rena制绒清洗培训
1-清洗制绒设备操作规程(v8.6)
3 1）信息栏 显示当前时间、日期；显示设备模式（手动或自动模式），与PLC的通讯状况：正常（OK），登录名称：Service(服务)、Operator（操作者）等。 2）报警诊断信息栏 显示当前出现的报警的相关信息： 日期、时间：出现报警的时间； 功能部件：出现报警的部件； 功能：出现报警的部件的执行功能； 错误信息：出现的报警信息，相关错误解释可查阅操作手册； 状态：报警的状态。未解决、已承认等。 3）按钮信息栏 A、软件登录。 B、软件版本信息 C、用户管理 D、关闭操作模式，所有输出信号将被关闭。。 E、将机器切换到手动模式。所有部件的操作模式将切换到手动模式。 F、将机器切换到服务操作模式。此按钮非设备维护人员禁止点击。 G、将机器切换到自动操作模式 H、切换主界面。 I、 进入Service界面，将会显示各种输入、输出信号状态。
RENA设备培训教材
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2．F8 Rinse1：水清洗1。下图是在自动状态下 抓拍的。 • • • • • • • 2.1 Mode man：手 动操作模式 2.2 Fill DI： 充水 2.3 Draining: 排放 2.4 Star process: 循环开始 2.5 Stop :停止 2.6 Auto：自动模式 充水时注意，是先 从Rinse 3充，然后 通过溢流管道到 Rinse 2，再到 Rinse 1.
调用补液模式下的子菜单
调用温度曲线下的子菜单 调用过程监控下的子菜单 调用诊断模式下的子菜单 关闭报警声音 调出报警详情和提示
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F9 service服务模式： 1.F9 inputs digital 数字量输入
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2.F8 inputs analog 模拟量输入
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3.F7 outputs digital 数字量输出
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3. F7 Alkaline: 碱槽
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Mode Manual 手动模式 Filling Di 充纯 水 Filling chemie 充碱液 Rinsing 水清 洗 Draining 排放 Star circulation 循环启动 Star Etching 刻蚀开始（当有 片子走过时， RENA会自动按 照设定值补液） Stop 停止 Mode Auto 自 动模式
密码：Administrator 密码：process 密码：service
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功能键介绍
Mode off 轻易不要点，模式关闭后，药液会自动排掉
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模式关闭
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手动模式 服务模式 自动模式
制绒工艺培训
Rinse2
Acidic Rinse
Rinse3
Dryer2
主操作界面
详细说明
程序内 的日期 和时间 模式、与PLC的 连接情况及登陆 的用户名 灯塔状 态 机器名称 厂家名称
报警的详细信息
登陆按扭
详细说明
机器的三种报警:严重的问题、机器本 身的问题和一般的警报
初始配槽时HF和水的体积
RENISE3功能 功能
RENISE3功能 功能
MODE MAN&MODE AUTO----自动运行时单个槽的 自动手动切换 FILLING DI----给槽内加纯水（RENISE2的水是 RENISE3槽的水溢流过来的） DRAINING----整个槽排液 START PROCESS----在手动模式下单个槽运行工艺 STOP----结束操作
RENA InOxSide设备构造
RENA InOxSide工艺步骤：边缘刻蚀 碱洗 →酸洗 吹干 工艺步骤： 酸洗→吹干 工艺步骤 边缘刻蚀→碱洗 酸洗 RENA InOxSide后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、 后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、 后清洗设备的主体分为以下七个槽 排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。 排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。
5 关于刻蚀槽flow（流量）报警 出现此类报警时，工艺人员需检查是否有碎片堵住药液入口。如 有碎片需取出后，将药液打入tank混匀溶液后重新将药液打入bath 中。如果流量不稳定报警，需要求设备人员检查相应传感器 6 关于overfilled（溶液过满）报警 出现此类报警时，工艺人员需要求设备检查液位传感器是否正常 工作。如果确实过满，则需要手动排掉部分药液，直到达到生产液 位要求。 7 关于 tank empty（储药罐空）报警 出现此类报警时，说明外围相应储药罐中的药品已空，需及时通 知外围人员添加药液。 8 关于 valve blocked（阀门被堵）报警 出现此类报警时，则有阀门被堵，必须立即通知设备人员处理。
单晶制绒工艺培训
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添加剂的作用
增加反应速度
减缓反应速度
不影响反应速度
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单晶和多晶绒面
单晶绒面
多晶绒面
显微镜下观察绒面
三、RENA制绒工艺流程
仓库来料接收 插片 预清洗槽 水洗槽
上料 制绒槽
制绒机 水洗槽 酸洗槽
下片
热水水洗槽 传递过程
吹干槽
单晶制绒设备
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27
工艺流程
红色:制绒 绿色:漂洗 黄色:酸洗 米色:烘干 粉色:称重;蓝色: 预清洗
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原理-腐蚀速度差别形成金字塔
较快的腐蚀速 度 较慢的腐蚀速 度
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原理-各因素分析
硅的刻蚀速率与表面原子密度、晶格方向、掺杂浓度、腐蚀液成分、 浓度、温度、搅拌等参数有关
1. 2.
