东南大学信息学院模电答案作业题_第一章

合集下载

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。

（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

（×）（3）线性电路一定是模拟电路。

（√）（4）模拟电路一定是线性电路。

（×）（5）放大器一定是线性电路。

（√）（6）线性电路一定是放大器。

（×）（7）放大器是有源的线性网络。

（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。

（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。

（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。

（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。

（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。

（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。

（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。

（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。

（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。

（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。

（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。

（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。

3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。

模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本

（2） A um
( Rc // Rc )
rbe

30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1）画出直流通路和微变等效电路（6 分）。（2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4

U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C

《模拟电子技术基础》习题答案

( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且足够大。（1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？（2）写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。

模拟电子技术——第1章习题及答案

思考与习题11.1填空题1.Si或载流子；另一类是在Si或Ge是多数载流子，___单向导电性___3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合，面触4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______限流。

5.，其反向，正常工作电流为6.7.两种载流子，在本征半导体中掺入三价元素，可形成P型半导体。

8.11.12.13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态，而稳压管通常工作于16.W7805的输出电压为 5 V17.1.1 选择题1.在N型半导体中，多数载流子为电子，则N型半导体（C）A．带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。

（C）A．本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体3.PN结加正向电压时，其正向电流是由的。

（A）A．多数载流子扩散形成 B．多数载流子漂移形成C ．少数载流子扩散形成D ．少数载流子漂移形成4.当PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

（ C ）A ．大于变宽 B. 小于变窄C. 大于变窄D. 小于变宽5.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时，处于正向导通状态。

A ．0V 电压B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降6.二极管的反向电阻（ B ）。

A ．小B ．大C ．中等D ．为零 7.稳压管的稳压区是其工作在。

（ C ）A. 正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区8.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ .B ） A.10V B.210 V C. V D.20V9.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V ，此时，输出的电压约为( A )A.24VB.18VC.9VD.28.2V10.两个硅稳压管，U z1 = 6V ，U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（.D ）。

模拟电子技术第一章习题

间必须连接。

14.若两个输入信号电压的大小，极性，就称为共模输入信号。

15．为消除乙类功放的交越失真，给BJT发射结加一定的偏压，使Q点上移，摆脱电压的影响。

这时，电路工作在状态。

16．互补对称功放采用类型的两个BJT组成推挽输出器，在输入交流信号作用下，两管工作，为使输出电压波形对称，要求两管的性能。

17 . 简单的差分放大器双端输出时，对信号有较强的抑制能力 , 而对信号有较强的放大作用。

18. 零点漂移产生的因素很多，其中以变化所引起的漂移最为严重。

19.OCL甲乙类功放电路的最大效率可达_________。

20.某差动放大期电路两输入端的信号为ui1=12mV，ui2=4mV，差模电压放大倍数为Aud=-75，共模电压放大倍数为Auc=-0.5，则输出电压u0为_________。

二、选择题1.晶体二极管具有___________特性。

A.单向导电B.集电极电压饱和C.双向导电D.集电极电流截止2.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。

锗管为______V伏）。

A.0B.0.3C.0.4D.0.73.二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。

硅管为____V（伏）。

A.0B.0.3C.0.4D.0.74.锗二极管的死区电压为（）V。

A.0.5B.0.2C.0.35.PN结外加反向电压时，其内电场（）。

A.减弱B.不变 B.增强6.PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄7．在检修电子线路时，设管子为NPN型，如果测得U CE=E C V，则说明管子工作在（）状态。

A、截止区B、饱和区C、放大区D、过损耗区8．NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是（）。

A.VC＞VB＞VEB.VC＜VB＜VEC.VE＜VB＞VCD.VE＞VB＜VC9．PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流（）漂移电流。

模拟电子技术习题答案

6．半导体 PN 结中内电场 E，是由空间电荷区产生的，当将反向电压加在 PN 结两端时，其 PN 结内电场 E 增强。 PN 结不易（不易 /容易）导通。
7．二极管导通时，其正向电压应该比门坎电压正向导通电压约为 0.2 V 。
高（高 /低），硅管的正向导通电压约为 0.7 V ，锗管的
模拟电子技术习题答案
电工电子教学部
201的各种物理量必须首先经过传感器将非电量转换为电量，即电信号。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的
频谱。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从
时域到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的振幅随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
（ 2） vo
3v i1 2 v o1
v o2
vi2 2vi3
100 100
1
vo2
50 150
2 (v o1
v o2 )
2( 3vi1 vi2 2vi3 )
6．试写出图示加法器对 vI1 、vI2、 vI3 的运算结果： vO = f (vI1 、 vI2、 vI3)。
解： A 2 的输出 vO2=-(10/5) vI2-(10/100) vI3 =-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20) vI1 -(100/100) vO2=-5 vI1+2vI2+0.1 vI3
非线性区，输出电压扩展到饱和值。
3．运算放大器工作在线性区时，具有
虚短
来分析电路的输入、输出关系。
和虚断
两个特点，凡是线性电路都可利用这两个概念
4．反相比例运算电路中集成运放反相输入端为
地的电压基本上

