氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响

氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响
李世涛;乔学亮;陈建国
【期刊名称】《稀有金属材料与工程》
【年(卷),期】2006(35)1
【摘要】采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0~10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜。

紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构。

结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9sccm时,透射率超过80%(波长λ=400nm^700nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善。

XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物。

【总页数】4页(P138-141)
【关键词】磁控溅射;铟锡氧化物;透明导电薄膜;氧流量
【作者】李世涛;乔学亮;陈建国
【作者单位】华中科技大学模具技术国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TG146.4
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