光耦隔离驱动设计及计算
光耦隔离电路
光耦电路设计目录简介：输入电路（原边）输出电路（副边）电流传输比：延时：简介：外部信号可能是电压、电流或开关触点，直接接入电路可能会引起瞬时高压、过压、接触点抖动等。
因此在外部信号输入之前，须经过转换、保护、滤波、隔离等措施。
对小功率信号处理时: 通常简单采用RC 积分滤波或再添加门电路；而在对大功率信号处理时：输入与内部电路电压或电源电压的压差较大，常常采用光电耦合器来隔离。
使用光耦设计隔离电路时，特别要注意电流传输比的降额，驱动电流关断和开通的大小，与延迟相关的负载大小及开关速率。
在进行光耦输入电路设计时，是以光耦为中心的输入电路与输出电路（即原边与副边的电路），光耦的工作原理就是输入端输入信号V in，光耦原边二极管发光使得光耦副边的光敏三极管导通，三极管导通形成回路产生相应信号（电压或者电流），这样就实现传递信号的目的。
在进行光耦输出电路设计时，计算公式与输入部分相同，同时需关注电平匹配、阻抗匹配、驱动功率、负载类型和大小。
以下针对光耦输入电路设计为例。
图1 LED驱动电路输入电路（原边）：针对于光耦原边的电路设计，如图1 ，就是设计发光二级管的驱动电路。
因此须首先要了解光耦的原边电流I F和二极管的导通压降V F等相关信息。
根据必要的信息来设计LED驱动电路，和通常的数字输入电路一样，输入端需要添加限流电阻对二极管起保护作用。
而这个电阻的阻值则是此处的关键，对于图1的限流电阻R的阻值可以根据下面的公式计算：……………………… ①基于对抗干扰能力的考虑，通常在靠近光耦的原边并联接入一个电容进行滤波。
并且RC电路的延迟特性也可以达到测试边沿，产生硬件死区、消除抖动等益处。
同时在数字电路中其延迟特性可能会影响到信号的同步问题（尤其是通讯、异步电路、使能控制等），因此要充分注意电路的时间约束。
根据设计要求，为了确保输入端和公共端的电压差Vin在4V以下时，输入无效，光耦断开。
为此我们在输入端与公共端之间并接一个电阻避免输入无效时造成光耦原边的误导通。
光耦的计算
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V 左右），Vout 大小只受Vcc大小影响。
此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。
工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout= Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL，Vout 大小直接与Vin 成比例，一般用于反馈环路里面(1.6V 是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同) 。
对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。
所以通过分析实际的电路，除去隔离因素，用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。
此方法对于后续分析光耦的CTR 参数，还有延迟参数都有助于理解。
2 光耦CTR概要：1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析；2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR 有一定余量；3)CTR受多个因素影响。
2.1 光耦能否可靠导通实际计算举例分析，例如图.1中的光耦电路，假设Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%，光耦导通时假设二极管压降为1.6V，副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。
输入信号Vi 是5V的方波，输出Vcc 是3.3V。
Vout 能得到3.3V 的方波吗？我们来算算：If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA副边的电流限制：Ic’ ≤ CTR*If = 1.7mA假设副边要饱和导通，那么需要Ic’ = (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA，大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到1.7mA，Vout = Ro*1.7mA = 1.7V所以副边得到的是1.7V 的方波。
为什么得不到3.3V 的方波，可以理解为图.1 光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动1.7mA 的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。
光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻计算
光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻计算光耦可控硅（OptoCoupler）是一种将输入和输出电路通过光腔隔离的器件，可用于控制输出电路的电流和电压。
双向可控硅（BilateralTriac）是一种特殊的可控硅，具有双向导通特性。
在某些应用领域中，常常需要使用光耦可控硅来驱动双向可控硅，并通过可控硅限流电阻来控制电流的大小。
为了计算光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻，我们需要先了解一些基本的电流计算公式和电阻的概念。
1.可控硅的控制电压和电流可控硅的触发电压和电流是决定其导通状态的重要参数。
通过合适的控制电压和电流，可以使可控硅进入导通状态。
光耦可控硅通常作为控制电路的输入端，可以通过光腔实现电气隔离。
2.双向可控硅的特性双向可控硅具有双向导通特性，也就是说可以同时导通正向和反向的电流。
在使用双向可控硅时，需要非常注意电流的控制，以避免过载或损坏电路。
3.限流电阻的作用限流电阻是用来限制电流大小的元器件。
在驱动双向可控硅时，通过调节限流电阻的阻值，可以控制电流的大小。
限流电阻的计算要基于所需的电流和电压来确定。
在具体计算光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻时，需要按照以下步骤进行：步骤一：确定目标电流首先，需要确定所需的电流大小。
