东南大学信息学院模电答案作业题_第一章

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(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案

1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。

（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√）

（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×）

（3）线性电路一定是模拟电路。（√）

（4）模拟电路一定是线性电路。（×）

（5）放大器一定是线性电路。（√）

（6）线性电路一定是放大器。（×）

（7）放大器是有源的线性网络。（√）

（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√）

（9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×）

（10）放大器的增益一定是大于1的。（×）

2 填空题：

（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。

（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。

（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。

（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。

（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。

（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。

（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。

（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术

第1章半导体二极管及其基本应用

1．1 填空题

1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。

1．2 单选题

1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。

A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子

3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小 B．基本不变 C．增大

4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大 B．基本不变 C．减小

5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、

A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器

1．3 是非题

1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ )

2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )

模拟电子技术习题答案(1)

第一章常用半导体器件1

习题答案

〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)

图t1.2

解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v

〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，

ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，

谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解：id?id?id?(5?1.92sin?t)ma

ud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v

+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3

第一章常用半导体器件2

〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。 6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；

模拟电子技术习题答案

模拟电子技术

习题答案

电工电子教学部

2021.2

第一章绪论

一、填空题：

1. 自然界的各种物理量必须首先经过传感器将非电量转换为电量，即电信号。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的频谱。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从时域到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的振幅随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的相位随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。

9. 放大电路分为电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路以及互导放大电路四类。

10. 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝〞表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益、dB lg 20i A =电流增益。

13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变化的稳态响应。 14. 幅频响应是指电压增益的模与角频率之间的关系。

15. 相频响应是指放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率之间的关系。

二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？解： Ω105A

模拟电子技术课后习题及答案1

第一章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（）

（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是。 A. I S e U B.

T U U I e S C. )1e (S －T

U U I

（3）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管

B. 增强型MOS管

C. 耗尽型MOS 管

解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。

解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。

《模拟电子技术基础》习题答案

( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
UI
图题 1.5 解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。（2）在测二极管的反向电阻时，黑表笔接负极，红表笔接正极。（3）第一次测量中指针偏转的角度大，偏转角度大的一次阻值小。 1.6．有两个三极管分别接在放大电路中，今测得它们的管脚对地的电位分别如表题 1.6 所列，试判断（1）三极管的管脚，并在各电极上注明 e、b、c；（2）是 NPN 管还是 PNP 管，是硅管还是锗管？
+UCC Rb1 Rc Rt Rb1 Rc +UCC
Rt
Rb2
Re
Rb2
Re
(a)
(b)
图题 2.6 解：（a）能稳定 Q 点，过程如下：
T

IC Rt VBE I B I C
（b）不能稳定 Q 点，因为
T
IC Rt VBE I B I C
2. 7 画出图题 2.7 所示电路的等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。

模拟电子技术基础习题及答案

第一章半导体器件

1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：

二极管正偏时，T

D U U S e

I I ≈ ， S

T D I I ln

U U ≈ 对于硅管：mV 6.179A

1mA

1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA

5.0mA

1ln mV 26U D =≈

1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？

（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：

（1）mA 2.7e 10

1.0e

I I mA

26mA 65012

U U S T

D =⨯⨯=≈-

（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则

107.72101.02)27(I )10(I pA

6.12101.02)27(I )67(I 3

7.31210

10S

S 41210

2767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=

T=300k(即27℃)，

300

26q K mA 26300q

q KT )27(U T ==⨯==即

则67℃时，

7.716pA 107.7mA

2.7ln 8.22U ,C 10mA

7.655pA

6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV

8.22263300

)10(U mV 5.2934030026

模拟电子技术基础-第一章课后习题详解

习题

1.1选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价

B. 四价

C. 三价

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。

A. 83

B. 91

C. 100

（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。

A.增大

B.不变

C.减小

解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A

1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？

解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。

1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3

解图P1.3

解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。

1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

图P1.4

解图P1.4

解：波形如解图P1.4所示。

1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.5

解：u O的波形如解图P1.5所示。

解图P1.5

1.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。

模拟电子第一章练习题

说明：以下是整理出来的第一章的一些练习题，部分习题已有答案，答案仅供同学们参考，对答案有疑问的，欢迎同学们提出。对于没提供答案的习题，请同学们根据所学内容进行解答。另外，教材中的书后习题，同学们也要认真做一做，答案可以参考教学指导书。