模电答案第一章

作业作业：：1-9．各元件的情况如图所示各元件的情况如图所示。

（1）若元件A 吸收功率a 解：电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：V AWI P U I U P a a 10110===→= （2）若元件B 吸收功率10W 10W，，求：I b =?=?解：电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：A VWU P I UI P b b 11010−=−=−=→−= （3）若元件C 吸收功率吸收功率--10W 10W，，求：I c =?=? 解：电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：A VW U P I UI P c c 11010−=−==→= （4）求元件D 吸收功率吸收功率：：P=?P=?解：电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：W mA mV UI P 61020210−×−=×−=−=（5）若元件E 输出的功率为10W 10W，，求：I e =?=? 解：电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：A VWU P I UI P e e 11010−=−==→= （6）若元件F 输出功率为输出功率为--10W 10W，，求：U f =?=?解：电压电流为非关联参考方向电压电流为非关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：V AWI P U I U P f f 10110−=−=−=→−= （7）若元件G 输出功率为10mW 10mW，，求：I g =?=? 解：电压电流为关联参考方向电压电流为关联参考方向，，吸收功率吸收功率：：mA VmW U P I UI P g g 11010−=−==→= （8）试求元件H 输出的功率输出的功率。

解：电压电流为非关联电压电流为非关联参考方向参考方向参考方向，，吸收功率吸收功率：：mW mA V UI P 422−=×−=−=故输出功率为4mW 4mW。

模拟电子技术习题答案

A D B A D R 10V 5V C B UO

R 5V 10V UO

( a)
B1 D1 A R 12V 9V UO B1 B2
( b)
D1 D2 R 10V 15V UO A
B2 D2

( c)
(d )
图 T1.2
解：（a）UO=UA－UD=－5V－0.7V=－5.7V （b）UO=UB=UC=－5V （c）UO=UA=－0.7V （d）UO=UA=－9.3V 〖题1.3〗二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知 ui 10 sin t (mV) ， E 1.2 V ，
iD /mA Rd 3.3k
VDD ( 12V)
4 3
uGS 12V 11V 10V 9V 8V 6V 5V 5 10 15 20 25 uDS /V

T
uI
2 uO

1 0
图 T1.17
解：（1）略（2） uI=4V时，T工作在夹断区； uI=8V时，T工作在恒流区； uI=12V时，T工作在可变电阻区。

1k ui uo 5V (c) ui
1k uo 5V (d)

解：
图 T1.5
uo(V)
5
uo(V)
5
uo(V)
5
uo(V)
5
o uo(V)
5
5
ui(V)
o uo(V)
5
5
ui(V)
o uo(V)
5
5
ui(V) o uo(V)
5
5
ui(V)
o π/35π/6
(a)

模电答案

种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。
空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。最外层的四个电子与相邻原子最外层
电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。当环境温度升高(加热或光照)
时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来的
位置上就出现一个空位，称为空穴。空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只
1-3 选择填空(只填 a、b…以下类同)
(1)在 PN 结不加外部电压时，扩散电流
漂移电流。(a.大于，b.小于，c.等于)
(2)当 PN 结外加正向电压时，扩散电流
漂移电流。(a1.大于，b1.小于，c1.等于)
此时耗尽层。(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变)
(3)当 PN 结外加反向电压时，扩散电流
第一章思考题与习题解答
1-1 名词解释
半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N 型半导体、P 型半导
体、PN 结。
解半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。例如硅(Si)和锗(Ge)，这
两种半导体材料经常用来做晶体管。
载流子——运载电流的粒子。在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两
=
IC2 I B2
− −
IC1 I B1
知，对于一般的管子来说不可以，因为
IC1
0
，
I B1
0
。
而对于理想的三极管来说，可取 IC1 = 0 ， IB1 = 0 ，此时可以由 IC =1 mA ， IB =10 μA 这两
个数据来决定它的交流电流放大系数，即 = IC = 1000 10 = 100 。 IB

东南大学信息学院模电答案第一章功率放大器

水平线段。
iL A Icm
O
T1
Q
2Vcc
Vcc
D
vCE1
20
输入为正弦波信号的推挽式乙类功放，在最大不失真条件下的两管集电压电流为：
ic1＝Icmsinωt 0≤ ωt ≤π
＝0
π ≤ ωt ≤2 π
ic2＝0
0≤ ωt ≤π
＝ -Icmsinωt π ≤ ωt ≤2 π
vCE1＝ VCC-Vcmsinωt
23
1.2.3 乙类互补推挽放大器实际电路
一、交叉失真和偏置电路 1.交叉失真
当输入信号很小，没有达到管子导通电压VBE（on)时，管子没有导通，正负周期交替过零时不能衔接，会有非线性失真，这就是交叉失真或者交越失真。如果输入信号电压振幅越小，交越失真就越严重。为了消除交越失真，必须在管子B-E间加合适的正向偏置电压，其值应该稍大于两管导通电压之和。
PC = PC1＋PC2 = (4ξ/π- )P2Lmax 当ξ=2/π≈0.636时，PC 最大PCmax= 4PLmax/π2≈0.4PLmax 22
• 可见，在乙类推挽功率放大器中，Pc的最大值既不出现在ξ=0即静止状态，也不出现在ξ=1即最大输出状态。因为ξ小时，虽然Po小，但PD也小，结果Pc小；反之，
24
皮肌炎图片——皮肌炎的症状表现
皮肌炎是一种引起皮肤、肌肉、心、肺、肾等多脏器严重损害的，全身性疾病，而且不少患者同时伴有恶性肿瘤。它的1症状表现如下：
1、早期皮肌炎患者，还往往伴有全身不适症状，如-全身肌肉酸痛，软弱无力，上楼梯时感觉两腿费力；举手梳理头发时，举高手臂很吃力；抬头转头缓慢而费力。
R vCE－VCEQ=
-（ iC－ICQ）

