模拟电子技术第一章练习题
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iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1
6 V V2
18 V
_
当12 V< uI ≤ 18 V时,D1、D2均导通 uO= uI
当uI >18 V时,D1导通、D2截止 uO=18 V
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模拟电子技术基础
uO/V
18 12
uO~uI关系曲线
0
12 18
18 V
_
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模拟电子技术基础
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1 6 V V2
18 V
_
[解] 当D1、D2均导通时
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模拟电子技术基础
代入有关数据得
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
R 2 kW UAB V1 15 V
V2
10 V _
B
(b)
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模拟电子技术基础
[例3] 电路如图所示, 设D1 、D2 的性能均理想,输入电 压uI的变化范围为0~30 V。画出电路的传输特性曲线。
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1 6 V V2
电路中的二极管是导通还是截止,并求出A、B两点之
间的电压UAB值。
D1
A
D1
A
D2
+
D2
+
R 2 kW UAB
V1 15 V V2
10 V _
B
(a)
R 2 kW UAB V1 15 V
V2
10 V _
B
(b)
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模拟电子技术基础
[解] 判断电路中二极管工作状态的方法
1. 断开二极管,分析电路断开点的开路电压。如 果该电压能使二极管正偏,且大于二极管的死区 电压,二极管导通;否则二极管截止。
模拟电子技术基础
R0
[解] 万用表测电阻的原理图
+
图中,R0为表头等效内阻。
iD + uD -
E -
万用表的量程越大,即R0越大。
写出电路方程
uD+iDR0=E
显然,上式在 iD— uD坐标系中表示一条直线。
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模拟电子技术基础
uD+iDR0=E
R0
画出上式所表示的直线。
iD
显然,UD、ID是直线与二
_
V1
6 V V2
18 V
_
由此可知
D1导通的条件是uI>12 V D2导通的条件是uI<18 V
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模拟电子技术基础
iD1 D1
iD2 D2
+
i1
i2
+
uI
R1 5 kW R2 5 kW uO
_
V1
6 V V2
18 V
_
故 当uI≤12 V时,D1截止、D2导通。
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模拟电子技术基础
2. 如果电路中有两个二极管,利用方法1分别判 断各个二极管两端的开路电压,开路电压高的二 极管优先导通;当此二极管导通后,再根据电路 的约束条件,判断另一个二极管的工作状态。
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模拟电子技术基础
对于图 a,经判断知,D1、D2两端的开路电压 分别为: 10 V,–5 V
D1
A
D2
+
D1导通
极管伏安特性曲线的交点。
二极管的等效电阻为
iD
E/R0
+ uD D
+ E1
可见,万用表的量程越大,
ID ID
UD、ID 越小,
1
O
二极管的等效电阻越大。
R0增大
uD UD 二UD极管伏E 安特性
1
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模拟电子技术基础
[例2] 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各
30 uI/V
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模拟电子技术基础
[例4] 二极管的伏安特性如图
iD
所示,试画出二极管的电路
1/rd
模型。
[解] 写出伏安特性表达式
O UD
uD
由表达式画出电路模型
电压源模型
+
uD
_
iD
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模拟电子技术基础
电流源模型
UD/rd iD
+
rd uD
_
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R 2 kW UAB
UAB = 0 V
V1 15 V V2
10 V _
B
(a)
D2反偏电压为5 V D2截止
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模拟电子技术基础
对于图 b,经判断知,D1、
D2两端的开路电压分别为
D1
A
10 V,25 V
+ D2
D2优先导通 D2导通后
UAB = –15 V
即 D1上的反偏电压为15 V D1截止