华为LTE设备介绍

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HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HISILICON SEMICONDUCTOR
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BBU RRU 小型态
8T8R RRU( RRU3273/RRU3277)
• 全新一代ASIC芯片,内置serdes接口, 集成度更高,功耗小 • 首次采用氮化镓功放技术,功放效率显 著提升,支持更大输出功率 部署快 • 优化电源等电路,提升效率
pRRU3901
Lampsite
Nanocell
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Relay延伸LTE覆盖
设备型号 频率支持 带宽规格
方案一: 回传模块+小站 ATOM体积小,利于部署 方案二: 回传模块+宏站 宏站功率大,覆盖更远
发射功率
RRN 中继站
天线规格 体积重量 尺寸
RRN
中继基站
安装方式
供电方式 防护等级
灵活部署的华为Relay ,回传模块可与中继基站灵活组合,满足不同覆盖需求
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BBU RRU 小型态
模块化运维最简单
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2
小时安装
“MIN”
站点故障率
Blade Site——BBU3910A主要规格
BBU
单基带板规格 Ir接口速率 传输接口 对外供电
(选配)
(合一板卡)UMDU=UMPT+UBBPd9 6*20M 8T8R/12*20M 2T2R(仅TDL) 6*9.8G FE/GE一光一电 1POE(60W)回传 GPS、北斗和1588v2
DRRU3182-fad (三期新产品)
2通道 F+A+D F+A:30M+15M D:3*20M FA:2*35W D:2*60W 2*9.8G 6级 540W 18L 18kg
效率更高的新功放管 提升电源的输出功率,并提升效率 优化硬件电路,使用性能更好的器件
通道数 工作频带宽度 容量 输出功率 光纤接口 级联情况 功耗 尺寸(L) 重量(Kg)
RRU3182-e RRU3182-FAD
FA频段 2*35W D频段 2*60W E频段 2*60W
继续投标
RRU3275
D频段 2*60W
E频段 2*50W
RRU3273
AAU3213
DRRU3152-e
DRRU3168e-fa
DRRU3172-FAD DRRU3161-fae
FA: 30W(F改频) E:50W FA: 2*30W(F改频) D:2*40W
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HISILICON SEMICONDUCTOR
华为三期室内外RRU模块全景图
继续投标
D频段 8*25W D频段 8*25W FA频段 8*22W(F改频)
新8通道模块
RRU3277 AAU3215
D频段 8*30W D频段 8*30W
新2通道模块
2.6G 8T8R(有源) +FA 8T8R(无源) 8*30W 3*20M/60M
AAU3213
2.6G 8T8R(有源) +FA 8T8R(无源) 8*25W 3*20M/60M
• 零馈损,相比FA&D 独立电条合入方式, 性能提升将近3dB • FA&D独立电调
原FA RRU
部署快
• 新增D频段不需要新 增天线和RRU
体积
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< 3L/3kg
BBU RRU 小型态
室内覆盖LampSite(pRRU3901/pRRU3902)
pRRU3902
设备型号 pRRU3901
1.8(2T2R)+2.3(2T2R)
•1*50mW for 1.8G GSM •2*125mW for 2.3G TDL GSM: 20MHz TDL: 20MHz 1.8: 4GSM 2.3G: 1TDL Internal(2dBi Gain) 2.6L/3Kg 2*1G,2:1压缩 1.2L/1.2Kg 2*1G,4:1压缩 •1*50mW for 1.8G GSM •2*125mW for 2.3G TDL 20MHz for GSM 2*20MHz for TDL 1.8: 4GSM or 1FDL 2.3G: 2TDL(单RF卡)
技术点&应用场景
室外BBU: BBU3910A 8通道RRU: RRU3277 8通道AAU: AAU3215 2通道RRU: DRRU3182-FAD 2通道RRU: RRU3182-e Nanocell: BTS3203B Lampsite:pRRU3902
室外安装,“0”站址,2小 应用场景:公路、郊区、农村 时安装,最小故障率 D功率:8*25W8*30W D功率:8*25W8*30W FA功率: 2*30W2*35W; D功率: 2*40W2*60W E功率: 2*50W2*60W 1、使用氮化镓功放管代替LDMOS,功放效率 提升5%,体积减少,综合功放效率提升到45%;
性能优
型号
RRU3273
RRU3277 (三期新产品)
2.6G 8T8R
8*30W 3*20M/60M 17Kg
配置
功率 载波/带宽 重量
2.6G 8T8R
8*25W 3*20M/60M 17Kg
尺寸
工作温度 安装方式 功耗 型号
17L
-40°C~55°C 抱杆 460W RRU3273
17L
-40°C~55°C 抱杆 560W
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华为三期室内外小形态模块全景图
继续投标
FA: 2*15W(F改频) D:2*30W