NaOH浓度 无水乙醇或异丙醇浓度
3.
4. 5. 6.
制绒槽内硅酸钠的累计量
制绒腐蚀的温度 制绒腐蚀时间的长短 槽体密封程度、乙醇或异丙醇的挥发程度
温度越高腐蚀速度越快
腐蚀液浓度越高腐蚀速度越快
IPA浓度越高腐蚀速率越慢 Na2SiO3浓度越高腐蚀速率越慢
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原理-氢氧化钠影响
0.5%
1.5%
5.5%
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原理-温度影响
80℃ 85℃ 90℃
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原理—IPA影响
0％ 5％
10％
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什么样的是“好的”金字塔
小而均匀 布满整个硅片表面
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陷光原理图
上的反射、折射和透射
当入射光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面形成 二次吸收或者多次吸收，从而增加吸收率。
在绒面硅片上制成PN结太阳电池，它有以下特点:
1.RENA制绒工序作业指导书
文件修订记录目录1.目的 (3)2. 范围 (3)3. 职责 (3)4. 内容 (3)5. 记录 (3)6. 附件 (4)1. 目的规范多晶硅电池片生产中制绒工序的各项操作。
2. 范围用于本公司156 多晶电池片生产中RENA 清洗机制绒工序的操作作业指导。
3. 职责3.1 所有操作人员都必须严格按照本文件进行操作。
3.2 在操作过程中遇到问题应及时向工艺和设备人员反应，工艺和设备人员及时提供帮助。
3.3电池技术部负责按文件要求对产线进行检查、监督。
4. 内容4.1 制绒工序注意事项规定，见5-8页。
4.2 RENA制绒上料操作作业指导书（多晶），见9-10页。
4.3 RENA制绒流程操作作业指导书(多晶)，见11-12页。
4.4 RENA制绒下料操作作业指导书（多晶），见13-14页。
4.5 减薄量测试作业指导书, 见15页。
4.6返工片操作作业指导书，见16-20页。
4.7产线异常控制作业指导书，见21页。
4.8 D8反射率使用作业指导书见22-23页。
5. 记录5.1 制绒减重反射率记录表（电子版）5.2 制绒换液记录表5.3 制绒工艺日常点检表5.4 电池生产流程单6. 附件6.1制绒常见异常处理方法（设备），见24-25页。
6.2多晶制绒工艺流程图，见26页。
6.3 化学品安全使用和应急处理，见27-28页。
制绒工序注意事项规定1．制绒工序区域环境要求1.1 洁净度：控制线8000 级，停产线10000 级1.2 温度：22±2℃1.3 湿度：<70%1.4 对参观通道保持3pa 正压1.5 排风：（500±50）Pa(RENA 机排风)2．着装及劳保用品使用要求2.1 人员着装要求：现场作业人员、支持人员须穿戴整齐（包括公司配备的洁净服、洁净帽、工作鞋、口罩）并保证着装整洁（如脏污须清洗或更换）。
2.2 手套使用要求：现场作业人员须戴乳胶手套作业，沾污、破损必须更换新手套；手动放片每两小时更换一次手套，出入车间后更换手套。
清洗工艺培训
清洗工艺培训清洗分为一次清洗和二次清洗，一次清洗是指扩散前清洗，二次清洗是指扩散后清洗。
一、一次清洗：1.目的：a)去除硅片表面可能污染的杂质，杂质大致可归纳为三类：1、油脂、松香、蜡等有机物质。
2、金属、金属离子及各种无机化合物。
3、尘埃以及其它可溶性物质，这些污染物需要通过一些化学清洗剂清洗达到去污的目的。
b)去除硅片表面损伤层，这是由于机械切片后，在硅片表面留下的平均为3～5 m厚的损伤层，这层损伤层可以通过酸性和碱性两种腐蚀液进行去除。
c)在硅片表面制备绒面，绒面相对光面可以减少光在其表面的反射损失，充分利用太阳光，目前比较常用的有应用在单晶绒面制备的碱性制绒液（绒面如图1）和用在多晶绒面制备的酸性制绒液（绒面如图2）。
