2024届山东省德州市高三第一次模拟考试物理核心考点试题(基础必刷)

2024届山东省德州市高三第一次模拟考试物理核心考点试题（基础必刷）
一、单项选择题（本题包含8小题，每小题4分，共32分。

在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）(共8题)
第(1)题
小明在完成“探究弹簧弹力与形变量的关系”实验后，他想用该实验的原理测量一根轻弹簧的劲度系数，但由于弹簧的劲度系数太大，伸长量较小，不易直接测量。

他设计了如图所示的实验装置，并进行了测量。

把弹簧竖直悬挂在支架上，在弹簧下端固定一个托盘，托盘下方连接钢制圆柱体，圆柱体直径小于盛水量筒内壁直径。

调节底座高度，使圆柱体浸入水中。

在托盘中不断增加砝码时，弹簧向下拉伸，圆柱体下移，通过量筒的刻度读出水面上升的高度。

已知水的密度为，圆柱体直径为、量筒内壁直径为，重力加速度g。

对实验记录的数据进行分析、处理后，他获得了劲度系数的数值。

对此实验，下列说法正确
的是（ ）
A．实验需要用天平测量托盘和圆柱体的质量
B．不考虑水的浮力，劲度系数测量值将偏大
C．水面上升的高度与弹簧伸长量的比值为
D．砝码的重力与对应水面上升的高度不成正比关系
第(2)题
如图甲所示，是国产某型号手机无线充电装置，其工作原理图如图乙所示，其中送电线圈和受电线圈匝数比n1:n2=5:1。

送电线圈和受电线圈所接电阻的阻值均为R。

当ab间接上220V的正弦交变电源后，受电线圈中产生交变电流给手机快速充电，这时手机两端的电压为5V，充电电流为5A，把送电线圈和受电线圈构成的装置视为理想变压器，不计线圈及导线电阻，则下列说法正确的是（ ）
A．阻值R=195Ω
B．快速充电时，送电线圈的输入电压U1=212.5V
C．快速充电时，送电线圈的输入功率为25W
D．持续进行快速充电时，充满容量为4000mA·h的电池至少需要80min
第(3)题
“不经历风雨怎么见彩虹”，彩虹是一种光学现象。

当阳光照射到空中的雨点时，光线被折射及反射，在空中形成七彩光谱。

太阳光射到小水珠发生色散形成彩虹的光路如图所示，a、b为两种折射出的单色光。

下列说法正确的是（ ）
A．a光的波长小于b光的波长
B．在水珠中，a光的传播速度小于b光的传播速度
C．用同一双缝干涉装置看到b光的干涉条纹间距比a光的宽
D．若a光可使某金属发生光电效应，则b光也能使该金属发生光电效应
第(4)题
把纸带的下端固定在重物上，纸带穿过打点计时器，上端用手提着。

接通电源后将纸带释放，重物拉着纸带下落，纸带被打出一系列点，其中一段如图所示。

设打点计时器在纸带上打A点时重物的瞬时速度为。

通过测量和计算，得出了AB两点间的平均速度为，AC两点间的平均速度为。

下列说法正确的是（）
A．更接近，且小于B．更接近，且大于
C．更接近，且小于D．更接近，且大于
第(5)题
如图所示，上端封闭的连通器三管中水银面相平，管内水银上方的空气柱长，若从下方阀门流出少量水银（保持三管中均留有水银）后，三管水银面的高度关系是（ ）
A．A管中水银面最高B．B管中水银面最高
C．C管中水银面最高D．条件不足，无法确定
第(6)题
一小物块以一定的初速度沿粗糙斜面的底端向上滑动，然后滑回到原处。

取出发点为坐标原点、沿斜面向上为正方向。

滑块的动量p、动能E k随位移x变化关系图像中，能描述该过程的是（ ）
A．B．
C．D．
第(7)题
1801年，英国物理学家托马斯·杨完成了著名的双缝干涉实验。

