第四章 MCS-51系列单片
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1G 1A 1B 1Y0 1Y1 1Y2 1Y3 二 四 译 码 器 2G 2A 2B 2Y0 2Y1 2Y2 2Y3 G1 G2A G2B 三 八 译 码 器 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
A B C
若用3-8译码器74LS138，则其输入端占 用3根最高位地址线。其余13根可作为片内 地址线。因此，译码器的8根输出线分别对 应8个8K字节空间。 74LS138的逻辑功能为：当输入CBA从 000~111变化时，相应的其中一个Yi为0，i = 0, …, 7，其余均为1。 除常用的译码器外，现在也多采用可编 程逻辑器件来实现译码功能（如16V8等）， 其功能由用户编程实现，更方便灵活。
Байду номын сангаас
1、工作时序
第1个机器周期 S1
ALE PSEN P2口 P0口 PCL 输出PCH 指令 PCL 输出PCH 指令 PCL 输出PCH 指令 PCL 输出PCH 指令 PCL
第2个机器周期 S6 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1 S2
S2
S3
S4
S5
如图，P2口用于送出PCH信息；P0口送出PCL信息和输入指令。 51系列单片机的CPU在访问片外ROM的一个机器周期内， 信号ALE出现两次（正脉冲），ROM选通信号也两次有效，这 说明在一个机器周期内，CPU两次访问片外ROM，也即在一个 机器周期内可以处理两个字节的指令代码，所以在51系列单片机 指令系统中有很多单周期双字节指令。
图 扩展程序存储器的一般连接方式
EPROM存储器扩展电路：
P2.0-P2.4 ALE P0 G D7 : : D0 OE Q7 : : Q0
A8-A12
74LS373
80C31
EA
A7 : : A0
2764A
D0～D7
CE PSEN OE
根据所需容量选择扩展2716~27512芯片。所用 高位地址线（P2口）与扩展容量有关。 实际应用时，若选8051、8751等带片内ROM 芯片，应以片内容量能满足需求为宜。若需较大 的程序存储空间，可直接选用8031、8032等。 由于集成电路技术的发展，大容量的存储器价 格已非常低，故目前所设计的系统采用多片 EPROM的方法已不多用。 若所需程序存储空间超过64K，可采用P1的一 根口线控制EPROM的CE端，达到扩大寻址范围 的目的。如教材中图4-14给出的方案。
6116
24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
Vcc A8 A9 WE OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3
6264 62128 62256
2、用静态RAM的扩展电路
写允许端WE与单片机的WR相连，输出允许端与 单片机的RD相连。图中6264的编址为6000H~7FFFH。
2764 27128 27256 27512
3、地址锁存器
常用的地址锁存器有：74LS373、74LS273、 8282、8212等。使用时接法有所不同。
74LS373是有输出三态门的电平允许8D 锁存器。当G（使能端）为高电平时，锁存 器的数据输出端Q的状态与数据输入端D相 同（透明的）。当G端从高电平返回到低电 平时（下降沿后），输入端的数据就被锁 存在锁存器中，数据输入端D的变化不再影 响Q端输出。 8282引脚排列与74LS373不同。 74LS273是带清除端的8D触发器。使用 中清除端CLR应接高电平，且单片机ALE 信号需反相后再与其时钟端CLK相连。
2864A
2817A
图、用2817A EEPROM的扩展电路
※ MCS-51单片机应用系统中的地址译码 （可用于多芯片扩展）
在单片机应用系统中，所有外围芯片都通过总 线与单片机相连。单片机数据总线分时地与外围芯 片进行数据传送。故要进行片选控制。对片内有多 个字节的单元，还要进行片内地址选择。 一、MCS-51单片机地址译码规则
P2.7 P2.0-P2.4 CE A8-A12 +5V
ALE P0
80C31
EA
G D7 : : D0
OE Q7 : : Q0
CS A7 : : A0
1、程序存储器与数据存储器地址重叠使用； 2、外围扩展芯片（不含ROM）与数据存储器统一编址。 它不仅占用数据存储器地址单元，而且使用数据存储器的读 /写控制信号与读/写指令； 3、地址总线为16位。寻址范围均为64K。
二、地址译码方法 由于外围芯片与片外RAM统一编址，因此多芯 片设计时地址译码较为复杂。 线选法 全地址译码法 1、线选法 线选法是把单独的地址线接到外围芯片的片选 端上，只要该地址线为低电平，就选中该芯片。如 下页图示。 在外围芯片中，除片选地址外，有些还有片内 地址，而片内地址是由低位地址线进行全地址译码 选择的。
