AA03-S020VAE-R300;AA03-S024VAE-R300;AA03-S020VAE;中文规格书,Datasheet资料
X0202-AA3-R中文资料
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTDX0202/ASCRSENSITIVE SCRSDESCRIPTIONThe UTC X0202/A SCR series is suitable for all applications where the available gate current is limited, such as ground fault circuit interruptors, overvoltage crowbar protection in low power supplies, capacitive ignition circuit, …….FEATURES* I T(RMS) : 1.25A* V DRM /V RRM :600/800V*Pb-free plating product number: X0202L/X0202ALORDERING INFORMATIONOrdering Number Pin AssignmentNormal Lead Free Plating Package 1 2 3 PackingX0202-AA3-R X0202L-AA3-R SOT-223 K A G Tape Reel X0202-T92-B X0202L-T92-B TO-92 K G A Tape Box X0202-T92-K X0202L-T92-K TO-92 K G A Bulk X0202-T92-R X0202L-T92-R TO-92 K G A Tape Reel X0202A-AA3-R X0202AL-AA3-R SOT-223 K A G Tape Reel X0202A-T92-B X0202AL-T92-B TO-92 K G A Tape Box X0202A-T92-K X0202AL-T92-K TO-92 K G A Bulk X0202A-T92-R X0202AL-T92-R TO-92 K G A Tape ReelABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (unless otherwise specified)PARAMETERS SYMBOL RATINGS UNITX0202600 VPeak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (T J =110℃, R GK =1k Ω) X0202A V DRM , V RRM800 V RMS On-State Current (Ttab=95℃)180℃ Conduction AngleI T(RMS) 1.25 AAverage On-State Current (Ttab=95℃)180℃ Conduction AngleI T(AV) 0.8 ANon Repetitive Surge Peak on-State Current(tp=8.3ms T J =25℃)I TSM 25 ANon Repetitive Surge Peak on-State Current(tp=10ms T J =25℃)I TSM 22.5 AI 2t Value for Fusing (tp=10ms T J =25℃) I 2t 2.5 A 2S Critical Rate Of Rise Of On-state CurrentI G =2*I GT ,tr ≤100ns, f=60Hz, T J =125℃ dI/dt 50 A/µsPeak Gate Current (p=20µs T J =125℃) I GM 1.2 A Average Gate Power Dissipation (T J =125℃) P G(AV) 0.2 W Operating Junction Temperature Range T J -40 ~ +125 Storage Junction Temperature Range T STG -40 ~ +150 Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.THERMAL DATAPARAMETER SYMBOL RATINGS UNITSOT-223 25℃/W Junction to Tab TO-92 θJT60℃/W SOT-223 60℃/W Junction to Ambient (S=5cm) TO-92 θJA150℃/W S=Copper surface under tabELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J =25 , unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOLTEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITT J =25℃5 µ APeak Forward or Reverse Blocking Current T J =125℃I DRM , I RRMV DRM =V RRM , R GK =1k Ω500µ APeak Forward On-State Voltage V TM I TM = 2.5A, tp=380µs 1.45V Gate Trigger Current I GT V D =12V, R L =140Ω 200µ A Gate Trigger Voltage V GT V D =12V, R L =140Ω 0.8V Gate Non-Trigger Voltage V GD V D =V DRM , R L =3.3k Ω,R GK =1k Ω, (T J =125℃)0.1 VHolding Current I H I T =50mA, R GK =1k Ω 5 mA Latch CurrentI L I G =1mA, R GK =1k Ω 6 mA Critical