这通常是由所控制电路的要求决定的，可以是直流电流或者交流电流。
步骤二：确定最大控制电压和最小控制电流根据光耦可控硅的规格书，确定其最大控制电压和最小控制电流。
这些参数通常由制造商在产品规格书中给出，可以作为计算的基准。
步骤三：计算控制电流电阻控制电流电阻是连接光耦可控硅和双向可控硅的电阻。
其阻值可由欧姆定律计算得出：控制电流电阻= （最大控制电压-双向可控硅的触发电压）/最小控制电流步骤四：计算限流电阻限流电阻的计算需要根据实际电路中的电流和电压进行。
以直流电流为例，限流电阻的阻值可以通过欧姆定律计算得出：限流电阻=电压/电流步骤五：校验电路参数在设计电路时，需要校验电路参数，确保光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻的数值在电路的允许范围内。
光耦的应用电路设计原理
光耦的应用电路设计原理引言光耦（光电耦合器）是一种电光转换器，可以将电信号转换为光信号或者将光信号转换为电信号。
它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光敏电阻）组成，通过一根透明的光导线将两者连接起来。
在电路设计中，光耦常常被用于电气隔离、信号传输和非接触式传感器等方面。
本文将介绍光耦的应用电路设计原理。
光耦的基本原理光耦的基本原理是利用发光二极管（LED）发出的光信号，经过光导线传输到光敏三极管（光敏电阻），进而产生电信号。
其中，LED和光敏三极管之间通过透明的光导线（光纤）连接。
当LED处于导通状态时，会发出光信号。
而光敏三极管对光信号非常敏感，一旦接收到光信号，会导致电阻值产生变化。
光耦的应用电路设计原理光耦的应用电路设计原理主要包括驱动电路和接收电路两个部分。
驱动电路用于控制LED的导通和断开，接收电路用于读取光敏三极管产生的电信号。
驱动电路设计原理驱动电路是控制LED是否发出光信号的关键。
一般来说，LED需要接入适当的电流，以保证正常发光。
常见的驱动电路设计有以下几种方式：•电流驱动方式：通过限流电阻来控制LED的电流，并保持其处于适当的工作状态。
这种方式简单可靠，成本较低，适用于一些低功耗的应用场景。
•PWM驱动方式：采用脉宽调制技术来控制LED的亮度，通过控制脉冲的占空比来调节LED的导通时间，从而实现不同亮度的控制。
这种方式适用于需要控制LED亮度的应用场景。
•恒流驱动方式：采用恒流源电路来保持LED的电流恒定不变，无论输入电压的变化如何，都能够保持LED的工作电流稳定。
这种方式适用于对光输出要求较高的应用场景。
接收电路设计原理接收电路主要用于读取光敏三极管产生的电信号，并将其转化为电压或者电流信号。
常见的接收电路设计有以下几种方式：•直接读取方式：通过将光敏三极管接入一个合适的负载电阻，将输出电压转化为电流信号。
这种方式简单直接，适用于一些简单的光敏传感器应用。
•虚拟接地方式：通过将光敏三极管接入一个虚拟接地电阻，将输出电流转化为电压信号，再经过运放等电路放大。
n mos驱动电路 光耦隔离
n mos驱动电路光耦隔离
摘要：
1.介绍MOS 驱动电路
2.解释光耦隔离
3.MOS 驱动电路与光耦隔离的结合应用
4.优势与展望
正文：
MOS 驱动电路，全称为MOSFET 驱动电路，是一种用于驱动MOSFET （金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管）的电路。
MOSFET 是一种在现代电子设备中广泛应用的半导体器件，它可以用来放大信号、开关电路以及驱动其他负载。
而MOS 驱动电路则是为了能够更好地控制和驱动MOSFET 而设计的电路。
光耦隔离，是一种采用光学耦合器进行电气隔离的技术。
它能够将输入端和输出端通过光学信号进行耦合，从而实现电气隔离。
这种技术广泛应用于各种需要电气隔离的场景，如工业控制系统、通信设备等。
当MOS 驱动电路和光耦隔离结合应用，可以有效地解决一些电气问题。
例如，在工业控制系统中，由于环境的恶劣和电气噪声的影响，电气信号的传输往往会受到干扰。
而采用光耦隔离技术，则可以有效地抑制这些干扰，从而提高系统的稳定性和可靠性。
此外，MOS 驱动电路和光耦隔离的结合，还可以提高系统的安全性。
在一些需要高安全性的场合，如医疗设备、核电站等，采用光耦隔离技术可以有
效地防止电气故障引起的火灾和爆炸等事故。
总的来说，MOS 驱动电路和光耦隔离的结合应用，为我国的电子设备设计和制造提供了新的可能性。
光耦驱动mos管电路设计
光耦驱动mos管电路设计1.引言1.1 概述概述:光耦驱动MOS管电路是一种常用的电子电路设计方案。
它通过光耦器件的光电转换功能，将输入信号与MOS管的驱动电路进行隔离，实现信号的传递和转换。
该电路具有高速响应、高隔离性和低功耗等优势，因此在各种电子设备和系统中得到广泛应用。
本文将深入探讨光耦驱动MOS管电路的设计原理和要点，旨在为电子工程师和设计师提供一种有效的解决方案。
首先，我们将介绍该电路的基本原理，包括光耦器件的工作原理和MOS管的工作特性。
随后，我们将详细讨论电路设计的关键要点，包括驱动电路的选择、光耦器件的参数设计以及电路的调试和优化方法等。
在实际应用中，光耦驱动MOS管电路常用于各种信号隔离和功率放大的场合。
例如，在电力电子领域中，该电路可用于实现电网变流器的电流检测和控制；在通信系统中，该电路可用于实现光纤收发模块的信号传输和调节。
此外，该电路也被广泛应用于工业自动化、汽车电子和医疗设备等领域。
总之，光耦驱动MOS管电路是一种重要的电子电路设计方案，具有广泛的应用前景和市场需求。
本文将通过深入的理论分析和实例讲解，帮助读者更好地理解和应用该电路，以促进电子技术的发展和创新。
同时，我们也期待读者的宝贵意见和建议，共同探讨该电路设计的优化和改进方向。
1.2 文章结构文章结构:本文主要包括以下几个部分：引言、正文和结论。
在引言部分，将对本文要讨论的主题进行概述，介绍光耦驱动mos管电路设计的背景和意义。
然后，文章将详细探讨光耦驱动mos管电路的原理和设计要点，包括其工作原理、电路结构、元器件选取等内容。
在结论部分，对本文进行总结，并展望光耦驱动mos管电路设计的未来发展方向。
通过这样的结构安排，读者能够系统地了解并掌握光耦驱动mos管电路设计的相关知识，并为进一步研究和应用提供参考。
1.3 目的目的部分的内容可以是对本文的写作目的进行描述和解释，可以包括以下内容：本文的目的是为了介绍光耦驱动MOS管电路设计的原理和要点。