如图所示为双缝干涉实验的原理图，单缝S0、屏上的P0点均位于双缝S1和S2的中垂线上。

在双缝与屏之间充满折射率为n的均匀介质，屏上P点是P0点上方的第4条暗条纹的中心，P点
到P0点的距离为x。

已知入射光在真空中的波长为λ，双缝与屏之间的距离为L，则双缝S1和S2的距离为（ ）
A
．B．C．D．
第(8)题
如图甲所示，一质量为1kg的滑块（视为质点）以某一初速度冲上足够长的固定斜面，以斜面底端为位移的起点，滑块在斜面上运动的动能随位移x变化的关系如图乙所示。

取重力加速度大小。

下列说法正确的是（ ）
A．斜面倾角的正弦值为0.5
B．滑块上滑过程克服摩擦力做的功为20J
C．滑块与斜面间的动摩擦因数为0.25
D．滑块返回斜面底端时，滑块所受重力的功率为12W
二、多项选择题（本题包含4小题，每小题4分，共16分。

在每小题给出的四个选项中，至少有两个选项正确。

全部选对的得4分，选对但不全的得2分，有选错或不答的得0分） (共4题)
第(1)题
一静止的铝原子核俘获一速度为m/s的质子p后，变为处于激发态的硅原子核，下列说法正确的是_________
A．核反应方程为
B．核反应方程过程中系统动量守恒
C．核反应过程中系统能量不守恒
D．核反应前后核子数相等，所以生成物的质量等于反应物的质量之和
E．硅原子核速度的数量级为m/s，方向与质子初速度方向一致
第(2)题
一蹦极运动员身系弹性蹦极绳从水面上方的高台下落，到最低点时距水面还有数米距离，如图所示。

假定空气阻力可忽略，运动员可视为质点，下列说法正确的是（ ）
A．运动员到达最低点前重力势能始终减小
B．蹦极绳张紧后的下落过程中，弹性力做负功，弹性势能增加
C．蹦极过程中，运动员、地球和蹦极绳所组成的系统机械能守恒
D．蹦极过程中，重力势能的改变与重力势能零点的选取有关
第(3)题
如图所示，绝缘轻杆的两端固定带有等量异号电荷的小球（不计重力）。

开始时，两小球分别静止在A、B位置。

现外加一匀强电场E，在静电力作用下，小球绕轻杆中点O转到水平位置。

取O点的电势为0。

下列说法正确的有（ ）
A．电场E中A点电势低于B点
B．转动中两小球的电势能始终相等
C．该过程静电力对两小球均做负功
D．该过程两小球的总电势能增加
第(4)题
某同学自制的简易电动机示意图如图所示．矩形线圈由一根漆包线绕制而成，漆包线的两端分别从线圈的一组对边的中间位置引出，并作为线圈的转轴．将线圈架在两个金属支架之间，线圈平面位于竖直面内，永磁铁置于线圈下方．为了使电池与两金属支架连接后线圈能连续转动起来，该同学应将( )
A．左、右转轴下侧的绝缘漆都刮掉
B．左、右转轴上下两侧的绝缘漆都刮掉
C．左转轴上侧的绝缘漆刮掉，右转轴下侧的绝缘漆刮掉
D．左转轴上下两侧的绝缘漆都刮掉，右转轴下侧的绝缘漆刮掉
三、填空、实验探究题（本题包含2个小题，共16分。

请按题目要求作答，并将答案填写在答题纸上对应位置） (共2题)
第(1)题
在“研究温度不变时，一定质量气体的压强与体积的关系”实验中需要用到__________传感器，获得实验数据后，为了更直观地显示两个变量的函数关系，对图线做了“化曲为直”的变换处理，此时纵坐标为压强，则横坐标为__________。

第(2)题
某同学用一节电动势为1.50V的干电池，将量程为0~1mA、内阻为90Ω的表头改装成倍率分别为“×1”和“×10”的双倍率欧姆表：
(1)设计电路如图a所示，可知红表笔应为______（填“A”或“B”）；
(2)分析可知当K拨到______（填“1”或“2”）时倍率为“×10”；
(3)改装后表盘的刻度如图b所示。