27512 27256 27128 A15 A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND 2764 Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 Vcc PGM NC A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27128 Vcc PGM A13 A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27256 Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27512 Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE/Vpp A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3
三、用E2PROM的程序存储器扩展
常用的EEPROM芯片有2864、2817等 。
NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3
静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 集成RAM（i RAM） 非 易 失 性 RAM （ NVRAM ）
（2）存储器的主要性能指标
存贮容量 存取时间 可靠性 功耗
常用的EPROM芯片有2732、2764、27128、 27256、27512等。引脚排列如下图。控制端状 态表见教材表4-1。编程电压有多种。
第四章 MCS-51系列 单片机的扩展
4.1 最小应用系统与程序存储器的 扩展 4.2 数据存储器的扩展 4.3 输入输出口的扩展
为什么需要进行扩展？ 选择不同的单片机芯片需要扩展的部分 会有所不同。 不同的单片机应用系统有不同的扩展需 求。包括程序存储器的扩展、数据存储器 的扩展、I/O接口扩展、串行接口扩展、 A/D、D/A扩展等。 51单片机有很强的扩展功能，采用常用 的芯片，就可方便地构成不同的应用系统。
系统扩展时，单片机对外呈三总线结构（如下 图）：地址总线（AB）、数据总线（DB）、控 制总线（CB）
I/O口负载能力：P0口可驱动8个 LSTTL电路，P1、P2、P3可驱动4个。 应用系统超过总线驱动能力时，应加用 总线驱动器。常用的单向总线驱动器有 74LS244、74LS240、74LS241；双向总线 驱动器有74LS245。 P0要复用为数据总线，采用的总线驱动 应是双向的。
常用总线驱动器引脚图
总线驱动器的具体连接
地址总线 AB 数据总线 DB 8051 单片机 控制总线 CB
数据存储器
程序存储器
I/O 接口
I/O 设备
MCS-51系统扩展示意图
4.1
最小系统与程序存储器的扩展
一、最小系统
“能运行”，“必要的基本要求”。
8031的最小系统如下页图所示。 在8031芯片的基础上增加了晶振电路、复位电 路、并扩展了程序存储器。 P0口分时复用为地址/数据总线。 单片机的地址锁存允许端ALE引脚接到 74LS373的使能端G，在ALE脉冲的下降沿P0口上 的低8位地址信息被锁入地址锁存器。 P2口只用作地址总线，故不必加锁存器。 单片机的EA引脚接地，以访问片外EPROM。
图、线选法地址译码
线选法译码对应口地址
由于6116内部有2K字节，占11根地址线，故线选 应取P2.3或更高位。线选法的优点是硬件电路简单； 缺点是地址空间没有充分利用，芯片间地址不连续。
2、全地址译码 对于RAM和I/O容量较大的应用系统，当芯片所 需的片选信号多于可利用的地址线时，常采用该方 法。它将低位地址作为片内地址，而用译码器对高 位地址线进行译码，译码器输出的地址选择线用作 片选线。 常用的有2-4译码器、3-8译码器、4-16译码器等。
2、EPROM芯片
※ 存储器基本知识 （1）存储器的分类 a)、 只读存储器（ROM） 掩模工艺ROM
可一次性编程ROM（PROM）
紫外线擦除可改写ROM（EPROM）
电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM）
快擦写ROM（flash ROM）
b）、随机存储器RAM（也叫读写存储器）
双极型RAM 金属氧化物（MOS）RAM
图、全地址译码
全地址译码对应口地址
上述方法同样适用于多EPROM芯片扩展。
4.2
数据存储器扩展
一、用静态RAM的数据存储器扩展 1、静态RAM芯片
常用的静态RAM芯片有6116﹑6264﹑62256等。
6116 62256 62128 6264 A14 A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND NC NC A12 A12 A7 A7 A6 A6 A4 A4 A4 A4 A3 A3 A2 A2 A1 A1 A0 A0 D0 D0 D1 D1 D2 D2 GND GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 6266 62128 62256 Vcc WE CS A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 Vcc Vcc WE WE A13 A13 A8 A8 A9 A9 A11 A11 OE OE/RFSH A10 A10 CE CE D7 D7 D6 D6 D5 D5 D4 D4 D3 D3 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