光耦隔离驱动设计及计算
案例名称光耦隔离驱动电路设计及计算作者姓名作者部门写作日期联系电话关键词：光耦隔离驱动传输比（CTR） If Ic【问题描述】： (1)【问题分析】 (1)【优化方案】 (3)【收获】 (3)【问题描述】：监控类产品中中经常要用到光耦隔离电路，例如CAN、485，232等通信电路，或者是信号输入输出隔离电路等。
我们在设计中要根据光耦的几个主要参数，仔细计算光耦原副边的电路参数。
否则可能导致电路功能异常。
下面就某个市场问题展开分析。
山东基站的IPLU0006出现如下问题，将IPLU0006的串口6（485通道）与智能设备IPLU1501相连，前置机中显示IPLU1501往往通讯正常一段几分钟之后，即通讯异常。
而将设备断电重启后，通讯正常一段时间后设备又会出现通讯异常，如此反复。
【问题分析】对现场寄回来的样机进行分析，发现是由于电路设计是裕量不足引起。
具体分析如下：①下图为RS485电路中前端的光耦隔离部分，其中红色选中部分为收发控制电路部分。
CPU发出的控制信号经过缓冲驱动后经光藕隔离，控制通信芯片的收发控制端。
这里原边上拉电阻为2k，副边上拉电阻为4.7k。
当RTS2输出为低电平时（0.2V）时，光耦饱和导通。
ADM483的收发控制段被拉低，收发控制端一直箝位在低电平而保持为接收状态。
当RTS2输出为高电平时（3.3V）时，光耦断开，ADM483的收发控制段被拉高而保持为发送状态。
由于485为总线制，总线上可能有多个智能设备，所以对于同一时刻，总线上只能有一台设备处于发送状态，而其他的设备都处于接收状态。
对于485电路缺省状态，应该为接收状态，避免从机初始化过程或故障时，影响总线的正常功能。
通过示波器对故障样机的各个波形进行测量，首先发现只有总线AB端只有主设备的数据发出，而从设备没有响应。
检测收发控制端口的波形时发现，当其需要低电平将电路嵌位在接收状态时。
该电压较高接近2V。
这会导致主设备一直处于发送状态，整个总线都会出现通讯异常。
光耦隔离驱动电路
光耦隔离和驱动电路如下图所示：光耦隔离驱动继电器(原文件名:继电器驱动电路.jpg)因为我要采用12v或24v的继电器，所以我采用了光耦隔离，继电器去驱动220的电路。
请问我这个电路有什么问题。
好像和/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=5896 51&bbs_page_no=1&search_mode=1&search_text=继电器&bbs_ id=9999 这里图有差别。
想了几天没有想明白，请高手指点。
谢谢。
2008-09-01,17:02:33资料邮件回复引用回复↑↑↓↓编辑删除广告投诉、提议置酷【1楼】xiangjiang-100 木头人积分：8派别：等级：------来自：正确2008-09-01,17: 09:08资料邮件回复引用回复↑↑↓↓编辑删除广告投诉、提议置酷【2楼】holycat 仙猫积分：2585派别：等级：------来自：1、继电器应接在集电极上；2、光耦输出串10k左右电阻，R21太小，可用22～47k的。
3、光耦输入端最好也并一10k左右电阻。
2008-09-01,17: 14:17资料邮件回复引用回复↑↑↓↓编辑删除广告投诉、提议置酷【3楼】tjjack积分：203派别：等级：------来自：不用光偶也可以2008-09-01,17: 14:50资料邮件回复引用回复↑↑↓↓编辑删除广告投诉、提议置酷【4楼】holycat仙猫积分：2585派别：等级：------来自：补充：假如RELAY1是接处理器I/O脚的话，也要串电阻。
2008-09-01,17: 16:11资料邮件回复引用回复↑↑↓↓编辑删除广告投诉、提议置酷【5楼】mingyue xin1981积分：635派别：等级：------来自：北京市海淀区电路没有什么问题可能r21需要根据实际情况修改值还有就是4楼说的情况了__________________________旺旺：**********************★贝贝电子杂货铺★专营各种元器件，开发板，空板PCB，各类电子模块，拆机件等★欢迎大家随时关注，陆续会有新品上市哦★★htt p://★★2008-09-01,17: 18:24资料邮件回复引用回复↑↑↓↓编辑删除广告投诉、提议置酷【6楼】lusson积分：1777派别：等级：------来自：江西人在深圳基础还是比较重要的。
光耦隔离(驱动)电路-v1.0
光耦隔离（驱动）电路（V1.0）一、本文件的内容及适用范围本文详细分析了非线性光耦的结构、重要参数，并以此为依据讲解了光耦的应用设计原则及隔离（驱动）电路的设计步骤与方法，最后对单片集成数字隔离器做了简单介绍。
适用于作为艾诺公司开发工程师新项目硬件开发过程、产品设计修改过程、产品问题分析过程、工程师培训的指导性模块与参考文件。
本文中的“光耦”指非线性光耦。
本文中的过程与方法不能完全应用于线性光耦。
二、光耦光电耦合器optical coupler/optocoupler,简称光耦。
是设计上输入与输出之间用来电气隔离并消除干扰的器件。
因线性光耦特有其特点及设计方法，本文在此仅单独讨论在公司产品上广泛应用非线性光耦。
2.1 光耦在公司仪表上的主要应用根据光耦的类型在公司仪表上主要有以下几个方面的应用：1、数字信号隔离：非线性光耦，如6N137对高速数字信号如SPI、UART等接口的隔离。
2、模拟信号隔离传递：线性光耦。
隔离&驱动：普通输出型，如TLP521对IO信号的隔离；达林顿输出型主要用于需要大驱动电流的场合，如继电器的驱动和隔离。
2.2 公司主要应用的主要非线性光耦类别、型号及参数特点主要类别：1、通用型：TLP521、PC817等。
2、数字逻辑输出型（高速、带输出控制脚）：6N137及其变种HCPL06系列等。
3、达林顿输出型：4N30、4N33等。
4、推挽输出型（MOS、IGBT驱动专用）：TLP250、HCPL316等艾诺公司截止到2010年12月常用光耦型号统计及分类见表格《艾诺光耦201012.XLS》。
2.4 光耦基础知识1、光耦结构及原理示意光耦的主要构成部分：LED（电->光）、光电管（光->电）、电流放大（Hfe）部分。
非线性光耦按输出结构分为：普通型、达林顿输出型（高电流传输比，带\不带基极引脚）、逻辑输出型（高速或有控制端）、专用型（内部带推挽，如MOS/IGBT驱动光耦）、双向光耦（LED 部分为两个发光管反向并联，可响应交流信号）。
光耦隔离(驱动)电路-v1.0..