Rate of Rise of Off-State Voltage dv/dt V D =67%V DRM ,R GK =1k Ω, (T J =110℃)10 V/µsPeak Reversed Gate Voltage V RG I RG =10µ A 8 V Threshold Voltage V TO (T J =125℃) 0.9V Dynamic ResistanceRd(T J =125℃) 200m ΩTYPICAL CHARACTERISTICSMaximumAveragePowerDissipation,P(W)AverageandD.C.On-StateCurrentRelative Variation of Gate TriggerCurrent, Holding Current and LatchingCurrent vs. Junction Temperature-400.25-20200.500.751.000.04060801001201401.251.50)Relative Variation of Holding Currentvs. Gate-Cathode Resistance0.01T℃Gate-cathode Resistance (Typical Values) Junction Temperature (Typical Values)TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)RelativeVariationofdv/dtimmunity,dV/dt(Rgk)/dV/dt(Rgk=1kΩ)Non-Repetitive Surge Peak On-State Currentfor a Sinusoidal Pulse with Width tp<10ms, andCorresponding Value of I2tSurge Peak On-state Current vs.Number of Cycles25℃)inital=25LimitationNumber of CyclesITM(A)ThermalResistanceJunctiontoAmbient,θja(/W)。
继电保护题库(含答案 共1554题)
继电保护题库（含答案共1554题）※单选题※---------------------------------------- 1 ---------------------------------------- 时间同步系统中时间保持单元的时钟准确度应优于（）。
A. 1×10-8B. 7×10-8C. 1×10-7D. 7×10-7参考答案：B---------------------------------------- 2 ---------------------------------------- 通常GPS装置中同步信号IRIG-B（AC）码可以有（）电接口类型。
A. TTLB. RS-485C. 20mA电流环D. AC调制参考答案：D---------------------------------------- 3 ----------------------------------------用于高质量地传输GPS装置中TTL电平信号的同轴电缆，传输距离最大为（）米。
A. 10B. 15C. 30D. 50参考答案：A---------------------------------------- 4 ----------------------------------------空接点脉冲信号,如1PPS,1PPM,1PPH,在选用合适的控制电缆传输信号时,其实际传输距离≤( )。
A. 10B. 50C. 100D. 500参考答案：D---------------------------------------- 5 ----------------------------------------主时钟应能同时接收至少两种外部基准信号，其中一种应为( )时间基准信号。
A. 脉冲B. 电平C. 无线D. 串行口参考答案：C---------------------------------------- 6 ----------------------------------------智能变电站现场常用时钟的同步方式不包括( )。
SIM HT46R00X
数据存储器 ...................................................................................................................13 结构 ...................................................................................................................................... 13 特殊数据存储器 .................................................................................................................. 13
vishay+df005s+df01s+df02s+df04s+df06s+df08s+df10s+