图1碱制绒制作的金字塔绒面图2酸制绒制作的气泡形腐蚀坑2.质控点：a)减重（亦称减薄）:硅片经过化学试剂的去污、去损及制绒后重量的减少称为减重，通过减重的监控可以间接反映腐蚀过程的变化，减重的稳定有利于后道工艺稳定及我们最终产品的质量提升。
b)反射率：因为一次清洗一个重要的目的是通过制绒，降低硅片表面反射率，反射率的大小会最终影响到电池对光的吸收从而影响效率。
一般原硅片反射率28%左右，经过一次清洗制绒单晶反射率可以达到13%左右，多晶在25%左右。
3.设备简介：a)SC单晶制绒机：系捷佳创槽式自动清洗机，每200片为1个批次，共12个槽位，1-4槽为前清洗，起到去污及去损伤的作用，5-8为制绒槽，制绒的关键槽，9-12为制绒后清洗，主要是用来去除制绒时硅片表面附着的生成物和残留液。
b)SC单晶酸洗机：同样为捷佳创槽式自动清洗机，每200片1个批次，共6个槽位，该设备放置扩散间，1、3槽为酸槽，其余槽分别为漂洗和喷淋。
c)甩干机：目前有无锡瑞能、四十五所、奥曼特三种甩干机，采用离心法进行硅片脱水，每次甩干150片。
d)RENA-intex：德国RENA在线式酸制绒设备，与槽式不同的地方就是连续滚动上片，单多晶兼容，设备外观如图1，整体工位布局平面图如图2，图1，设备外观图2，整体工位布局平面图工艺流程图分三段，流程图如下图，第一段制绒、吹干、漂洗，主要是起到去除损伤层制备绒面的作用；第二段碱洗漂洗，主要是起到去除多孔硅的作用；第三段酸洗、漂洗、吹干，主要是起到络合重金属离子的作用。
RENA制绒工艺说明
RENA 制绒工艺主要包括三部分： 硝酸与氢氟酸混合液 → 氢氧化钾 → 盐酸与氢氟酸混合溶液 在制绒过程中，首先是硝酸在损伤层与缺陷处将硅片氧化，形成氧化硅，然后氢氟酸与氧化 硅反应生长 硅的络合物（H2SiF6）与水，这样去损伤层与制绒同时进行，从而缩短了工艺流程。 制绒之后的硅片经过 KOH 溶液去除硅片表面的多孔硅，再经过 DI 水冲洗去掉表面残留的碱液。 最后利用 HF 与 HCl 的混合溶液除去硅片表面的各种金属离子等杂质，并用 DI 水冲洗酸性表面，最后用 压缩空气将硅片表面吹干。 5.2 制绒过程的反应方程式如下： 1) Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O
2) SiO2+4HF=SiF4+2H2O 3) SiF4+2HF=H2SiF6 5.3 制绒工艺流程： 上料→HNO3、HF 制绒→风刀 1→冲洗 1→KOH 腐蚀→风刀 2→冲洗 2→HF、HCl 清洗→风刀 3 →冲洗 3→风刀吹干→下料。 5.4 注意事项： 1）、腐蚀槽的腐蚀速率会随着硅片清洗量的增加而改变，新换的药液反应速度慢，因此需要 降低带速以 保证腐蚀量在 4.6－4.8 微米，随着生产的进行要求每隔半小时测量一次腐蚀深度，及时调整带速（0.8 －1.1m/min)以保证腐蚀深度在规定范围内。当腐蚀速度稳定后每隔一个小时测量一次腐蚀深度。当腐蚀 深度偏离规定时最好不要更改溶液浓度、溶液比例，因为浓度、比例发生改变腐蚀速度也随之发生变化， 导致腐蚀后硅片表面微观结构发生改变。 2）、腐蚀槽的自动补液量的设定应保证每个班组的手动补液次数不大于 1 次（由工艺人员进行操作）。 3）、当工艺方案因随车间的工艺调整而变化时，工艺人员应当及时通知并做好相应的记录。 4）、制冷机与腐蚀槽之间的流量 Setpoint recirculation flow 不易设置的太小，因为如果流量过小， 会导致制冷机输出的溶液温度降低，不利于工艺的稳定。
RENA设备SOP操作流程-月PM
检查挡板高度
一、用水平仪检测挡板的水平状态。
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二、水平确认无误后，用实物检查，如图取一硅片平放在挡板前。
挡板
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三、沿水平方向轻推硅 片通过挡板上方，仔细 观察硅片与挡板之间的 间距。
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检查CHILLER冷却水管道滤网
首先关闭冷却水进水， 再关闭冷却水回水.