光耦隔离〔驱动〕电路〔V1.0〕一、本文件的内容及适用范围本文详细分析了非线性光耦的结构、重要参数，并以此为依据讲解了光耦的应用设计原则及隔离〔驱动〕电路的设计步骤与方法，最后对单片集成数字隔离器做了简单介绍。
适用于作为艾诺公司开发工程师新项目硬件开发过程、产品设计修改过程、产品问题分析过程、工程师培训的指导性模块与参考文件。
本文中的“光耦”指非线性光耦。
本文中的过程与方法不能完全应用于线性光耦。
二、光耦光电耦合器optical coupler/optocoupler,简称光耦。
是设计上输入与输出之间用来电气隔离并消除干扰的器件。
因线性光耦特有其特点及设计方法，本文在此仅单独讨论在公司产品上广泛应用非线性光耦。
2.1 光耦在公司仪表上的主要应用根据光耦的类型在公司仪表上主要有以下几个方面的应用：1、数字信号隔离：非线性光耦，如6N137对高速数字信号如SPI、UART等接口的隔离。
2、模拟信号隔离传递：线性光耦。
隔离&驱动：普通输出型，如TLP521对IO信号的隔离；达林顿输出型主要用于需要大驱动电流的场合，如继电器的驱动和隔离。
2.2 公司主要应用的主要非线性光耦类别、型号及参数特点主要类别：1、通用型：TLP521、PC817等。
2、数字逻辑输出型〔高速、带输出控制脚〕：6N137及其变种HCPL06系列等。
3、达林顿输出型：4N30、4N33等。
4、推挽输出型〔MOS、IGBT驱动专用〕：TLP250、HCPL316等艾诺公司截止到2010年12月常用光耦型号统计及分类见表格《艾诺光耦201012.XLS》。
2.4 光耦基础知识1、光耦结构及原理示意光耦的主要构成部分：LED〔电->光〕、光电管〔光->电〕、电流放大〔Hfe〕部分。
非线性光耦按输出结构分为：普通型、达林顿输出型〔高电流传输比，带\不带基极引脚〕、逻辑输出型〔高速或有控制端〕、专用型〔内部带推挽，如MOS/IGBT驱动光耦〕、双向光耦〔LED 部分为两个发光管反向并联，可响应交流信号〕。
光耦隔离式栅极驱动芯片的研究与设计
光耦隔离式栅极驱动芯片的研究与设计一、背景随着电子技术的发展，栅极驱动芯片在各类电子设备中发挥着越来越重要的作用。
传统的栅极驱动芯片通常采用分立元件和电感电容等组成，存在着易受干扰、响应速度慢等问题。
因此，研究和设计一种光耦隔离式栅极驱动芯片具有重要意义。
二、设计思路光耦隔离式栅极驱动芯片主要由光耦隔离器件、功率MOS管、保护电路和接口电路等组成。
其主要设计思路如下：1. 光耦隔离器件：采用光耦隔离器件实现输入信号与输出信号的电气隔离，提高系统的安全性与可靠性。
2. 功率MOS管：采用功率MOS管作为驱动芯片的输出级，具有响应速度快、驱动能力强等特点。
3. 保护电路：为防止芯片在异常工作状态下损坏，需要设置过流保护、过压保护等保护电路。
4. 接口电路：设计简单易用的接口电路，方便与其他电子设备的连接。
三、关键技术难点与解决方案1. 响应速度：由于光耦隔离器件存在响应时间，因此需要优化电路设计，降低其对系统响应速度的影响。
可以通过采用高速光耦器件、优化驱动MOS管的参数等方法实现。
2. 电磁干扰：光耦隔离器件对电磁干扰较为敏感，需要采取措施抑制干扰，如优化电路布局、使用磁珠等元件等。
3. 驱动能力：光耦隔离器件的驱动能力有限，需要选择合适的功率MOS管，并优化驱动电路，以满足不同应用场景的需求。
四、实验验证与优化在完成芯片设计后，需要进行实验验证和优化。
实验中，通过调整参数、优化电路布局等方法，提高芯片的性能和稳定性。
实验结果表明，该光耦隔离式栅极驱动芯片具有响应速度快、驱动能力强、安全可靠等特点，适用于各类电子设备中。
五、总结本文研究了光耦隔离式栅极驱动芯片的设计与实现方法，通过合理选择关键器件、优化电路设计等方法，成功设计了一种性能优良的光耦隔离式栅极驱动芯片。
实验验证表明，该芯片具有响应速度快、驱动能力强、安全可靠等特点，具有良好的应用前景和市场潜力。
后续工作将进一步优化该芯片的性能，降低成本，提高市场竞争力。
n mos驱动电路 光耦隔离
n mos驱动电路光耦隔离摘要：一、NMOS驱动电路工作原理二、光耦隔离的作用和优势三、光耦隔离在电机驱动电路中的应用四、光耦隔离电路的设计要点正文：一、NMOS驱动电路工作原理MOS驱动电路是一种用于驱动MOSFET的电子电路，其中VL和VH分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是VL不应该超过VH。
Q1和Q2组成一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对VH和GND最低都只有一个VCE的压降，这个压降通常只有0.3V。
二、光耦隔离的作用和优势光耦隔离是一种常用的电气隔离技术，能有效地隔离输入和输出电路，防止电磁干扰和电压浪涌对电路的影响。
光耦隔离电路主要由发光二极管和光敏器组成，当输入端电压变化时，发光二极管发光，光敏器接收光信号并转化为电信号输出，从而实现输入和输出电路的隔离。
光耦隔离具有响应速度快、隔离性能好、抗干扰能力强、可靠性高等优点。
三、光耦隔离在电机驱动电路中的应用在电机驱动电路中，光耦隔离常用于隔离单片机和驱动模块之间的信号。
单片机控制光耦，光耦控制继电器，继电器再控制（交流接触器）电机。
这种隔离方式可以有效地防止电机启动和停止时的电压波动对单片机的影响，提高电路的稳定性和可靠性。
四、光耦隔离电路的设计要点设计光耦隔离电路时，需要注意以下几点：1.选择合适的光耦隔离器件，根据电路的电压、电流、频率等参数选择光耦的型号。
2.确保发光二极管和光敏器的连接正确，发光二极管的正极应连接到输入信号，负极连接到地；光敏器的输出信号应连接到单片机的输入端。
3.添加适当的电阻限流，以保护发光二极管和光敏器。
4.考虑光耦隔离电路的响应速度和传输延迟，确保电路的实时性和准确性。
5.为了提高电路的可靠性，可以在光耦隔离电路中添加滤波电容和电感，以抑制噪声和干扰。
n mos驱动电路 光耦隔离
n mos驱动电路光耦隔离一、概述光耦隔离是一种常用的电子电路设计技术，用于实现不同电路之间的电气隔离。
