一种碳化硅纳米材料及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种碳化硅纳米材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：曹宏,袁密,安子博,郑雨佳,李梓烨,薛俊申请号：CN201910218578.7
申请日：20190321
公开号：CN109879285B
公开日：
20220322
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种碳化硅纳米材料及其制备方法，碳化硅纳米材料为纳米带状结构。

碳化硅纳米材料的制备方法包括如下步骤：以一氧化硅为硅源，以碳纳米管为碳源制备得到一氧化硅和碳纳米管的混合分散液，硅源和碳源按照硅元素与碳元素的摩尔比(0.5‑3)：1投料混合；对分散液进行干燥，得到前驱体；将前驱体在真空度为0.03‑0.1MPa，温度为1000‑1400℃的条件下煅烧，得到粗产物；对粗产物进行除硅处理得到碳化硅/碳纳米管复合物，将碳化硅/碳纳米管复合物在空气或氧气气氛下焙烧，得到碳化硅纳米带，根据本发明的方法以碳纳米管为碳源制备的碳化硅材料为碳化硅纳米带，且原料易得，工艺简单，设备要求低，成本低，有利于实现碳化硅纳米带的规模化生产。

申请人：武汉工程大学
地址：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷一路206号
国籍：CN
代理机构：北京轻创知识产权代理有限公司
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