FOSAN富信电子 二级管 US5AB-US5MB-产品规格书
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安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
US5A-US5M
SMB Super Fast Recovery Diode
特快恢复二极管
■Features 特点
High current capability 高电流能力Low forward voltage drop 低正向压降Super Fast Recovery time 特快恢复时间Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMB
■Maximum Rating 最大额定值
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol 符号US 5A US 5B US 5D US 5G US 5J US 5K US 5M Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 501002004006008001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501002004006008001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)
35
70
140
280420
560
700
V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 5A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 120A
Thermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 35℃/W
Junction/Storage Temperature 结温/储藏温度
T J,T stg
-50to+150℃
℃
■Electrical Characteristics 电特性
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数Symbol 符号
US5A-US5D
US5G US5J-US5M
Unit 单位
Condition 条件
Forward Voltage 正向电压V F 1.0
1.3 1.7
V I F =5A Reverse Current 反向电流I R 10(T A =25℃)200(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 50
75nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容
C J
75
pF
V R =4V,f=1MHz
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US5A-US5M ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线
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US5A-US5M ■Dimension外形封装尺寸。