D D
:
D GQ D GQ
:
Q Q
:
P2 ALE P0 G D7 : : D0 OE Q7 : : Q0 AB
D
D GQ
Q
80C31
DB
G OE
74LS373
二、用EPROM的程序存储器扩展
进行EPROM的扩展，其扩展方法较为简单，这 是由单片机的优良扩展性能决定的。单片机的地 址总线为16位，扩展的片外ROM的最大容量为64KB， 地址为0000H～FFFFH。扩展的片外RAM的最大容量 也为64KB，地址为0000H～FFFFH。 由于51单片机采用不同的控制信号和指令 ， 尽管ROM与RAM的地址是重叠的，也不会发生混乱。 51单片机对片内和片外ROM的访问使用相同 的指令，两者的选择是由硬件实现的。 芯片选择（片选）方法有两种：线选法和全 地址译码法。ROM与RAM共享数据总线和地址总线。
2eprom芯片存储器基本知识1存储器的分类只读存储器rom掩模工艺rom可一次性编程romprom紫外线擦除可改写romeprom电擦除可改写romeeprom或eprom快擦写romflashromb随机存储器ram也叫读写存储器双极型ram静态ramsram金属氧化物mosram动态ramdram集成ramiram非易失性ramnvram2存储器的主要性能指标存贮容量存取时间可靠性功耗1011121314282726252423222120191817161527642712827256275122764vccpgmnca8a9a11oea10ceq7q6q5q4q327128vccpgma13a8a9a11oea10ceq7q6q5q4q327256vcca14a13a8a9a11oea10ceq7q6q5q4q327512vcca14a13a8a9a11oevppa10ceq7q6q5q4q32764vppa12a7a6a4a4a3a2a1a0q0q1q2gnd27256vppa12a7a6a4a4a3a2a1a0q0q1q2gnd27128vppa12a7a6a4a4a3a2a1a0q0q1q2gnd27512a15a12a7a6a4a4a3a2a1a0q0q1q2gnd常用的eprom芯片有27322764271282725627512等
RDY/BUSY A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3
A B C
若用3-8译码器74LS138，则其输入端占 用3根最高位地址线。其余13根可作为片内 地址线。因此，译码器的8根输出线分别对 应8个8K字节空间。 74LS138的逻辑功能为：当输入CBA从 000~111变化时，相应的其中一个Yi为0，i = 0, …, 7，其余均为1。 除常用的译码器外，现在也多采用可编 程逻辑器件来实现译码功能（如16V8等）， 其功能由用户编程实现，更方便灵活。
Байду номын сангаас
1、工作时序
第1个机器周期 S1
ALE PSEN P2口 P0口 PCL 输出PCH 指令 PCL 输出PCH 指令 PCL 输出PCH 指令 PCL 输出PCH 指令 PCL
第2个机器周期 S6 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1 S2
S2
S3
S4
S5
如图，P2口用于送出PCH信息；P0口送出PCL信息和输入指令。 51系列单片机的CPU在访问片外ROM的一个机器周期内， 信号ALE出现两次（正脉冲），ROM选通信号也两次有效，这 说明在一个机器周期内，CPU两次访问片外ROM，也即在一个 机器周期内可以处理两个字节的指令代码，所以在51系列单片机 指令系统中有很多单周期双字节指令。
图 扩展程序存储器的一般连接方式
EPROM存储器扩展电路：
P2.0-P2.4 ALE P0 G D7 : : D0 OE Q7 : : Q0
A8-A12
74LS373
80C31
EA
A7 : : A0
2764A
D0～D7
CE PSEN OE
根据所需容量选择扩展2716~27512芯片。所用 高位地址线（P2口）与扩展容量有关。 实际应用时，若选8051、8751等带片内ROM 芯片，应以片内容量能满足需求为宜。若需较大 的程序存储空间，可直接选用8031、8032等。 由于集成电路技术的发展，大容量的存储器价 格已非常低，故目前所设计的系统采用多片 EPROM的方法已不多用。 若所需程序存储空间超过64K，可采用P1的一 根口线控制EPROM的CE端，达到扩大寻址范围 的目的。如教材中图4-14给出的方案。
6116
24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