n mos驱动电路是一种常见的电路设计，本文将介绍如何在n mos驱动电路中应用光耦隔离技术。
二、光耦隔离原理光耦隔离利用光电二极管和光敏三极管的特性，将输入和输出电路通过光信号进行隔离。
当输入电路中的光电二极管受到光照射时，光敏三极管的导通电流将被激活，从而实现输入和输出电路的电气隔离。
三、n mos驱动电路的基本原理n mos驱动电路是一种常见的电路设计，用于控制n mos管的导通和截止。
n mos驱动电路通常由输入电路、驱动电路和输出电路组成。
输入电路用于接收外部信号，驱动电路用于控制n mos管的开关，输出电路用于输出控制信号。
四、n mos驱动电路中的光耦隔离设计在n mos驱动电路中应用光耦隔离技术，可以实现输入电路和驱动电路之间的电气隔离。
以下是光耦隔离设计的步骤：1.选择合适的光耦隔离器件根据电路需求和性能要求，选择合适的光耦隔离器件。
常见的光耦隔离器件有光电二极管、光敏三极管和光敏场效应管等。
2.设计输入电路将外部信号通过电阻等元件连接到光电二极管的输入端，以实现输入电路的功能。
需要注意的是，输入电路的电压范围和电流需符合光耦隔离器件的工作条件。
3.设计驱动电路根据n mos管的工作特性和电路需求，设计合适的驱动电路。
驱动电路通常由光敏三极管、电阻和电容等元件组成，用于控制n mos管的开关。
4.设计输出电路将驱动电路的输出信号通过电阻等元件连接到n mos管的控制端，以实现输出电路的功能。
需要注意的是，输出电路的电压和电流需符合n mos管的工作条件。
5.连接光耦隔离器件将光电二极管和光敏三极管连接到n mos驱动电路中，实现输入和输出电路的电气隔离。
需要注意的是，光电二极管和光敏三极管的引脚连接正确，且符合光耦隔离器件的工作条件。
五、光耦隔离在n mos驱动电路中的优势在n mos驱动电路中应用光耦隔离技术具有以下优势：1.电气隔离：光耦隔离技术可以有效隔离输入和输出电路，提高电路的安全性和稳定性。
n mos驱动电路 光耦隔离
n mos驱动电路光耦隔离摘要：一、引言二、n mos 驱动电路的工作原理1.n mos 管的基本结构2.n mos 管的工作原理3.n mos 驱动电路的作用三、光耦隔离技术1.光耦隔离的基本原理2.光耦隔离的优势3.光耦隔离在n mos 驱动电路中的应用四、n mos 驱动电路与光耦隔离技术的结合五、结论正文：一、引言随着科技的飞速发展，电子设备越来越小型化、集成化，对电路设计的要求也越来越高。
n mos 驱动电路作为现代电子设备中的关键部分，其性能直接影响到整个系统的运行。
光耦隔离技术作为一种高效、可靠的信号传输方式，在n mos 驱动电路中得到了广泛应用。
本文将详细介绍n mos 驱动电路以及光耦隔离技术的相关知识。
二、n mos 驱动电路的工作原理1.n mos 管的基本结构mos 管是由n 型半导体、p 型半导体以及连接两者的绝缘层组成的。
当在n 型半导体的栅极施加正电压时，p 型半导体的源极和漏极之间形成导电通道，从而实现电流的导通。
2.n mos 管的工作原理mos 管的工作原理主要依赖于其栅极、源极和漏极之间的电场。
当栅极施加正电压时，电场会使得源极和漏极之间的绝缘层变薄，从而形成导电通道。
反之，当栅极施加负电压时，电场会使得绝缘层增厚，导电通道消失。
3.n mos 驱动电路的作用mos 驱动电路的主要作用是控制n mos 管的导通和截止。
通过改变栅极电压，可以实现对n mos 管导通电阻的控制，从而控制电路的导通和截止。
三、光耦隔离技术1.光耦隔离的基本原理光耦隔离技术是利用光耦合器将输入信号和输出信号隔离开来，通过光信号传输。
光耦合器由发光二极管、光敏三极管和光电耦合介质等组成。
当输入信号发生变化时，发光二极管会发出光信号，光信号经过光电耦合介质传输到光敏三极管，从而驱动输出负载。
2.光耦隔离的优势光耦隔离技术具有以下优势：（1）电气隔离：光耦隔离技术能够实现输入和输出信号的电气隔离，有效防止因输入信号的干扰导致的输出信号失真。
一种基于光耦HCPL0601的光电隔离型功率MOSFET驱动电路
一种基于光耦HCPL0601的光电隔离型功率MOSFET驱动电路近年来，随着计算机、通信、家电等电子设备的不断发展，对高速、高性能、高可靠度电路的需求逐渐增加。
而光电隔离型功率MOSFET驱动电路因其具有的大功率、长寿命、耐高温的特点，已成为目前应用广泛的电路设计之一。
其中，光耦HCPL0601作为一种典型的光电耦合器，在光电隔离型功率MOSFET驱动电路中具有重要的作用。
光电隔离型功率MOSFET驱动电路由光电耦合器、MOSFET 驱动电路、直流电源和控制信号输入端等组成。
光耦HCPL0601是该电路中的核心元件，其内部集成了红外发光二极管和光敏二极管，可以实现光信号和电信号的隔离。
而功率MOSFET则是驱动电路的基本元件，可以实现高速信号的放大和控制。
在光电隔离型功率MOSFET驱动电路中，光耦HCPL0601发出的光信号被光敏二极管接收，并被转化为电信号输入到MOSFET驱动电路中。
MOSFET驱动电路对输入信号进行放大和处理，并输出控制信号控制功率MOSFET的通断。
通过这种方式，可以实现对电路中的负载进行控制，从而实现电路的正常工作。
光电隔离型功率MOSFET驱动电路具有以下优点：首先，由于光电耦合器实现信号的隔离，因此可以大大降低电路受到干扰的风险，提高电路的抗干扰能力和可靠性。
其次，由于光电耦合器的寿命很长，因此这种电路还具有高稳定性和长寿命的优点。
另外，功率MOSFET的响应速度快，可以实现高速控制，适用于许多高速电路设计。
总之，基于光耦HCPL0601的光电隔离型功率MOSFET驱动电路具有重要的应用价值，适用于许多电路设计。
在电子设备的设计过程中，需要根据实际情况选择合适的元器件和电路方案，以实现更高效、更稳定、更可靠的电路设计。
四路光耦隔离继电器驱动模块
四路光耦隔离继电器驱动模块
这种模块通常被广泛应用于工业自动化、仪器仪表、电力电子等领域。
它的设计使得它能够在控制系统中起到重要作用，比如用于PLC控制系统中的输出模块，或者用于实现对大功率负载的远程控制。
