飞思卡尔为功率受限的连接器件拓展了可编程电源管理IC系列
飞思卡尔高功率器件介绍
RF Power LDMOS TransistorN--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETThis 80watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720to 960MHz.•Typical Single--Carrier W--CDMA Performance:V DD =28Volts,I DQ =1400mA,P out =80Watts Avg.,Input Signal PAR =7.5dB @0.01%Probability on CCDF.Frequency G ps (dB)ηD (%)Output PAR(dB)ACPR (dBc)IRL (dB)920MHz 20.035.9 6.3--38.0--14940MHz 20.136.2 6.2--37.6--18960MHz20.036.16.1--37.5--17Features•Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation•Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems •Optimized for Doherty Applications•In Tape and Reel.R3Suffix =250Units,32mm Tape Width,13inch Reel.Document Number:AFT09S282NRev.0,10/2012Technical Data720--960MHz,80W AVG.,28VAFT09S282NR3AFT09S282NR3Table 1.Maximum RatingsRatingSymbol Value Unit Drain--Source Voltage V DSS --0.5,+70Vdc Gate--Source Voltage V GS --6.0,+10Vdc Operating VoltageV DD 32,+0Vdc Storage Temperature Range T stg --65to +150°C Case Operating Temperature Range T C --40to +150°C Operating Junction Temperature Range (1,2)T J--40to +225°CTable 2.Thermal CharacteristicsCharacteristicSymbol Value (2,3)Unit Thermal Resistance,Junction to CaseCase Temperature 80°C,80W CW,28Vdc,I DQ =1500mA,960MHz Case Temperature 91°C,282W CW,28Vdc,I DQ =1500mA,960MHzR θJC0.310.27°C/WTable 3.ESD Protection CharacteristicsTest MethodologyClass Human Body Model (per JESD22--A114)2Machine Model (per EIA/JESD22--A115)B Charge Device Model (per JESD22--C101)IVTable 4.Moisture Sensitivity LevelTest MethodologyRating Package Peak TemperatureUnit Per JESD22--A113,IPC/JEDEC J--STD--0203260°CTable 5.Electrical Characteristics (T A =25°C unless otherwise noted)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitOff CharacteristicsZero Gate Voltage Drain Leakage Current (V DS =70Vdc,V GS =0Vdc)I DSS ——10μAdc Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (V DS =28Vdc,V GS =0Vdc)I DSS ——1μAdc Gate--Source Leakage Current (V GS =5Vdc,V DS =0Vdc)I GSS——1μAdcOn CharacteristicsGate Threshold Voltage(V DS =10Vdc,I D =370μAdc)V GS(th) 1.0 1.5 2.0Vdc Gate Quiescent Voltage(V DD =28Vdc,I D =1400mA,Measured in Functional Test)V GS(Q) 1.7 2.2 2.7Vdc Drain--Source On--Voltage(V GS =10Vdc,I D =3.6Adc)V DS(on)0.10.140.3Vdc1.Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.2.MTTF calculator available at /rf.Select Software &Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product.3.Refer to AN1955,Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.Go to /rf.Select Documentation/Application Notes --AN1955.(continued)AFT09S282NR3Table 5.Electrical Characteristics (T A =25°C unless otherwise noted)(continued)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitFunctional Tests (1)(In Freescale Test Fixture,50ohm system)V DD =28Vdc,I DQ =1400mA,P out =80W Avg.,f =960MHz,Single--Carrier W--CDMA,IQ Magnitude Clipping,Input Signal PAR =7.5dB @0.01%Probability on CCDF.ACPR measured in 3.84MHz Channel Bandwidth @±5MHz Offset.Power Gain G ps 19.020.022.0dB Drain EfficiencyηD 33.536.1—%Output Peak--to--Average Ratio @0.01%Probability on CCDF PAR 5.6 6.1—dB Adjacent Channel Power Ratio ACPR —--37.5--36.0dBc Input Return LossIRL—--17--10dBLoad Mismatch (In Freescale Test Fixture,50ohm system)I DQ =1400mA,f =940MHzVSWR 10:1at 32Vdc,416W CW Output Power(3dB Input Overdrive from 280W CW Rated Power)No Device DegradationTypical Performance (In Freescale Test Fixture,50ohm system)V DD =28Vdc,I DQ =1400mA,920--960MHz Bandwidth P out @1dB Compression Point,CWP1dB —280—W VBW Resonance Point(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)VBW res —60—MHz Gain Flatness in 40MHz Bandwidth @P out =80W Avg.G F —0.1—dB Gain Variation over Temperature (--30°C to +85°C)∆G —0.0156—dB/°C Output Power Variation over Temperature (--30°C to +85°C)∆P1dB—0.006—dB/°C1.Part internally matched both on input and output.AFT09S282NR3Figure2.AFT09S282NR3Test Circuit Component Layout*C26is mounted vertically.Table6.AFT09S282NR3Test Circuit Component Designations and ValuesPart Description Part Number Manufacturer C162pF Chip Capacitor ATC100B620JT500XT ATCC2,C5,C10,C13 4.7pF Chip Capacitors ATC600F4R7BT250XT ATCC3,C7,C14,C15,C22,C2310μF Chip Capacitors GRM32ER71H106KA12L MurataC4,C6,C16,C17,C18,C1947pF Chip Capacitors ATC600F470JT250XT ATCC8,C9,C11,C24 3.9pF Chip Capacitors ATC600F3R9BT250XT ATCC12,C20,C21 2.4pF Chip Capacitors ATC600F2R4BT250XT ATCC25470μF,63V Electrolytic Capacitor MCGPR63V477M13X26-RH MulticompC2636pF Chip Capacitor ATC100B360JT500XT ATCR1,R2 6.04Ω,1/4W Chip Resistor CRCW12066R04FKEA VishayPCB0.020″,εr=3.5RO4350RogersAFT09S282NR3TYPICAL CHARACTERISTICSI R L ,I N P U T R E T U R N L O S S (d B )820f,FREQUENCY (MHz)Figure 3.Single--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression(PARC)Broadband Performance @P out =80Watts Avg.--20--0--5--10--1513232221--4238343026--37--38--39--40ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)G p s ,P O W E R G A I N (d B )20191817161584086088090092094096098022--41--25A C P R (dB c )Figure 4.Intermodulation Distortion Productsversus Two--Tone SpacingTWO--TONE SPACING (MHz)10-----1100I M D ,I N T E R M O D U L A T I O N D I S T O R T I O N (d B c )-Figure 5.Output Peak--to--Average RatioCompression (PARC)versus Output PowerP out ,OUTPUT POWER (WATTS)--1--3700--2--4O U T P U T C O M P R E S S I O N A T 0.01%P R O B A B I L I T Y O N C C D F (d B )509011015020504540353025ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)130A C P R (dB c )--50--20--25--30--40--35--4522G p s ,P O W E R G A I N (d B )212019181716P A R C (d B )--1.8--1--1.2--1.4--1.6--2--51AFT09S282NR3TYPICAL CHARACTERISTICS1P out,OUTPUT POWER(WATTS)AVG.Figure6.Single--Carrier W--CDMA Power Gain,DrainEfficiency and ACPR versus Output Power--10--20 16226050403020ηD,DRAINEFFICIENCY(%)Gps,POWERGAIN(dB)21201010030010--60ACPR(dBc) 191817--30--40--50 Figure7.Broadband Frequency Response1123f,FREQUENCY(MHz)191715GAIN(dB)2113700800900100011001200130014001500--402010--10--20IRL(dB)--30AFT09S282NR3V DD =28Vdc,I DQ =1400mA ,Pulsed CW,10μsec(on),10%Duty Cyclef (MHz)Z source (Ω)Z in (Ω)Z load (1)(Ω)Max Linear Gain (dB)Max Output PowerP1dBP3dB(dBm)(W)ηD(%)AM/PM (°)(dBm)(W)ηD (%)AM/PM (°)920 1.83-j3.18 1.66+j3.17 4.55-j3.2718.756.039653.5-8.056.949458.2-12940 2.01-j3.27 2.03+j3.31 4.97-j2.8618.755.939154.4-7.756.949057.6-119602.64-j3.342.55+j3.455.77-j1.7818.455.939153.9-7.956.948857.8-12(1)Load impedance for optimum P1dB power.Z source =Measured impedance presented to the