Miniature Glass Passivated Single-PhaseSurface-Mount Bridge RectifiersLINKS TO ADDITIONAL RESOURCESFEATURES•UL recognition, file number E54214•Ideal for automated placement •High surge current capability•Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C•Material categorization: for definitions of compliance please see /doc?99912TYPICAL APPLICATIONSGeneral purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballaster, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications.MECHANICAL DATACase: DFSMolding compound meets UL 94 V-0 flammability ratingBase P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial gradeTerminals: matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test Polarity: as marked on bodyNote(1)Units mounted on PCB with 0.51" x 0.51" (13 mm x 13 mm) copper padsPRIMARY CHARACTERISTICSI F(AV) 1 AV RRM 50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,800 V, 1000 VI FSM 50 A I R5 μA V F at I F = 1.0 A1.1 V T J max.150 °C Package DFS Circuit configurationQuad~~Case Style DFS3D 3D3D Model sMAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C unless otherwise noted)PA AMETE SYMBOL DF005S DF01S DF02S DF04S DF06S DF08S DF10S UNITDevice marking codeDF005SDF01S DF02S DF04S DF06S DF08S DF10S Maximum repetitive peak reverse voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC blocking voltageV DC 501002004006008001000VMaximum average forward output rectified current at T A = 40 °C (1)I F(AV) 1.0 APeak forward surge current single half sine-wave superimposed on rated load I FSM 50 A Rating for fusing (t < 8.3 ms)I 2t 10A 2s Operating junction and storage temperature rangeT J , T STG-55 to +150°CNote(1)Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VNote(1)Units mounted on PCB with 0.51" x 0.51" (13 mm x 13 mm) copper padsELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C unless otherwise noted)PARAMETERTEST CONDITIONS SYMBOL DF005S DF01S DF02S DF04S DF06S DF08S DF10S UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode1.0 A V F 1.1V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode T A = 25 °C I R 5.0μA T A = 125 °C500Typical junction capacitance per diode (1)C J25pFTHERMAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C unless otherwise noted)PA R AMETE RSYMBOL DF005S DF01SDF02SDF04S DF06SDF08SDF10SUNIT Typical thermal resistance (1)R θJA 40°C/WR θJL15ORDERING INFORMATION (Example)PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g)PREFERRED PACKAGE CODEBASE QUANTITYDELIVERY MODEDF06S-E3/450.3994550TubeDF06S-E3/770.39977150013" diameter paper tape and reelRATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (T A = 25 °C unless otherwise noted)Fig. 1 - Derating Curve Output Rectified Current Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward SurgeCurrentPer DiodeFig. 3 - Typical Forward Characteristics Per Diode Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics Per DiodeFig. 