同时，由于光耦隔离的特性，它也可以用于隔离和保护对系统稳定性和安全性要求较高的场合。
在选择四路光耦隔离继电器驱动模块时，需要考虑的因素包括输入和输出的电压和电流范围、继电器的类型和负载能力、隔离性能、响应速度、工作温度范围、以及模块的尺寸和安装方式等。
此外，还需要注意模块的接口定义和使用方法，以便正确地集成到目标系统中。
总的来说，四路光耦隔离继电器驱动模块是一种功能强大、应用广泛的电子设备，它在工业控制和电子系统中发挥着重要作用，能够提高系统的稳定性和安全性，实现对外部负载的精确控制。
单片机光耦隔离
单片机光耦隔离
单片机光耦隔离是一种常见的电路设计技术，用于在单片机系统中实现信号隔离和电气隔离。
光耦隔离通过使用光耦器件，将输入端和输出端之间的电气连接隔开，以提高系统的抗干扰能力和安全性。
以下是关于单片机光耦隔离的一些关键点：
1. 原理：光耦隔离基于光-电转换原理。
输入端的电信号通过光耦器中的发光二极管（LED）转换为光信号，光信号通过光耦器中的光敏晶体管或光敏二极管转换回电信号，传递到输出端。
2. 作用：实现电气隔离，防止高电压、大电流或噪声信号对单片机系统的干扰或损坏。
提高系统的抗干扰能力，减少电磁干扰对信号传输的影响。
保护单片机系统，避免外部电路对单片机的电气冲击。
3. 应用场景：常用于工业控制、电力系统、医疗设备等领域，需要在不同电压等级或电气环境下进行信号传输和控制的场合。
4. 选型注意事项：选择合适的光耦器件，考虑光耦的隔离电压、带宽、传输速率等参数。
注意光耦的驱动电流和光敏器件的灵敏度，以保证信号的有效传输和接收。
5. 电路设计：合理设计光耦隔离电路，包括电源隔离、信号隔离、地线处理等。
注意光耦的引脚连接和布局，减少信号干扰。
单片机光耦隔离是一种有效的电路保护和信号隔离技术，能够提高系统的可靠性和稳定性。
在实际应用中，根据具体需求进行合理的设计和选型，确保光耦隔离的有效性和可靠性。
请注意，以上内容仅为一般性介绍，具体的单片机光耦隔离设计需根据实际情况进行详细分析和考虑。
如果你有具体的项目需求，建议咨询专业的电子工程师以获取更准确的建议和指导。
光耦隔离实现电压转换电路
光耦隔离实现电压转换电路1. 概述光耦隔离是一种常用的电气隔离技术，其原理是通过光学元件将输入信号和输出信号隔离开来，从而实现信号的电气隔离和转换。
光耦隔离电路常用于解决电气隔离和电压转换的问题，广泛应用于工业控制、仪器仪表和通信等领域。
本文将详细介绍光耦隔离实现电压转换电路的原理、设计和应用。
2. 原理光耦隔离电路由输入端、光电转换器、输出端三部分组成。
输入端接收待转换的电压信号，经过光电转换器转换为光信号，然后通过光电转换器输出端将光信号转换为电压信号输出。
光电转换器通常由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电晶体管）组成。
LED作为光源，当输入信号电压施加在LED上时，LED会发光。
光敏三极管作为光电转换器，当光照射到光敏三极管时，会产生电流，输出对应的电压信号。
光耦隔离电路能够实现电气隔离的原因在于光信号的传输不受电气信号的影响，光信号的传输速度快，抗干扰能力强。
因此，通过光耦隔离电路可以将输入信号和输出信号完全隔离开来，从而实现电气隔离和电压转换。
3. 设计光耦隔离电路的设计需要考虑以下几个方面：3.1 输入端电路设计输入端电路主要用于接收待转换的电压信号。
在设计输入端电路时，需要考虑输入信号的电压范围、输入阻抗和输入保护等问题。
输入信号的电压范围决定了输入端电路的工作电压范围，需要根据实际应用场景选择合适的元件。
输入阻抗决定了输入端电路对输入信号的影响程度，一般要尽量选择高阻抗元件，以免影响待转换信号的准确性。
输入保护电路可以用于保护输入端电路免受过压、过流等异常情况的影响。
3.2 光电转换器选型和参数计算光电转换器的选型和参数计算是光耦隔离电路设计的关键步骤。
首先需要选择合适的LED和光敏三极管。
LED的选择需要考虑其工作电流和发光强度，一般选择工作电流较小、发光强度较高的LED。
光敏三极管的选择需要考虑其灵敏度和响应速度，一般选择灵敏度高、响应速度快的光敏三极管。
参数计算方面，需要根据输入信号的电压范围和光敏三极管的灵敏度来确定LED的工作电流。
光耦隔离反馈
如果反馈电压的地和驱动控制芯片的地是不同的，则需要用到光耦隔离反馈。
在设计光耦隔离反馈电路前需要注意的关键点：1.光耦的输入端（二极管端）的电流增大会致使输出端导通程度增大（既流过的电流增大）2.光耦的输入和输出端的电流遵循比值（光耦的CTR）3.输入TL431的参考极REF的电压增大，K极到A极导通程度会增大本文主要使用控制芯片UC2845B，光耦PS2501L-1和TL431组成隔离反馈控制电路1.首先计算R15C和R16C的值由于TL431参考级电压为V ref =2.5V ，反馈电压的目标值设定为V o =5V ，所以15o 16(1)C ref CR V V R =+ 选定R 15C 和R 16C 为2k Ω2.确定光耦电流，计算R 13C根据PS2501L-1的规格书，二极管的导通压降V F =1.17V ，I F =10mA 。
因为V out (+5V)>V ref +V F +R 13C *I F取V ref =2.5V ，所以R 13C <133Ω，取R 13C =75Ω3.计算R 14CTL431规格书为了保证光耦不工作时，TL431可以正常工作（需要1mA 电流），故R 14C 两端电压要小于V F +I F *R 13C所以R 14C <(V F +I F *R13C )/1mA=1.92k Ω，取1K ω4.计算R 345R 345的值与控制芯片内部参数有关，UC2845的内部功能图如下光耦二次侧R345的电压即VFB引脚的电压会与UC2845内部产生的参考电压2.5V进行比较。
又光耦PS2501L-1在I F=10mA时，CTR的典型值为300，即光耦输出的电流为30mA。
所以R345=2.5V/30mA=83Ω。
基于光耦ACPL-339J的IGBT驱动电路设计