input of the device at the package reference plane.Z in =Impedance as measured from gate contact to ground.Z load =Measured impedance presented to the output of the device at the package reference plane.source inloadFigure 8.Load Pull Performance —Maximum P1dB TuningV DD =28Vdc,I DQ =1400mA ,Pulsed CW,10μsec(on),10%Duty Cyclef (MHz)Z source (Ω)Z in (Ω)Z load (1)(Ω)Max Linear Gain (dB)Max Drain EfficiencyP1dBP3dB(dBm)(W)ηD(%)AM/PM (°)(dBm)(W)ηD (%)AM/PM (°)920 1.83-j3.18 1.70+j3.02 1.49-j1.6122.053.522566.2-1554.326769.6-22940 2.01-j3.27 2.12+j3.16 1.48-j1.8022.053.321566.6-1654.024870.1-249602.64-j3.342.66+j3.261.76-j1.7921.753.623067.4-1554.326970.6-22(1)Load impedance for optimum P1dB efficiency.Z source =Measured impedance presented to the input of the device at the package reference plane.Z in =Impedance as measured from gate contact to ground.Z load =Measured impedance presented to the output of the device at the package reference plane.source inloadFigure 9.Load Pull Performance —Maximum Drain Efficiency TuningAFT09S282NR3P1dB --TYPICAL LOAD PULL CONTOURS —940MHz34567213456721--4.50--0.5--1.5--1--2--2.5--3.5--4--3--4.50--0.5--1.5--1--2--2.5--3.5--4--3--4.50--0.5--1.5--1--2--2.5--3.5--4--3I M A G I N A R Y (Ω)I M A G I N A R Y (Ω)NOTE:=Maximum Output Power=Maximum DrainEfficiencyFigure 10.P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)--4.5REAL (Ω)0--0.5--1.5I M A G I N A R Y (Ω)345Figure 11.P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)REAL (Ω)I M A G I N A R Y (Ω)Figure 12.P1dB Load Pull Gain Contours (dB)REAL (Ω)Figure 13.P1dB Load Pull AM/PM Contours (°)REAL (Ω)--1--2--2.5--3.5--467--3213456721Power Gain Drain Efficiency LinearityOutput PowerAFT09S282NR3P3dB --TYPICAL LOAD PULL CONTOURS —940MHzNOTE:=Maximum Output Power =Maximum DrainEfficiencyFigure 14.P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)--41REAL (Ω)--1--2Figure 15.P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)REAL (Ω)Figure 16.P3dB Load Pull Gain Contours (dB)REAL (Ω)Figure 17.P3dB Load Pull AM/PM Contours (°)REAL (Ω)Power Gain Drain Efficiency LinearityOutput Power--41--1--2014567--332I M A G I N A R Y (Ω)014567--332--41--1--2I M A G I N A R Y (Ω)014567--332--41--1--2I M A G I N A R Y (Ω)014567--332I M A G I N A R Y (Ω)AFT09S282NR3PACKAGEDIMENSIONSAFT09S282NR311RF Device Data Freescale Semiconductor,Inc.12RF Device Data Freescale Semiconductor,Inc.AFT09S282NR3AFT09S282NR313RF Device Data Freescale Semiconductor,Inc.PRODUCT DOCUMENTATION,SOFTWARE AND TOOLSRefer to the following documents,software and tools to aid your design process.Application Notes•AN1955:Thermal Measurement Methodology of RF Power AmplifiersEngineering Bulletins•EB212:Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS DevicesSoftware•Electromigration MTTF Calculator•RF High Power Model•.s2p FileDevelopment Tools•Printed Circuit BoardsFor Software and Tools,do a Part Number search at ,and select the “Part Number”link.Go to the Software &Tools tab on the part’s Product Summary page to download the respective tool.REVISION HISTORYThe following table summarizes revisions to this document.RevisionDate Description0Oct.2012•Initial Release of Data SheetRF Device Data Freescale Semiconductor,rmation in this document is provided solely to enable system and software implementers to use Freescale products.There are no express or implied copyright licenses granted hereunder to design or fabricate any integrated circuits based on the information in this document.Freescale reserves the right to make changes without further notice to any products herein.Freescale makes no warranty,representation,or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose,nor does Freescale assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit,and specifically disclaims any and all liability,including without limitation consequential or incidental damages.“Typical”parameters that may be provided in Freescale data sheets and/or specifications can and do vary in different applications,and actual performance may vary over time.All operating parameters,including “typicals,”must be validated for each customer application by customer’s technical experts.Freescale does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.Freescale sells products pursuant to standard terms and conditions of sale,which can be found at the following address:/SalesTermsandConditions.Freescale,the Freescale logo,AltiVec,C--5,CodeTest,CodeWarrior,ColdFire,C--Ware,Energy Efficient Solutions logo,Kinetis,mobileGT,PowerQUICC,Processor Expert,QorIQ,Qorivva,StarCore,Symphony,and VortiQa are trademarks of Freescale Semiconductor,Inc.,Reg.U.S.Pat.&Tm.Off.Airfast,BeeKit,BeeStack,ColdFire+,CoreNet,Flexis,MagniV,MXC,Platform in a Package,QorIQ Qonverge,QUICC Engine,Ready Play,SafeAssure,SMARTMOS,TurboLink,Vybrid,and Xtrinsic are trademarks of Freescale Semiconductor,Inc.All other product or service names are the property of their respective owners.E 2012Freescale Semiconductor,Inc.How to Reach Us:Home Page: Web Support:/support。
电子科技大学获授权使用飞思卡尔Power Architecture e200内核技术
Ｐ ０ ０处 理 器 ， 处 理 器具 有行 业 领 先 的性 能 和 出众 的 能 效 。 双 方 还 与 通信 业 的领 导 者 及 知 名 的业 内合 作 伙 伴 ， 华 为 、 ４８ 该 如 中兴 、 ｉｉ ＨＳ、
屏和一些控制按钮 ， 实 现功能包括播放控制 、
播 放 列 表 、音 量 控 制 、
Ｕ Ａ１ ４ Ｔ Ｄ ３ １ Ｓ的 Ｉ Ｉ 口（Ｓ Ｋ、Ｓ Ｒ 、ＩＤＩＩ Ｄ 构 Ｓ接 １ ＣＬ ｌ Ｌ ＣＫ ｌ 、Ｓ Ｏ） ｌ Ｉ Ｓ ￣
成 了 ＭＰ ３音 频 文 件 数 据 的传 输 和 对 Ｕ Ａ１ ４ Ｔ Ｄ ３ １ Ｓ的 时 钟 控 制
大 通 道 数 Ｎ ｘ取 １ ０， 所 以 时 间 片 长 度 ｑ＝ ０ ／ ０ ｍａ ０ ３ ｍｓ １ ０＝ ０３ 。其 实在 真正 的 多 通 道 ＭＰ ．ｍｓ ３中 ， 多 时 问 １ ０个 通 道 都 很 Ｏ
易 地 加 入 各 种显 示 设 备 和 硬 件 输 入 设 备 ；使 信 号 和槽 用 于 对 象
图 ５ 播 放 器 功 能 关 系类 图
５ 结 束 语
化 ，３ ２ ’ Ｓ Ｃ ４ ０不 能 分 清 各 路 ＭＰ ３播 放 通 道 ， 以采 用 一 个 四 路 所 转 换 开关 ＣＤ ０ ６作 为 通 道 切 换 开 关 电路 ，将 ｌ ４６ Ｉ 选 为 四路 Ｓ分 再 与 ＭＰ ３播 放 通 道 连 接 。ＣＤ ０ ６是 一个 内含 四组 类 比开 关 的 ４６ Ｉ 器 件 。每 组 是 个 三 稳 态 电路 ， 有 ＯＵ Ｉ ＣＯＮ Ｒ Ｃ 含 Ｔ、 Ｎ、 Ｔ ＯＬ三 个 控 制 引 脚 ， ＴＮ 对 应 输 入 ／ 出 ， ＯＮ Ｒ ＯＵ Ｉ 输 Ｃ Ｔ ＯＬ对 应 本 组 的 选
飞思卡尔芯片
飞思卡尔芯片飞思卡尔（Freescale）是一家拥有嵌入式半导体解决方案的全球领先制造商。
该公司的产品覆盖了自动驾驶汽车、智能手机、物联网以及工业自动化等领域。
飞思卡尔芯片是该公司的核心产品之一，下面将对其进行详细介绍。
飞思卡尔芯片是一种用于嵌入式系统的半导体芯片，具有高性能、低能耗的特点。
它可以运行复杂的应用程序，并提供丰富的外设接口，以满足各种设备的需求。
飞思卡尔芯片使用先进的制造工艺，具有较高的集成度和稳定性，同时还具有较低的功耗和散热性能。
飞思卡尔芯片提供了多种型号和系列，以满足不同应用场景的需求。
例如，i.MX系列是用于智能手机和平板电脑等移动设备的芯片，具有高性能、低功耗和丰富的多媒体功能。
QorIQ系列则是用于工业和网络设备的芯片，具有高性能、可靠性和安全性。
飞思卡尔芯片的应用范围非常广泛。
在汽车行业，它可以用于自动驾驶系统、车载娱乐系统和车身控制系统等。
在消费电子行业，它可以用于智能手机、平板电脑和智能家居设备等。
在工业自动化领域，它可以用于工业机器人、智能仓储系统和智能制造设备等。
与传统的微控制器相比，飞思卡尔芯片具有更强大的计算能力和更丰富的外设接口。
它可以支持更复杂的算法和应用程序，并且可以实现更高的系统集成度。
此外，飞思卡尔芯片还具有较低的功耗和散热性能，能够降低系统的能耗和散热压力。
飞思卡尔芯片还提供了丰富的软件和开发工具，以便开发人员快速开发和调试嵌入式系统。
它支持多种操作系统和开发环境，如Linux、Android和Microcontroller等。
同时，飞思卡尔芯片还提供了可靠的技术支持和培训，以帮助客户解决技术和应用问题。
