TE电路保护部凭借创新2Pro AC器件 荣获声名卓著的中国电子成就奖
2023年继续教育集成电路作业(八)
2023年继续教育作业(八)集成电路一、单选题（共3题，每题20分）1、按（）来份，集成电路分为双极型和单极型。
答案： D、导电类型2、光生伏特效应是由（）发现的。
答案： D、法国科学家贝克雷尔3、EMIB理念跟基于硅中介层的2.5D封装类似，是通过（）进行局部高密度互连。
答案： C、硅片4、（）是指的在材料结构、工艺品质和精度、可靠性以及稳定性等性能方面，达到了半导体设备及技术要求的零部件。
答案： B、半导体零部件5、从区域分布情况来看，我国集成电路企业（）密度最高。
答案： C、长三角二、多选题（共5题，每题8分）1、芯片核心设备主要有（）。
答案： D、芯片封测设备 E、晶圆制造设备2、韩国三星属于集成电路垂直整合制造厂，具备（）全流程能力。
答案： A、设计 B、制造 C、封装测试3、2020年国务院出台的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》中明确提出，进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业（）。
答案： A、创新能力 C、发展质量4、在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的（），经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例（）后映射到硅片上，然后使用（）方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
答案： A、掩模 B、缩小 C、化学5、就半导体工艺整体而言，（）和（）两个环节的技术壁垒极高。
答案： A、硅片制造 B、芯片制造三、判断题（共5题，每题6分）1、硬核是用硬件描述语言或软件编程语言描述的功能块。
答案：错误2、据掺杂杂质不同，我们把半导体可以分为N型半导体与P型半导体，P型半导体主要掺杂的是五价元素，如磷、砷等。
答案：错误3、集成电路产业在国民经济中的关键性和战略性作用日益凸显。
答案：正确4、整体来看，汽车芯片产业链的重点企业基本为国内企业，国外的领先企业数量不多。
答案：错误5、社会各界对维权援助机构的了解度较高。
2022年集成电路专题讲座课后作业
返回继续教育系统首页我的课程服务指南集成电路专题讲座总分：100及格分数：60考试剩余时间：1时56分37秒单选题（共7题，每题5分）2、现阶段已商业化的SiC产品主要集中在（）电压等级，3300V以上电压等级器件尚处于工程样品阶段。
A、650V-4700VC、650V-2700VD、650V-1700VD6、MCU芯片是（）。
A、驱动类芯片C、计算类芯片D、电源类芯片B7、砷化镓的器件的缺点是功率较低，低于（）。
A、50WC、150WD、200WA判断题（共7题，每题5分）1、1963年，日本电气股份有限公司（NEC）获得了仙童半导体公司的技术授权。
正确2、FPGA设计完成后，无法改动硬件资源，灵活性受限。
错误3、传统存储器通过结构优化、材料升级等也可形成新型存储器。
正确4、目前最先进的SOC设计还远远未达到制造工艺和材料物理属性的极限限制。
错误5、1989-1992年，日本超越美国，成为全球最大的半导体生产国。
正确6、未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。
正确7、异构集成是指将单独制造的组件集成到更高级别组装，总体上提供更强的功耗和改进的操作特征。
交卷返回继续教育系统首页我的课程服务指南集成电路专题讲座总分：100及格分数：60考试结果相关信息：未合格，您的总分为：30单选题（共7题，每题5分）3、连接芯片设计工作和IT基础架构的重要环节是？（）答案：C、EDA技术支持正确答案：B、CAD服务4、SRAM的响应通常可以做到（）级别。
答案：D、毫秒正确答案：B、纳秒5、（）是数字经济最有价值的资源，作为数字经济全新的、关键的生产要素，贯穿于数字经济发展的全部流程，将引发生产要素多领域、多维度、系统性的突破。
答案：A、算力正确答案：B、数据1、（）是全球MEMS行业最大的一个应用领域。
答案：A、工业正确答案：D、消费电子多选题（共6题，每题5分）1、碳化硅下游主要应用场景有（）。
有志不在年高八旬“芯片之母”造出“中国芯”
有志不在年高八旬“芯片之母”造出“中国芯”作者：朝阳来源：《职工法律天地》2022年第02期芯片（即集成电路），是人类最伟大的发明之一，可以说当今世界几乎所有产业都离不开它。
2020年以来，美国人以芯片为武器，对我国高科技企业进行疯狂打压。
所幸的是，事关我国命脉的国防等核心事业没有受到影响，因为早在几年前，我国就研发出了具有完全独立知识产权的“龙芯”，谁也别想用它来卡我们的脖子！其中，被誉为“中国芯片之母”的黄令仪功不可没。
生于忧患，从小种下科技梦黄令仪原名廖文蒂，1936年出生在广西全州县，父亲是广西博物馆的创始人和首任馆长，母亲是广西化学研究院的第一代工作人员。
“小时候，日本鬼子的飞机经常来我们生活的桂林上空扫射或轰炸，记忆中我总是跟着父母东躲西藏，每日食不果腹，活着便是最大的幸运。
”黄令仪想不通，不止一次地问妈妈：“听说日本离我们国家很远，我们又没惹他们，他们为什么要轰炸我们？搞得我们连学都没法上了。
”妈妈含泪告诉她：“因为我们国家太贫穷，太落后了！孩子，你要记住，在这个世界上，落后就会挨打。
你长大后，一定要好好读书，用知识报效国家……”从那以后，在黄令仪心里，就埋下了一颗种子：将来一定要好好读书，让祖国不再挨打。
新中国成立时，黄令仪正在桂林桂山中学读书，因为父母旧时代的身份问题，一时没安排工作，一家人连吃饭都成了问题，也拿不出钱来供她读书。
黄令仪不甘心，实在走投无路之际，她找到学校团委书记。
团委书记知道她是个品学兼优、好学上进的好学生，就顶着压力为她开具了免学费和发放助学金的证明。
当黄令仪拿着证明跑回家时，妈妈搂着她喜极而泣：“孩子，你做得对！人只要有饭吃，就不能放弃读书。
不过你要记住，是国家给了你继续读书的机会，你一定要努力学习，将来报答国家。