5 - Typical Junction Capacitance Per DiodeFig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance2040608010012014016000.51.0Ambient Temperat u re (°C)A v e r a g e F o r w a r d O u t p u t C u r r e n t (A )110100010********60Nu mber of Cycles at 60 Hz P e a k F o r w a r d S u r g e C u r r e n t(A )0.40.60.8 1.0 1.2 1.40.010.1110Instantaneo u s For w ard V oltage (V )I n s t a n t a n e o u sF o r w a r d C u r r e n t (A )020*********0.010.1110100Percent of Rated Peak Re v erse V oltage (%)I n s t a n t a n e o u s R e v e r s e C u r r e n t (µA )110100110100Re v erse V oltage (V )J u n c t io n C a p a c i t a n c e (p F )0.010.11101000.1110100t - Heating Time (s)T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d a n c e (°C /W )PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)Mounting Pad Layout0.003(0.076)0.130(3.3)0.120(3.05)Case Style DFSLegal Disclaimer Notice VishayDisclaimerALL PRODUCT, PRODUCT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROV E RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.V ishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively,“Vishay”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other disclosure relating to any product.Vishay makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or the continuing production of any product. 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Parameters provided in datasheets and / or specifications may vary in different applications and performance may vary over time. All operating parameters, including typical parameters, must be validated for each customer application by the customer's technical experts. Product specifications do not expand or otherwise modify Vishay's terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein.Hyperlinks included in this datasheet may direct users to third-party websites. These links are provided as a convenience and for informational purposes only. Inclusion of these hyperlinks does not constitute an endorsement or an approval by Vishay of any of the products, services or opinions of the corporation, organization or individual associated with the third-party website. 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远动信息的信源编码
常用滤波算法
▪ 限幅滤波：
若|Xk－ Yk-1|≤∆Y，则 Yk = Xk 若|Xk－ Yk-1| >∆Y，则 Yk = Yk-1
▪ 算术平均滤波：
▪ 递推平均滤波：
剔除最大值与最小值
Yk 1 N Xi N i1
Yk 1
N
Xk i
N i0
▪ 中位值滤波法：将N个采样数据按大小顺序排列， 取中间的数据作为滤波输出值。
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交流采样原理
无功功率： Q UI sin
▪ 全网统一时钟的建立：
主站周期性地向各RTU发送时钟命令
▪ 不需要额外增加硬件。 ▪ RTU之间的实时时钟有较大偏差
主站和各RTU分别装配标准时钟信号地接收装置
▪ 天文台无线电校时信号 ▪ GPS提供的标准时钟信号
全网统一时钟的实现
Tm1 设置时钟 Tm2 召唤时钟
Tm3
主站
设置时钟校正值
RTU
缓冲区中 主站读取电能计数 主站查询完电量后，再发送解冻命令，查询过程结束
▪ 事故追忆的启动：
遥信变位 变电站所的事故告警保护信号 静稳分析和动稳定分析的结果
基于BioWin的改良AAO工艺模拟与优化