总之，飞思卡尔芯片是一种用于嵌入式系统的半导体芯片，具有高性能、低能耗和丰富的外设接口。
它可以满足各种设备的需求，在多个行业具有广泛的应用前景。
随着物联网和智能制造技术的发展，飞思卡尔芯片将为各种智能设备的发展提供强大的支持。
飞思卡尔面向数字功率和电机控制扩展DSC产品系列
且还 由于频谱 的失真 造成脉； 中波形的失真 ． 产生码 间干扰 （ 包
括 同相码 间干扰 和正 交干扰 ） ．从 而 造 成 载 波 相 位 误 差 和 定
时相 位抖动 ．最终 引起 系统误 码率 的上升 。所 以．正 确地选
Ｍ ｉｒ ｗ ａ Ｌｉ Ｅｎｇｉ ｅ ｉ ｃｏ ｖｅ ｎｋ ｎｅ ｒｎｇ－Ｐｅｒ ｏｒ ａｎ Ｄｅ ｉ ｔｏｎ ａ ｆ ｍ ｃｅ ｆ ｎｉｉ ｎｄ
Ｏｂｅ ｆ ｅ” Ｈａｒｓ Ｃ ｒ ｏ ａｉｎ． ｊｃ ｖ ｓ ｉ ｒｉ ｏｐ ｒｔｏ
飞思卡尔面 向数 字功率和 电机控制扩展 Ｄ Ｃ产品 系列 Ｓ
择各 种抗衰落 技术和误 码纠错 技术是保 证数 字微波 传输质量 的决 定 性 因 素 之 一 。 另 外 ，数 字 微 波 在 传 输过 程 中强 的干 扰 和 高 的 噪 声 系 数都
降 １ Ｂ 相 应 的误 码 率 要 恶 化 ，Ｅ ｄ． Ｂ Ｒ会 从 １ 增 加 到 １ 左 右 。 ０ ０ 在 数 字 信 号 的 传 输 过 程 中 ．影 响 传 输 性 能 的 因 素 还 有 ：
换 、功 能性 和 准确 性 。片 上 Ａ ＤＣ可 以 实现 每 秒 ３ ３万采 样 ，有 助 于 减少 信号 波 纹 来精 确 地调 节 能 源 。 这 些 器件 包 括模 ３
块化 交叉 开关 ，在 外 设和 封装 引脚 之 间实 现可 编程 的 内部 模块 连 接 。 ＭＣ ６ ８ｘ ５ Ｆ ２ ｘ系 列 是 目 前 Ｄ ＳＣ市 场 中 最 低 能 耗 的 器 件 。ＭＣ ６ ８ ｘ ５ Ｆ ２ ｘ设 备 的 能 效 是 其 它 Ｄ ＳＣ产 品 的 四 倍 ，以 ６ Ｏ Ｍ Ｈｚ运行 ，电压达 到 ３６ 。 ＤＳ ．Ｖ Ｃ提 供 大量 的成 本 节省 特 性 ，消除 了对 外 部元件 的 需求 ，还 降低 了整 体材 料 清单 成本 嘏
飞思卡尔半导体 56F801x 系列设备应用笔记说明书
飞思卡尔半导体应用笔记文档号: AN3102第0版, 2005年9月目录©飞思卡尔半导体（中国）有限公司, 2005-2008. 版权所有. 初稿，本手册可能会在未经通知的情况下更新1引言56F801x 系列设备与其它56800E 系列设备相比，有很多不同的特征和改进功能。
本应用笔记将对这些不同功能进行详细介绍，以帮助用户了解更多相关知识。
2一体化RAM56F801x 系列设备采用了与先前56800E 设备不同的存储模型。
该系列设备的RAM 结构体系经过修改后，在程序和数据存储映像图中均可使用，这也使开发人员需要考虑这些修改所带来的影响。
• RAM 是一个单一的存储块，可以出现在程序和数据存储映像图中。
虽然在两个图中的地址不同，但对应的是相同的物理块。
• 为了适应RAM 的一体化功能，飞思卡尔半导体公司的CodeWarrior 修改了使用的存储配置文件。
程序空间和数据空间之间在一体化RAM 中的动态（联接时）分配，请参见应用示例。
1引言. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12一体化RAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13时钟. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23.1内部时钟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33.2外部时钟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34输入/输出（I/O ）引脚的复用. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45带LIN 从机模式的SCI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66SPI 的输入/输出问题 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76.1主机模式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76.2从机模式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77ADC 变动. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77.1独立的并行扫描定时 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77.2定时触发器的ADC 同步输入. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87.3VREF 的选择 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88定时器的输入/输出 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89PWM 控制 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .109.1传统的PWM 操作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .129.2ADC 控制PWM 输出. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .149.3提供PWM 控制的定时器驱动ADC 采样 . . . . . . . . .179.4定时器控制PWM 输出 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .199.5由外部引脚控制的PWM 输出 . . . . . . . . . . . . . . . . . .229.6带ADC 采样触发的由外部引脚控制的PWM 输出 .2310节能功能. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2411参考资料. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2556F801x 系列设备的特殊功能作者:Les Lewis56F801x 系列设备的特殊功能, 第0版初稿，本手册可能会在未经通知的情况下更新时钟飞思卡尔半导体23时钟图1展示了56F801x 的片内时钟合成(OCCS)模块框图。
飞思卡尔电源管理解决方案
飞思卡尔电源管理解决方案当今的应用系统和设备越来越多综合多种特种器件，每个器件负责特定的功能任务，同时提高系统的计算处理能力。
它们包括了处理器、通讯层接口、存储器、等等，它们对电源的要求各不相同。
不同的器件需要不同的和，且具有不同的约束条件。
一个中心集中式的供电电源无法满足全部的需要，负载点的解决计划可以通过簇拥供电电源，将各个子电源分布到板子的各个负载附近，由主供电电源的5V、12V产生各负载所需的子电源如3.3V、2.5V、1.8V、1.2V等。
MC3470xIC产品有为8-16位系列设计的器件，同时也有为32位MCU系列设计的供电器件，即QUICCSupply系列的芯片，它们十分适合为POWERQUICC 处理器提供电源。
QUICCSupply系列MC3470x器件有MC34701、MC347012及MC34703三个产品。
MC34701的主要特点是，通过I2C对寄存器举行操作，可编程内部和上电重置功能，保证MCU性能全都性。
同步降压转换器具有电流模式控制，增加输出电压的精度。
升压转换器提高了低压输出的性能，利用外部分压可调整开关调整器的输出电压，外部RC可编程上电重置延迟定时器，高精度输出电压，迅速的瞬态响应，低压停止工作和过流庇护功能。
MC34702和MC34703具有上述功能且输出电流和电流限制值要高于MC34701。
MC34703是向QUICC处理器和其他系列飞思卡尔微处理器和DSP提供有效电源管理的IC。
它集成了高性能开关调整器，挺直供应微处理器核心电压。
内置的低压差调整器控制电路提供I/O接口电压和总线电压。
开关调整器是高效同步降压型调整器，集成了低导通电阻，具有庇护功能并节约用户设计时光。
MC34703的电压输入范围为2.8"13.5V；开关调整器的输出可达10A；LDO控制器输出可达2A；300kHz的预设固定开关频率；上电和下电挨次可以挑选挨次和反序；I2C电压极限值微调；内置可编程看门狗电第1页共6页。
飞思卡尔利用下一代数字信号控制器解决能耗过高问题
・
飞 思 卡 尔 推 出其 下 一 代 ＤＳ Ｃ产 品 组 合 的第 一 个 系列
及 下 一 代 发 电 机 （ 太 阳 能 发 电 ） 少 能 源 浪 费 的 理 想 如 减
选择 。
图 １
ＭＣ ６ ８ ｘ Ｓ ５ Ｆ ４ ｘＤ Ｏ系 列 的详 细 信 息
ＭＣ ６ ８ ｘ Ｓ ５Ｆ ４ ｘ Ｃ提供 了微 控 制 器 行 业 高 效 的信 号 处 Ｄ 理 功能 。它 提 供 了易 于 使 用 的 ＭＣ 以 及 Ｄ Ｐ内核 的 高 Ｕ， Ｓ
重 要 。全 世 界 都 在 关 注 绿 色 技 术 ， 能 电 网 的设 计 和 实 施 智
是 其 中一 个 方 向 ， 是 今 天 ， 源 节 省 的 又 一 个 重 大 机 遇 但 能 出现 了 。使 用 数 字 控 制 系 统 ， 即使 在 电 源 、 电机 和 照 明 系
统 （ 些主要的耗能源） 能效上实现微小的改善 ， 这 的 也会 对
电 路板 设 计 可 以采 用 更 小 的尺 寸 （ 高 功 率 密 度 ） 从 而 减 提 ，
小 系统 的 整体 尺寸 和成 本 ， 现 “ 型 化 ” 用 。 实 小 应
飞 思 卡尔 高级 副 总 裁 兼 微 控 制 器 解 决 方 案 事 业 部 总 经 理 ＲｅａＫａ ｅｏ ｎａ ｚ ｚｒ ｕ ｉｎ表 示 ， 数 字 信 号 控 制 器 技 术 是 帮 “
全 球 能 耗 产 生 巨大 影 响 。飞 思 卡 尔 半 导 体 通 过 交 付 其 下
Powertrain Control
TM
5
NPI Quality - Cycles of Learning
Microcontroller Zero Defects Strategy C90 <1 ppm Capability
• 4th Cycle of Zero Defect Learning • Enhanced tools and processes improve maturity of our DFx capabilities. • Design for Test • Design for Manufacturability • Design for Functionality • Design for Failure analysis 2008 Design
Multiple injection profiles Lower peak cylinder temp Finer fuel atomization
More accurate ignition:
More complete combustion Reduces un-burn fuels Maximum energy conversion
TM
2
Automotive Electronic System Trends
Going Green
• • •
Stringent emissions regulation Electronics replacing hydraulics Hybrids, gasoline direct injection
TM
7
Powertrain - Combustion Control
Objectives Increased fuel economy Reduced emissions (CO, Total Hydrocarbons (HC), O3, and NOx, particulates) Improve reliability Increase Performance Reduce Mechanical Content Increase Engine Efficiency Enablers More accurate injection:
飞思卡尔电源管理解决方案
每一 路输出可通过 Ｓ Ｉ Ｐ 串行 总 线 独 工 作 电压 从 非 常 低 的 ０９ 到 ４２ ． Ｖ ． Ｖ， 立 控 制 ，它 具 有 非 常低 的 功 耗 和 待 适 合 干 电 池 、镍 氢 电 池 或 锂 电 池 供 机 电流 、 电模 式 ， 得 它 成 为 出色 电产 品 。 省 使 的 手 持 电池 供 电产 品 的 理 想 选 择 。
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Ｏｎ ｉ ｅ Ｓ ｌ ｅｍ ｉ ａｒＨｉ ｌ ｔ ｎ ｎ ｇｈｉ ｓ ｇｈ
Ｃｈ ｎ ＥＣＮｅ 。 ｉａ ｔ
中电 网
， ｆ ｅ ｃｌ ￣ ｒ ｓａ ｍ ￣ｅ ｅ
飞思 卡 尔 半 导 体
使 之 成 为 首 选 的供 电控 制 器 件 。
同 。 同 的 器 件 需 要 不 同 的 电 压 和 不
电流 ，且 具 有 不 同 的 约 束 条 件 。一 个 中央 集 中式 的 供 电电源 无 法 满 足 所 有 的 需 要 ，负载 点 的 解 决 方 案 可 以通 过 分 散 供 电 电源 ，将 各 个 子 电 源 分 布 到 板 子 的各 个 负载 附 近 ，由 主 供 电电源 的 ５ 、２ 生 各 负 载所 Ｖ １Ｖ产 需 的 子 电 源 如 ３３ ２５ 、 ． １ Ｖ ． Ｖ、 ．Ｖ １ Ｖ、 ． ８ ２
等。
Ｉ同器 件 需 要 不 同的 电源
ＭＣ Ｕ性 能 一 致 性 。 步 降 压 转 换 器 和 总 线 电压 。开 关 调 节 器 是 高 效 同 同
具有Ｐ ＷＭ 电流 模 式 控 制 ， 强 输 出 步 降 压 型 调 节器 ，集 成 了低 导 通 电 增
ＭＣ ４ ０ ３ ７ １的 主 要 特 点是 ， 通 过 Ｉ Ｃ总 线 对 寄存 器进 行 操 作 ， 编 程 可
KinetisK10系列产品概述
飞思卡尔半导体产品概述文档号: K10PBZHS 第1版, 2010年8月目录1Kinetis 产品组合Kinetis 是基于ARM® Cortex TM-M4具有超强可扩展性的低功耗、混合信号微控制器。
第一阶段产品由五个微控制器系列组成，包含超过两百种器件，在引脚、外设和软件上可兼容。
每个系列提供了不同的性能，存储器和外设特性。
通过通用外设、存储器映射和封装的一致性来实现系列内和各系列间的便捷移植。