已知欧姆挡的中央刻度为“15”，则图a中定值电阻R1=______Ω、R2=______Ω；
(4)改装完成后，将K拨到“×10”挡，将红、黑表笔短接进行欧姆调零后测量R的值，若指针指向位置，则=______。

若由于电池老化，实际电动势降为1.48V，则待测电阻的测量值______（填“大于”“小于”或“等于”）的真实值。

四、计算题（本题包含3小题，共36分。

解答下列各题时，应写出必要的文字说明、表达式和重要步骤。

只写出最后答案的不得分。

有数值计算的题，答案中必须明确写出数值和单位。

请将解答过程书写在答题纸相应位置） (共3题)
第(1)题
如图所示，两根足够长平行金属导轨相距，倾角，质量为的金属棒和质量为的金属棒放在金属导轨上。

虚线上方存在方向垂直导轨平面向下的匀强磁场，虚线下方是方向平行于导轨向下的匀强磁场，两处磁感应强度大小均为。

棒光滑，棒与导轨间的动摩擦因数，每根金属棒的电阻均为，其余电阻不计。

棒从静止开始在沿导轨平面向上的外力的作用下沿导轨以的加速度向上做匀加速运动，同时棒也由静止释
放。

两金属棒始终与导轨垂直且接触良好，重力加速度大小，，。

(1)写出外力与时间的函数关系式；
(2)求棒达到最大速度所需的时间；
(3)求棒从开始运动到速度再次为零这一过程所经过的时间以及此时棒上升的高度。

第(2)题
如图甲所示，磁感应强度大小为B、方向竖直向下的匀强磁场存在于底面半径为R的圆柱形空间内，O1和O2是圆柱形空间上、下两个圆面的圆心，其后侧与O 1等高处有一个长度为的水平线状粒子发射源MN，图乙是俯视图，P为MN的中点，O1P连
线与MN垂直。

线状粒子源能沿平行PO1方向发射某种质量均为m、电荷量均为q的带正电粒子束，带电粒子的速度大小均相等。

在O1O2右侧2R处竖直放置一个足够大的矩形荧光屏，荧光屏的AB边与线状粒子源MN垂直，且处在同一高度，
过O1作AB边的垂线，交点恰好为AB的中点O，荧光屏的左侧存在竖直向下的匀强电场，宽度为R，电场强度大小为E，已知
从MN射出的粒子经磁场偏转后都从F点（圆柱形空间与电场边界相切处）射入电场，不计粒子重力和粒子间的相互作用。

（1）求带电粒子的初速度大小；
（2）以AB边的中点O为坐标原点，沿AB边向里为x轴，垂直AB边向下为y轴建立坐标系，求从M点射出的粒子打在荧光屏上的位置坐标；
（3）求磁场区域的最小横截面积。

第(3)题
物理气相沉积镀膜是芯片制作的关键环节之一，如图是该设备的平面结构简图。

初速度不计的氩离子经电压U0的电场加速后，从A点水平向右进入竖直向下的匀强电场E，恰好打到电场、磁场的竖直分界线I最下方M点（未进入磁场）并被位于该处的金属靶材全部吸收，AM两点的水平距离为0.5m。

靶材溅射出的部分金属离子沿各个方向进入两匀强磁场区域，并沉积在固定基底上。

基底与水平方向夹角为45°，大小相等、方向相反（均垂直纸面）的两磁场B的分界线II过M点且与基底垂直。

（已
知：U0=×103V，E=×104V/m，B=1×10-2T，氩离子比荷，金属离子比荷，两种离子均带正电，忽略重力及离子间相互作用力。

）
(1)求氩离子进入电场的速度v0，以及AM两点的高度差
(2)若金属离子进入磁场的速度大小均为1.0×104m/s，M点到基底的距离为m，求在纸面内，基底上可被金属离子打中而镀膜的区域长度。