Vcc A8 A9 WE OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3
6264 62128 62256
2、用静态RAM的扩展电路
写允许端WE与单片机的WR相连，输出允许端与 单片机的RD相连。图中6264的编址为6000H~7FFFH。
2764 27128 27256 27512
3、地址锁存器
常用的地址锁存器有：74LS373、74LS273、 8282、8212等。使用时接法有所不同。
74LS373是有输出三态门的电平允许8D 锁存器。当G（使能端）为高电平时，锁存 器的数据输出端Q的状态与数据输入端D相 同（透明的）。当G端从高电平返回到低电 平时（下降沿后），输入端的数据就被锁 存在锁存器中，数据输入端D的变化不再影 响Q端输出。 8282引脚排列与74LS373不同。 74LS273是带清除端的8D触发器。使用 中清除端CLR应接高电平，且单片机ALE 信号需反相后再与其时钟端CLK相连。
2864A
2817A
图、用2817A EEPROM的扩展电路
※ MCS-51单片机应用系统中的地址译码 （可用于多芯片扩展）
在单片机应用系统中，所有外围芯片都通过总 线与单片机相连。单片机数据总线分时地与外围芯 片进行数据传送。故要进行片选控制。对片内有多 个字节的单元，还要进行片内地址选择。 一、MCS-51单片机地址译码规则
P2.7 P2.0-P2.4 CE A8-A12 +5V
ALE P0
80C31
EA
G D7 : : D0
OE Q7 : : Q0
CS A7 : : A0
1、程序存储器与数据存储器地址重叠使用； 2、外围扩展芯片（不含ROM）与数据存储器统一编址。 它不仅占用数据存储器地址单元，而且使用数据存储器的读 /写控制信号与读/写指令； 3、地址总线为16位。寻址范围均为64K。
二、地址译码方法 由于外围芯片与片外RAM统一编址，因此多芯 片设计时地址译码较为复杂。 线选法 全地址译码法 1、线选法 线选法是把单独的地址线接到外围芯片的片选 端上，只要该地址线为低电平，就选中该芯片。如 下页图示。 在外围芯片中，除片选地址外，有些还有片内 地址，而片内地址是由低位地址线进行全地址译码 选择的。
27512 27256 27128 A15 A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND 2764 Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 Vcc PGM NC A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27128 Vcc PGM A13 A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27256 Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27512 Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE/Vpp A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3
三、用E2PROM的程序存储器扩展
常用的EEPROM芯片有2864、2817等 。
NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3
静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 集成RAM（i RAM） 非 易 失 性 RAM （ NVRAM ）
（2）存储器的主要性能指标
存贮容量 存取时间 可靠性 功耗
常用的EPROM芯片有2732、2764、27128、 27256、27512等。引脚排列如下图。控制端状 态表见教材表4-1。编程电压有多种。
第四章 MCS-51系列 单片机的扩展
4.1 最小应用系统与程序存储器的 扩展 4.2 数据存储器的扩展 4.3 输入输出口的扩展
为什么需要进行扩展？ 选择不同的单片机芯片需要扩展的部分 会有所不同。 不同的单片机应用系统有不同的扩展需 求。包括程序存储器的扩展、数据存储器 的扩展、I/O接口扩展、串行接口扩展、 A/D、D/A扩展等。 51单片机有很强的扩展功能，采用常用 的芯片，就可方便地构成不同的应用系统。
系统扩展时，单片机对外呈三总线结构（如下 图）：地址总线（AB）、数据总线（DB）、控 制总线（CB）
I/O口负载能力：P0口可驱动8个 LSTTL电路，P1、P2、P3可驱动4个。 应用系统超过总线驱动能力时，应加用 总线驱动器。常用的单向总线驱动器有 74LS244、74LS240、74LS241；双向总线 驱动器有74LS245。 P0要复用为数据总线，采用的总线驱动 应是双向的。
常用总线驱动器引脚图
总线驱动器的具体连接
地址总线 AB 数据总线 DB 8051 单片机 控制总线 CB
数据存储器
程序存储器
I/O 接口
I/O 设备
MCS-51系统扩展示意图
4.1
最小系统与程序存储器的扩展
