一种铜大马士革结构的形成方法

一种铜大马士革结构的形成方法，包括以下步骤：
1.在衬底上沉积一层层间介电质和牺牲层，并图形化光刻胶。

2.以图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀牺牲层和层间介电质，形成金属互连线沟槽。

3.在沟槽内，依序淀积阻挡层和金属互连线。

4.通过化学机械平坦化工艺，去除多余的铜、阻挡层和牺牲层，最终形成铜大马士革结构。

通过上述方法，在层间介电质上淀积一层牺牲层来代替原有的介电质抗反射涂层，可以减少光刻胶的驻波效应，提高光刻性能；同时作为蚀刻工艺中的牺牲层，减少铜大马士革结构中的层间介电质的损失，使得金属互连线的厚度增加并且稳定可控，提高了晶圆电学性能的可控性和稳定性。