拆下Chiller后面的6个盖板螺丝
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检查CHILLER冷却水管道滤网
用活动扳手旋开图示螺丝，并检查清理内部滤网，之后安装滤网并旋紧螺丝
滤网检查完毕，依次打开冷却水回水，进水.
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检查碱槽冷凝水管是否破裂
1.打开设备盖板. 2.用六角工具拆下碱槽冷凝排外部密封盖板. 3.手动打开冷却水控制阀，在加水的同时观察冷凝排是否漏水.
4.如果发现有水溢出，则拆下冷凝排进行维修，否则装好盖板，完成此步动作.
步骤八 清理废弃滤芯
● 将废弃的滤芯用垃圾袋双层包装，放入设备专用的危险废弃品放置桶 内，并在垃圾袋上显眼位置标识危险品。（正常都是在纸片上注明危 险品并粘贴在垃圾袋上。）
● 在操作时务必装带好必要的PPE，尤其是更换酸槽的滤芯时，要注意 安全。
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பைடு நூலகம்
疏通风刀
● 步骤一 关闭风刀阀门 ，用水枪冲洗风刀
● 松开防尘网螺丝，取下防尘网，用吸尘器清理防尘网正反两面的灰尘
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步骤三 安装防尘网
● 重新安装好防尘网，切勿装反
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清洗排风口处盖板
● 穿戴好防护用品拆下盖板，至清洗房进行清洗，清洗完后安装盖板
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更换RENA上方防尘网
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擦拭滚轮
● 设备人员拆下上料台和下料台的滚轮交由生产人员擦拭
《清洗rena》PPT课件
cleaning
Rinsing
SiF4HF+
Bath
2HF=
HR2inSsiinFg6
SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O
SiFK4OH+ HF= H2SiF6
HF
Drying
总结起来，刻n+ S蚀i 反应分成两步P：SG
n+ Si
n+ Si
1.硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化）。
制作疏水表面
陷光原理图
设备简介
设备名称：InOxside 全称：Inline Edge Isolation and Oxide Etch Machine 中文含义：在线边缘隔离和氧化物刻蚀机（在线湿法刻蚀机&二次
清洗机）
InOxside的主要功能： 去磷硅玻璃 边缘刻蚀 去金属离子
InTex各槽体的功能
查看相应部分的传感器工作状态 擦拭传感器 调节传感器
无液
有液
常见的报警
安全槽泄露报警（上料滚轮会停止） 查看相应安全槽的状况 无液：调试传感器 有液：找出并解决故障，用吸酸车清理液体
冷却系统降至循环的最低温度以下或死机报警（上料滚轮停止） 处理措施：重新启动启动冷冻机 冷冻机开启步骤:开机时选择intex HT →Enter →factrgdefault
去PSG、去边缘
3Si+4HN去O除3+残1余8H的F酸=3H2SiF6+4NO+8H2O
Edge isolation +
Phosphor glass
HF、HNO3、etcHh2inSgO4
制绒培训 adpv
• 单晶绒面
• 多晶绒面
制绒工序使用表单
• • • • • • • 硅片交接记录表 开盒记录表 制绒记录表 质量控制表 库存记录表 装片记录表 送片记录表
表单填写要求
记录数据时的流程：
（1）数据准确 → （3）字迹清晰 → （ 2）内容完整
→
（4）传递及时
硅片领用注意事项
1.确认所领用的硅片批号,是否为计划所排的 批号 计划可以向班长确认,若不符,必须反馈给班 长。 2.硅片外箱有变形或明显撞击而损坏的,不得 领取。 3.认真确认领取的数量，保证无差异。
November 18, 2011
★“7S” 发展 7S
源于日本 整理（SEIRI） 整理（SEIRI） 整顿（SEITON） 整顿（SEITON） 清扫（SEISO） 清扫（SEISO） 清洁（SEIKETSU） 清洁（SEIKETSU） 素养（SHITSUKE） 素养（SHITSUKE） 安全（SAFETY） 安全（SAFETY） 节约（SAVE） 节约（SAVE）
上料
（多晶） 多晶）