pRRU3902
GSM 和LTE双模 A principle of distinctive fit 2*20M LTE 2*125mw 1.2L/1.2kg
宿主基站 DBS3900
RRN3201R
(D频段)2575MHz~2635MHz频段 (F频段)1880MHz~1915MHz频段 支持10MHz,15MHz,20MHz 24dBm, 1T2R D频段:15dBi,H40度/V20度; F频段:12dBi,H60度/V25度; 总体积小于4.0L(不含安装件), 重量小于3.5Kg(不含安装件) 340mm×200mm×60mm 抱杆,杆径范围支持48~381mm/ 挂墙 PoE 额定输入: -48V DC, 0.6 A IP65
Nanocell:BTS3203B及网关C-SCGW
WLAN
协议
频段 功率 功能 频段 TDLTE 容量 带宽 功率 网关规格 接口 天线 整机 电源 环境
支持802.11 b/g/n
2.4GHz 最大发射功率 200mW 瘦AP / 胖AP 2320 - 2370 MHz (Band 40) 激活用户数:32,RRC连接用户数:96 10MHZ, 20 MHZ 默认配置21dBm,最大发射功率24dBm
Security Level:
2014年中移动TD-LTE三期集采投标产品交流
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
华为三期BBU及基带板全景图
继续投标 新硬件 继续投标
UBBPd9 • 6*20M 8T8R
LBBPd4 •3*20M 8T8R
•6*20M 2T2R
•12*20M 2T2R
• 我司在氮化镓行业领导地位 • 多年的预研工作,推动产业的发展,解决关键技术
RRU
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HISILICON SEMICONDUCTOR
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IC
BBU RRU 小型态
双通道FAD RRU
设备型号 DRRU3172-fad
2通道 F+A+D F+A:30M+15M D:3*20M FA:2*30W D:2*40W 2*9.8G 6级 350W 12L 12kg
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HISILICON SEMICONDUCTORPaຫໍສະໝຸດ e 9BBU RRU 小型态
室内双通道E频段RRU
采用效率更高的新功放管 提升电源的输出功率,并提升效率 优化硬件电路,使用性能更好的器件
设备型号 通道数 DRRU3152-e
室外Blade BBU
• 6*20M 8T8R •12*20M 2T2R
UBBPd9
LBBPd4
•↑背板交换能力 •↑散热能力 •↑供电能力
BBU3900
BBU3910A
BBU3910
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pRRU3902 (三期新产品)
频段
输出功率
RHUB3908
IBW
载波数 天线 体积重量 传输
BBU3900
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三期集采投标新设备汇总
序号 设备型号
1 2 3 4 5 6 7
能力/新功能
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BBU RRU 小型态
射频功放管新材料——氮化镓(NGa)
• 技术趋势演进 LDMOS氮化镓
› 发展诉求:更高的功率,更高的效率(绿色节能) › LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)GaN
晶片
• 氮化镓的好处
› › › › 更高的漏极效率: 相比LDMOS效率提升5%以上 更大的带宽:支持高频、大带宽 更高的击穿电压:输出更高的功率 更高的结温:功放体积更小,结构支持更大功率
RRU3277 (三期新产品)
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HISILICON SEMICONDUCTOR
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BBU RRU 小型态
天线RRU一体化设备( AAU3213/AAU3215)
性能优
FAD天线 & D频段RF
型号 配置 功率 载波/带宽
AAU3215 (三期新产品)
2、无源部分功耗的减少(更高集成度的ASIC芯 片,集成10G接口,滤波器插损减少)
Unique
harmony

BTS3203B
1*20M LTE 2*125mW 802.11b/g/n
继续投标
BTS3205E
F频段或D频段 2*20M;6L/6kg
AAU3240
3172mini-fad
FA : 2*10W(F改频) D: 2*10W 8L/8kg
RRN3201(R)
F频段或D频段 1*20MHz,2*125mw 2.6L/3kg
天线增益
电调 重量/尺寸 工作温度 安装方式 功耗
16dBi
双频独立电调 35Kg, 1400*320*230 -40°C~55°C 抱杆 560W
16dBi
双频独立电调 35Kg, 1400*320*230 -40°C~55°C 抱杆 460W
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HISILICON SEMICONDUCTOR
电源
时钟
尺寸
重量 供电
12L(400x100x300mm)、24L(备电)
12kg,33kg(备电) DC -48V 150W
(选配)
备电
功耗 电源功率容量 防护
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3000W(满足1BBU+3RRU),备电20AH
自然散热,IP65
应用场景:公路、郊区、农村 特点:“0”站址,2小时安装,MIN故障率
BBU RRU 小型态
Blade Site解决传统站点挑战
RRU/AAU
Blade BBU Blade 备电
Fiber
Blade 电源
1个盒子,1根线缆
机房/机柜+盒子
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HISILICON SEMICONDUCTOR
占地 “0”


站点资源最大化
空口同步 精度0.25ppm,3us
支持接入5000网元 LAN:RJ45×2,10/100M自适应 内置2 x 2 全向天线 ,外置SMA接口 12V DC 或 POE+供电 -5℃~40℃,5%~95%
- C-SCGW减少MME控制面负荷及IPSec 汇聚能力
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. HISILICON SEMICONDUCTOR
2通道
RRU3182-e (三期新产品)
2通道
工作频带宽度 容量 输出功率
光纤接口 级联情况 功耗 尺寸(L) 重量(Kg)
E
2*20M TDL + 6C TDS 2*50W 2*9.8G 6级 365W 11L 10kg
E
2*20M +10M TDL 2*60W 2*9.8G 6级 375W 11L 10kg
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