场效应管对照表

场效应管参数对照表

场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的

半导体器件，其工作原理基于场效应。场效应管分为两种基本类型：N-沟

道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。

1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。

2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的

初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。阈值电压决定了FET是否在

导通状态，一般用负参考电压。

3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动

电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。

4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽

度（W）决定。尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。

5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导

通到截止或者从截止到导通的反应时间。开关速度快的场效应管适用于高

频应用。

6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后

的信号衰减量。

7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大

电压。一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。

8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

场效应管管脚识别

场效应管的检测和使用

场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别1用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极;具体方法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值;当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S;因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极Ｇ;也可以将万用表的黑表笔红表笔也行任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值;当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极;若两次测出的电阻值均很大,说明是ＰＮ结的反向,即都是反向电阻,可以判定是Ｎ沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小,说明是正向ＰＮ结,即是正向电阻,判定为Ｐ沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极;若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止;

2用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅

极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏;具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档,测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的,如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极;然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档,再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的;要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测;

常用场效应管型号全参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别

场效应管的检测和使用

场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一

只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法

场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）

本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。

在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。

1．"型号"栏

表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。

2．"厂家"栏

为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。）

所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：

ADV 美国先进半导体公司

AEG 美国AEG公司

AEI 英国联合电子工业公司

AEL 英、德半导体器件股份公司

ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司

AMP 美国安派克斯电子公司

AMS 美国微系统公司

APT 美国先进功率技术公司

ATE 意大利米兰ATES公司

ATT 美国电话电报公司

AVA 美、德先进技术公司

BEN 美国本迪克斯有限公司

场效应管型号

引言

场效应管是一种重要的电子元器件，主要用于放大和开关电流信号。不同的场效应管型号具有不同的特性和应用场景。本文将介绍几种常见的场效应管型号，并对其特性和应用进行分析。

1. 型号 A

特性

•原理类型：N沟道型/ P沟道型

•导通电阻：低

•开关速度：高

•最大耐压：10V

•动态电阻：低

应用

•低频放大器

•信号开关

•DC-DC 变换器

2. 型号 B

特性

•原理类型：P沟道型

•导通电阻：高

•开关速度：低

•最大耐压：30V

•动态电阻：高

应用

•电源开关

•交流光源调光

•系统保护

3. 型号 C

特性

•原理类型：N沟道型

•导通电阻：中等

•开关速度：中等

•最大耐压：20V

•动态电阻：中等

应用

•音频放大器

•数据选择器

•高频振荡器

4. 型号 D

特性

•原理类型：N沟道型

•导通电阻：高

•开关速度：低

•最大耐压：60V

•动态电阻：高

应用

•高压电源控制

•电机驱动

•逆变器

5. 型号 E

特性

•原理类型：P沟道型

•导通电阻：低

•开关速度：高

•最大耐压：40V

•动态电阻：低

应用

•光电传感器

•音频功放

•高速数据采集

结论

本文介绍了几种常见的场效应管型号，并对其特性和应用进行了总结。选择合适的场效应管型号对于电路设计和应用至关重要，需要根据实际需求来进行选择。每种型号的场效应管都有其特定的优势和应用领域，因此在选择场效应管型号时，需要综合考虑电路的要求和性能指标。通过深入了解场效应管型号的特性和应用，可以更好地应用它们在不同的电子领域中。

参考文献：

•Smith, John.

常用场效应管参数表

（IRF系列）

常用场效应管参数表

（2SJ系列）

常用场效应管参数表（2SJ系列）(二)

[ 作者：佚名 | 转贴自：网络转载 | 点击数：906 | 更新时间：

2004-5-13 | 文章录入：阿水 ]

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

场效应管管脚识别

场效应管的检测和使用

场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅

极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

常用场效应管参数表

常用场效应管参数表（IRF系列）型号厂家用途构造沟道方式 v111(V) 区分 ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3 IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA IRF235 IR N 250 6.5 75 TO-204AA IRF240 IR N 200 18 125 TO-204AE IRF241 IR N 150 18 125 TO-204AE IRF242 IR N 200 16 125 TO-204AE IRF243 IR N 150 16 125 TO-204AE IRF244 IR N 250 14 125 TO-204AA IRF245 IR N 250 13 125 TO-204AA IRF250 IR N 200 30 150 TO-204AE IRF251 IR N 150 30 150 TO-204AE IRF252 IR N 200 25 150 TO-204AE IRF253 IR N 150 25 150 TO-204AE IRF254 IR N 250 22 150 TO-204AE IRF255 IR N 250 20 150 TO-204AE IRF320 IR N 400 3.0 40 TO-3 IRF321 IR N 350 3.0 40 TO-3 IRF322 IR N 400 2.5 40 TO-3 IRF323 IR N 350 2.5 40 TO-3 IRF330 IR N 400 5.5 75 TO-3 IRF331 IR N 350 5.5 75 TO-3 IRF332 IR N 400 4.5 75 TO-3 IRF333 IR N 350 4.5 75 TO-3 IRF340 IR N 400 10 125 TO-3 IRF341 IR N 350 10 125 TO-3 IRF342 IR N 400 8.0 1