1、放片前确认每片硅片的正反面是否有表面异常 ，若无则可正常放片。若有发现则均需单独挑 出记录，并通知质检。 2、从工作台上拿起一打硅片（30-50片），左手 拿稳，右手轻轻错开每次取一片放于轨道上， 放置时使硅片紧贴轨道右边无缝一侧，防止放 片时撬坏片子，按顺序放满5轨道，同一轨道 前后硅片留有大约2-3厘米的间隔。以此类推 ，放完整组硅片后，在放下一组硅片前留大约 30-50cm间隔，以防组间混片。
盐酸 HCL
特性： 特性： 无色至微黄液体。 无色至微黄液体。能与一些活性金属粉 末发生反应，放出氢气。 末发生反应，放出氢气。遇氰化物能产生剧 毒的氰化氢气体。与碱发生中和反应，并放 毒的氰化氢气体。与碱发生中和反应， 出大量的热。具有强腐蚀性。 出大量的热。具有强腐蚀性。
01 RENA InTex制绒设备操作规程
1.目的为了让员工更熟练、安全、有效的掌握RENA InTex制绒设备的开关机流程。
2.适用范围适用于通威太阳能（合肥）有限公司所有电池车间的RENA InTex制绒设备的操作。
3. 规范性引用文件无4. 定义无5.职责权限所有RENA InTex制绒机的操作员工必须熟读并掌握该设备的开关机流程。
6.工作程序6.1 开机程序6.1.1 打开压缩空气、工艺冷凝水及纯水，自来水。
如下图是打开状态。
6.1.2打开电控柜总电源，开启电脑主机，点击“Login”显示图界面，输入用户名及密码，点击“OK”进入。
6.1.3 确认显示屏上各模块溶液显示Full DI 、FUII Chem 和设备门窗都关闭，Ecth Bath显示Not ready, Dryer1、Dryer2显示Ready.6.1.4 在设备背面处，确认KOH槽和酸槽的液面均达到第二液位感应器。
6.1.5 确认主界面中无报警信息6.1.6 点击“Manual”选项，进入手动控制模式。
随后点击“F4”三次进入传动系统。
6.1.7 选择“ALL Conveyor”，并点击“STOP”。
6.1.8 点击如图所示“F10”退回主界面。
6.1.9 点击如图所示“Mode Auto”，待界面上操作单元黄色转变绿色时设备将从Tank中向Etch Bath添加药液，待界面各槽温度稳定下方均显示为绿色Full chemie和绿色Ready.6.1.10 点击界面右下方的“Start”各模块自动运行，则可进行放片操作。
6.2 关机流程6.2.1 点击界面右下方的“Stop”选项。
6.2.2 各模块均停止工作后，点击“Manual”选项，进入手动控制模式。
随后点击“F4”三次，进入传动系统。
6.2.3 选择“ALL Conveyor”，并点击“Start”单击“F10”退回主菜。
6.2.4 进入Manual选项中Etch Bath,点击Drain bath,即把Etch bath 槽内的药液排到Tank 内。
电池片工艺流程
电池片工艺流程一、电池片工艺流程：制绒(intex)---扩散（diff）----后清洗（刻边/去psg）-----镀减反射膜（pecvd）------丝网、烧结（printer）-----测试、分选（tester+sorter）------包装（packing）二、各工序工艺了解：（一）前清洗1.rena前冲洗工序的目的：（1）去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤）（2）去除表面油污（利用hf）和金属杂质（利用hcl）（3）形成起伏不平的绒面，利用陷光原理，增加对太阳光的吸收，在某种程度上增加了pn结面积，提高短路电流（isc），最终提高电池光电转换效率。
2、前冲洗工艺步骤：制绒→碱洗→酸洗→揉搓etchbath：刻蚀槽，用于制绒。
所用溶液为hf+hno3，作用：（1）.除去硅片表面的机械受损层；（2）.形成无规则绒面。
alkalinerinse：碱洗槽。
所用溶液为koh，促进作用：（1）.对形成的多孔硅表面进行清洗；（2）.中和前道退火后残余在硅片表面的酸液。
acidicrinse：酸洗槽。
所用溶液为hcl+hf，作用：（1）.中和前道碱洗后残余在硅片表面的碱液；（2）.hf可去除硅片表面氧化层（sio2），形成疏水表面，便于吹干；（3）.hcl中的cl-存有随身携带金属离子的能力，可以用作除去硅片表面金属离子。
3.酸制绒工艺涉及的反应方程式:hno3+si=sio2+nox↑+h2osio2+4hf=sif4+2h2osif4+2hf=h2[sif6]s i+2koh+h2o→k2sio3+2h24.前冲洗工序工艺建议（1）片子表面5s控制不容许用嘴巴片子的表片，必须很湿手套，防止蔓延后发生脏片。
（2）称重a.自噬体片子的腐蚀深度都必须检测，不容许捏造数据，混用批次等。
b.要求每批测量4片。
c.摆测量片时，把握住平衡原则。
例如第一批放到1.3.5.7道，下一批则放到2.4.6.8道，易于检测设备稳定性以及溶液的光滑性。
RENA操作流程
