【CN110098190A】闪存存储器及其制备方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910324086.6
(22)申请日 2019.04.22
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技
园区祖冲之路1399号
(72)发明人 陈宏　
(74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务
所(普通合伙) 31237
代理人 屈蘅
(51)Int.Cl.
H01L 27/11524(2017.01)
H01L 27/11529(2017.01)
H01L 27/11536(2017.01)
H01L 27/11548(2017.01)
(54)发明名称闪存存储器及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种闪存存储器及其制备方法，包括提供一衬底，所述衬底上还依次形成有多晶硅层和保护层；在所述保护层上形成图形化的掩模层；以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀去除所述保护层的上台阶部分和下台阶部分；保留所述保护层的台阶侧壁部分；通过保留所述保护层的台阶侧壁部分，以保护所述存储单元侧壁的多晶硅层形貌，在后续多晶硅层刻蚀后形成规则的多晶硅残留块，规则的多晶硅残留块较强壮稳固，不存在凸起状缺陷，在后续工艺中不易被剥离。

避免不规则多晶硅残留(例如凸起)引起闪存存储器的电性功能不良和/或存储功能不良的问题，
从而提高了分栅闪存存储器的良率。

权利要求书1页 说明书6页 附图5页CN 110098190 A 2019.08.06
C N 110098190
A
权　利　要　求　书1/1页CN 110098190 A
1.一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供一衬底，所述衬底包括相邻的存储区和逻辑区，所述存储区包括存储单元和低于所述存储单元的间隔单元；所述衬底上还依次形成有覆盖所述存储单元、间隔单元以及逻辑区的多晶硅层和保护层；所述多晶硅层和保护层均呈台阶状；上台阶部分覆盖所述存储单元，下台阶部分覆盖所述间隔单元，台阶侧壁部分为所述上台阶部分和所述下台阶部分的过渡部分；
步骤S2、在所述保护层上形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层在对应于所述存储区的部分具有一开口以使所述存储区不被所述掩膜层覆盖；
步骤S3、以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀去除所述保护层的上台阶部分和下台阶部分；保留所述保护层的台阶侧壁部分；
步骤S4、刻蚀去除预设厚度的所述多晶硅层的上台阶部分和下台阶部分；
步骤S5、刻蚀去除所述保护层的台阶侧壁部分；
步骤S6、刻蚀去除剩余厚度的所述多晶硅层的上台阶部分和下台阶部分，形成规则的多晶硅残留块；以及
步骤S7、对所述逻辑区的多晶硅层进行蚀刻，以形成所述逻辑晶体管栅极。

2.如权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，所述刻蚀为干法刻蚀。

3.如权利要求2所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀的工艺气体包括氧气和甲烷的混合气体，所述氧气的气体流量为8sccm～14sccm，所述甲烷的气体流量为40sccm～80sccm。

4.如权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为1.5千埃～2.0千埃，所述保护层79的厚度为300埃～400埃。

5.如权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述存储单元包括字线、位于所述字线两侧的第一存储位单元和第二存储位单元，以及隧穿氧化层；所述隧穿氧化层位于所述第一存储位单元与所述字线之间且还位于所述第二存储位单元与所述字线之间。

6.如权利要求5所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述第一存储位单元包括形成于所述衬底上的第一浮栅和第一控制栅，所述第二存储位单元包括形成于所述衬底上的第二浮栅和第二控制栅。

7.如权利要求6所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述存储单元还包括位于所述第一存储位单元远离所述字线一侧的第一位线，所述存储单元还包括位于所述第二存储位单元远离所述字线一侧的第二位线。

8.如权利要求1中任一项所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅。

9.如权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述存储单元与所述多晶硅层之间设置有隔离层。

10.一种闪存存储器，其特征在于，通过如权利要求1-9所述的制备方法制备而成。

2。