基于光耦ACPL-339J的IGBT驱动电路设计佚名【摘要】Aimed at the drive and protection circuit requirement of high power IGBT , this paper employed the AC-PL-339J intelligent IGBT gate driver optocoupler chip to design the high power IGBT driver circuit , including the drive signal shaping circuit, DESAT circuit, the gate driver protection circuit, and so on.And it also designed the simple and efficient DC/DC isolation power supply circuit , and calculated the design parameters of the isolation transformer by adopting the improved Push -Pull topology structure .Finally, double pulse and short circuit experi-ment verified the fast response ability , security and stability of the drive circuit .%针对大功率IGBT对驱动和保护电路的要求，采用ACPL-339J智能IGBT门驱动光电耦合芯片设计了大功率IGBT的驱动电路，包括驱动信号整形电路、去饱和（ DESAT ）电路、门极驱动保护电路等。
并且使用改进Push-Pull拓扑结构设计了高效简单的DC／DC隔离电源电路，计算了隔离变压器的设计参数。
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关键词：光耦隔离驱动传输比（CTR） If Ic【问题描述】： (1)【问题分析】 (1)【优化方案】 (1)【收获】 (8)【问题描述】：监控类产品中中经常要用到光耦隔离电路，例如CAN、485，232等通信电路，或者是信号输入输出隔离电路等。
我们在设计中要根据光耦的几个主要参数，仔细计算光耦原副边的电路参数。
否则可能导致电路功能异常。
下面就某个市场问题展开分析。
山东基站的IPLU0006出现如下问题，将IPLU0006的串口6（485通道）与智能设备IPLU1501相连，前置机中显示IPLU1501往往通讯正常一段几分钟之后，即通讯异常。
而将设备断电重启后，通讯正常一段时间后设备又会出现通讯异常，如此反复。
【问题分析】对现场寄回来的样机进行分析，发现是由于电路设计是裕量不足引起。
具体分析如下：①下图为RS485电路中前端的光耦隔离部分，其中红色选中部分为收发控制电路部分。
CPU发出的控制信号经过缓冲驱动后经光藕隔离，控制通信芯片的收发控制端。
这里原边上拉电阻为2kΩ，副边上拉电阻为4.7kΩ。
当RTS2输出为低电平时（0.2V）时，光耦饱和导通。
ADM483的收发控制段被拉低，收发控制端一直箝位在低电平而保持为接收状态。
当RTS2输出为高电平时（3.3V）时，光耦断开，ADM483的收发控制段被拉高而保持为发送状态。
由于485为总线制，总线上可能有多个智能设备，所以对于同一时刻，总线上只能有一台设备处于发送状态，而其他的设备都处于接收状态。
对于485电路缺省状态，应该为接收状态，避免从机初始化过程或故障时，影响总线的正常功能。
通过示波器对故障样机的各个波形进行测量，首先发现只有总线AB端只有主设备的数据发出，而从设备没有响应。
检测收发控制端口的波形时发现，当其需要低电平将电路嵌位在接收状态时。
该电压较高接近2V。
这会导致主设备一直处于发送状态，整个总线都会出现通讯异常。
说明光耦并没有工作在预想的饱和状态下，而是工作在放大状态。
设备断电一段时候后重启能够正常工作一段时间，是因为光耦的传输比受温度的影响比较大。
当设备刚刚启动时，系统温度还不是特别高，所以传输比CTR相对较大。
而工作一段时间后，温度上来后，传输比CTR下降（经过计算此时的光耦传输比不到60%），光耦没法工作在饱和状态，副边电压升高，电路工作不正常。
原有的电路计算如下：Vce=0.2V, Ic=(5-0.2)/4.7K=1.021mA, If=(3.3-1.2)/2K=1.05mAIf是否满足要求:Ifx=Ic/CTRmin=1.021mA/100%=1.021mAIf>Ifx按照公司的降额规范，要审查集电极电压Vce和集电极的平均电流Icav应该满足75％的降额要求。
结论:Pass注: CTRmin=100%与物料品质部的同事沟通后，才知道光耦传输比虽然宣称范围是100%-300%，但其是在温度为25度，If为5mA时的结果。
当温度升高，或是If为1mA时，其传输比会下降很多。
其测量的结果如下。
对于本次失效的PS2701，高低温下不同IF 下的CTR 测量情况如下：正常品：该光耦的datesheet中有如下资料：由上图可以得出②而光耦会工作在（-10～60摄氏度）下，由Ta-CTR关系图可知，－10度时的CTR与25度下的CTR持平，60度时的CTR时25度下CTR的0.9倍左右。
但是物料品质部同事实测出的结果表明却表明，CTR受温度的影响远不在此。
58度时的CTR只是25度下CTR的0.7倍左右。
可见CTR受温度的影响非常大。
结论公司的降额指导书中提到如下两点：A. 因光耦传输常量分散性较大，在电路设计时一定要注意保证充分的设计裕量，一般是在电路设计计算时，取光耦传输参量上限值的100％和下限值的70％分别进行电路计算，要求电路计算合格。
光耦传输参量包括有CTR、I FT、、tp等。
B. 对于光耦模拟信号的静态工作点IF，一般要求大于1mA。
静态工作点太低接近死区，容易带来系统温度特性差，光耦替代性差，电路对光耦批次性敏感等不良问题。
【优化方案】以后我们在进行原理图审查时，应关注以下几点1.计算得到的光耦的原边电流建议大于2mA。
