业界第一支基于金刚石的氮化镓的高电子迁移率晶体管

业界第一支基于金刚石的氮化镓的高电子迁移率晶体管
佚名
【期刊名称】《超硬材料工程》
【年(卷),期】2013(25)2
【摘要】许多军用RF系统，如雷达和通信系统，正使用一种单片微波集成电路（MIMIC，MMIC）类型的功率放大器。

MMICPA利用GaN晶体管已获得了极具前景的增强RF性能，但其工作性能正受到热电阻的极大影响。

【总页数】1页(P11-11)
【关键词】高电子迁移率晶体管;氮化镓;金刚石;单片微波集成电路;功率放大器;RF 系统;通信系统;RF性能
【正文语种】中文
【中图分类】TN32
【相关文献】
1.氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件r设计与制备 [J], 朱彦旭;宋会会;王岳华;李赉龙;石栋
2.高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管 [J], ;
3.氮化镓基高电子迁移率晶体管单粒子和总剂量效应的实验研究 [J], 陈睿;梁亚楠;韩建伟;王璇;杨涵;陈钱;袁润杰;马英起;上官士鹏
4.p型栅结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构优化 [J], 葛梅;李毅;王志亮;朱友华
5.氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究 [J], 焦晋平;任舰;闫大为;顾晓峰
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