一．填空题

1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。

2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。

3. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生

的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。

4. 半导体中有自由电子和空穴两种载流子。本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。

5．温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度增加，多子浓度基本不变。

6.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的

半导体中加入微量的杂质。

7.N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

8.P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

9.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的

扩散运动和少数载流子的漂移运动。

10.PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

11. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；反向截止；

反向击穿）。

12. 三极管工作在放大状态时，发射结应正向偏置，集电结应反向偏置。

若工作在饱和状态时，发射结应正向偏置，集电结应正向偏置。若工作在截止状态时，发射结应反向偏置，集电结应反向偏置。

模拟电子技术第一章习题与答案

第一章习题与答案

1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？

答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。

2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？

答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。

3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？

答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。

4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？

答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。

5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？

模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

第一章习题与思考题

◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出

幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解：波形见图。

◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？

解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V

，试求： ①

稳压管中的电流I Z =?

② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？解：① mA mA mA k V V V R U R

U U I

Z Z

1462016200610=-=Ω

② mA mA mA k V V V R U R U U I

模拟电子技术基础习题答案

止，uo= ui；当 ui<-3.7V 时，D1 截止，D2 导通，uo=-3.7V；ui 和 uo 的波形如解图 1.3.3 所
示。
1.3.4 电路如图 P1.3.4（a）所示，其输入电压 uI1 和 uI2 的波形如图（b）所示，二极管导通电压 UD＝0.7V。试画出输出电压 uO 的波形，并标出幅值。
第 1 章习题及答案
1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成 N 型半导体，加入元素可形成 P 型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大
B. 不变
2
图 P1.3.4
解：对输入电压 uI1 和 uI2 的进行分情况讨论，共有四种组合，分别进行讨论：（1）ui1=0.3V，ui2=0.3V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1、D2 承受的正向电压不足以导通，所以均截止。此时 uO=0V；（2）ui1=5V，ui2=0.3V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1 承受正向电压导通，导通压降 0.7V，此时 uO=4.3V，且使 D2 管阳极（0.3V）比阴极（4.3V）电位低，D2 承受反向电压而截止，结果是 uO=4.3V；（3）ui1=0.3V，ui2=5V，将两个二极管从电路中断开，可知 D2 承受正向电压导通，导通压降 0.7V，此时 uO=4.3V，且使 D1 管阳极（0.3V）比阴极（4.3V）电位低，D1 承受反向电压而截止，结果是 uO=4.3V；（4）ui1=5V，ui2=5V，将两个二极管从电路中断开，可知 D1、D2 承受相同的正向电压，均处于导通状态，导通压降 0.7V，此时 uO=4.3V。 uO 的波形如解图 1.3.4 所示。

东南大学信息学院模电答案第一章功率放大器

PC = PC1＋PC2 = (4ξ/π- )P2Lmax 当ξ=2/π≈0.636时，PC 最大PCmax= 4PLmax/π2≈0.4PLmax 22
• 可见，在乙类推挽功率放大器中，Pc的最大值既不出现在ξ=0即静止状态，也不出现在ξ=1即最大输出状态。因为ξ小时，虽然Po小，但PD也小，结果Pc小；反之，
T1， T2为互补功率管，单电源供电，C为自举电容。
30
1－4 高效率功率放大器
一个功率放大器，集电极效率ηc＝P0 /PD, 其中PD＝ PO＋PC。要提高ηc，必须减小PC 。
2
减小功耗的方法： PC 1/ 2 icvCEdwt 0
减小导通时间，增大信号周期内瞬时功耗为零的时间。减小管子导通时间的瞬时功耗，比如开关工作。但是高效率带来的是高失真。
5
1.1.3 功率器件
大功率器件结构和性能参数与小信号器件不同比如功率晶体管发射极面积较大，β较低，Icbo较大，V(BR)CEO和ICM也较大。且集电极一般与管座相连，便于安装散热器。
一、散热
热阻与温度的关系T2-T1=RTH*P 集电极最大耗散功率Pcm =(TjM-Ta)/Rth 集电结与周围环境的热阻Rth= R + (th)jc R(th)ca R(th)jc为结与底座的热阻， R(th)ca为管壳与周围环境
三准互补推挽电路复合管取代互补管， T1为小功率管， T2为大功率管，等效一个NPN管。复合管类型取决第一个管的类型。这样他们的配对更容易实现

