FOSAN富信电子 三极管 MMBT5401-产品规格书
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安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
MMBT5401 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管
▉Features特点
PNP High Voltage高压
▉Absolute Maximum Ratings最大额定值
Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位
Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO-160V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO-150V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO-5V Collector Current集电极电流I C-600mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/W
Junction and Storage Temperature
T J,T stg-55to+150℃
结温和储藏温度
■Device Marking产品打标
H FE(2)100-200200-300
Marking2L
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
MMBT5401
■Electrical
Characteristics 电特性
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage
集电极基极击穿电压(I C =-100µA ，I E =0)BV CBO -160——V Collector-Emitter Breakdown Voltage
集电极发射极击穿电压(I C =-1mA ，I B =0)BV CEO -150——V Emitter-Base Breakdown V oltage
发射极基极击穿电压(I E =-10µA ，I C =0)BV EBO -5——V Collector-Base Leakage Current
集电极基极漏电流(V CB =-160V ，I E =0)I CBO ——-100nA Collector-Emitter Leakage Current
集电极发射极漏电流(V CE =-120V ，I B =0)I CEO ——-100nA Emitter-Base Leakage Current
发射极基极漏电流(V EB =-5V ，I C =0)I EBO ——-100nA
DC Current Gain
直流电流增益(V CE =-5V ，I C =-1mA)H FE (1)80——DC Current Gain
直流电流增益(V CE =-5V ，I C =-10mA)H FE (2)100—300DC Current Gain
直流电流增益(V CE =-5V ，I C =-100mA)H FE (3)50——Collector-Emitter Saturation Voltage
集电极发射极饱和压降(I C =-10mA ，I B =-1mA)(I C =-50mA ，I B =-5mA)
V CE(sat)
—
—
-0.2-0.5V
Base-Emitter Saturation V oltage
基极发射极饱和压降(I C =-10mA ，I B =-1mA)(I C =-50mA ，I B =-5mA)
V BE(sat)
——-1-1V Transition Frequency
特征频率(V CE =-5V ，I C =-10mA)f T 100——MH Z Output Capacitance
输出电容(V CB =-5V ，I E =0,f=1MH Z )
C ob
—
6
—
pF
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
MMBT5401■Typical Characteristic Curve典型特性曲线
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
MMBT5401
■Dimension
外形封装尺寸
Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.250
2.550
0.089
0.100
e 0.950TYP
0.037TYP
e1 1.800
2.0000.071
0.079L 0.550REF
0.022REF
L10.3000.5000.0120.020θ
0o
8o 0o
8o。