ltps工艺流程

ltps工艺流程
LTPS（Low Temperature Poly-Silicon）是一种低温多晶硅工艺，用于制造高分辨率、高亮度、高对比度的液晶显示屏。

其工艺流程主要包括基板制备、薄膜沉积、光刻、湿法刻蚀、干法刻蚀、注入、退火等主要步骤。

首先是基板制备。

通常使用的基板是大面积玻璃基板，通过切割、清洁、平整等工艺步骤制备出符合要求的基板。

然后进行薄膜沉积阶段，即将硅源材料沉积在基板表面，形成一层多晶硅薄膜。

接下来是光刻工艺。

通过光刻胶覆盖在硅薄膜上，使用光刻机将图形投射到光刻胶上，然后使用显影液去除暴露在光刻胶上的部分。

这样就形成了光刻胶模板，用于后续的湿法刻蚀和干法刻蚀步骤。

在湿法刻蚀中，使用刻蚀液将多晶硅薄膜进行刻蚀，将不需要的部分去除。

通过控制刻蚀时间和刻蚀液的浓度，可以精确控制刻蚀深度，形成所需的图形。

接着进行干法刻蚀，使用高能量的离子束轰击多晶硅薄膜表面，将其刻蚀。

干法刻蚀相较于湿法刻蚀具有更高的刻蚀速率，可以加快工艺速度。

注入是LTPS工艺中的重要步骤之一，用于形成晶体管的源、漏、栅结构。

通过注入器将掺杂剂注入多晶硅薄膜中，改变其电导率。

注入完成后，进行退火处理，将多晶硅薄膜加热至高温，使其晶粒长大，改善晶体管的性能。

在整个工艺流程中，还有很多辅助工艺和步骤。

比如表面平整化、衬底清洗、栅氧化等。

这些步骤的目的是改善晶体管的质量和性能，保证显示屏的稳定性和可靠性。

LTPS工艺相较于其他工艺有着较高的分辨率、亮度和对比度，适用于制造高端的液晶显示屏。

随着科技进步和工艺改进，LTPS工艺正在不断发展，为液晶显示技术的进一步提升和创
新做出了重要贡献。