Kinetis 微控制器基于飞思卡尔创新的90 纳米薄膜存储器（TFS）闪存技术，具有独特的Flex存储器（可配置的内嵌EEPROM）。
Kinetis 微控制器系列融合了最新的低功耗革新技术，具有高性能、高精度的混合信号能力，宽广的互连性，人机接口和安全外设。
飞思卡尔公司以及其他大量的ARM第三方应用商提供对Kinetis 微控制器的应用支持。
1Kinetis 产品组合 . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2K10系列介绍. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 3K10模块结构图. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 4特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64.1K10系列MCU的共性. . . . . . . . . . . . . 64.2Flex存储器 . . . . . . . . . . . . . . . . . 74.3器件号和封装信息 . . . . . . . . . . . . . . 84.4K10系列特性 . . . . . . . . . . . . . . . 104.5模块特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 5功耗模式. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37 6开发环境. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 386.1飞思卡尔的塔式系统 . . . . . . . . . . . . 386.2CodeWarrior开发组件 . . . . . . . . . . . 396.3飞思卡尔的MQX TM软件解决方案 . . . . . . 406.4额外提供的软件栈 . . . . . . . . . . . . . 42 7修订记录. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42K10系列产品概述适用于所有K10微控制器Kinetis 产品组合图 1. Kenetis微控制器产品组合所有的 Kinetis系列包含丰富的模拟、通信和定时控制外设，提供多种闪存容量和输入输出引脚数量。
飞思卡尔半导体 K10 系列 产品概述
飞思卡尔半导体产品概述文档号: K10PBZHS 第2版, 2010年11月目录1Kinetis 产品组合Kinetis 是基于ARM® Cortex TM-M4具有超强可扩展性的低功耗、混合信号微控制器。
第一阶段产品由五个微控制器系列组成，包含超过两百种器件，在引脚、外设和软件上可兼容。
每个系列提供了不同的性能，存储器和外设特性。
通过通用外设、存储器映射和封装的一致性来实现系列内和各系列间的便捷移植。
Kinetis 微控制器基于飞思卡尔创新的90 纳米薄膜存储器（TFS）闪存技术，具有独特的Flex存储器（可配置的内嵌EEPROM）。
Kinetis 微控制器系列融合了最新的低功耗革新技术，具有高性能、高精度的混合信号能力，宽广的互连性，人机接口和安全外设。
飞思卡尔公司以及其他大量的ARM第三方应用商提供对Kinetis 微控制器的应用支持。
1Kinetis 产品组合 . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2K10系列介绍. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 3K10模块结构图. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 4特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64.1K10系列MCU的共性. . . . . . . . . . . . . 64.2Flex存储器 . . . . . . . . . . . . . . . . . 74.3器件号和封装信息 . . . . . . . . . . . . . . 84.4K10系列特性 . . . . . . . . . . . . . . . 104.5模块特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 5功耗模式. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37 6开发环境. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 386.1飞思卡尔的塔式系统 . . . . . . . . . . . . 386.2CodeWarrior开发组件 . . . . . . . . . . . 396.3飞思卡尔的MQX TM软件解决方案 . . . . . . 406.4额外提供的软件栈 . . . . . . . . . . . . . 42 7修订记录. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42K10系列产品概述适用于所有K10微控制器Kinetis 产品组合图 1. Kenetis微控制器产品组合所有的 Kinetis系列包含丰富的模拟、通信和定时控制外设，提供多种闪存容量和输入输出引脚数量。
飞思卡尔S08QE系列低功耗微控制器分析
565飞思卡尔半导体技术园地电子产品世界32kH z 振荡器，还包括电池节电功能，如两种超低功耗停止模式、新的低功耗运行和等待模式、将C PU 从停止3模式下唤醒仅需6μs 、用户可通过写禁用时钟寄存器随意设定禁用外围模块的时钟。
此外，QE8还提供了多达8K B 的闪存和一个10通道、12位的模数转换器(A DC )。
S08Q E8还有低至1.8V 的电源电压、20M Hz 的C PU 内核、两个定时器、U AR T 、SPI 、I 2C 和两个模拟比较器—非常适合于高性价比的便携式医疗保健类应用。
S08Q E8特性及优势节能特性：两种超低功耗(U LP)停止模式，其中一种允许有限使用外围设备；新的低功耗运行和等待模式；停止3模式下的典型唤醒时间为6μs 。
这样的优点是：允许应用程序在低功耗状态下继续采样，从而延长电池使用寿命；允许在低功耗状态下使用所有的片上外围设备；可以从停止模式快速启动。
可关闭闲置不用的外围设备时钟的门控时钟，提供单独关闭各模块的极大灵活性，最大限度降低功耗。
8位H CS08CPU ： 1.8~3.6V 时高达20M H z 的HC S08C PU ，温度范围从-40℃~+85℃。
这就使得在电池供电的应用中，即使在低电压下仍然有高性能；1.8V ~3.6V 范围内提供10M Hz 的总线速度。
H CS08指令集，增加了BGND 指令，向下兼容68HC08和68H C 05的目标代码，从而可以重复利用现有的软件资源；也可以用汇编或编译器进行图1S08QE8/4的结构框图飞思卡尔S08Q E 系列低功耗微控制器分析■林长星清华大学随着消费电子行业向超移动便携式设计演进，提高性能和降低功耗已成为基本的设计要求。
为了响应这些需求，2008年3月份拉开帷幕的飞思卡尔技术论坛设计应用大奖赛（FTF D es i gn C hal l enge ）在日本、欧洲、中国和印度相继举行，该赛事致力于鼓励各界设计高手设计一款有益于环境的产品，使世界变得更干净、更环保。
飞思卡尔半导体 ColdFire+ 产品组合简介
飞思卡尔半导体产品简介文件编号：MCF51JxQxPBZHS第0.2版, 7/2010目录©2010年飞思卡尔半导体（中国）公司版权所有。
保留所有权利。
初稿1ColdFire+产品组合简介飞思卡尔的ColdFire+ 32位微控制器基于 ColdFire 版本1 (V1)内核，并采用创新的90纳米薄膜存储器(TFS)闪存处理技术和FlexMemory 特性。
ColdFire+产品由6个系列组成，提供小型化超低功耗功能，且内置闪存可从32 KB 扩展到128 KB 。
系列产品提供丰富的外设，包括USB 、高性能混合信号处理、硬件加密、创新的触摸感应界面（TSI ）等等。
这些关键特性使ColdFire+微控制器非常适合用于便携式手持设备、无线节点、需要设备认证的外设、大楼门禁控制盘，以及高级远程控制设备。
1ColdFire+产品组合简介 . . . . . . . . . . . . . . 12目标应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23结构图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45开发环境 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30ColdFire+产品组合简介提供入门级、32位、超低功率、低成本、小尺寸、与软件和引脚完全兼容的解决方案ColdFire+产品组合简介，第0.2版, 7/2010初稿目标应用飞思卡尔半导体2这6个系列的引脚和软件兼容性特性包括：•创新的FlexMemory ，可支持最高2KB 的增强EEPROM 或额外的32KB 闪存•10种灵活的低功耗模式，可以延长电池寿命：运行模式下可达到150µA/MHz ，最低功耗模式下可达到500 nA•16位ADC 和12位DAC ，提供灵活强大的混合信号处理能力•密码加速单元（CAU ）和随机数字生成器（RNGB ），实现安全通信•集成的电容触摸感应和显示支持低功耗触摸感应界面(TSI)•集成的USB 2.0全速器件/主机/OTG 控制器，支持USB 连接和电池充电•同步音频接口 (SAI)，可与解码器和I2S(Inter-IC Sound)音频设备直接接口• 1.71 V 到3.6 V 的宽工作电压范围内闪存可编程，模拟功能正常工作•多种定时器支持一般用途、PWM 和电机控制功能•GPIO 提供引脚中断功能•小型封装，适合空间有限的应用•提供了丰富的免费软件，包括飞思卡尔的MQX RTOS 、完整的USB 类驱动程序、密码库、电机控制库等ColdFire+器件系列包括MCF51QU 、MCF51QH 、MCF51QF 、MCF51QM 、MCF51JU 和MCF51JF 。
飞思卡尔创新技术实现低功率MCU设计
飞思卡尔创新技术实现低功率MCU设计MCU（Micro Control Unit）中文名称为微控制单元，又称单片微型计算机（Single Chip Microcomputer）或者单片机，是指随着大规模集成电路的出现及其发展，将计算机的CPU、RAM、ROM、定时计数器和多种I/O接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制。
MCU按其存储器类型可分为无片内ROM型和带片内ROM 型两种。
对于无片内ROM型的芯片，必须外接EPROM才能应用（典型芯片为8031）。
带片内ROM型的芯片又分为片内EPROM型（典型芯片为87C51）、MASK片内掩模ROM型（典型芯片为8051）、片内FLASH型（典型芯片为89C51）等类型，一些公司还推出带有片内性可编程ROM（One Time Programming, OTP）的芯片（典型芯片为97C51）。
MASKROM的MCU价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；FALSHROM的MCU程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；OTPROM的MCU价格介于前两者之间，同时又拥有性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。
嵌入式市场迫切要求以更低的功耗实现更高的性能，这一需求现已扩展到大量便携式和墙上电源供电的应用中。
为满足该需求，飞思卡尔始终致力于将低功耗设计扩展到更广的领域。
多种硬件和软件兼容的MCU产品系列将提供卓越的性能和内存容量，其扩展性强，从采用超小QFN封装的50MHz、32KB闪存器件到带1MB闪存和工业用丰富外设集的150MHz器件均包括在内。
低功耗在Kinetis MCU设计中发挥着作用。
这从采用了飞思卡尔90纳米SG-TFS（分裂栅-薄膜存储器）工艺技术，以及大量具有省电功能的通用、专用外设上都可以反映出来。
飞思卡尔推出MPC18730集成电路
飞思卡尔推出MPC18730集成电路飞思卡尔半导体（NYSE：FSL,FSL.B）日前推出面向便携音频和视频应用的MPC18730，从而扩展了电源管理集成电路（PMIC）产品线。
MPC18730 的最低运行电压达到0.9V，功耗极低，延长了电池寿命。
这些优点使该产品非常适合于电池供电的系统，例如便携式媒体播放器。
In-Stat 公司的分析师StephanieGuza 评价说：“在当今的便携式消费电子设备市场，电池寿命已经成为竞争的焦点。
低电压设计可以延长电池寿命，这一点对于争夺这块市场的半导体制造商而言至关重要。
”MPC18730 采用2 个DC/DC 转换器，生成主电源电压和3 个串联稳压器，从而最大程度地降低功耗。
所有5 个电源均采用数模转换器，通过一个串行口进行数字化控制。
该串行口还能控制多个节电模式，如休眠、唤醒和打开/关闭，使MPC18730 成为长寿命便携式电子设备的理想选择。
MPC18730 既可采用锂离子电池（2.7V 至4.2V 的输入电压）作为电源，也可使用镍镉电池或碱性电池（0.9V 至2.2V 的输入电压）。
飞思卡尔传感器和模拟产品部门的总经理DemetreKondylis 表示：“由于最低运行电压仅为0.9V，现在我们只需一块电池即可运行便携式设备，从而缩小了设备尺寸，延长了使用寿命。
对于设计人员和消费者而言，产品尺寸缩小、便携性增加、电池寿命延长都能让他们受益。
”MPC18730 采用SMARTMOSTM 技术，在单个芯片和9x9 毫米的小巧64QFN 封装上集成了所有功能，从而成为功能齐全的电源管理产品，可以节省空间，是适合便携式应用的完美产品。
产品特性- 0.9V 至2.2V 或(2.7V 至4.2V 运行电压) -2 个DC/DC 转换器-3 个低压降线性稳压器-待命电源电流：5 微安-串行口设置电源电压-多个唤醒、启动、关闭和休眠模式-9 毫米x9 毫米x1.0 毫米的小巧64 针脚QFN 封装-可变的稳压器输出电压，带有内部DAC -可选择使用镍镉/碱性电池或锂离子电池-通过0.9V。
飞思卡尔 MC33886 (英文)
MOTOROLASEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA© Motorola, Inc. 2003Document order number: MC33886/DRev 4.0, 10/20035.0 A H-BridgeThe 33886 is a monolithic H-Bridge ideal for fractional horsepower DC-motor and bi-directional thrust solenoid control. The IC incorporates internal control logic, charge pump, gate drive, and low R DS(ON) MOSFET output circuitry. The 33886 is able to control continuous inductive DC load currents up to 5.0A. Output loads can be pulse width modulated (PWM-ed) at frequencies up to 10kHz.A Fault Status output reports undervoltage, short circuit, andovertemperature conditions. Two independent inputs control the two half-bridge totem-pole outputs. Two disable inputs force the H-Bridge outputs to tri-state (exhibit high impedance).The 33886 is parametrically specified over a temperature range of-40°C ≤T A ≤ 125°C, 5.0V ≤ V+ ≤ 28V. The IC can also be operated up to 40V with derating of the specifications. The IC is available in a surface mount power package with exposed pad for heatsinking.Features•Similar to the MC33186DH1 with Enhanced Features • 5.0V to 40V Continuous Operation •120 m Ω R DS(ON) H-Bridge MOSFETs •TTL /CMOS Compatible Inputs •PWM Frequencies up to 10 kHz•Active Current Limiting via Internal Constant OFF-Time PWM (with Temperature-Dependent Threshold Reduction)•Output Short Circuit Protection •Undervoltage Shutdown •Fault Status Reporting5.0 A H-BRIDGEORDERING INFORMATIONDevice Temperature Range (T A )Package MC33886DH/R2-40°C to 125°C20HSOP33886Figure1.33886 Simplified Internal Block Diagram33886MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA 2MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA338863TERMINAL FUNCTION DESCRIPTIONTerminalTerminal Name Formal Name Definition1AGND Analog Ground Low-current analog signal ground.2FS Fault Status for H-Bridge Open drain active LOW Fault Status output requiring a pull-up resistor to 5.0V.3IN1Logic Input Control 1True logic input control of OUT1 (i.e., IN1 logic HIGH = OUT1 HIGH).4, 5, 16V+Positive Power Supply Positive supply connections.6, 7OUT1H-Bridge Output 1Output 1 of H-Bridge.8, 20DNC Do Not Connect Either do not connect (leave floating) or connect these terminals to ground in the application. They are test mode terminals used in manufacturing only.9–12PGND Power Ground Device high-current power ground.13D2Disable 2Active LOW input used to simultaneously tri-state disable both H-Bridge outputs. When D2 is Logic LOW, both outputs are tri-stated.14, 15OUT2H-Bridge Output 2Output 2 of H-Bridge.17C CP Charge Pump CapacitorExternal reservoir capacitor connection for internal charge pump capacitor.18D1Disable 1Active HIGH input used to simultaneously tri-state disable both H-Bridge outputs. When D1 is Logic HIGH, both outputs are tri-stated.19IN2Logic Input Control 2True logic input control of OUT2 (i.e., IN2 logic HIGH = OUT2 HIGH).33886MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA4MAXIMUM RATINGSAll voltages are with respect to ground unless otherwise noted.RatingSymbol Value Unit Supply Voltage V+40V Input Voltage (Note 1)V IN -0.1 to 7.0V FS Status Output (Note 2)V FS 7.0VContinuous Current (Note 3)I OUT5.0 AESD VoltageHuman Body Model (Note 4)Machine Model (Note 5)V ESD1V ESD2±2000 (Note 6)±200VStorage TemperatureT STG -65 to 150°C Ambient Operating Temperature (Note 7)T A -40 to 125°C Operating Junction Temperature T J -40 to 150°C Terminal Soldering Temperature (Note 8)T SOLDER220°C Approximate Junction-to-Board Thermal Resistance (and Package Dissipation) (Note 9)HSOP (6.0W)R θJB~5.0°C/WNotes 1.Exceeding the input voltage on IN1, IN2, D1, or D2 may cause a malfunction or permanent damage to the device.2.Exceeding the pull-up resistor voltage on the open drain FS terminal may cause permanent damage to the device.3.Continuous current capability so long as junction temperature is ≤ 150°C.4.ESD1 testing is performed in accordance with the Human Body Model (C ZAP = 100 pF, R ZAP = 1500 Ω).5.ESD2 testing is performed in accordance with the Machine Model (C ZAP = 200 pF, R ZAP = 0 Ω).6.All terminals are capable of Human Body Model ESD voltages of ±2000V with two exceptions: (1) D2 to PGND is capable of ±1500V and (2)OUT1 to AGND is capable of ±1000V.7.The limiting factor is junction temperature, taking into account the power dissipation, thermal resistance, and heat sinking.8.Terminal soldering temperature limit is for 10 seconds maximum duration. Not designed for immersion soldering. Exceeding these limits may cause malfunction or permanent damage to the device.9.Exposed heat sink pad plus the power and ground terminals comprise the main heat conduction paths. The actual R θJB (junction-to-PC board) values will vary depending on solder thickness and composition and copper trace.AMOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA338865STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICSCharacteristics noted under conditions 5.0V ≤ V+ ≤ 28V and -40°C ≤ T A ≤ 125°C unless otherwise noted. Typical values noted reflect the approximate parameter mean at T A = 25°C under nominal conditions unless otherwise noted.CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitPOWER SUPPLYOperating Voltage Range (Note 10)V+ 5.0–40V Standby Supply Current V EN = 5.0V, I OUT = 0A I Q(standby)––20mAThreshold Supply Voltage Switch-OFF Switch-ON HysteresisV+(thres-OFF)V+(thres-ON)V+(hys)4.154.51504.44.75–4.655.0–V V mVCHARGE PUMPCharge Pump Voltage V+ = 5.0V8.0V ≤ V+ ≤ 40VV CP -V+3.35––––20VCONTROL INPUTSInput Voltage (IN1, IN2, D1, D2) Threshold HIGH Threshold LOW HysteresisV IH V IL V HYS 3.5–0.7––1.0–1.4–VInput Current (IN1, IN2, D1) (Note 11)V IN = 0VI IN-200-80–µA D2 Input Current (Note 12)V D2 = 5.0VI D2–25100µANotes10.Specifications are characterized over the range of 5.0V ≤ V+ ≤ 28V. Operation >28V will cause some parameters to exceed listed min/maxvalues. Refer to typical operating curves to extrapolate values for operation >28V but ≤ 40V.11.Inputs IN1, IN2, and D1 have independent internal pull-up current sources.12.The D2 input incorporates an active internal pull-down current sink.33886MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA6STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)Characteristics noted under conditions 5.0V ≤ V+ ≤ 28V and -40°C ≤ T A ≤ 125°C unless otherwise noted. Typical values noted reflect the approximate parameter mean at T A = 25°C under nominal conditions unless otherwise noted.CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitPOWER OUTPUTS (OUT1, OUT2)Output-ON Resistance (Note 13)5.0V ≤ V+ ≤ 28V, T J = 25°C 8.0V ≤ V+ ≤ 28V, T J = 150°C 5.0V ≤ V+ ≤ 8.0V, T J = 150°CR DS(ON)–––120–––225300m