一种高纯纳米一氧化硅的制备方法[发明专利]

专利名称：一种高纯纳米一氧化硅的制备方法
专利类型：发明专利
发明人：马文会,陈新亮,万小涵,李绍元,魏奎先,伍继君,雷云,于洁,谢克强,杨斌,戴永年
申请号：CN201910266155.2
申请日：20190403
公开号：CN109796017A
公开日：
20190524
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，属于一氧化硅制备技术领域。

本发明将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；将氩气通入等离子体炉内排出等离子炉中的空气；持续将氩气通入等离子体炉内作为保护气和载气，并将真空干燥处理的一氧化硅粉末通过进粉器进料使一氧化硅粉气化，冷凝即得高纯纳米一氧化硅。

本发明能降低高纯纳米一氧化硅的制备成本，减少三废的排放，形成良好的资源利用及环境保护；高纯纳米一氧化硅可以直接应用在镀膜领域、精细陶瓷制备领域、锂离子电池负极材料领域等。

申请人：昆明理工大学
地址：650093 云南省昆明市五华区学府路253号
国籍：CN
代理机构：昆明合众智信知识产权事务所
代理人：朱维
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