近年来随着 污 水 处 理 厂 排 放 标 准 的 提 高，大 部 分已建污水处理厂完成了一级 Ａ 提标改造工作。 对于已建好的污 水 处 理 工 艺，由 于 工 艺 参 数 在 运 行 过 程 中 调 整 困 难 ，实 际 进 水 波 动 较 大 ，原 设 计 工 艺 参 数难以满足进水 条 件 改 变 后 的 工 艺 要 求，处 理 效 果 不 稳 定 ，导 致 许 多 污 水 处 理 厂 出 水 达 标 不 稳 定 ，面 临 着运行优化和升级改造的问题。数学模拟技术根据 工艺的生化反应机理和污染物反应过程来模拟预测
（ＩＷＡ）连 续 推 出 了 ＡＳＭ１、ＡＳＭ２、ＡＳＭ２Ｄ、ＡＳＭ３ 等４ 套 ＡＳＭｓ系列模型，被广泛 应 用于 污 水 生 物 处 理领域，成为活性污泥新工艺研发、城市污水 处 理 厂 设计和管理 的 重 要 平 台 。 ［２］ 目 前 国 内 外 基 于 ＡＳＭ 模型 的 计 算 软 件 主 要 有 ＯＤＳＳ、ＧＰＳ－Ｘ、ＷＥＳＴ、 ＡＳＩＭ、ＢｉｏＷｉｎ、ＥＦＯＲ 等 。 ［３］ 其 中 ＢｉｏＷｉｎ 作 为 一 款典型的污水处 理 厂 流 程 模 拟 软 件，在 国 外 污 水 处 理领域应用较为普遍 。 ［４］
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第４６卷 增刊２０２０年
给水排水
ＷＡＴＥＲ ＆ ＷＡＳＴＥＷＡＴＥＲ ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ
Ｖｏｌ．４６ 增刊２０２０
北 美 、欧 洲 、南 非 和 澳 大 利 亚 等 地 得 到 了 广 泛 的 应
低，反 硝 化 反 应 所 需 碳 源 明 显 不 足。 污 水 厂 出 水
反向散射中基于载波索引的混合NOMA_方案
２０２４年无线电工程第５４卷第１期４１ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００３－３１０６．２０２４．０１．００６引用格式：李世宝，陆锐．反向散射中基于载波索引的混合ＮＯＭＡ方案［Ｊ］．无线电工程，２０２４，５４（１）：４１－４６．［ＬＩＳｈｉｂａｏ，ＬＵＲｕｉ．ＨｙｂｒｉｄＮＯＭＡＳｃｈｅｍｅＢａｓｅｄｏｎＳｕｂｃａｒｒｉｅｒＩｎｄｅｘＭｏｄｕｌａｔｉｏｎｉｎＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒ［Ｊ］．ＲａｄｉｏＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０２４，５４（１）：４１－４６．］反向散射中基于载波索引的混合ＮＯＭＡ方案李世宝，陆 锐（中国石油大学（华东）海洋与空间信息学院，山东青岛２６６５８０）摘 要：基于功率域非正交多址的环境反向散射通信系统上行链路常通过距离差完成用户配对。
无源反向散射系统的双重信道衰落，导致远端边缘设备无法满足通信所需功率或解码所需信干噪比（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ＮｏｉｓｅＲａｔｉｏ，ＳＩＮＲ）约束。
为了解决上述问题，提出一种ＯＦＤＭ和具有索引调制（ＩｎｄｅｘＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ，ＩＭ）的ＯＦＤＭ混合的上行ＮＯＭＡ方案，该方案由标签调制方案和反射系数调节方案组成。
ＯＦＤＭ ＩＭ提供了更好的能量效率，可以使功率水平低的设备满足通信条件。
反向散射设备（ＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒＤｅｖｉｃｅｓ，ＢＤ）根据接收到的功率水平，灵活地选择ＯＦＤＭ或者ＯＦＤＭ ＩＭ，并在功率域叠加；通过调节反射系数保证叠加信号的功率差，接收机利用功率电平来执行多用户检测。
实验结果表明，该方能够有效地提高远端用户解码的成功率，并且解码用户数量的增加提高了系统容量。
关键词：反向散射；非正交多址接入；索引调制；多载波中图分类号：ＴＮ９２９．５文献标志码：Ａ开放科学（资源服务）标志码（ＯＳＩＤ）：文章编号：１００３－３１０６（２０２４）０１－００４１－０６ＨｙｂｒｉｄＮＯＭＡＳｃｈｅｍｅＢａｓｅｄｏｎＳｕｂｃａｒｒｉｅｒＩｎｄｅｘＭｏｄｕｌａｔｉｏｎｉｎＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒＬＩＳｈｉｂａｏ，ＬＵＲｕｉ（ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＯｃｅａｎｏｇｒａｐｈｙａｎｄＳｐａｃｅＩｎｆｏｒｍａｔｉｃｓ，ＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｅｔｒｏｌｅｕｍ（ＥａｓｔＣｈｉｎａ），Ｑｉｎｇｄａｏ２６６５８０，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｕｐｌｉｎｋｏｆａｎｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍｂａｓｅｄｏｎＮＯＭＡｉｎｔｈｅｐｏｗｅｒｄｏｍａｉｎｏｆｔｅｎｃｏｍｐｌｅｔｅｓｕｓｅｒｐａｉｒｉｎｇｔｈｒｏｕｇｈｄｉｓｔａｎｃｅ．ＴｈｅｄｕａｌｃｈａｎｎｅｌｆａｄｉｎｇｏｆｔｈｅｐａｓｓｉｖｅｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｓｙｓｔｅｍｍａｋｅｓｔｈｅｒｅｍｏｔｅｅｄｇｅｄｅｖｉｃｅｓｕｎａｂｌｅｔｏｍｅｅｔｔｈｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｐｏｗｅｒｄｅｍａｎｄｓｏｒｔｈｅｍｉｎｉｍｕｍＳｉｇｎａｌ ｔｏ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ＮｏｉｓｅＲａｔｉｏ（ＳＩＮＲ）ｃｏｎｓｔｒａｉｎｔｆｏｒｄｅｃｏｄｉｎｇ．Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｓｏｌｖｅｔｈｅａｂｏｖｅｐｒｏｂｌｅｍｓ，ａｈｙｂｒｉｄｕｐｌｉｎｋＮＯＭＡｓｃｈｅｍｅｏｆＯＦＤＭａｎｄＯＦＤＭｗｉｔｈＩｎｄｅｘＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ（ＩＭ）ｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ，ｗｈｉｃｈｉｓｃｏｍｐｏｓｅｄｏｆａｔａｇｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｓｃｈｅｍｅａｎｄａｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔａｄｊｕｓｔｍｅｎｔｓｃｈｅｍｅ．