”黄令仪拼命点头。
高中毕业后，黄令仪如愿考上了华中工学院（现华中科技大学）。
她知道上大学的机会来之不易，所以学习起来特别刻苦，各方面表现优异。
大学毕业后，她被学校选派送往清华大学进修，“当时国家正大力发展科学事业，清华大学为此开设了半导体专业。
实用类文本阅读：“中国芯”（有答案）
实用类文本阅读（本题共3小题，12分）材料一：日前，华为在北京发布了全球首款5G 基站核心芯片——华为天罡，致力打造极简5G ，助推全球5G 大规模快速部署。
华为秉承“把复杂留给自己，把简单留给客户”的理念，积极投入、持续创新。
华为可提供涵盖终端、网络、数据中心的端到端5G 自研芯片，支持“全制式、全频谱（C Band 3．5G 、2．6G ）”网络，并将最好的5G 无线技术和微波技术带给客户。
华为常务董事、运营商BG 总裁丁耘表示：“华为长期致力于基础科技和技术投入，率先突破5G 规模商用的关键技术；以全面领先的5G 端到端能力，实现5G 的极简网络和极简运维，推动5G 大规模商业应用和生态成熟。
”据介绍，华为发布的全球首款5G 基站核心芯片——华为天罡，在集成度、算力、频谱带宽等方面，取得了突破性进展：极高集成，首次在极低的天面尺寸规格下，支持大规模集成有源P A （功放）和无源阵子；极强算力，实现2．5倍运算能力的提升，搭载最新的算法及波束赋形，单芯片可控制高达业界最高64路通道；极宽频谱，支持200M 运营商频谱带宽，一步到位满足未来网络的部署需求。
同时，该芯片实现基站尺寸缩小超50%，重量减轻23%，功耗节省达21%，安装时间比标准的4G 基站，节省一半时间，有效应对站点获取难、成本高等挑战。
（摘自中国经济网《华为发布全球首款5G 基站核心芯片》）材料二：专家预测，“十三五”期间，我国集成电路产业仅芯片设计人才需求达14万人，而同期全国高校培养规模约10万名，算上30%的流失率，真正进入到这个行业的人才不到7万人，缺口近半。
迫在眉睫的中国芯在此刻，迫在眉睫的中国芯在此刻，不仅要避免急功近利，不仅要避免急功近利，不仅要避免急功近利，更要以长远眼光在人才的培养更要以长远眼光在人才的培养和挖掘上下苦功夫，遵循市场规律，在夹缝中砥砺前行，才能保证企业的健康稳步发展。
中国芯想要真正逆袭，面临诸多挑战，一个是技术差距，中国芯想要真正逆袭，面临诸多挑战，一个是技术差距，另一个是制作水平的薄弱。
2022年继续教育科研立项及成果坚定参考答案
2022年继续教育科研立项及成果坚定参考答案“汉芯”造假事件给我们的教训不包含()?A、浪费了大量国家的科研经费B、打击了为我国芯片产业事业而奋斗的大量科研人员自信心C、学术需要严谨，诚信是任何事业发展的基本条件D.造假可以鼓舞士气，可以少量适当的做一做参考答案：D以下哪项关于超精密加工的说法错误?A、普通加工、精密加工和超精密加工只是相对概念，其界限随时间会发生变化B、普通加工、精密加工和超精密加工有严格且不会变化的区分界限C、在尖端产品和现代化武器制造中占据重要地位D、是衡量一个国家先进制造技术水平的重要标志之一参考答案：B2009年美国Autodesk公司在中国将AutoCAD及相关产品降价80%，所引发的思考不正确的是?A、这就是国产工业软件发展中所常遇到的市场挤压困境B、既然降价就欣然接受，不用再过分强调发展自己的国产软件了C、说明该领域获得了新的突破D、正是国产工业软件开发者不断地进取，才能获得用户有利的市场参考答案：B数控装置是数控机床的核心，可比喻成机床的()?A、感官B、骨骼C、肌肉参考答案：D生成三视图中左视图的方法是()A、向XOY平面直接投影B、向XOZ平面投影，平移C、向YOZ平面投影，平移D、向XOY平面投影，平移参考答案：B为了改善技术系统的某个参数，导致该技术系统的另一个参数恶化，称为()。
A、物质矛盾B、物理矛盾C、效应矛盾D、技术矛盾参考答案：D通过用小人表示系统，能动小人地引入，突破了思维定势，思考的过程由一个人的思考变为两或多人的思考，这种创新思维方法称为()。
A、STC算子B、小人法C、金鱼法D、IFR法参考答案：B()是一种科幻思想，排中逻辑，层层逼近、幻想成真的创新思维方法。
A、九屏幕法B、小人法D、IFR法参考答案：C物联网应用层特点的描述，错误的是()。
A、应用层分为管理服务层与行业应用层B、管理服务层位于感知层与行业应用层之间C、管理服务层通过中间件软件向应用层屏蔽感知层与网络层的差异性D、利用数据挖掘、大数据处理与智能决策技术，为行业应用层提供服务参考答案：B金鱼法应用的思想过程有哪些()。
“芯片女皇”何庭波曾在湖南师大附中求学
“芯片女皇”何庭波曾在湖南师大附中求学何庭波，中国著名工程师，被誉为“芯片女皇”，是中国第一代IC设计师之一。
她曾就读于湖南师范大学附属中学，这段求学经历对她未来的成就产生了深远影响。
何庭波于1962年出生在湖南省长沙市一个普通家庭。
她从小就展现出了出色的数学和物理天赋，深受父母的鼓励和支持。
在中学时期，她就读于湖南师范大学附属中学，这一段求学经历成为她人生的一个重要转折点。
在师大附中的求学生涯中，何庭波展现出了非凡的学习能力和创新思维。
她对数理化等基础学科有着扎实的功底，经常在学校的各类学科竞赛中获奖。
除了学业上的优异表现，她还积极参与学校的科技创新活动，展现出了卓越的实验和发明能力。
在高中阶段，何庭波就开始对电子技术产生浓厚的兴趣，并开始自学相关知识。
她利用课余时间，深入学习电子学、计算机等领域的知识，自行设计和制作各种电子设备，展现出了非凡的创造才能。
这一时期的自学和实践经验，为她日后成为一名优秀的工程师奠定了坚实的基础。
何庭波毕业于湖南师范大学附属中学后，凭借优异的成绩考入了清华大学自动化系。
在清华大学的学习生活中，她继续展现出了超凡的学术能力和创造才华，成为了学校里的佼佼者。
她在硕士阶段选择了集成电路设计作为研究方向，这也为她今后成为芯片设计领域的专家奠定了基础。
1990年，何庭波加入了美国加州大学伯克利分校的微电子研究中心，成为了该中心的一名研究员。
在伯克利的求学和工作经历中，她深入研究了芯片设计和微电子技术，取得了一系列重要的研究成果，成为业界备受瞩目的新锐力量。
2000年，何庭波回国加入了中国科学院微电子研究所，开始在国内从事芯片设计和集成电路研究工作。
她更是先后主持和参与了多个国家级项目，推动了中国在集成电路领域的发展和创新。
她的研究成果和专利技术不仅在国内引起了广泛关注，还受到了国际同行的高度赞誉。
何庭波在集成电路设计领域的成就为她赢得了“芯片女皇”的美誉。
她的研究和开发成果在中国微电子产业的发展中发挥了重要作用，为国家的科技事业做出了卓越贡献。
2023年国家电网招聘之公共与行业知识提升训练试卷B卷附答案
2023年国家电网招聘之公共与行业知识提升训练试卷B卷附答案单选题（共40题）1、一只布袋中装有大小相同但颜色不同的手套，颜色有黑、红、蓝、黄四种。
至少要摸出几只手套才能确保有3副手套的颜色相同？（）A.6B.9C.10D.12【答案】 B2、以（）的能源开发利用模式，带来了日益凸显的生态环境破坏。
A.传统能源为主B.化石能源为主C.清洁能源为主D.可再生能源为主【答案】 B3、2014 年 10 月 24 日，国家电网下辖 27 个省（市）公司 95598 全业务实现统一集中运营。
至此，全国首个集约化、专业化的公用事业服务平台建成并全面运行。
国家电网 95598客服中心成为国内规模最大、服务人口最多、功能最全（）的中心。
A.信息咨询B.公共服务C.抢修调度D.业务调度【答案】 B4、（）地区存在大量的未开发油气资源（占世界25%）和煤炭资源（约占世界9%）等，近年来已出现了“蓝色圈地运动”。
A.北极B.南极C.中东D.非洲【答案】 A5、下列各句中，句子与修辞方法对应错误的是：A.您的关怀，让我们感受到长辈的慈爱;您的鼓励，让我们扬起了奋斗的风帆;您的渊博，让我们沐浴了知识的阳光;您的奉献，让我们领略了师德的风范：排比B.那边跑来了一群“红领巾”：比喻C.花儿在风中笑弯了腰：拟人D.春蚕到死丝方尽，蜡炬成灰泪始干：对偶【答案】 B6、依托全球能源互联网，取得清洁能源规模化（）和（）效益，能够有效降低电力供应成本。
A.开采；补给B.开采；外送C.开发；补给D.开发；外送【答案】 D7、2018 年 12 月 9 日，经国务院批准设立的我国工业领域最高奖项——第五届中国工业大奖在北京人民大会堂隆重揭晓，向家坝—上海±800 千伏特高压直流输电示范工程荣获本届中国工业大奖，也是国家电网有限公司连续第（）次摘取大奖，创下全国唯一（）次获此殊荣的佳绩。
A.三；四B.四；五C.四；四D.三；三【答案】 C8、下列用语中，符合打电话礼仪的是（）。
韩拯：奋楫争先的“追光人”
韩拯：奋楫争先的“追光人”科学之友 402023-11一路高光是他“追光之旅”的名片韩拯是江苏扬州人，本科考入吉林大学物理学院，开始核物理专业学习。
之后考入中国科学院金属研究所材料学硕士专业。
2010年，他在法国攻读纳米电子学与纳米科技博士学位，导师对于他的评价是：“充满创新活力。
”此后，韩拯作为博士后在美国哥伦比亚大学物理系开展超高迁移率石墨烯-氮化硼异质结构的低温磁电性能方面的研究工作。
2015年10月博士后出站后，韩拯开展新型人工纳米器件的量子输运调控研究，这一研究领域涉及材料、电子、物理等基础研究学科，国际竞争激烈。
在韩拯回国研究期间，他多次与山西大学光电研究所的老师们进行密切的科研合作，在合作中了解到山西大学光电研究所扎实的学风和浓厚的科技底蕴。
2020年，他应邀出任山西大学光电研究所教目前世界上鳍片最薄的鳍式晶体管是中国制造，而它到底有多薄呢？鳍片宽度只有0.6纳米，相当于3个原子的厚度。
这项成果属于山西大学光电研究所教授、博士生导师韩拯，2020年底，他带领团队成员与湖南大学、中国科学院金属研究所等合作，最终成功制备出了世界上最薄的鳍式场效应晶体管。
关于“薄”的研究，就是韩拯的科研探索。
作为一名“85后”科研工作者，韩拯研究的，是尽可能找到二维世界里尺寸非常小的最薄功能材料，堆积成自然界中没有的新结构，探索其新奇有趣的物理性质，再利用这些物理现象来组装制造纳米尺度下的小型电子器件来服务于未来的应用。
多年来，每一次突破都是韩拯“追光之旅”的成果。
文｜李炼授、博士生导师。
“科研是一个不断挑战未知领域、努力创新的过程。
科技教育则是在前人基础上使青年学子们了解已知领域，并热爱上挑战未知领域的过程。
”韩拯坦言，在山西省大力推进科技创新的大背景下，在彭堃墀院士创建的山西大学光电研究所这个平台上，青年科技工作者的发展空间十分广阔。
入职山西大学3年来，韩拯的科研成果多次入选科技领域重要进展，同时在山韩拯人物经纬创新 41西大学光电研究所聚集了一支优秀青年科学家队伍。
普源精电(RIGOL)发布全新5000系列数字示波器
款针对数字预失真(DPD)进行优化的混合式功率倍增器放大器模块，可部署在深度光纤电缆设备节点。
相比传统型节点部署，距离用户端更近，使有线宽带服务运营商大幅节省能耗。
美国许多大型有线运营商都计划明年在网络中部署QPA3250。
运营商通过该设备可以利用现有的混合光纤同轴网络，让深度光纤节点更靠近用户端，同时以更低的运营成本实现千兆位每秒带宽，为用户提供视频、语音和数据服务。
QPA3250可以将功率从18W降低到14W，有助于有线设备提供商、多系统运营商(MSO)和有线运营商降低运营成本，同时保持或提高输出功率以及MER性能。
通过提供加速上行和下行功能，运营商可以提供更好的服务，以满足当今消费者的需求。
近日，亿欧在深圳举办"引擎·引领"2018大湾区国际科创峰会(BATi)。
数千智能制造、智慧城市等行业精英齐聚万科前海国际会议中心，对一众热点问题展开探讨，分析科技创新未来趋势，盘点技术革命下的发展契机。
会上，卓越的工业互联网服务商寄云科技荣誉入选2018中国制造新力量TOP30榜单，标志着在将新科技引入实体经济领域中，寄云科技已经处于领先地位，其成果得到了业界广泛认可。
寄云科技自成立以来，始终站在科技创新和产业应用的最前沿。
寄云NeuSeer工业互联网平台融合了工业企业的关键需求，采用了先进的微服务架构，以及云计算、大数据和物联网等新科技技术。
平台能够帮助工业企业实现设备的智能运维、生产过程的产线优化以及数据支撑的经营分析等工业应用。
苏州普源精电科技有限公司(简称RIGOL)近日正式发布其最新款5000系列数字示波器，作为RIGOL20周年匠心之作推出的新品之一，5000系列数字示波器包含MSO5072、MSO5074、MSO5102、MSO5104、MSO5204、MSO5354六个型号。
此外，5000系列数字示波器与今年5月发布的MSO/DS7000系列数字示波器一样，采用了RIGOL自主研发的ASIC数字示波器处理芯片组，成为RIGOL中国芯家族的新成员。
半导体功率器件的引路人——陈星弼院士小记
—故事纵横Anecdotes半导体功率器件的引路人陈星弼院士小记陈星弼，1931年1月出生于上海，半导体器件及微电子学专家，中国科学院院士，电子科技大学教授、博士生导师。
陈星弼院士1952年毕业于同济大学，分配到厦门大学，次年调到南京工学院，1956年调入成都电讯工程学院随即到科学院应用物理研究所进修半导体，1959年回到成都电讯工程学院工作。
上世纪80年代初，先后在俄亥俄州大学、加州大学伯克莱分校作访问学者。
1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。
曾先后被聘为加拿大多伦多大学电器工程系客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。
他著书7本，发表学术论文110多篇，申请中国发明专利20项（已授权17项），申请美国发明专利19项（已授权16项，另有两项已通知准备授权），申请国际发明专利1项。
获国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项，完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家"八五”科技攻关项目多项。
2015年他因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得第二十七届国际功率半导体器件与集成电路年会（功率半导体领域最顶级的学术年会）颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”（ISPSD2015Pioneer Award）,成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。
2018年，因对超结功率半导体器件的卓越贡献入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。
2019年当选为IEEE Fellowo他在五十年代末就对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析，提出了新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。
八十年代以来，从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究，从理论上解决了提高P-N结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题，作出了一些迄今唯一的理论分析解。
在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上做出了系列重要贡献。
国家荣誉：康鹏电路和“发明证书”
国家荣誉：康鹏电路和“发明证书”文革之前，中国的计算机事业中只有两个项目获得了“发明证书”，其中一个是华东计算所虞浦帆先生的“电灼式快速打印装置”，另一个就是哈尔滨军事工程学院计算机研究室康鹏的“隔离-阻塞式它激间歇振荡器”，这个证书在当年是“国家荣誉”，由聂荣臻副总理颁发。
证书由毛泽东题字，还有一个金质奖章，1万元奖金。
可惜因文革，计划在北京隆重召开的颁奖大会停开，只下发了证书。
因为慈云桂的举荐，康鹏一生事业的起点，就落在中国晶体管计算机的第一个型号——“441-B”。
他实现了对慈云桂教授的承诺，攻克了核心技术“隔离阻塞—推拉触发器”电路，这是他 25 岁时的第一个成果。
国防科技大学的教授：（左起）陈福接、胡守仁、慈云桂、康鹏1961年底，从英国考察回国的哈军工三系副主任慈云桂找学员康鹏单独谈话说：“我有重担让你挑，那是苏联科学院院士那样的人干的事，你干不干？我把这个任务交给你，你有才干，肯挑重担，讲课有胆量。
”慈云桂说的“任务”，就是他在访英时决定上马的晶体管计算机，慈云桂听过康鹏讲晶体管课，欣赏他的勇气和钻研劲头，回国途中就想到了康鹏。
康鹏是哈军工的优秀学员，1959 年就被派赴清华自动控制系进修一年“自动控制”课程。
1962 年 3 月 5 日成立了 441-B 设计组，刘德祯讲师任组长，康鹏、嵇启先为副组长，成员有王振青、任连仲、刘文玺、李忠德、谭信、彭长贵、陈显惠、曹恤如、黄盛忠、林信荣、俞咸宜、周凤武、盛允焕等十余人。
小组放在胡守仁为主任的 404 教研室，当时康鹏是见习助教，主管项目的技术。
康鹏说：“慈云桂对晶体管计算机的热情是无可比拟的，他总说这是一个光荣的任务，是国防科委的项目。
开始项目组以为这仅仅是一种鼓励，后来才知道，真的是国防科委的正式任务，是慈云桂直接向聂荣臻主任要来的任务。
”“那时候，我们几乎每天晚上都到他家去，他住在陈赓院长给教授建造的小红楼，当年住进一整套房子，是很难得的事。
护“芯”使者厚积薄发——记杭州电子科技大学机械工程学院教授董源
创新之路58 科学中国人 2023年7月护“芯”使者厚积薄发——记杭州电子科技大学机械工程学院教授董源 王 芳 祝传海“当电脑因长时间工作而发烫时，用风扇或冰袋降温是办公室一族首先想到的‘绝招’。
这种日常生活中常见的操作便是传热科学的一个典型应用。
”通俗易懂的举例让听众立刻对“传热”这一专业词有了直观理解。
这样“接地气”的表述，是杭州电子科技大学机械工程学院教授董源为做好科普工作而特意采用的方式。
传热现象随处可见，几乎人人都可以说上两句，但在工程技术领域的尖端应用尚待专家学者的深入研究。
董源就是这样一位年轻的专家。
他主要从事高端装备智能制造、工程热物理、半导体材料、人工智能、高性能计算等交叉学科研究，已在国际期刊发表《科学引文索引》（S C I）论文30余篇。
如果说读书之于董源是“厚积”，那工作时他的研究则可视为“薄发”。
通过对传热现象的研究，在半导体新材料（例如石墨烯）的制备、生长及性能研究和电子芯片的热管理方面，董源的创意逐渐转变为能够提升性能、保护精密芯片更好运行的“超能力”，他是半导体的护“芯”使者。
辩证融合推动热质理论发展董源出生于1987年，如今已在传热学领域“摸爬滚打”15年之久，取得了丰硕的研究成果。
回首十多年前，他在填报高考志愿的时候还是一片迷茫，只隐约觉得航天航空专业于国于民都很重要，于是他义无反顾地选择了这条道路。
那时恰逢我国“神舟五号”发射成功，全国上下掀起航天航空热潮。
清华大学成立了航天航空学院。
董源有幸成为新学院的第一批本科生且一直读到取得博士学位。
博士阶段，董源师从我国著名工程热物理学家过增元院士，就热质理论-新概念热学展开研究。
2011年，他与导师一起围绕热质理论建立了玻尔兹曼方程-声子水动力学模型，解释了热质理论的微观基础。
此后，他和团队颇具创新性地将热质理论与非平衡热力学、拓展非平衡热力学理论进行辩证融合，推动了热质理论在传热学与热力学交叉学科领域的发展。
据了解，基于热质理论还可以导出准确预测纳米系统导热过程的宏观模型，对研究具备多尺度精细纳米结构的大规模集成电路的热管理问题具有很高的应用价值。
半导体研究所获奖情况
半导体研究所获奖情况2001年国家自然科学二等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究”王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等北京市科技进步一等奖：半导体神经网络技术及其应用王守觉、鲁华祥、石林初、石寅、王向东等国家最高科技奖黄昆先生2000年半导体所获奖情况：院自然科学一等奖：“自组织生长量子点激光材料和器件研究”王占国、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等院自然科学二等奖：“非晶硅的光致退化机理及消除途径”孔光临、张殿林、廖显伯、赵奕平、岳国珍院科技进步二等奖：“高功率激光二极管列阵”肖建伟、马骁宇、方高瞻、刘宗顺、刘素平等国家科技进步二等奖“670nm半导体量子阱激光器批量生产”郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴曹青何广平潘贵生1999年1. 670nm半导体量子阱激光器批量生产院科技进步一等奖郭良马骁宇陈良惠王树堂李玉璋王丽明茅冬升谭满清杨亚丽张洪琴曹青何广平潘贵生2．新型医药用水装置院科技进步二等奖闻瑞梅沈英立沈英魁杜国栋刘素英栗广勇谢浩波柳光元任民峰半导体所、北京先路水处理新技术公司3．铌酸锂光波导调制器和微波共面传输线的理论研究院自然科学三等奖祝宁华潘裕斌钟宝璇王仁明吴正德半导体所、中山大学、香港城市大学、深圳大学、电子科技大学1998年1. LPE法制备的高效GaAs太阳电池院科技进步二等奖向贤碧汪乐王加宽常秀兰励翠云杜文会葫雨生高俊华王振英上海冶金所、半导体所2．半导体微结构的电子态及有关的物理性质研究院自然科学一等奖夏建白3．InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究院自然科学二等奖李国华韩和相汪兆平刘振先郑宝真4．大功率半导体量子阱激光器国家科技进步三等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英1997年1.大功率半导体量子阱激光器院科技进步一等奖肖建伟陈良惠杨国文徐遵图徐俊英张敬明刘宗顺庄芳捷胡长虹吕卉李秉臣毕可奎刘素平何晓曦李世祖2.砷化镓材料、器件与电路院科技进步二等奖姚林生王占国夏冠群李爱珍孔梅影刘训春郑东范恒何宏家吴德馨杨玉芬徐鸿达杜立新冯先根邹世昌上海冶金所、半导体所、微电子中心3. 1.48 微米掺铒光纤放大器泵浦院科技进步三等奖彭怀德刘德钧阎莉马骁宇王仲明4. 电子工业用气体--硅烷 GB/T 15909--1995 化学工业部科技进步三等奖余京松何道善佘中玉姚奎鸿化工部西南化工研究院、浙江大学、半导体所5.过渡金属和稀土金属硅化物研究院自然科学二等奖许振嘉陈维德丁孙安何杰王佑祥6.III-V族化合物半导体超晶格的喇曼散射研究院自然科学三等奖汪兆平韩和相李国华江德生丁锟7.二次离子质谱分析的应用基础研究院自然科学三等奖王佑祥查良镇姜志雄陈春华8. 长波长分布反馈激光器国家科技进步二等奖王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆天慧良李力马朝华1996年1.1.55微米应变层量子阱分布反馈（DFB）激光器院科技进步一等奖王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆天慧良李力马朝华毕可奎胡雄伟边静祝亚芹王白霞王志杰2.ф2”和ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究院科技进步二等奖林兰英曹福年白玉珂惠峰卜俊鹏刘明焦吴让元何宏家3.DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器院科技进步二等奖王守觉樊崇德石寅王怀荣朱荣华齐荔陆剑侠陶淑艳半导体所、电子部47所4.减压薄层硅外延片的研制院科技进步三等奖梁骏吾郭钟光邓礼生刘素英郑红军5.轨距及轨向检测装置铁道部科技进步二等奖邓兆阳（第五）许善兴（第六）半导体所为第四完成单位6.Recursion 方法及其在复杂杂质问题中的应用院自然科学三等奖王永良7.环境中砷的治理和检测新方法、新设备国家科技进步三等奖闻瑞梅梁骏吾周淑君赵振环刘任重8.一种电路新结构新原理多元逻辑（DYL）及其实用化国家发明三等奖王守觉石寅鲁华祥尹元茂李远境宋振华1995年1.低阈值1.3um InGaAs/InP 双区共腔双稳激光器院科技进步一等奖张权生吴荣汉林世鸣王启明高洪海高文智吕卉王丽明马朝华刘文旭韩勤段海龙张洪琴卢秀玲杜云2.高质量GaAs/AlGaAs二维电子气材料研制及其器件应用院科技进步二等奖梁基本朱战萍徐波廖奇为孔梅影林兰英王占国杨斌李伟3.“31”工程用一期（首批、二批）抗辐射院科技进步三等奖加固CMOS/SOS集成电路研制刘忠立和致经郁元桓于芳杨钦英4.半导体超晶格量子阱喇曼散射微观理论院自然科学二等奖朱邦芬黄昆汤蕙5.俄歇电子能谱定量分析及有关效应的研究院自然科学二等奖陈维德崔玉德6.半导体应变超晶格的会电子束衍射研究院自然科学二等奖半导体所为第三完成单位注：无档案材料无法确定名单7.稀土－铁－硼及稀土－铁－氮永磁材料的理论研究院自然科学三等奖顾宗权赖武彦8.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器国家科技进步三等奖陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影1994年1.MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用院科技进步二等奖杨辉梁骏吾邓礼生郑联喜胡雄伟张霞李建中葛璜李秉臣2.环境中砷的治理和检测的新方法、新设备院科技进步二等奖闻瑞梅彭永清邓礼生刘任重陈朗星刘成海注：无报奖材料，名单仅供参考3.非晶硅图像传感器线型阵列的研制院科技进步三等奖郑怀德廖显伯孔光临刁宏伟周帆4.氢离子敏场效应器件（与微电子中心合作）院科技进步三等奖李东研崔成烈李志强黄晓兰洪重光5. 电子束掺杂研究院科技进步三等奖王培大（排名第二）半导体所为第二完成单位注：无报奖材料，名单仅供参考6.低维半导体量子输运院自然科学一等奖郑厚植周海平邵华李月霞杨富华7.半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究院自然科学三等奖宋春英江德生钟学富葛帷锟 B.Pajot1993年1.超晶格量子阱自电光效应器件院科技进步一等奖吴荣汉林世鸣张权生段海龙王启明曾一平孔梅影孙殿照高洪海高文智韩勤吕卉王丽明芦秀玲杜云2.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器单管及四元线列院科技进步一等奖钟战天（排名第四）李承芳（排名第八）王森（排名第十二）物理所、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.计算机测试程序开发及IC测试与应用开发系统院科技进步二等奖林雨肖钢朱文珍李长海胡升陆文兰姜爱华郗志凤4.非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题的研究院自然科学二等奖孔光临廖显伯秦国刚钟战天孙国胜5.硅表面性质的晶向关系院自然科学三等奖邢益荣 W.Rankle6.金属有机源MOMBE分子束外延设备和MBE－IV型国家科技进步二等奖分子束外延设备孔梅影（第二）孙殿照（第五）梁基本（第九）中科院沈阳科学仪器研制中心、半导体所、物理所注：无报奖材料，名单仅供参考7.半导体超晶格的电子态与声子模理论国家自然科学二等奖黄昆朱邦芬夏建白1992年1.低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器院科技进步一等奖陈良惠徐俊英肖建伟张敬明孔梅影曾一平周小川马朝华徐遵图王丽明毕可奎杨国文李立康蒋建瞿伟2.MBE-IV型分子束外延和金属有机源分子束外延设备院科技进步一等奖孔梅影孙殿照梁基本韩汝水朱世荣沈阳科仪研制中心、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.微机控制光加热外延炉的研制和硅外延技术研究院科技进步二等奖梁骏吾杨辉郭钟光邓礼生郑红军张隽吕旭如黄大定汪光川4.多元逻辑高速数码乘法器电路院科技进步二等奖石寅朱荣华王守觉侯静媛赵泉沐曹秀兰5.小面积高效率非晶硅电池的研究院科技进步三等奖廖显伯孔光临郑怀德李海峰刁宏伟6. 2”直径的半绝缘磷化铟单晶院科技进步三等奖刘巽琅叶式中赵建群焦景华曹惠梅7.分子束外延GaAs/AlGaAs高速器件与光电子器件用料院科技进步三等奖孔梅影孙殿照曾一平梁基本郑海群8.长波长InGaAs.APD光接收组件院科技进步三等奖王树堂胡春阳曾靖夏彩虹何军9.半导体超晶格的静电光谱研究院自然科学三等奖李国华江德生韩和相汪兆平赵学恕10.长波1.3 和1.5um无致冷单模激光器研究国家科技进步二等奖彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中张盛廉吕卉武淑珍赵建和11.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱国家科技进步三等奖张一心（排名第四）半导体所为第四完成单位12.中国科学院文献资源合理布局国家科技进步三等奖孟广钧许鸿英谢淑莲高焕宝陈光楹中科院文献情报中心、中科院兰州文献情报中心、中科院成都文献情报中心、中科院上海文献情报中心、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考1991年1.SSPW小型系列高纯水器北京市星火科技一等奖闻瑞梅注：缺档案无法确定名单2.长寿命卫星用SOS－CMOS集成电路五种电路研制院科技进步二等奖刘忠立和致经郁元桓刘荣寰郭安张桂亭昝育德张永刚李国花于芳茅冬升倪秀珍杨钦英3.长波1.3 和1.5μm无致冷单模激光器研究院科技进步二等奖彭怀德马骁宇马朝华陈剑余金中张盛廉吕卉武淑珍赵建和潘贵生赵玲娟王丽明张洪琴王树堂周汝生4.1.5μm分布反馈激光器院科技进步二等奖王圩张静媛汪孝杰田惠良缪育博王宝军张济志马朝华王丽明吕卉张洪琴5.中科院文献资源合理布局院科技进步二等奖梁荫喜注：无报奖材料，名单仅供参考6.全平面结构8mm小功率开关保护器院科技进步三等奖郑东王良臣方浦明王莉邹立寿药建国周春7.集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究院科技进步三等奖林兰英何宏家刘巽琅曹福年白玉珂惠峰吴让元张金福曹惠梅孙文荣徐寿定赵健群费雪英卜俊鹏8.半导体致冷材料与器件院科技进步三等奖陈廷杰彭少近张韵琴唐代维郑秉茹李瑞云9.砷化镓量子阱微结构的光反射调制谱研究院自然科学三等奖江德生庄蔚华王炳心韩志勇注：无报奖材料，名单仅供参考10.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管国家科技进步二等奖王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹孙捷樊爱香11.电子级气体N2、H2、O2、Ar、He、HCl、国家科技进步三等奖 CO2、NH3 28种杂质分析技术及质量监控闻瑞梅李希云王铁龄王桂英1990年1.八种气体中28种杂质全分析技术及质量监控院科技进步一等奖闻瑞梅李希云王铁龄王桂英注：无报奖材料，名单仅供参考2.半导体制冷技术和设备天津市科技合作一等奖陈廷杰彭少近张韵秦唐代维郑秉茹李瑞云(半导体所)庄如颜王兆乾(计算站)天津市制冷器厂、半导体所注：无报奖材料，名单仅供参考3.长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管院科技进步二等奖王树堂曾靖李锋胡春阳夏彩虹4.8mm脉冲雪崩管振荡器院科技进步二等奖杨玉芬张黄河王保强侯梦会刘衍芳吴晓东彭斌5.硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱机电部科技进步二等奖张一心菜田海高维滨6.（HRIMG）高分辨电子显微像模拟计算机软件院科技进步三等奖褚一鸣段小峰何良王凤莲刘学锋都安彦向南玲7.集成光电转换器 (模样) 院科技进步三等奖李远境赵雅珠虞嘉峰姜文甫赵淑兰宋振华胡景香杨亚丽李大虹朱秀珍注：无报奖材料，名单仅供参考8.低位错、元位错掺Te锑化镓单晶研究院科技进步三等奖焦景华佘辉叶式中林汝淦曹惠梅孙文荣鄢秋明金盾9.半导体AlGaAs/GaAs脉冲功率激光器院科技进步三等奖洪坚王仲明龙泽民马国荣肖丽华赵建社孙晓山10.等电子杂质In在GaAs中行为的研究院科技进步三等奖王占国林兰英杨保华徐寿定万寿科杨锡权何宏家曹福年白玉珂钱家骏范缇文孙虹11.PCVD-310型等电子体非晶硅太阳能电池设备院科技进步三等奖廖显伯半导体所为第二完成单位注：无报奖材料，名单仅供参考12.半导体超晶格和量子阱的光学声子模和弗洛里希作用势院自然科学二等奖黄昆朱邦芬13.GaAs/AlAs超晶格中光学声子的拉曼散射研究院自然科学二等奖汪兆平韩和相李国华江德生14.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究国家科技进步三等奖林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文蒋四南范缇文李成基曹福年15.分子束外延GaAs-AlGaAs材料国家科技进步三等奖孔梅影李爱珍黄绮孙殿照梁基本黄运衡陈宗圭杨中兴邱建华1989年1.微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究院科技进步一等奖林兰英周伯骏钟兴儒王占国石志文蒋四南范缇文李成基曹福年注：无报奖材料，名单仅供参考2.LPE GaInAsSb/InP异质材料的生长和性质研究院科技进步二等奖龚秀英王占国高风升韩文蔷赵海洋卢文宏注：无报奖材料，名单仅供参考3.电子级气体SJ2794~2797-87电子级气体中机电部科技进步二等奖颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2804.1-87SJ2805~2807-87尹恩华注：无报奖材料，名单仅供参考4.双束合成低能离子束外延实验机院科技进步三等奖秦复光王向明杨光荣刘大白刘志凯彭少近姚振钰任治璋注：无报奖材料，名单仅供参考5.超晶格电子态理论院自然科学一等奖夏建白黄昆朱邦芬汤惠6.砷化镓中杂质缺陷的红外研究院自然科学二等奖江德生宋春英葛惟锟钟学富许振嘉1988年1.掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备院科技进步一等奖梁骏吾邓礼生郑红军黄大定栾洪发2.DMF－1型大幅度矩形纳秒脉冲发生器院科技进步二等奖周旋鲍秉乾李强贾洪盛3.离子色谱在半导体工业中的应用院科技进步三等奖闻瑞梅李希云付仲华刘秀庆4.单层金属工艺条件下高密度布线设计院科技进步三等奖庄文军高春华程可行牛征虎刘新平1987年1.LSIS－II自动布图设计系统院科技进步一等奖庄文君程可行牛征虎高春华马佐成薄建国王怀伦易涪兰刘新华2.共腔双区（CCTS）DH双稳激光器研究院科技进步二等奖王启明王守武林世鸣李建蒙杜宝勋3.分子束外延高质量GaAs-GaAlAs材料研究院科技进步二等奖孔梅影孙殿照梁基本黄运衡曾一平陈宗圭4.抗辐照SOS－CMOS集成电路院科技进步二等奖刘忠立和致经郁元桓昝育德茅冬生5. 硅单晶次缺陷图集北京市科技进步二等奖张一心蔡田海高维滨6.GaAs/GaAlAs负阻激光器电学、光学特性综合研究院科技进步三等奖王守武张权生吴荣汉李照银7.匀相位半导体激光器及相位测试设备院科技进步三等奖庄婉如石志文杨培生潘贵生马朝华何军马国华孙富荣8.GaAs/GaAlAs量子阱光学性质研究院科技进步三等奖徐仲英李玉璋葛惟锟许继宗郑宝真徐俊英庄蔚华9.二、三、四毫米波段硅肖特基势垒二极管国家科技进步二等奖王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭郑东陈微10.1.3微米基横模、低阈值、长寿命激光器国家科技进步二等奖王圩彭怀德张盛廉汪孝杰张静媛11.长波长光探测器件及光发射器件国家科技进步二等奖王圩彭怀德注：无报奖材料，名单仅供参考1986年1.二、三、四毫米硅肖特基势垒二极管检测器院科技进步一等奖王森卫薇柳吉林方浦明陈克铭陈薇郑东2.GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究院科技进步一等奖杨桂林王炳森赵学恕李国华3.1.3μm单模低阈值、长寿命激光器的研制院科技进步二等奖王启明王圩彭怀德张盛廉周汝生4.水平法低位错GaAs的单晶院科技进步二等奖褚一鸣何宏家周伯骏曹福年白玉珂注：无报奖材料，名单仅供参考5.提高高纯水质量的研究院科技进步二等奖闻瑞梅薛继周陶帝先佟静亭龚义元6.短微波半导体器件系统及有关元件质量的研究院科技进步二等奖注：缺档案材料、名单无法确定7.兼容宏单元多元胞模式自动布局和四边通道布线算法院科技进步三等奖程可行庄文君8.多元电路万能函数发生器院科技进步三等奖王守觉王宏道李秀贤注：无报奖材料，名单仅供参考9.高压液封法生长热稳定不掺杂半绝缘GaAs 院科技进步三等奖林兰英叶式中何宏家方兆强曹福年刘巽琅白玉珂焦景华费雪英10.GaAs表面和介面性质对毫米波器件性质的影响院科技进步三等奖陈克铭王森仇兰华陈维德王良臣11.二、三毫米硅雪崩振荡器院科技进步三等奖杨玉芬刘衍芳张黄河侯梦会蔡田海12.N+NP+型InGaAs/InP异质结构PIN光电探测器院科技进步三等奖王树堂曾靖潘荣浚陈良惠马朝华注：无报奖材料，名单仅供参考13.分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱超晶格院科技进步三等奖材料制备的特性孙殿照徐仲英陈宗圭梁基本庄蔚华许继宗黄运衡王玉田王佑祥注：无报奖材料，名单仅供参考14.高速双向负阻晶体管院科技进步三等奖周旋李凤银曹体伦李锦林鲍秉乾15.砷化镓霍尔器件院科技进步三等奖郑一阳张进昌刘衍芳注：无报奖材料，名单仅供参考16.固体化高压毫微秒脉冲电源院科技进步三等奖周旋李锦林鲍秉乾张建成陈子荣注：无报奖材料，名单仅供参考1985年1.分子束外延技术的研究国家科技进步二等奖孔梅影孙殿照注：无报奖材料，名单仅供参考2.提高砷化镓材料质量的研究国家科技进步二等奖林兰英彭瑞伍林耀望莫培根方兆强3.光纤通信用短波长发射器件和探测器件国家科技进步二等奖王启明庄婉如王树堂注：无报奖材料，名单仅供参考4.可控电参数的低位错磷化铟单晶制备国家科技进步三等奖叶式中刘巽琅刘思林孙同年焦景华注：无报奖材料，名单仅供参考。
电路史诗_河南理工大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
电路史诗_河南理工大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.以下哪项被认为是现代电池的先驱？参考答案:伏特电池2.在进行电流随电压变化的实验中，欧姆巧妙利用（）动手制作了一个电流扭秤参考答案:电流的磁效应3.欧姆的经历给我们的启示（）参考答案:灵巧的手艺是从事科学实验之本_乌云和尘埃遮不住科学真理之光4.以下哪些诺贝尔奖成果是在贝尔实验室诞生的（）参考答案:电子衍射_宇宙微波背景辐射_晶体管5.以下哪些是贝尔实验室的诺贝尔奖成果（）。
参考答案:电子衍射_宇宙微波背景辐射_CCD图像传感器6.1996年，AT&T公司进行战略重组后，贝尔实验室属于哪个公司（）参考答案:朗讯科技公司7.贝尔实验室现在隶属于公司。
参考答案:诺基亚D又叫CCD图像传感器。
CCD的作用是将转换为。
（）参考答案:光信号, 数字信号9.青年爱迪生在火车上创办了自己的报纸，报刊名为（）参考答案:《先驱报》10.爱迪生在他的遗训中特别强调的一种精神信仰是？参考答案:要勇往直前11.爱迪生在哪一年创立了爱迪生电灯公司，成为通用电气的前身？参考答案:187612.关于尼古拉·特斯拉和Tesla Motors，正确的是（）参考答案:尼古拉·特斯拉和Tesla Motors在生产时间上没有交集_马丁·艾伯哈德为Tesla Motors公司命名13.西屋电气的发展历程，说法正确的是（）参考答案:20世纪50年代开拓核电业务_早期发展势头良好，主要是交流输电和发电业务14.下列不是埃隆·马斯克的成就是（）参考答案:他是环保汽车公司Tesla的CFO15.关于Tesla Motors CEO说法错误的是（）参考答案:埃隆·马斯克是公司的创立者16.电子带电，原子核带电。
参考答案:负，正17.以下关于交流电描述正确的是（）参考答案:在发电量相同条件下，交流电的发电设备更简单_远距离输送更加方便_电压变换更加容易_交流电产生的电弧比直流电产生的电弧更加容易熄灭18.中国现在电网的频率是（）赫兹。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
TE电路保护部凭借创新2Pro AC器件荣获声名卓著的中国电子成就奖
TE Connectivity旗下的业务部门TE电路保护部凭借2Pro AC产品在《电子工程专辑》(EE Times China) 2013年度电子成就奖(ACE Award)的年度最佳高性能元件类别中赢得殊荣。
2Pro AC是用于LED照明、智能电表、电器和电源等低电流应用的AC线路保护解决方案。
2Pro AC器件是一款创新的混合器件，为设计人员提供了一种保护敏感下游电子产品的集成式可自恢复方法，防止由于过电流和过电压事件而引起的损坏。
该器件在单一封装内集成了聚合物正温度系数(polymeric positive temperature coefficient, PPTC)器件和金属氧化物压敏电阻(metal-oxide varistor, MOV)，增强了两者间的热传导，通过控制压敏电阻表面温度低于150°C来提供运行稳定性。
与传统的分立器件方法相比，2Pro AC器件提供了更高的可靠性、空间节省、更少的元件数目以及更快、更简单的设计过程。
2Pro AC器件能够帮助制造商满足IEC61000-4-5和IEC60950等行业要求，并且有助于简化UL60950测试和符合性，该器件还符合RoHS指令和无卤素要求。
TE电路保护部高级产品经理郭卫清表示：“《电子工程专辑》的年度电子成就奖(ACE Awards)在业界受到高度重视，我们为2Pro AC器件获得该奖项而感到自豪。
TE电路保护部针对低功率应用采用最新的电路保护方法，以LED照明应用为例，能够有效保护以及避免功率浪涌和尖峰是绝对必要的。
2Pro AC器件易于安装，可靠性更高，并节省电路板空间，因此成为客户迫切需要的突破性器件。
”
寻找当地销售代表，请访问公司网页。
关于TE Connectivity
TE Connectivity是全球连接领域领军企业，年销售额达130亿美元。
公司设计和制造的产品在汽车、能源和工业、宽带通信、消费电子产品、医疗保健，以及航空航天和国防等世界领先行业发挥着核心作用。
长期以来，TE Connectivity始终坚持对创新和卓越工程技术的不懈追求，说明客户满足对提高能源效率、实现不间断通信和不断增强生产力的需求。
通过全球50多个国家近9万名员工的共同努力，TE Connectivity让我们日常生活所依赖的每个连接时时完美运作。
如要联系TE Connectivity，请访问公司网站。