RENA 制绒工序操作流程1 主题内容本文规定了多晶制绒工序的基本操作流程。
2 适用范围本规定适用于多晶制绒工序。
3 内容3.1 生产准备3.1.1 进入车间室时必须穿好工作服、工作鞋，戴工作帽、手套和防尘口罩，衣着标准严格按照6S 执行，不得穿着工作服在车间外活动，进入车间必须走风淋门。
3.2 操作流程3.2.1 上料3.2.1.1用小推车将硅片运至RENA 机上料处3.2.1.2去除硅片内包装（如果有），将硅片放入专用泡沫箱中。
每一百片硅片一组隔开放置，3.2.1.3 取一摞（100片）硅片检查有无缺角隐裂碎片崩边油污等不良片，然后将硅片按规定的线痕方向承载盒中，双手提起承载盒将其放入上料机。
用气枪在平行于硅片表面方向将硅片吹开防止叠片。
3.2.1.4 点击“吸完为止”使其变红，点选与RENA 匹配的带速按钮，按下工艺启动按钮待机械臂行至原点后再次按下工艺启动按钮开始生产3.2.2 测腐蚀量取10至15片硅片使用电子天平依次称重记录，将称好的硅片按称量顺序放入腐蚀量专用花篮中，拿到上料处。
开始生产前取一片称好硅片放在RENA 机第三道待其流出后称重计算出腐蚀量，合格后开始生产，如果不合格通知工艺人员调整制绒液浓度。
3.2.3 下料3.2.3.1 将花篮按箭头向上的方式放在下料机花篮缓冲区传送带上，缓冲区最多放三个花篮。
3.2.3.2点选与RENA匹配的带速按钮，按下工艺启动按钮启动下料机。
3.2.3.3 待花篮插满硅片后，将花篮自下料处拿起放到货架上，非制绒面朝向下料人。
3.3 仪器/工具/材料3.3.1 仪器：启天上下料机，RENA制绒机3.3.2 工具：承载盒、花篮。
3.3.3 材料：硅检后硅片3.4 注意事项：3.4.1 注意观察上料处如有碎片、叠片将碎片叠片及时取出。
3.4.2 开始生产后每500片测腐蚀量一次。
生产2000片后每2000片测腐蚀量一次。
3.4.3 rena机临时停机后复产需降低带速，腐蚀量正常后逐步提高带速3.4.4 检验硅片时严禁用裸手直接接触硅片。
清洗笔试试卷
设备清洗工序笔试卷说明:1. 本试卷共有（）题2. 考试时间为（ 1 ）小时3. 合格成绩为80分以上㈠解释如下英文单词的中文意思（每空两分）alkaline( 碱 ) loading（加载） conveyor ( 滚轮 )rinse ( 清洗 ) offset ( 偏移量 ) change bath ( )fill bath ( 把药液从tank添加到bath内 ) air knife ( 风刀 ) flow meter ( 流量计 ) PM ( 保养 ) bath lifetime( 槽内药液剩余使用时间 ) chiller ( 冷却机 )㈡选择题（请将正确答案填入括号内，每道三分）1.RENA制绒（刻蚀）槽共有（B）温度传感器。
.A. 4 B.3 C. 5 D.62.RENA 设备的上下料共有多少计数传感器（ A ）。
A.16B.08、C.4、D.123. RENA设备的PM有那几种（ABC ）。
A. Year PMB. Monthly PMC. Weekly PMD. Daily PM4. RENA设备HF槽液位报警，可能由下列（ AC ）原因造成。
A.传感器故障。
B.传感器由于震动，导致传感器位置松动。
C. HF槽的溶液不够导致报警。
5. RENA设备滚轮无法开启，可能由下列（ ABCD ）原因造成。
A.排风压力不够B.紧急停止按钮备按下C.滚轮的驱动器损坏D.压缩空气停止供应6. 下列化学槽（ ABC ）具有腐蚀性，维修过程中要做好防护。
A .刻蚀槽 B. 碱洗槽 C.酸洗槽 D.水洗槽7.设备在待料后，要做那些工作（ BC ）。
A. 清洗碱槽B. 把刻蚀槽的溶液drain 到tank中。
C. 让设备的滚轮运行在手动状态8. 更换滤芯要做好如下那些工作（ ABCD ）。
A.设备停机，把设备打到手动状态。
B. Drain 掉要更换滤芯的bath里的溶液。
C.等到bath的状态显示为empty.D. Fill DI,清洗bath,清除碎片，等待更换溶液。
晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序讲解
180s 喷淋
使硅片更 易脱水
氢氟酸
去除酸 液
纯水
常温 180s
常温 180s
ccoonnffiiddeennttiaial l
2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺
各种药液的作用
1.异丙醇：降低硅片表面张力，减少气泡在硅片表面的吸附，使金字塔更加均匀一致。 2.添加剂：
-降低硅表面张力，促进氢气泡的释放，是金字塔更加均匀一致。 -增加溶液的粘稠度，减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀力度，增强腐蚀的各向异性 3.HF酸：去除硅的氧化物，使硅片更易脱水 4.HCL：去除金属离子