模拟电子技术习题集参考答案

第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。

题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。

题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。

2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

八、解：波形如题8解图所示。

题8解图第二章参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。

模电参考答案(全4套)

参考答案（第1套）一、1．电流、正向、反向；电压。

2．线性、非线性。

3．共基、共射、共集。

4．差模、共模、ocodA A 。

5．低通、200、200。

6．乙类、0、LCC R V22、0.2。

二、2．放大状态。

4．电压－串联、增大、宽。

三、1．V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2．115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为：电压－串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法，根据瞬时极性法可知引入了负反馈，不能振荡。

更正：将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。

六、 1．R R TH U U R R U 3221-=-=；＝，＝时，当；＝，＝－时，当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式，反相端输入为U I ，同相端输入I IU U ~0='。

I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1．误差放大器的同相在下方、反相端在上方。

2．电路由四个部分构成：（1）由R 1、R 2和R W 构成的取样电路；（2）由运放构成负反馈误差放大器；（3）由R 和D W 构成基准电压电路；（4）由T1和T2复合管构成调整管。

3．V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案（第2套）一、1．反向击穿；2．甲类、甲乙类、乙类、甲乙类； 3．零点漂移；4．（串联负反馈）从C 到F ；（电压负反馈）从A 到E ； 5．差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路； 6．（1）0.5；（2）5；（3）20；二、1．W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2．W P P o T 8.12.0max max == 三、1．10=umA 2．)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3．输出电压会失真。

模拟电子技术基础习题及答案

模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。

（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。

大学模拟电路答案第一章

第一章半导体材料及二极管习题类型1．1半导体材料的导电特性；1．2～1.9简单二极管电路的分析、计算；1．10、1．11二极管限幅电路的分析、计算；1．12～1.16稳压二极管电路的分析、计算；1．17、1．18稳压管稳压电路的设计。

1.1 某N型Si材料的施主密度/cm3。

在T=300K和T=550K时Si的本征浓度分别为/cm3和1015/cm3。

计算在这两种温度下的自由电子浓度和空穴浓度，并说明材料导电特性的变化。

解：（1）T=300K，肯定成立/cm3，/cm3。

（2）T=550K，应联立求解和。

将，代入上二方程可得：由上式解出/cm3/cm3。

结论：在T=300K时，，材料呈现杂质导电特性。

在T=550K时，，材料已呈现本征导电特性。

1.2当T＝300K时，Ge和Si二极管的反向饱和电流分别为1μA和0.5pA。

如果将此两个二极管串联连接，有1mA的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：，两管已充分导通，故伏安关系近似为，由此，取mV（T=300K）VV。

题图1.21.3 在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下估算：（1）若反向饱和电流A，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。

（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正、反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。

解：（1）V=0.1V时，A；V=0.2V时，mA；V=0.3V时，A；（2）按题意由上式解出V（3）1.4二极管的伏安特性可用来表示，设。

如果用一个的干电池正向接在该二极管的两端，试计算将有多大电流通过？电流值是否与实际情况相符？解：计算值，实际上，电流一旦超过允许的最大整流电流，管子就因过热而烧毁。

1.5题图1.5中所有二极管的反向饱和电流均为，求输出电压时相应的输入电压。

题图1.5解：1.6二极管电路如题图1.6所示，判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压。

模拟电子技术习题及解答

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解：对于（a ）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。

模拟电子技术习题答案1

模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过传感器将非电量转换为电量，即电信号。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的频谱。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从时域到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的振幅随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的相位随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。

9. 放大电路分为电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路以及互导放大电路四类。

10. 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真等主要性能指标是衡量放大电路的标准。

11. 放大电路的增益实际上反映了电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能力。

12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益、dB lg 20i A =电流增益。

13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变化的稳态响应。

14. 幅频响应是指电压增益的模与角频率之间的关系。

15. 相频响应是指放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率之间的关系。

二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路三、某电唱机拾音头阻为1M Ω，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1M Ω，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。

模电第一章练习习题

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。

（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（√）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。

（√）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。

（×）解：二、选择正确答案填入空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）B （4）A C第一章题解－1三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z mi n＝5mA。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图T1.4解：(a)图能击穿稳压，U O1＝6V；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O2＝5V。

第一章题解－2第一章题解－3五、电路如图T1.5所示，V CC ＝15V ，β＝100，U B E ＝0.7V 。

试问：（1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？（2）若T 临界饱和，则R b ≈？解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U C E ＝2V 。