FET场效应管英文术语对照表

三、场效应管参数符号意义

Cds---漏-源电容

Cdu---漏-衬底电容

Cgd---栅-源电容

Cgs---漏-源电容

Ciss---栅短路共源输入电容

Coss---栅短路共源输出电容

Crss---栅短路共源反向传输电容

D---占空比（占空系数，外电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路参数）

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

ID---漏极电流（直流）

IDM---漏极脉冲电流

ID(on)---通态漏极电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

IDS---漏源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）

IGF---正向栅电流

IGR---反向栅电流

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流

IGM---栅极脉冲电流

IGP---栅极峰值电流

IF---二极管正向电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IDSS1---对管第一管漏源饱和电流

IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

Iu---衬底电流

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

gfs---正向跨导

Gp---功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

GPD---共漏极中和高频功率增益

ggd---栅漏电导

gds---漏源电导

K---失调电压温度系数

Ku---传输系数

L---负载电感（外电路参数）

LD---漏极电感

Ls---源极电感

rDS---漏源电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别

场效应管的检测和使用

场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R ×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极Ｇ.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔

依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻,可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小,说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档,再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

常用场效应管参数及代换

场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。本文将介绍常

用场效应管的参数及其代换关系。

1.场效应管的类型

场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。

2.场效应管的三极管参数

（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。

（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。

（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。

（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。

（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。

3.场效应管的特性参数

（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。

（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。

（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示

场效应管的放大性能。

（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。

（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。

（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。

（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。

4.场效应管的代换

场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。

（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。

常用场效应管参数及代换

常用场效应管参数及替代

FGA25N120AND （IGBT）1200V/25A//TO3P （电磁炉用）

FQA27N25 （MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254

FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264

FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P

FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A

FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P

FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E

FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50

FQA24N60 （MOSFET）600V/24A/TO3P

FQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P

FQA13N80 （MOSFET）800V/13A/300W/0. Ω/TO3P

FQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P

FQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P

FQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P

FFA30U20DN （快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管）600V/30A/90ns/TO220F MUR1560

常用场效应管参数表

IRF234 IR N 250 8.1 75 IRF235 IR N 250 6.5 75 IRF240 IR N 200 18 125 IRF241 IR N 150 18 125 IRF242 IR N 200 16 125 IRF243 IR N 150 16 125 IRF244 IR N 250 14 125 IRF245 IR N 250 13 125 IRF250 IR N 200 30 150 IRF251 IR N 150 30 150 IRF252 IR N 200 25 150 IRF253 IR N 150 25 150 IRF254 IR N 250 22 150 IRF255 IR N 250 20 150 IRF320 IR N 400 3.0 40 IRF321 IR N 350 3.0 40 IRF322 IR N 400 2.5 40

型号厂

家

方

式

v111(V)

xing

(A)

pdpch(W)

文字选项黑色

背景选项

灰色

字号大小

9 pt

（

型号最大

耗散

功率

(W)

稳定

电压

(V)

最大

工作

电流

(mA)

可代换型号型号

最大

耗散

功率

(W)

稳定

电压

(V)

最大

工作

电流

(mA)

BZPD-3.0 0.5 2.8 125 05W3V、2CW384、2CW5224 EQA02-25A 0.5 24～

25

18 1N

BZPD-3.3 0.5 3.1 115 05W3V3、2CW37-3.3、HS73-3.3 EQA02-25C 0.5 26～

28

15 2CW BZPD-3.6 0.5 3.5 105 05W3V6、2CW37-3.6、BS73-3.6 EQB01-05 1 5 200 2CW BZPD-3.9 0.5 3.8 95 05W3V9、2CW37-3.9、2CW387 EQB01-06 1 6 180 2CW BZPD-4.3 0.5 4.0 90 05W4V3、2CW37-4.3、2CW388 EQB01-07 1 7 140 2CW BZPD-4.7 0.5 4.4 85 05W4V7、2CW37-4.7、2CW389 EQBO1-08 1 8 120 2CW BZPD-5.1 0.5 4.8 80 05W5V1、2CW37-5.1、2CW390 EQB01-09 1 9 110 2CW

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别

场效应管的检测和使用

场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进展判别

〔1〕用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。详细方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，那么该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔〔红表笔也行〕任意接触一个电极，另

一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，那么黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。假设两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以断定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；假设两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，断定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。假设不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进展测试，直到判别出栅极为止。

〔2〕用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。详细方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围〔在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不一样的〕，假如测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；假如测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，那么说明管是正常的；假设测得上述各阻值太小或为通路，那么说明管是坏的。要注意，假设两个栅极在管内断极，可用元

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场效应管的检测和使用

场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的

电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

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场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一

只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法

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