氧离子注入砷化镓的理论问题——载流子补偿机理探讨(EHMO法)

氧离子注入砷化镓的理论问题——载流子补偿机理探讨
(EHMO法)
佚名
【期刊名称】《北京师范大学学报：自然科学版》
【年(卷),期】1978(0)2
【摘要】一、引言氧离子注入n型或p型GaAs半导体材料中能形成具有热稳定性的半绝缘层。

在前一篇报告中,已报导了关于它的物理特性的研究并对载流子补偿的机制作了初步讨论。

我们认为,氧离子注入GaAs能引入双深能级:既能引入深施主能级,又同时引入深受主能级。

深施主能级估计是由氧置砷(OAs)引起的,深受主能级则可能是在砷位上的氧OAs与As的空位(VAs)所组成的络合物(OAs—VAs)所引起的。

为了进一步探讨我们的推测是否合理,本文用原子簇模拟晶体,用推广的休克尔法（EHMO）计算了GaAs。

【总页数】9页(P1-9)
【关键词】氧离子;EHMO;原子簇;施主能级;半导体材料;受主能级;砷化镓;中心原子;砷空位;定域能级
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
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