一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计

一种CMOS工艺高速端口的ESD保护设计
孙云华;邹家轩
【期刊名称】《电子与封装》
【年(卷),期】2016(016)009
【摘要】随着CMOS工艺的不断深化,CMOS器件开启速度越来越快,有利于设计出更高速的电路及相关接口器件.但随着CMOS工艺深化的同时,器件的栅氧厚度也越来越薄,栅氧的击穿电压大大降低,使得器件更容易受到ESD损伤.采用传统的ESD结构会显著增加节点电容,节点电容的增加会限制电路接口速率的增加.采用中芯国际(SMIC) 0.13μm工艺,设计实现了一种ESD保护电路,I/O端口翻转速率达到2Gbps,对人体模型耐压达到2000V.经过仿真验证、流片验证,设计的结构达到了该芯片抗静电能力以及端口高速传输速率的要求.
【总页数】4页(P14-17)
【作者】孙云华;邹家轩
【作者单位】中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;西安电子科技大学微电子学院,西安710071
【正文语种】中文
【中图分类】TN432
【相关文献】
1.一种应用于深亚微米CMOS工艺的ESD保护电路 [J], 鲍剑;王志功;李智群
2.便携式设备高速端口的ESD防护 [J],
3.便携式设备高速端口的ESD防护 [J], Tyco Electronics公司
4.便携式设备高速端口的ESD防护 [J],
5.一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路 [J], 张冰;柴常春;杨银堂
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