一种偏硼酸盐激光晶体及其制备方法和用途[发明专利]

专利名称：一种偏硼酸盐激光晶体及其制备方法和用途专利类型：发明专利
发明人：黄艺东,林秀钦,陈雨金,罗遵度,谭奇光
申请号：CN200410007186.X
申请日：20040302
公开号：CN1664177A
公开日：
20050907
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种偏硼酸盐激光晶体及其制备方法和用途，涉及激光晶体材料领域。

该类晶体的分子式为RM (BO)，M为稀土或三价过渡金属元素中某一元素或若干元素的组合，R作为激活离子，为适量掺杂的替代M离子位置的过渡金属或稀土离子。

该类激光晶体物化性能稳定、在空气中不潮解、可用提拉法生长、制备成本较低。

申请人：中国科学院福建物质结构研究所
地址：350002 福建省福州市杨桥西路155号
国籍：CN
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