过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响
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过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响
过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响
利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层.通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件.
作者：李晓婷赛小锋汪韬曹希斌石刚 LI Xiaoting SAI Xiaofeng WANG Tao CAO Xibing SHI Gang 作者单位：李晓婷,LI Xiaoting(长安大学理学院,西安710061;中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710068)
赛小锋,汪韬,曹希斌,SAI Xiaofeng,WANG Tao,CAO Xibing(中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710068)
石刚,SHI Gang(长安大学理学院,西安710061)
刊名：激光与光电子学进展ISTIC PKU英文刊名：LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS 年，卷(期)：2007 44(6) 分类号：O484.1 关键词：GaAs/Ge 过渡层生长温度晶体质量。