静态工 从图中可以看出,T1BE1 VCC − U BE1 U I B1 = − 作点靠近饱和区, R 作点靠近饱和区,容易产生饱 Rb1 s 和失真。 和失真。从计算的过程可以看 出12直接耦合放大电路的静态µA , − 0.7 − 0.7 ≈ 0.1mA = 100 = 20 1.5 工作点是相互影响的。 工作点是相互影响的。
+Vcc Rc + uo – Rb T1 T2 + – Rc Rb + –
温度变化和电源电压波 动 , 都将使 1 、 T2 集电极 都将使T 电流产生变化, 电流产生变化 , 且变化趋
ui1
Re -VEE 差分放大电路的组成
ui 2
势是相同的, 因此当从T 势是相同的 , 因此当从 1 、 T2 集电极输出信号时,其 集电极输出信号时, 变化量相互抵消, 变化量相互抵消 , 理想情 况下,没有温漂。 况下,没有温漂。
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