ＯＦＤＭ ＩＭｐｒｏｖｉｄｅｓｂｅｔｔｅｒｅｎｅｒｇｙｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙａｎｄｅｎａｂｌｅｓｄｅｖｉｃｅｓｗｉｔｈｌｏｗｐｏｗｅｒｌｅｖｅｌｔｏｍｅｅｔｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ．ＴｈｅＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒＤｅｖｉｃｅｓ（ＢＤ）ｆｌｅｘｉｂｌｙｓｅｌｅｃｔｓＯＦＤＭｏｒＯＦＤＭ ＩＭａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｒｅｃｅｉｖｅｄｐｏｗｅｒｌｅｖｅｌ，ａｎｄｓｕｐｅｒｉｍｐｏｓｅｓｔｈｅｍｉｎｔｈｅｐｏｗｅｒｄｏｍａｉｎ．Ｂｙａｄｊｕｓｔｉｎｇｔｈｅｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｔｏｅｎｓｕｒｅｔｈｅｐｏｗｅｒｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｏｆｓｕｐｅｒｉｍｐｏｓｅｄｓｉｇｎａｌｓ，ｔｈｅｒｅｃｅｉｖｅｒｕｓｅｓｔｈｅｐｏｗｅｒｌｅｖｅｌｔｏｐｅｒｆｏｒｍｍｕｌｔｉ ｕｓｅｒｄｅｔｅｃｔｉｏｎ．Ｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｓｃｈｅｍｅｃａｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｓｕｃｃｅｓｓｒａｔｅｏｆｒｅｍｏｔｅｕｓｅｒｄｅｃｏｄｉｎｇ，ａｎｄｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｉｎｔｈｅｎｕｍｂｅｒｏｆｄｅｃｏｄｉｎｇｕｓｅｒｓｉｍｐｒｏｖｅｓｔｈｅｓｙｓｔｅｍｃａｐａｃｉｔｙ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ；ＮＯＭＡ；ＩＭ；ｍｕｌｔｉ ｃａｒｒｉｅｒ收稿日期：２０２３－０３－１６基金项目：国家自然科学基金（６１９７２４１７）ＦｏｕｎｄａｔｉｏｎＩｔｅｍ：ＮａｔｉｏｎａｌＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＦｏｕｎｄａｔｉｏｎｏｆＣｈｉｎａ（６１９７２４１７）０ 引言反向散射设计网络容量低，是因为在单载波调制方案下频谱效率低，标签独占频谱资源［１－３］。
AT-RF3030射频教学实验模块实验参考书
目录概述 (5)实验一压控振荡器（VCO） (8)1、实验设置的意义 (8)2、实验目的 (8)3、实验原理 (8)4、实验设备 (10)5、测量内容 (10)6、实验步骤 (10)实验二混频器 (11)1、实验设置的意义 (11)2、实验目的 (11)3、实验原理 (12)3.1、概述 (12)3.2、双平衡混频器 (12)4、实验设备 (15)5、实验内容 (15)6、实验步骤 (15)实验三环行器 (16)1、实验设置的意义 (16)2、实验目的 (16)3、实验原理 (16)4、实验设备 (16)5、实验内容 (16)6、实验步骤 (17)实验四定向耦合器 (18)1、实验设置的意义 (18)2、实验目的 (18)3、实验原理 (18)4、实验设备 (20)5、实验内容 (20)6、实验步骤 (20)实验五匹配负载 (21)1、实验设置的意义 (21)2、实验目的 (21)4、实验设备 (23)5、实验内容 (23)6、实验步骤 (23)实验六失配负载 (23)实验七衰减器 (24)1、实验设置的意义 (24)2、实验目的 (24)3、实验原理 (24)4、实验设备 (26)5、实验内容 (26)6、实验步骤 (27)实验八功率分配器 (28)1、实验设置的意义 (28)2、实验目的 (28)3、实验原理 (28)4、实验设备 (29)5、实验内容 (29)6、实验步骤 (29)实验九混合环 (30)1、实验设置的意义 (30)2、实验目的 (30)3、实验原理 (30)4、实验设备 (30)5、实验内容 (31)6、实验步骤 (31)实验十 PIN开关 (32)1、实验设置的意义 (32)2、实验目的 (32)3、实验原理 (32)4、实验设备 (32)5、实验内容 (32)6、实验步骤 (32)实验十一 PIN调制器 (34)2、实验目的 (34)3、实验原理 (34)3.1 调幅原理 (35)3.2 调频原理 (37)3.3 调频电路概述 (39)4、实验设备 (39)5、实验内容 (39)6、实验步骤 (39)实验十二滤波器（LPF、HPF、BPF、BSF） (41)1、实验设置的意义 (41)2 实验目的 (41)3、实验原理 (41)4、实验设备 (43)5、实验内容 (43)6实验步骤 (43)实验十三圆形谐振腔 (44)实验十四偏置线（方形、扇形、蝶形） (44)实验十五分支耦合器 (45)1、实验设置的意义 (45)2、实验目的 (45)3、实验原理 (45)4、实验设备 (45)5、实验内容 (45)6、实验步骤 (46)实验十六放大器 (47)1、实验设置的意义 (47)2、实验目的 (47)3、实验原理 (47)4、实验设备 (49)5、实验内容 (49)6、实验步骤 (49)实验十七微带天线 (50)1、实验设置的意义 (50)3、实验原理 (51)4、实验设备 (60)5、实验内容 (61)6、实验步骤 (61)实验十八测量线 (62)1、实验设置的意义 (62)2、实验目的 (62)3、实验原理 (62)3.1无损耗负载传输线的工作状态 (64)3.2史密司圆图（Smith Chart） (66)3.3微带线理论（Microstrip Line） (68)4、实验设备 (70)5、实验内容 (70)6、实验步骤 (70)实验十九同轴检波器 (71)1、实验设置的意义 (71)2、实验目的 (71)3、实验原理 (71)4、实验设备 (73)5、实验内容 (73)6、实验步骤 (74)实验二十射频前端发射/接收机 (75)1、实验设置的意义 (75)2、实验目的 (75)3、实验原理 (75)3.1、射频发射机原理 (75)3.2、射频接收机原理 (76)4、实验设备 (79)5、实验内容 (79)6、实验步骤 (79)附录 1 教学实验报告 (81)概述随着信息时代的到来，科学技术的发展，通信已成为国防现代化、国民经济建设以及人们日常生活中必不可少的一部分，其应用极为广泛。