作用
溶液
温度 时间 辅助
去杂质颗 粒
纯水
去杂质 颗粒
纯水
60℃ 300S 超声
60℃ 300s
形成金字 塔绒面
IPA、添加 剂、NaOH
78℃
形成金字塔 绒面
IPA、添加 剂、NaOH
78℃
去除 碱液 纯水
常温
去除金 属杂质
盐酸
去除酸 液
纯水
常温 常温
900s 鼓泡
900s 鼓泡
180s 喷淋
180s
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2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺
多晶制绒生产流程:
领料 上片 制绒 水洗 碱洗
吹干 水洗 酸洗 水洗
注意事项：
1.禁止裸手接触硅片； 2.上片时保持硅片间距40mm左右； 3.制绒时带速禁止随意改动； 4.下片时注意硅片表面是否吹干； 5.制绒清洗完硅片要尽快扩散，滞留时间不超过1h。
损伤层
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1、清洗制绒的作用及方法
InTex_InOxside中文操作手册
1. 在这个部分里，你将找到新HF/HNO 的充填方法指示。机器的状态应该 是，蚀刻槽以及储液罐水被排干并且清洁。 2. 选择想要的recipe 从menu “Parameter > Parameter Administration”. 3. 检查化学品的比例和第一次充填的体积在menu “Parameter > Parameter2”
Draft Version
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RENA InTex 操作指南
Figure 6: Parameter > Parameter 2: Setup for new etch bath 3. 确认首次配液时各化学品的浓度配比，在“Manual > Etch Bath” named “Setvolume firstfill” 4.检查化学供应，特别是药房各化学品的余量 5.在选单menu “manual > etch bath”,点击 “mode man.”将槽更改为手动模式
2.2.20 若门未正确地调整好位置，Alert 警报会出现。再次登录，调整好门的位置，按 F1 消除警报，再登 出。 2.2.21 关掉设备的显示，关闭电源。
3. 槽的清洗及药液更换
3.1 旧药液槽的处理
3.1.1 蚀刻槽（Etch bath） 1.选择菜单Manual >etch bath
Draft Version
纯水：
纯水压力应在 4Bar，温度在 20 摄氏度
冷却水：
进水温度应在 20 摄氏度以下，进水回水压力差应在 3Bar 以上
化学品供应： 在软件界面下，点击Ｆ10 查看各 Media Supply 均正常供应（尖头均为绿色） 图片 1
RENA清洗员工培训
返工片挑选
控制点 工序 类型 油污、微晶片 一次清洗 上料台 二次清洗 膜未去干净 每片 标示为“膜未去干净”、返回 PECVD 通知工艺人员确认 检查频次 每片 异常片处理 挑出后集中处理 处理流程 通知工艺人员和质量人员确 认
外围设施
纯水：电阻率≥15M .cm、压力≥3bar 循环冷却水：温度≤18℃，进出水压差≥3 bar 压缩空气：压力≥6 bar
设备设施
风刀压力： ≥ 150 Nm3/ h 漂洗槽进水流量： ≥ 600L/h
工艺要求
•
上料 1、手套戴法：内层汗布手套 + 外层乳胶手套 更换频率：每一小时需更换手套，出入车间更换手套 2、将不同片源、不同批次、不同厚度的硅片区分开来，并分别开流程卡(流程卡 上注明以上所有信息)。 3 3、制绒槽新换液的第一个班，要在流程卡上注明“新换液”字样，有利于PECVD “ ” PECVD 调整工艺。 4、上料过程中如发现有油污片、发亮片、微晶片(片源有“微晶片”说明的除外)等 异常情况，需挑出集中处理并告知工艺员。 5、将缺角、隐裂等不合格硅片挑出，退库。
各槽换液频率
•
制绒(一次清洗)
类型 156多晶 125多晶 制绒槽 30±5万片 45±5万片 碱洗槽 每班交接班时 每班交接班时 酸洗槽 每天夜班结束时 每天夜班结束时 漂洗槽 每班交接班换液 每班交接班换液
•
注：生产如需停产≥24小时，所有槽内溶液应排掉，并清洗干净。 刻蚀(二次清洗)
类型 156多晶 125多晶 制绒槽 140±10万片 140±10万片 碱洗槽 每班交接班时 每班交接班时 酸洗槽 每天夜班结束时 每天夜班结束时 漂洗槽 每班交接班换液 每班交接班换液
EM-EOP-084B 清洗段RENA设备月保养作业指导书.