东南大学模电实验1运算放大器的基本应用

东南大学电工电子实验中心

实验报告

课程名称：模拟电子电路实验

第 1 次实验

实验名称：运算放大器的基本应用

院（系）：吴健雄学院专业：电类强化班

姓名：学号：610142

实验室:实验组别：

同组人员：实验时间：2016年4月10日评定成绩：审阅教师：

一、实验目的

1.熟练掌握反相比例、同相比例、加法、减法等电路的设计方法；

2.熟练掌握运算放大电路的故障检查和排除方法；

3.了解运算放大器的主要直流参数（输入失调电压、输入偏置电流、输入失调电流、温度

漂移、共模抑制比，开环差模电压增益、差模输入电阻、输出电阻等）、交流参数（增益带宽积、转换速率等）和极限参数（大差模输入电压、大共模输入电压、大输出电流、大电源电压等）的基本概念；

4.熟练掌握运算放大电路的增益、幅频特性、传输特性曲线的测量方法；

5.掌握搭接放大器的方法及使用示波器测量输出波形。

二、预习思考

1.查阅LM324 运放的数据手册，自拟表格记录相关的直流参数、交流参数和极限参数，

极限参数

最大差模输入电压32 V 差模输入电压的最大值

最大共模输入电压28 V 共模输入电压的最大值

最大输出电流60 mA 输出电流的最大值

最大电源电压30 V 电源电压的最大值

2.设计一个反相比例放大器，要求：|AV|=10，Ri>10KΩ，R F=100 kΩ，并用multisim 仿真。

其中分压电路由100kΩ的电位器提供，与之串联的510Ω电阻起限流的作用。

3.设计一个同相比例放大器，要求：|AV|=11，Ri>10KΩ，RF=100 kΩ，并用multisim 仿真。

东南大学模电总复习

第七章反馈放大电路
7.1 反馈的基本概念和分类
掌握反馈的概念和框图，输入信号、反馈信号、净输入信输出信号；掌握正反馈、负反馈、电压反馈、电流反馈、串联反馈、并联反馈的概念；熟练掌握反馈类型的判断； 7.2 负反馈放大电路的四种组态
熟练掌握电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈、电流并联负反馈的特点和作用；
第五章场效应管放大电路
5.5 各种放大器件电路性能比较
理解P240表5.5.2； BJT电路：熟练掌握p148表4.5.1；
FET电路：熟练掌握P221表5.2.1；
第六章模拟集成电路
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术
理解镜像电流源的结构和工作原理；理解微电流源的结构和工作原理；
了解组合电流源的结构；
掌握二极管的理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型，掌握二极管电路的简化模型分析法；
3.5 特殊二极管
掌握齐纳二极管的特性和参数，稳压电路；
了解变容二极管、肖特基二极管、光电二极管、发光二极管、激光二极管；
第四章
4.1 BJT
理解NPN和PNP三极管的结构和图形符号；掌握三极管的工作原理：内部条件、外部偏置条件，内部载流子的传输过程，电流分配关系及计算；掌握三极管的输入特性和输出特性，饱和区，放大区，截至区；理解三极管的主要参数以及温度对三极管性能参数的影响； 4.2 基本共射极放大电路掌握基本共发射极放大电路的组成和工作原理；掌握静态和动态的概念，直流通路和交流通路的概念，根据直流通路计算静态工作点；