2.计算时对于传输比CTR参数应该取下限值的70%进行计算。
3.对于PS2701系列的光耦，原边二极管取1.2V压降。
4.从控制芯片中输出的低电平电压取0.2V。
按照以上4点对于上面的电路进行计算，参考如下：该电路为收发控制电路，光耦必须要有效的工作在饱和状态和截止状态。
Vce=0.2V, If=(3.3-1.2-0.2)/2k=0.95mA----------------------原边电流应该大于2mA. Ic=(5-0.2)/4.7k=1.02mA,Ifx=Ic/CTRmin=1.02mA/（100%×0.7）=1.46mACTR是光耦运行的传输比，在设计中要满足上限100％，下限70％的降额要求。
If应满足要求: If>Ifx此处不满足该要求结论: Fail注: CTRmin=100%更改方案将电阻R618更换为620欧姆，重新计算：Vce=0.2V, If=(3.3-1.2-0.2)/0.62k=3.06mAIc=(5-0.2)/4.7k=1.02mA,Ifx=Ic/CTRmin=1.02mA/（100%×0.7）=1.46mACTR是光耦运行的传输比，在设计中要满足上限100％，下限70％的降额要求。
If应满足要求: If>Ifx此处满足该要求结论: Pass注: CTRmin=100%电路分析当TXD输出为高时，光耦无法导通，输出为高；当TXD输出为低时，光耦导通，三极管Q52饱和导通，输出为低。
该电路中的光耦为高速光耦，从CPU这边传送过来的458信号要经过它传输出去。
这个电路算的上经典电路，Vce的电压嵌位在4.3V左右，光耦工作在放大状态。
当总线上的传输速率较高时，能够达到较短的上升和下降时间。
1）导通后保证U58管脚4电压足够低，V ce（Q52）=0.2V，则I c（Q52）=（5V- V ce（Q52））/R512=(5-0.2)/2K=2.4mAI b（Q52）= I c（Q52）/h FE=2.4/20mA=0.12mA------------------------ h FE是三极管的放大倍数，数字电路，要保证三极管Q52工作在饱和区，根据器件手册取最小值20；2）光耦U58集电极电流I c（U58）= I b（Q52）+V be（Q52）/R515=0.12mA+0.7V/0.47K=1.609mA3）期望的光耦输入电流I FX计算如下：I FX= I c（U58）/（CTR MIN*0.7）=1.609mA/（200%*0.7）=1.150mA----------------------------CTR是光耦运行的传输比，在设计中要满足上限100％，下限70％的降额要求。
4）计算实际的输入电流I F：I F=（3.3-V F-0.2）/R518=(3.3-1.2-0.2)/0.62=3.065mA ----------------光耦导通时，原边二极管的压降V F取1.2V，原边电流应该大于2mA.满足If>Ifx结论：Pass另外：测试规范中要求上升时间tr和下降时间tf应该小于最高波特率下周期的1/8。
以最高波特率为19200bps为例，周期为T=52us，因此上升沿tr和下降沿tf应该小于6.5us。
根据芯片手册得，R L的电阻应该200欧姆左右。
如上图中红色方框选中的电路等效电阻应该小于200欧姆。
简单计算其等效电路电阻：IC约为I f（U58）*（CTR MIN）＝3.065mAR L＝0.7/3.065mA＝233欧电路分析：当光电耦合器二极管端2脚为高电平时，光电耦合器不导通，RXD0输出为高。
当光电耦合器二极管端2脚为低电平时，光电耦合器工作在线性工作区，三极管Q41发射结正偏，饱和导通，集电极输出为低，即RXD0输出为低。
计算：1）导通后保证RXD电压足够低，V ce（Q41）=0.2V，则I c（Q41）=（3.3V- V ce（Q41））/R408=(3.3-0.2)/2K=1.55mAI b（Q41）= I c（Q41）/h FE=1.55/20mA=0.0755mA------------------------ h FE是三极管的放大倍数，数字电路，要保证三极管Q41工作在饱和区，根据器件手册取最小值20；2）光耦U8集电极电流I c（U8）= I b（Q41）+V be（Q41）/R407=0.0755mA+0.7V/0.47K=1.654mA3）期望的光耦输入电流I FX计算如下：I FX= I c（U8）/CTR MIN=1.654mA/（100%*0.7）=2.363mA----------------------------CTR是光耦运行的传输比，在设计中要满足上限100％，下限70％的降额要求。
4）计算实际的输入电流I F：U41器件2脚连接在肖特级二极管D401上，当D401导通，压降最大为0.38V，U41二极管输入电流为If=(5-1.2-0.38)/750=4.56mA------------------满足原边电流应该大于2mA.满足If>Ifx结论：Pass注: CTRmin=100%上图是个线形光耦使用的典型例子光耦的工作电流控制在5mA（从5到10mA该光耦工作在线形区），外接电阻R11 连接在VCC 与压腔振荡器VCO 输入端之间，电阻值的设定不能使光耦进入饱和状态，R11=（12V-3.3V）/5mA=1740Ω,选1.8K。
光耦MOC8102 的Ctrr(传输比)是100%，光耦Id使用考虑裕量选为8mA；流过光耦LED 的电流值由R20 来限定，R20=5V-(V U3+V LED)/8mA=138Ω,选120Ω。
（Vled取为1.4v,tl431的电压取为2.5v）如果在此范围内光耦不饱合，则光耦可以稳定的工作在线性区保证整个回路的控制。
【总结】光耦的使用需要特别关注几个主要的参数，并且深刻理解Datasheet中所给的这些参数的前提条件（例如25℃环境温度；10mA负载电流；1KHz频率等等这些前提条件）。
我们在设计中必须要考虑到这些因素，确保电路从理论上分析，在任何规定之条件下都能够正常工作，而不是在仅仅在典型值下能工作或实际测试能正常工作。