碲锌镉晶片的机械化学磨抛分析
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p l h n r c s , o e i n t ema h n n a g ft ewa e ss ra ewe ec mp r d a d t esu y o oi igp o e s t l s mi a et c i i g d ma e o f r u c r o a e , n t d f h h f h
中图分类 号 :T 1 N2 3 文献 标识 码 :A 文章 编号 : 10 8 120 )20 1.3 0 189 (0 80 .110
Th a y e f d i m n el rd a e sb e h n c l e An l s so Ca m u Zi cT l i eW f r y M c a ia e ia l h n u Ch m c l Po i i g s
机 ,才 能够 实现所 需 目的。 同时 , 由于 C T 晶片 属 Z
于特 殊 的半 导体材料 ,十分 难 以加 工 ,需 要建 立专 用 的磨抛 设备 以及相应 的磨抛 技术 l J 】。
要参 数 ,从数 学意 义上 ,粗 糙度算 术 平均 R a是在 取 样 长度 内,轮 廓偏 离平 均线 的算 术平 均值 ;平 整度 是
me h n c lp ihi g,c mia c n c lp ls ng a d c e c lp ihi g.I he s me c n ii ns h c a ia ols n he c lme ha i a o ihi n h mi a ols n n t a o d to ,t e c a ge ura e o h e f r r e t wih 3 i tre o tr h n s of s f c f t r e wa e s we e ts t D n e f r me e .Ba e h fe e t lp ng a d s d on t e dif r n a pi n
出现 了多种新 原理 的磨 抛工 艺方 法 以及相 应 的设 备 。 实现超精 密研 磨和 抛光 的方 法有 很 多 ,有 些可 以靠 手
引言
随着 红 外热像 仪 的不 断发展 ,对 于红 外探 测器 的 性 能 的要 求越 来越 高 。为 了满 足探测 器性 能及 其均匀 性 等方 面的 需求 ,对碲 锌镉 ( d 一Z y e C nT ,简 写 C T) Z
C T 晶片 的表 面磨 抛 工艺 中 , 了手工抛 光 是依靠 人 Z 除 工完成 之 外 ,其它 均是 在 磨抛装 置上 进行 的 。以粘 接 在 旋转 盘 上 的抛 光 垫为基 底 ,该基 底 与 C T 晶片 表 Z 面 紧密 接触 ,并通 过 固定 晶片 的夹 具对 晶片施 加一 定 的压 力 ,抛光 时抛 光盘 与夹 具相 对转 动 ,同时在抛 光
指 晶片 具有 的宏 观 凹 凸高度 相对理 想平 面 的偏差 。本 文利 用 三 维形 貌 干涉 仪 对 不 同抛 光 方 法抛 光 的 C T Z 晶片表 面检 测 ,监 测不 同抛 光方法 抛 光 的 C T 晶片 Z
表 面形 貌质 量及 晶片表 面粗 糙度和 平 整度 。
随着 对 C T 表面质 量 要求 的不 断提 高 ,近年 来 Z
ZH A NG e , HU AN G u M i H i
( n n s i t h sc , n n u n n 6 0 2 , h n Ku mi g I t u e P y is Ku mi g Y n a 5 2 3 C i a) n t
Ab ta t Di ee te p rme t o h e d u Zic T l r e(1 > wae s wee c rid o tb sr c : f r n x ei ns n tr e Ca mi m n el i f ud 1 1 fr r are u y
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第3卷 第2 0 期 20 0 8年 2月
Vb13 NO. .0 2
If rd eh oo y n ae c n lg r T
F b 2 0 e. 0 8
碲 锌 镉 晶 片 的机 械 化 学磨 抛 分 析
张 梅 ,黄 晖
( 昆明物 理研 究所,云南 昆明 60 2 ) 5 2 3
晶片 的几何 尺寸 以及表 面质 量有 了更 高 的要求 ,必 须
精 确到微 米量 级 。而 这些 要求 仅仅 靠 人工 是不 能够 完 成 的 ,必 须 依靠 性 能优 良的工 艺 设 备— — 精 密 磨抛
盘上添 加 专 门的磨 抛料 ,依靠 晶片 、抛 光垫 以及 磨抛
料 之 间产 生 的摩 擦 力实现 对 C T晶片 的抛 光 。 Z 粗 糙度 和平 整度 是衡 量 C T 晶片表 面 质量 的重 Z
r ug n s ewa e swe ep ro m e . o h e soft f r r e r d h f Ke r s: Ca mi m n lu i e lpp nga d p ihi g; r ug ne s y wo d d u ZicTe l rd ; a i n ols n o h s
摘要:对 < 1 >方 向的三块碲锌镉 晶片进行 了不同的机械磨抛 、化学机械抛光、化学抛光,在相 同 l1 的测量条件下用 三维形貌干涉仪进行表面监测。比较 了碲锌镉晶片不 同的磨抛方法对碲锌镉 晶片表面
机械损伤的情况,开展 了碲锌镉晶片不同的磨抛方法对损伤的去除及 平整 度 实现 的研 究 。 关键 词 :碲锌镉 ;磨 抛 ;粗 糙度 ;平 整度