步骤二：一人负责对槽内所有风刀进行清洗。
步骤三：一人对设备维修面过滤桶内滤芯进行清洗或更换。
步骤四：一人对设备内碎片进行清理（如图以出料槽为例）
步骤五：对设备上冷却水管上3处滤网进行清理，防止滤网被堵，导致设备槽体降温效果不好。
步骤六：检查碱槽冷却水管是否破裂
步骤七：排掉冷却机内的水和乙二醇，重新添加乙二醇（用量20L），主要为了降低冷却机水箱内的电导率，保证水箱内不结冰。
步骤八：对设备电柜，热风机，设备顶端过滤网进行清理
步骤九：清洗各槽液位管，防止液位感应器误感应步骤十：清洗排风口盖板
步骤十一：检查电柜接线端子是否松动
步骤十二：检查各传感器工作是否正常
步骤十三：对设备主传动进行目视检查
（
对槽体滚轮进行水平检查
步骤十五：通知工艺进行配槽，要求产线人员对设备上下料滚轮用酒精进行擦拭。
操作步骤：
用酒精对滚轮进行擦洗，保证工艺卫生。
注意事项：
所需工具：无尘纸，酒精
所需工具：无
步骤十六：用50片假片手动放入设备，并跟踪，确保设备能
够正常运行。
多晶清洗操作手册
多晶清洗培训手册第一章设备及参数简介1.多晶清洗的概念及基本原理。
现行工艺中的多晶清洗是将去损工艺和制绒工艺相结合的清洗工艺。
工艺原理是利用HF-HNO3为反应液在硅片表面进行各向同性腐蚀，使得硅片表面形成类似半球形状的“凹陷”。
2.多晶清洗的设备组成。
图一图二图三图四清洗制绒设备每条线包括一台RENA和自动上卸片机各一台，其中RENA共有六个槽体，分别为刻蚀槽、水洗槽、碱洗槽、水洗槽、酸洗槽（HF+HCL）、水洗槽，最后还包括一个烘干区（如图四）。
其中，刻蚀槽是形成绒面的反应槽，图一显示为刻蚀槽主槽，生产状态下主槽内浸满药液，硅片浸在药液中进行反应（由于反应放热，而我们工艺要求的温度在10度左右，图二为冷却柜，生产状态下药液会经过冷却柜进行循环，以达到降温目的）；碱洗槽的作用是去掉硅片在刻蚀槽中的反应产物多空硅，酸洗槽的作用是去掉重金属离子及表面氧化层，每个槽末端都带有一个风刀，其作用是将药液吹回前一个槽,以防止药液间互相污染；自动上片机的作用是实现自动化上下料，以降低碎片率和人为污染。
注：酸槽、碱槽、三个水洗槽,都如图三为喷淋形式，硅片并未浸在药液中（酸洗槽除外---虽然酸槽为喷淋式，但片子仍要求浸在药液中）。
3.多晶清洗参数控制我们只对经常用到的一些界面参数做简单介绍，若需要进一步了解电机参数，请参照设备说明书。
◆刻蚀槽（1）Firstfill volume：初始配液药液的总体积。
（2）Concentrations of chemical（HNO3）：为初始配液HNO3的设定浓度，单位为g/L。
（3）Concentrations of chemical（HF）：为初始配液HF 的设定浓度，单位为g/L。
（4）Quality（Kg）：此项是对药液使用时间的规范，要求反应掉“100”Kg的硅重新配液。
（5）Sillconentry for replenish HNO3（Kg）：每反应掉（0.050）Kg的硅，自动填加一次HNO3。