ΩActive Current Limiting Threshold (via Internal Constant OFF-Time PWM) (Note 14)I LIM 5.2 6.57.8AHigh-Side Short Circuit Detection Threshold I SCH 11––A Low-Side Short Circuit Detection Threshold I SCL 8.0––A Leakage Current (Note 15)V OUT = V+V OUT = GNDI OUT(leak)––1003020060µA Output FET Body Diode Forward Voltage Drop (Note 16)I OUT = 3.0 A V F––2.0VSwitch-OFFThermal Shutdown HysteresisT LIM T HYS175––15––°CFAULT STATUS (Note 17)Fault Status Leakage Current (Note 18)V FS = 5.0VI FS (leak)––10µAFault Status SET Voltage (Note 19)I FS = 300µAV FS (LOW)––1.0V Notes13.Output-ON resistance as measured from output to V+ and ground.14.Product with date codes of December 2002, week 51, will exhibit the values indicated in this table. Product with earlier date codes may exhibita minimum of 6.0A and a maximum of 8.5A.15.Outputs switched OFF with D1 or D2.16.Parameter is guaranteed by design but not production tested.17.Fault Status output is an open drain output requiring a pull-up resistor to 5.0V.18.Fault Status Leakage Current is measured with Fault Status HIGH and not SET.19.Fault Status Set Voltage is measured with Fault Status LOW and SET with I FS = 300µA.MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA338867DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICSCharacteristics noted under conditions 5.0V ≤ V+ ≤ 28V and -40°C ≤ T A ≤ 125°C unless otherwise noted. Typical values noted reflect the approximate parameter mean at T A = 25°C under nominal conditions unless otherwise noted.CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitTIMING CHARACTERISTICSPWM Frequency (Note 20)f PWM ––10kHz Maximum Switching Frequency During Active Current Limiting (Note 21)f MAX––20kHz Output ON Delay (Note 22)V+ = 14Vt d (ON)––18µsOutput OFF Delay (Note 22)V+ = 14Vt d(OFF)––18µsOutput Rise and Fall Time (Note 23)V+ = 14V, I OUT = 3.0 A t f , t r2.05.08.0µsOutput Latch-OFF Time t a 1520.526µs Output Blanking Timet b1216.521µs Output FET Body Diode Reverse Recovery Time (Note 24)t rr100––ns Disable Delay Time (Note 25)t d(disable)––8.0µs Short Circuit/Overtemperature Turn-OFF Time (Note 26)t FAULT – 4.0–µs Power-OFF Delay Timet pod–1.05.0msNotes20.The outputs can be PWM controlled from an external source. This is typically done by holding one input high while applying a PWM pulsetrain to the other input. The maximum PWM frequency obtainable is a compromise between switching losses and switching frequency. Refer to Typical Switching Waveforms, Figures 11 through 18, pp.12–13.21.The Maximum Switching Frequency during active current limiting is internally implemented. The internal control produces a constant OFF-time PWM of the output. The output load current effects the Maximum Switching Frequency.22.Output Delay is the time duration from the midpoint of the IN1 or IN2 input signal to the 10% or 90% point (dependent on the transitiondirection) of the OUT1 or OUT2 signal. If the output is transitioning HIGH-to-LOW, the delay is from the midpoint of the input signal to the 90% point of the output response signal. If the output is transitioning LOW-to-HIGH, the delay is from the midpoint of the input signal to the 10% point of the output response signal. See Figure 2, page 8.23.Rise Time is from the 10% to the 90% level and Fall Time is from the 90% to the 10% level of the output signal. See Figure 4, page 8.24.Parameter is guaranteed by design but not production tested.25.Disable Delay Time is the time duration from the midpoint of the D (disable) input signal to 10% of the output tri-state response. See Figure 3,page 8.26.Increasing currents will become limited at I LIM . Hard shorts will breach the I SCH or I SCL limit, forcing the output into an immediate tri-statelatch-OFF. See Figures 6 and 7, page 9. Active current limiting will cause junction temperatures to rise. A junction temperature above 160°C will cause the active current limiting to progressively "fold back" (or decrease) to 2.5 A typical at 175°C where thermal latch-OFF will occur. See Figure 5, page 8.Timing Diagrams5.0 V0 V∞Ω0ΩFigure3.Disable Delay TimeFigure6.Active Current Limiting Versus TimeFigure7.Active Current Limiting DetailMOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA33886933886MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA10Electrical Performance CurvesFigure 8.Typical High-Side R DS(ON) Versus V+Figure 9.Typical Low-Side R DS(ON) Versus V+591171315193733353927412917212325310.00.050.100.150.200.250.300.350.40VoltsO h m s591171315193733353927412917212325310.130.1280.1260.1240.1220.12O H MS V PWRO h m s VoltsMOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA3388611Figure 10.Typical Quiescent Supply Current Versus V+591171315193733353927412917212325315.04.03.02.01.00.0O H M S V PWR6.07.08.09.0m i l l i a m p e r e sVolts33886MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA12Typical Switching WaveformsImportant For all plots, the following applies:•Ch2=2.0 A per division •L LOAD =533µH @ 1.0 kHz •L LOAD =530µH @ 10.0 kHz •R LOAD =4.0ΩFigure 11.Output Voltage and Current vs. Input Voltage atV+ = 24V, PMW Frequency of 1.0 kHz,and Duty Cycle of 10%Figure 12.Output Voltage and Current vs. Input Voltage atV+ = 24V, PMW Frequency of 1.0 kHz,and Duty Cycle of 50%Figure 13.Output Voltage and Current vs. Input Voltage atV+ = 34V, PMW Frequency of 1.0 kHz, and Duty Cycle of 90%, Showing Device inCurrent Limiting ModeFigure 14.Output Voltage and Current vs. Input Voltage atV+ = 22V, PMW Frequency of 1.0 kHz,and Duty Cycle of 90%V+=24Vf PWM =1.0 kHzDuty Cycle=10%I OUTOutput Voltage (OUT1)Input Voltage(IN1)V+=24Vf PWM =1.0 kHzDuty Cycle=50%I OUTOutput Voltage (OUT1)Input Voltage(IN1)V+=34Vf PWM =1.0 kHzDuty Cycle=90%Output Voltage (OUT1)I OUTInput Voltage(IN1)V+=22Vf PWM =1.0 kHzDuty Cycle=90%I OUTOutput Voltage (OUT1)Input Voltage(IN1)MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA33886 13Figure 15.Output Voltage and Current vs. Input Voltage atV+ = 24V, PMW Frequency of 10 kHz,and Duty Cycle of 50% Figure 16.Output Voltage and Current vs. Input Voltage atV+ = 24V, PMW Frequency of 10 kHz,and Duty Cycle of 90% Figure 17.Output Voltage and Current vs. Input Voltage atV+ = 12V, PMW Frequency of 20 kHz,and Duty Cycle of 50% for a Purely Resistive LoadFigure 18.Output Voltage and Current vs. Input Voltage atV+ = 12V, PMW Frequency of 20 kHz,and Duty Cycle of 90% for a Purely Resistive LoadV+=24Vf PWM =10 kHzDuty Cycle=50%Output Voltage (OUT1)I OUTInput Voltage (IN1)V+=24Vf PWM =10 kHzDuty Cycle=90%Output Voltage (OUT1)I OUTInput Voltage (IN1)V+=12Vf PWM =20 kHzDuty Cycle=50%Output Voltage (OUT1)I OUTInput Voltage (IN1)V+=12Vf PWM =20 kHzDuty Cycle=90%Output Voltage (OUT1)I OUTInput Voltage (IN1)33886MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA14Table 1. Truth TableThe tri-state conditions and the fault status are reset using D1 or D2=HIGH, X =HIGH or LOW, and Z = High impedance (all output power transistors are switched off).Device StateInput ConditionsFault StatusFlagOutput StatesD1D2IN1IN2FS OUT1OUT2Forward L H H L H H L ReverseL H L H H L H Output FET Body Diode Low L H L L H L L Output FET Body Diode High L H H H H H H Disable 1 (D1)H X X X L Z Z Disable 2 (D2)X L X X L Z Z IN1 Disconnected L H Z X H H X IN2 Disconnected L H X Z H X H D1 Disconnected Z X X X L Z Z D2 Disconnected X Z X X L Z Z Undervoltage (Note 27)X X X X L Z Z Overtemperature (Note 28)X X X X L Z Z Short Circuit (Note 28)XXXXLZZNotes27.In the case of an undervoltage condition, the outputs tri-state and the fault status is SET logic LOW. Upon undervoltage recovery, fault statusis reset automatically or automatically cleared and the outputs are restored to their original operating condition.28.When a short circuit or overtemperature condition is detected, the power outputs are tri-state latched-OFF independent of the input signalsand the fault status flag is SET logic LOW.MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA33886 15SYSTEM/APPLICATION INFORMATIONINTRODUCTIONNumerous protection and operational features (speed, torque, direction, dynamic braking, and PWM control), inaddition to the 5.0A current capability, make the 33886 a very attractive, cost-effective solution for controlling a broad range of fractional horsepower DC motors. A pair of 33886 devices can be used to control bipolar stepper motors in both directions. In addition, the 33886 can be used to control permanent magnet solenoids in a push-pull variable force fashion using PWM control. The 33886 can also be used to excite transformer primary windings with a switched square wave to produce secondary winding AC currents.As shown in Figure 1, Simplified Internal Block Diagram, page 2, the 33886 is a fully protected monolithic H-Bridge with Fault Status reporting. For a DC motor to run the inputconditions need be as follows: D1 input logic LOW, D2 input logic HIGH, FS flag cleared (logic HIGH), with one IN logic LOW and the other IN logic HIGH to define output polarity. The 33886 can execute dynamic braking by simultaneously turning on either both high-side MOSFETs or both low-side MOSFETs in the output H-Bridge; e.g., IN1 and IN2 logic HIGH or IN1 and IN2 logic LOW.The 33886 outputs are capable of providing a continuous DC load current of 5.0A from a 40V V+ source. An internal charge pump supports PWM frequencies up to 10 kHz. An external pull-up resistor is required for the open drain FS terminal for fault status reporting.Two independent inputs (IN1 and IN2) provide control of the two totem-pole half-bridge outputs. Two disable inputs (D1 and D2) are for forcing the H-Bridge outputs to a high impedance state (all H-Bridge switches OFF).The 33886 has undervoltage shutdown with automaticrecovery, active current limiting, output short-circuit latch-OFF, and overtemperature latch-OFF. An undervoltage shutdown, output short circuit latch-OFF, or overtemperature latch-OFF fault condition will cause the outputs to turn OFF (i.e., become high impedance or tri-stated) and the fault output flag to be set LOW. Either of the Disable inputs or V+ must be “toggled” to clear the fault flag.The short circuit/overtemperature shutdown scheme is unique and best described as using a junction temperature-dependent active current “fold back” protection scheme. When a short circuit condition is experienced, the current limited output is “ramped down” as the junction temperature increases above 160°C, until at 175°C the current has decreased to about 2.5A. Above 175°C, overtemperature shutdown (latch-OFF) occurs. This feature allows the device to remain in operation for a longer time with unexpected loads, while still retaining adequate protection for both the device and the load.FUNCTIONAL TERMINAL DESCRIPTIONPGND and AGNDPower and analog ground terminals. The power and analog ground terminals should be connected together with a very low impedance connection.V+V+ terminals are the power supply inputs to the device. All V+ terminals must be connected together on the printed circuit board with as short as possible traces offering as low impedance as possible between terminals.V+ terminals have an undervoltage threshold. If the supply voltage drops below a V+ undervoltage threshold, the output power stage switches to a tri-state condition and the fault status flag is SET and the Fault Status terminal voltage switched to a logic LOW. When the supply voltage returns to a level that is above the threshold, the power stage automatically resumes normal operation according to the established condition of the input terminals and the fault status flag is automatically reset logic HIGH.Fault Status (FS)This terminal is the device fault status output. This output is an active LOW open drain structure requiring a pull-up resistor to 5.0 V. Refer to Table 1, Truth Table , page 14.IN1, IN2, D1, and D2These terminals are input control terminals used to control the outputs. These terminals are 5.0V CMOS-compatible inputs with hysteresis. The IN1 and IN2 independently control OUT1 and OUT2, respectively. D1 and D2 are complimentary inputs used to tri-state disable the H-Bridge outputs.When either D1 or D2 is SET (D1 = logic HIGH or D2 = logic LOW) in the disable state, outputs OUT1 and OUT2 are both tri-state disabled; however, the rest of the device circuitry is fully operational and the supply I Q(standby) current is reduced to a few milliamperes. Refer to Table 1, Truth Table , and STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS table, page 5.33886MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA16OUT1 and OUT2These terminals are the outputs of the H-Bridge with integrated output FET body diodes. The bridge output iscontrolled using the IN1, IN2, D1, and D2 inputs. The outputs have active current limiting above 6.5 A. The outputs also have thermal shutdown (tri-state latch-OFF) with hysteresis as well as short circuit latch-OFF protection.A disable timer (time t b ) incorporated to detect currents that are higher than active current limit is activated at each output