一、最小系统
“能运行”，“必要的基本要求”。
8031的最小系统如下页图所示。 在8031芯片的基础上增加了晶振电路、复位电 路、并扩展了程序存储器。 P0口分时复用为地址/数据总线。 单片机的地址锁存允许端ALE引脚接到 74LS373的使能端G，在ALE脉冲的下降沿P0口上 的低8位地址信息被锁入地址锁存器。 P2口只用作地址总线，故不必加锁存器。 单片机的EA引脚接地，以访问片外EPROM。
图、线选法地址译码
线选法译码对应口地址
由于6116内部有2K字节，占11根地址线，故线选 应取P2.3或更高位。线选法的优点是硬件电路简单； 缺点是地址空间没有充分利用，芯片间地址不连续。
2、全地址译码 对于RAM和I/O容量较大的应用系统，当芯片所 需的片选信号多于可利用的地址线时，常采用该方 法。它将低位地址作为片内地址，而用译码器对高 位地址线进行译码，译码器输出的地址选择线用作 片选线。 常用的有2-4译码器、3-8译码器、4-16译码器等。
2、EPROM芯片
※ 存储器基本知识 （1）存储器的分类 a)、 只读存储器（ROM） 掩模工艺ROM
可一次性编程ROM（PROM）
紫外线擦除可改写ROM（EPROM）
电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM）
快擦写ROM（flash ROM）
b）、随机存储器RAM（也叫读写存储器）
双极型RAM 金属氧化物（MOS）RAM
图、全地址译码
全地址译码对应口地址
上述方法同样适用于多EPROM芯片扩展。
4.2
数据存储器扩展
一、用静态RAM的数据存储器扩展 1、静态RAM芯片
常用的静态RAM芯片有6116﹑6264﹑62256等。
6116 62256 62128 6264 A14 A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND NC NC A12 A12 A7 A7 A6 A6 A4 A4 A4 A4 A3 A3 A2 A2 A1 A1 A0 A0 D0 D0 D1 D1 D2 D2 GND GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 6266 62128 62256 Vcc WE CS A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 Vcc Vcc WE WE A13 A13 A8 A8 A9 A9 A11 A11 OE OE/RFSH A10 A10 CE CE D7 D7 D6 D6 D5 D5 D4 D4 D3 D3 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
D D
:
D GQ D GQ
:
Q Q
:
P2 ALE P0 G D7 : : D0 OE Q7 : : Q0 AB
D
D GQ
Q
80C31
DB
G OE
74LS373
二、用EPROM的程序存储器扩展
进行EPROM的扩展，其扩展方法较为简单，这 是由单片机的优良扩展性能决定的。单片机的地 址总线为16位，扩展的片外ROM的最大容量为64KB， 地址为0000H～FFFFH。扩展的片外RAM的最大容量 也为64KB，地址为0000H～FFFFH。 由于51单片机采用不同的控制信号和指令 ， 尽管ROM与RAM的地址是重叠的，也不会发生混乱。 51单片机对片内和片外ROM的访问使用相同 的指令，两者的选择是由硬件实现的。 芯片选择（片选）方法有两种：线选法和全 地址译码法。ROM与RAM共享数据总线和地址总线。
2eprom芯片存储器基本知识1存储器的分类只读存储器rom掩模工艺rom可一次性编程romprom紫外线擦除可改写romeprom电擦除可改写romeeprom或eprom快擦写romflashromb随机存储器ram也叫读写存储器双极型ram静态ramsram金属氧化物mosram动态ramdram集成ramiram非易失性ramnvram2存储器的主要性能指标存贮容量存取时间可靠性功耗1011121314282726252423222120191817161527642712827256275122764vccpgmnca8a9a11oea10ceq7q6q5q4q327128vccpgma13a8a9a11oea10ceq7q6q5q4q327256vcca14a13a8a9a11oea10ceq7q6q5q4q327512vcca14a13a8a9a11oevppa10ceq7q6q5q4q32764vppa12a7a6a4a4a3a2a1a0q0q1q2gnd27256vppa12a7a6a4a4a3a2a1a0q0q1q2gnd27128vppa12a7a6a4a4a3a2a1a0q0q1q2gnd27512a15a12a7a6a4a4a3a2a1a0q0q1q2gnd常用的eprom芯片有27322764271282725627512等
RDY/BUSY A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3