【CN110084311A】基于三元权值卷积神经网络的高光谱图像波段选择方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910369127.3(22)申请日 2019.05.05(71)申请人 西安电子科技大学地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号(72)发明人 冯婕 李迪 吴贤德 焦李成 张向荣 王蓉芳 尚荣华 刘若辰 刘红英 (74)专利代理机构 陕西电子工业专利中心61205代理人 陈宏社 王品华(51)Int.Cl.G06K 9/62(2006.01)G06K 9/00(2006.01)(54)发明名称基于三元权值卷积神经网络的高光谱图像波段选择方法(57)摘要本发明提出了一种基于三元权值卷积神经网络的高光谱图像波段选择方法，解决了高光谱图像波段选择分类精度差及波段选择效率低的问题。
实现步骤为：获取高光谱图像的训练样本集和测试样本集；构建三元权值卷积神经网络；计算三元权值卷积神经网络的损失；通过对三元权值卷积神经网络进行训练获取高光谱图像的波段选择结果。
本发明在波段选择过程中保留了原始波段信息，构建了波段数目约束损失函数，使用离散梯度传播方法优化波段选择层，将波段选择过程与分类过程共同优化，有效提升了高光谱图像分类精度，提高了波段选择效率。
权利要求书2页 说明书7页 附图3页CN 110084311 A 2019.08.02C N 110084311A1.一种基于三元权值卷积神经网络的高光谱图像波段选择方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)获取高光谱图像的训练样本集和测试样本集：(1a)从高光谱图像库中选取大小为W×H×L的待波段选择高光谱图像I，并以I中的每个像素为中心，划定大小为M×M的空间窗，得到W×H个空间窗，其中，W、H、L分别为I的宽、高、波段数，W＞100，H＞100，L≥100,7＜M＜27；(1b)提取每个空间窗包含的所有像素组成的数据立方体，W×H个数据立方体组合成高光谱图像的样本集，并将其中随机选取的5％的样本作为高光谱图像的训练样本集，其余样本作为测试样本集；(2)构建三元权值卷积神经网络：(2a)构建权值矩阵为W t的基于可分离卷积的波段选择层，W t中每个元素三值化为1，0和-1，且每个元素与待波段选择高光谱图像的一个波段对应；(2b)构建包括由多个卷积层、多个池化层和多个批量归一化层级联堆叠的空谱联合信息提取层；(2c)构建包括级联堆叠的多个全连接层，以及最后一个全连接层连接有Softmax层的分类层；(2d)将波段选择层、空谱联合信息提取层和分类层顺次级联，得到三元权值卷积神经网络；(3)计算三元权值卷积神经网络的损失C：(3a)将训练样本集输入至三元权值卷积神经网络，得到训练样本集的预测标签z；(3b)计算训练样本集预测标签z与真实标签x之间交叉熵的和C0，并将其作为三元权值卷积神经网络的分类损失：C0＝∑[x ln(z)+(1-x)ln(1-z)]其中，ln表示以e为底的对数操作；(3c)设待波段选择高光谱图像I中期望被选中的波段数目为n b，n b∈(0,L]，计算W t中所有元素绝对值的和与n b之间的二范数B，并将其作为三元权值卷积神经网络的波段数目损失：其中||·||2表示取二范数操作；(3d)对分类损失C0和波段数目损失B进行加权求和，并将其作为三元权值卷积神经网络的损失C：C＝C0+λB其中，λ∈[0,1]表示B占三元权值卷积神经网络的损失的权重；(4)通过对三元权值卷积神经网络进行训练获取高光谱图像的波段选择结果：(4a)设置训练迭代次数为T，训练总迭代次数为Y，并令T＝1；(4b)对三元权值卷积神经网络的权值进行初始化；(4c)采用梯度下降法对三元权值卷积神经网络的空谱联合信息提取层和分类层的权值分别进行更新；(4d)采用离散化梯度传播方法对三元权值卷积神经网络波段选择层的权值进行更新；(4e)判断T是否等于Y，若是，得到训练好的三元权值卷积神经网络，该训练好的三元权值卷积神经网络中波段选择层的权值矩阵W t中非0元素对应的波段即为高光谱图像被选中的波段，其余波段为高光谱图像未被选中的波段；(4f)令T＝T+1，并按照步骤(3)的方法计算三元权值卷积神经网络的损失C，并执行步骤(4c)。
NTE6118资料
NTE6116, NTE6118 & NTE6122 Industrial Rectifier, 2200 AmpFeatures:D High VoltageD High Surge Current D Diffused Junction Applications:D ConvertersD Power SuppliesD High Power DrivesD Auxilliary System Supplies for TractionElectrical Characteristics: (T J = +180°C unles otherwise specified)Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage, V RRMNTE6116600V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .NTE61181200V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .NTE61221600V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Maximum