activation to facilitate detecting hard output short conditions (see Figure 7, page 9).C CPCharge pump output terminal. A filter capacitor (up to 33nF) can be connected from the C CP terminal and PGND. The device can operate without the external capacitor, although the C CP capacitor helps to reduce noise and allows the device to perform at maximum speed, timing, and PWM frequency.PERFORMANCE FEATURESShort Circuit ProtectionIf an output short circuit condition is detected, the power outputs tri-state (latch-OFF) independent of the input (IN1 and IN2) states, and the fault status output flag is SET logic LOW. If the D1 input changes from logic HIGH to logic LOW, or if the D2 input changes from logic LOW to logic HIGH, the output bridge will become operational again and the fault status flag will be reset (cleared) to a logic HIGH state.The output stage will always switch into the mode defined by the input terminals (IN1, IN2, D1, and D2), provided the device junction temperature is within the specified operating temperature.Active Current LimitingThe maximum current flow under normal operatingconditions is internally limited to I LIM (5.2A to 7.8A). When the maximum current value is reached, the output stages are tri-stated for a fixed time (t a ) of 20µs typical. Depending on the time constant associated with the load characteristics, the current decreases during the tri-state duration until the next output ON cycle occurs (see Figures 7 and 13, page 9 and page 12, respectively).The current limiting threshold value is dependent upon the device junction temperature. When -40°C < T J < 160°C, I LIM is between 5.2A and 7.8A. When T J exceeds 160°C, the I LIM current decreases linearly down to 2.5A typical at 175°C. Above 175°C the device overtemperature circuit detects T LIM and overtemperature shutdown occurs (see Figure 5, page 8). This feature allows the device to remain operational for a longer time but at a regressing output performance level at junction temperatures above 160°C.Overtemperature Shutdown and HysteresisIf an overtemperature condition occurs, the power outputs are tri-state (latched-OFF) independent of the input signals and the fault status flag is SET logic LOW.To reset from this condition, D1 must change from logic HIGH to logic LOW, or D2 must change from logic LOW to logic HIGH. When reset, the output stage switches ON again, provided that the junction temperature is now below the overtemperature threshold limit minus the hysteresis. Note Resetting from the fault condition will clear the fault status flag.Main Differences Compared to MC33186DH1•COD terminal has been removed. Terminal 8 is now a Do Not Connect (DNC) terminal.•Terminal 20 is no longer connected in the 20HSOP package. It is now a DNC terminal.•R DS(ON) max at T J = 150°C is now 225m Ω per each output transistor.•Maximum temperature operation is now 160°C, asminimum thermal shutdown temperature has increased.•Current regulation limiting foldback is implemented above 160°C T J .•Thermal resistance junction to case has been increased from ~2.0°C/W to ~5.0°C/W.MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA33886 17PACKAGE INFORMATIONThe 33886 is designed for enhanced thermal performance. The significant feature of this device is the exposed copper pad on which the power die is soldered. This pad is soldered on a PCB to provide heat flow to ambient and also to provide thermal capacitance. The more copper area on the PCB, the better the power dissipation and transient behavior will be.Example Characterization on a double-sided PCB: bottom side area of copper is 7.8 cm 2; top surface is 2.7 cm 2 (see Figure 19); grid array of 24 vias 0.3mm in diameter.Figure 19.PCB Test LayoutFigure 20 shows the thermal response with the deviceTop Side Bottom Side33886MOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA18APPLICATIONSA typical application schematic is shown in Figure 21. For precision high-current applications in harsh, noisyenvironments, the V+ by-pass capacitor may need to be substantially larger.Figure 21.33886 Typical Application SchematicMOTORAGNDOUT1PGNDV+C CPOUT2D2D1FSIN1IN233nF47µFV+33886+IN2IN1FS D1D2DCPACKAGE DIMENSIONSMOTOROLA ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DATA3388619Information in this document is provided solely to enable system and software implementers to use Motorola products. There are no express or implied copyright licenses granted hereunder to design or fabricate any integrated circuits or integrated circuits based on the information in this document.Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in Motorola data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. Motorola does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the Motorola product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part.MOTOROLA and the Stylized M Logo are registered in the US Patent and Trademark Office. All other product or service names are the property of their respective owners.© Motorola, Inc. 2003HOW TO REACH US:USA/EUROPE/LOCATIONS NOT LISTED:JAPAN: Motorola Japan Ltd.; SPS, Technical Information CenterMotorola Literature Distribution3-20-1 Minami-Azabu. Minato-ku, Tokyo 106-8573, JapanP.O. Box 5405, Denver, Colorado 8021781-3-3440-35691-800-521-6274 or 480-768-2130ASIA/PACIFIC: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; Silicon Harbour Centre2 Dai King Street, Tai Po Industrial Estate, Tai Po, N.T., Hong Kong852-********HOME PAGE: /semiconductorsMC33886/D。
飞思卡尔成为支持5W至75W功率放大器的唯一供应商
飞思卡尔成为支持5W至75W功率放大器的唯一供应商
飞思卡尔半导体（NYSE：FSL）日前宣布，为手持移动无线电应用推出一款6W的新器件AFT05MS006N，成为唯一能够支持所有移动无线电功率级别的供应商，功率范围从5W的手持单元到75W的数字移动无线电设备和基站。
虽然针对的是手持移动无线电应用，6 W的AFT05MS006N因其卓越的灵活性和较宽的功率范围，也广泛适用于更高功率的移动无线电解决方案。
6W的AFT05MS006N整合了电路，以增加稳定性，从而简化了设计，并支持多种运行条件。
Airfast RF功率解决方案组合新成员能承受大于65：1的VSWR，即使有同步过压和过驱动加压了放大器和射频功率晶体管。
此外，Airfast器件的平均效率达到65%，与通常为25%至40%的模块解决方案相比有了很大改进。
新的飞思卡尔i．MX平台扩展到高级低功率显示应用
新的飞思卡尔i．MX平台扩展到高级低功率显示应用
佚名
【期刊名称】《《电子与电脑》》
【年(卷),期】2011(000)008
【摘要】飞思卡尔半导体进一步扩展其i．MX应用处理器产品组合，将基于硬件的显示控制器和ARM Cortex-A8内核与iMX50产品系列的3个新成员集成，提供了出色的可支持LCD和／或电子纸显示器（EPD）的终端应用。
通过结合飞思卡尔的新型MC34708 电源管理IC（PMIC）．
【总页数】1页(P86-86)
【正文语种】中文
【中图分类】TN911.72
【相关文献】
1.飞思卡尔推出64位QorIQ平台扩大针对多核处理器的高性能产品组合基于Power Architecture技术的新64位内核主频扩展到
2.5GHz,性能比上一代技术提高2倍 [J], 飞思卡尔半导体公司
2.新的飞思卡尔i.MX平台扩展到高级低功率显示应用 [J], 飞思卡尔半导体公司
3.新的飞思卡尔i．MX平台扩展到高级低功率显示应用 [J],
4.新的飞思卡尔i.MX平台扩展到高级低功率显示应用 [J], 飞思卡尔半导体
5.新的飞思卡尔i.MX平台扩展到高级低功率显示应用 [J],
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中 国 上 海 ，２ ０ １ ４ 年３ 月 ３日讯 一在 上 周 举 行 的 全 球 移