GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计

GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计
吴海峰;翟宪振;罗向东
【期刊名称】《电子器件》
【年(卷),期】2013(036)005
【摘要】基于GaN基APD(雪崩二极管)日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路(ROIC).考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80 V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路.在此基础上,我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证,读出电路耐高压不小于80 V,当积分电容为4 pF,积分时间为25 μs,时钟频率为100 kHz的时候,电路的电荷存储能力为5.6× 107个,输出电压摆幅在0～2.25 V,读出电路的输出电压线性度不低于99％.
【总页数】6页(P656-661)
【作者】吴海峰;翟宪振;罗向东
【作者单位】南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通226019;南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通226019;南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通226019
【正文语种】中文
【中图分类】TN23
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