Non–Repetitive Peak Reverse Voltage, V RSMNTE6116700V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .NTE61181300V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .NTE61221700V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Maximum Peak Reverse Current, I RRM75mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Maximum Average Forward Current (Half Sine Wave, 180° Conduction), I F(AV)+55°C Heatsink Temperature (Double Side Cooled)3000A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+85°C Heatsink Temperature (Single Side Cooled)1550A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .RMS Current (+25°C Heatsink Temperature, Double Side Cooled), I F(RMS)5000A. . . . . . . . . . . . . . Maximum Peak One–Cycle Surge (Non–Repetitive), Forward Current (Sinusoidal Halfwave), I FSM t = 10ms, No Voltage Re–Applied31000A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t = 8.3ms, No Voltage Re–Applied32460A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t = 10ms, 100% V RRM Re–Applied26050A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t = 8.3ms, 100% V RRM Re–Applied27300A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Maximum I2t for Fusing (Sinusoidal Halfwave), I2tt = 10ms, No Voltage Re–Applied4810000A2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t = 8.3ms, No Voltage Re–Applied4390000A2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t = 10ms, 100% V RRM Re–Applied3400000A2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t = 8.3ms, 100% V RRM Re–Applied3100000A2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Low Level Value of Threshold Voltage (16.7% x π x I F(AV) < I < π x I F(AV)), V F(TO)0.76V. . . . . . . . .High Level Value of Threshold Voltage (I > π x I F(AV)), V F(TO)0.97V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Low Level Value of Forward Slope Resistance (16.7% x π x I F(AV) < I < π x I F(AV)), r110.16Ω. . . . .High Level Value of Forward Slope Resistance (I > π x I F(AV)), r120.13Ω. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Maximum Forward Voltage Drop (I pk = 4000A, t p = 10ms, Sinusoidal Wave), V FM 1.41V. . . . . . . . . Maximum Operating Junction Temperature Range, T J–40° to +180°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Maximum Storage Temperature Range, T stg–55° to +200°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink, R th(j–hs)DC Operation, Single Side Cooled0.042°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .DC Operation, Double Side Cooled0.020°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Mounting Force (±10%), F22250N (2250Kg). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .。