TI C2000系列DSP Flash烧写解决方案 (Rev[1]. A)

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F28x CCS 插件烧写的一些经验
1. 在擦写的过程中意外或异端终止有可能造成Flash烧毁 2. 通常的非破坏性的错误操作不会影响到CSM,但是要注 3. 4. 5. 6. 7. 8.
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第三章: F28x Flash CCS插件
Code Composer Studio Plug-in 的特点: 完美的整合到CCS中,并且提供大量的TI在线帮助 开发特定的CCS Flash设备并且提供了多样的设定. 不需要关闭CCS和开关工具即可实现Flash烧写和设置 支持CCS2.2及以上版本
TI C2000 系列DSP FLASH 烧写解决方案
Rev. A
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综述
TI C2000系列DSP从硬件构架和开发环境上可以划分为 F28x,F240x,F240与F206几类.而Flash的烧写问题一直是 开发过程中,编程人员比较关注的问题. 本文从最后出现的F28x的Flash烧写方法开始,依次介绍这 三种DSP的Flash烧写的方法和步骤. 首先是详细介绍F28系列的烧写工具和方法 由于C2000系列DSP的烧写方法大同小异所以简要描述F240与 F206的烧写方法,并归纳和总结F240x烧写的一些经验 最后一部分以F2812为例介绍用户自定义的嵌入式Flash编程 (API)
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F28x Flash 流水线模式
Flash一般用于保护用户代码.为了改善代码执行性能, 采用了Flash流水线模式. 通过FOPT寄存器中的ENPIPE位控制流水线模式使能 该模式独立于CPU流水线 该模式下使用了预取机能,减少了Flash对整个代码执 行过程的影响. 改善了FLASH代码执行效率.
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F28x Flash的电源模式
复位和休眠状态—复位状态,最低功耗 待机状态– CPU读和取指访问都将暂停CPU 激活或读状态– 最大功耗 变为低功耗:改变PWR模式位 变为高功耗:改变FPWR寄存器 通过读访问或程序取指操作
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F28x Flash的访问
CPU对FLASH的读或取指操作有如下形式: 32位取指指令 16位或32位数据空间读操作 16位程序空间读操作 存储器访问类型: Flash存储器随机访问 Flash存储器页访问 NOTES:对存储器应先取得写操作被忽略 保护后读操作是正常的周期但返回0 支持零等待访问但CPU需要适应访问时间
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F28x CCS插件的功能框图
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F28x CCS 插件的安装
1.安装CCS C2000V2.2
2. 安装2.2 to 2.21补丁 C2000-2.20.00-FULL-toC2000-2.21.00-FULL 3. 安装C2000-2.00-SA-to-TI-FLASH2x到CCS目录. 4. 设置好CCS,打开CCS系统自动提示发现插件点击确 认使插件生效.
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F28x Flash的存储器映像
地址范围 0x3D8000-0x3D9FFF 0x3DA000-0x3DBFFF 0x3DC000-0x3DFFFF 0x3E0000-0x3E3FFF 0x3E4000-0x3E7FFF 0x3E8000-0x3EBFFF 0x3EC000-0x3EFFFF 0x3F0000-0x3F3FFF 0x3F4000-0x3F5FFF 0x3F6000-0x3F7FF6-0x3F7FF7 0x3D8000-0x3D9FFF 程序和数据空间 段J,8K*16 段I,8K*16 段H,16K*16 段G,16K*16 段F,16K*16 段E,16K*16 段D,16K*16 段C,16K*16 段B,8K*16 段A,8K*16 boot到Flash的入口处 (此处有程序分支) 安全密码(128位)
您必须是设备的合法使用者.Flash受CSM的保护. Flash的烧写必须处于非安全模式下(CSM unlock). – VDD3VFL管脚必须可靠接到3.3V电源上. Flash的编程和读出都需要这个电源,必须被连接. Notes: 当该电源未连接时,口线输出也有可能是3.3V. 而且某些TI评估板上在此处放置了跳线或未焊接的电阻 封装.因此必须通过相应测试切实保证这个电压正常.
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第一部分: TMS320F28x Flash 烧写指南
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第一章:F28x FLASH 特点和应用
这部分主要讲述以下几方面内容: F28x Flash的特点 F28x Flash的存储器映像 F28x Flash的电源模式 F28x Flash的访问 F28x Flash流水线 F28x Flash的寄存器
15 保留R-0 0 ENPIPE
位0 ENPIPE 使能流水线/流水线使能时等待状态必须大于0
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F28x Flash 寄存器
1. Flash选择寄存器FOPT 2. Flash电源寄存器FPWR 3. Flash状态寄存器FSTATUS 4. Flash待机等待寄存器FSTDBYWAIT 5. Flash待机到激活等待计数器寄存器FACTIVEWAIT 6. Flash等待状态寄存器FBANKWAIT
以上寄存器的设置,已经包含在相应的FLASH烧写工 具中.不在此详细介绍,可以通过TI的相关文档和 CCS中包含的用户手册进行查询.FLASH的烧写过程 不包括这些寄存器的设置,对参数设置的过程实际上 就是通过TI或第三方软件对寄存器的设置.
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第二章: F28x Flash烧写基础
本部分主要讲述以下几方面内容: Flash烧写的硬件条件 Flash算法相关描述 Flash的烧写步骤 -擦写操作 -编程操作
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F28x CCS 插件的调用
1. 点击tools
F28xx On Chip Flash Programmer.
2. 点击插件图标.
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F28x CCS 插件的界面
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F28x CCS 插件的API设置
图中所示的API为经过确 认的版本,而不是beta版 如果没有这个版本,则说 明下载的插件版本不够新 可能无法正常烧写F281x
F2812存储器区段地址
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F28x Flash的存储器映像
地址范围 0x3E8000-0x3EBFFF 0x3EC000-0x3EFFFF 0x3F0000-0x3F3FFF 0x3F4000-0x3F5FFF 0x3F6000-0x3F7FF6-0x3F7FF7 0x3D8000-0x3D9FFF 程序和数据空间 段E,16K*16 段D,16K*16 段C,16K*16 段B,8K*16 段A,8K*16 boot到Flash的入口处 (此处有程序分支) 安全密码(128位)
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F28x Flash 执行算法的一般要求
F281x的设备编程以后是通过时间边缘算法 (time-critical algorithms)在DSP上执行的 这个算法包含一个时间边缘的延时环 这个算法必须在单周期的SARAM中执行 必须根据DSP的时钟频率来设置这个算法 为了保证程序可以正确执行,应该在系统最快的时 钟频率上执行这个算法 这个算法绝对不能使用中断 这个算法是FLASH编程的基本构架算法,它可以通过 相应的插件,工具或自行编写的API程序实现.以上是 Flash烧写的基本要求.
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F28x Flash 烧写的硬件条件
具备什么样的硬件条件才可以进行烧写 Flash操作 – Flash必须是完好的.
Flash有可能因为意外导致毁坏,比如在擦写过程中断电 或死机.此时虽然DSP程序可以在RAM中运行但是除非 更换DSP,否则无法再进行Flash烧写.
– CSM必须是可用的.
F2810存储器区段地址
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F280x 与F281x 在Flash上的差别
F280x与F281x在Flash的结构和烧写的方法上是完全相同不同点如下: 从容量来说是依次减小的,同时段的长度也是不断变化 F2808: 64K X 16 Flash F2806: 32K X 16 Flash
F2801: 16K X 16 Flash API的算法和配置是不同的,并且相互之间不兼容性 其他相关内容请参照相对应的用户手册,本文以F281x为主
Flash擦写操作的相关描述 编程操作使Flash中某些特定的位变成0 编程操作不能使某一个位由0变成1 编程操作可以对FLASH和OTP进行操作 编程操作每次操作是针对16位中的一位进行
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F28x Flash 烧写方法概述
TI及其第三方提供的烧写软件主要有两种: 一个是TI提供的TMS320C2000 Code Composer Studio on-chip Flash programmer plug-in.其最新 版本是1.1102.发行日期是2005-1-11,可以从TI网站 上下载或者向SEED索取.() 另一个工具是Spectrum Digital公司提供的SDFlash. 这个软件在TI的CCS插件推出之前比较受欢迎,但是有 了上面更方便的插件以后因为使用的限制用得比较少. 其最新版本是1.63.包含在CCS2.21以上的版本中,当 然也可以单独下载升级包进行安装.可以从其官方网站 或者向SEED索取.() 接下来的两章分别介绍这两种工具的使用.
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F28x CCS 插件烧写步骤
Step 4 : 编译这个文件以生成插件可识别的COFF文件 Step 5 : 打开CCS插件,设置时钟和相关内容 Step 6 : 配置插件的API Step 6 : 测试时钟和工作频率 Step 7 : 选择需要擦写的段 Step 8 : 选择擦写,编程,效验的集合操作 Step 9 : 选择执行操作等待插件自动执行烧写过程 设置硬件跳线 GPIOF4_SCITXDA 为高(硬件已设置好), 则上电后,复位矢量直接跳转到flash处执行 至此一个使用Flash的烧写全过程就执行完了,在去掉仿 真器的情况下上电程序就可以自动执行了.
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F28x Flash 的擦写操作
Flash擦写操作的相关描述 Flash的出厂设置是已经擦写过的状态.也就是所有 Flash段中的位都是1. 这个擦写算法是将一个段中所有的位都置1. 一次可以擦写的最小内存单元是一个段. 擦写操作只适用于Flash,OTP不能进行擦写.
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F28x Flash 的编程操作
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F28x CCS 插件的频率设定
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F28x CCS 插件会自动停止必须通过用户手动停止(后面 API的相关部分在使用时也存在同样的问题)
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F28x CCS 插件的烧写步骤
现在描述一下如何通过CCS插件完成一个程序的烧写 Step 1 : 选择一个工程.这个工程应该是调试通过的,并 且可以在CCS调试状态下正常运行. Step 2 : 对这个工程的CMD文件进行增加Flash的内存分 配的内容.最好同时编制两份CMD文件:一份给烧写 Flash用,一份仿真和试验使用. Step 3:需要时对工程的文件进行修改,增加Flash API, 程序搬移等文件.以扩展程序的有效运行和应用.
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F28x Flash 编程算法的操作
Flash烧写的操作包括如下两个基本步骤: 擦写 擦写算法的执行结果通常是将FLASH的一个段中的所 有的位都置成1. 这个擦写算法包含以下3个步骤: 1. 擦除:将一个段中所有的位都置0. 2. 擦写:将一个段中所有的位都置1. 3. 效验:纠正所有耗尽的位,保证所有位都变成1. 编程 编程算法的执行结果是将应用代码或数据中的特定位 改写成0.
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F28x Flash的特点
◇F2812片内FLASH 128K,地址为3D8000h-3F7FFFh. F2810片内FLASH 64K,地址为3E8000h-3F7FFFh. ◇即可映像到程序空间,也可映像到数据空间. ◇采用分区操作可单独擦写某一个区段. ◇可以通过单独的,可改善性能的Flash流水线进行操作. ◇基于CPU频率可进行调整的等待周期. ◇低功耗模式. ◇受代码安全模块CSM的保护.