LPCVD系统SIPOS LTO制程简介
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b、SIPOS膜钝化可明显提高器件的稳定性和可靠性。 (SIPOS膜钝化的材料最高可承受150℃高温)
c、SIPOS工艺能提高器件的耐压水平。（对于由表面限制 击穿电压的材料，一般可提升击穿电压200V以上）。
二、SIPOS工艺简介
• 1、HCL清洁
• a、减少可动钠离子浓度，高温下氯气与反应管中 沾污的金属杂质反应生成可挥发性化合物排除， 起到清洁作用。
二、SIPOS工艺简介
3、致密化
• a离、出通硅过的高网温络（之8外00与℃网左络右外）硅退的火氧，化使相S形IO成X膜更中为的稳间定隙的氧O原--S子i—游O 键或其它更高价态的硅的氧化相。
• b、高温热退火使薄膜由无定型结构向多晶转变形成再结晶过程， 减小晶格间界密度增加其致密度及保护效果（无定形硅(a-Si)又称 非晶硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列， 每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价 键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶 格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶 格网络呈无序排列。退火是对这种无序进行重新排列，减小晶粒 间界密度增加其致密度及保护效果
• b、提高器件的电性能和可靠性，微量的含氯氧化 气氛对硅中的金属杂质和填隙氧有提取作用，可 以减少或消除热氧化层错
二、SIPOS工艺简介
• 2、SIPOS膜沉积
• SIPOS膜沉积采用SIH4 －N2O气体系在约650 ℃低 压下进行热分解化学反应，在基层（主要为P/N结） 表面长一层掺氧多晶硅膜，增加基层钝化效果。
1、阻止焊料流至玻璃上，导致组装电性不良。 2、由于LTO本身是一层绝缘层覆盖在玻璃，增加玻璃的绝缘
效果。 3、避免玻璃上镀上镍和金
LTO制程原理
SiH4+O2 SiO2+2H2 沉积温度： 420±2℃
THANKS﹗
场等恶劣条件下也能长时间工作。 （5）可以提高PN结的击穿电压
一、SIPOS制程简介
• 3、SIPOS膜主要优点：
a、SIPOS是一个低压化学蒸汽沉积工艺, 用来沉积高电阻率 多晶硅层,主要应用在高压半导体器件的制造. SIPOS膜克 服了二氧化硅膜的不足,比如在二氧化硅/硅界面的固定离 子和电荷的积累、二氧化硅层的电荷保留以及在高温和高 电场中的碱离子的高移动性. 这些问题导致了高压器件击 穿和维持电压等级的降低, 由于二氧化硅层上的离子迁移, 器件不稳定性和受损的可靠性也降低了.SIPOS膜在高压器 件中用作场板以将PN结/二氧化硅界面上的高电场距离延 伸得更大.
一、SIPOS制程简介
2.Sipos制程的目的
（1）Sipos不仅可以钝化可动离子，而且对其它界面电 荷也有补偿或消除作用。
（2）Sipos膜对它上面的离子沾污和电荷积累具有自动 调节、补偿和屏蔽作用。
（3）Sipos膜可彻底消除击穿电压蠕变现象。 （4）Sipos膜具有较高的信赖性，在高温、高湿、强电
二、SIPOS工艺简介
• 4、MTO沉积
• a、在SIOX膜上长一MTO膜增加对SIOX膜的保护，防 止sipos层在高压时发生击穿。
• b、增加与玻璃结合力。 • A1:675 ℃ ,A2:685 ℃,A3:710℃
二、SIPOS工艺简介
8、化学气相沉积系统简图：
五、LTO制程简介
• LTO制程的目的
LPCVD制程总结报告
一、SIPOS制程简介 二、SIPOS工艺简介 三、LTO制程简介
一、SIPOS制程简介
• 1、SIPOS名词解释：
SIPOS指一种表面钝化工艺，中文解释为掺氧 半绝缘多晶硅，英文名为：Semi-Insulating Polycrystalline Silicon 简称SIPOS。一般钝 化膜（如SiO2、PSG)为绝缘体。但是SIPOS 膜呈电中性和半绝缘性 ，使它具备良好钝化膜 的基础条件，它可兼用于P型和N型硅的钝化。
c、SIPOS工艺能提高器件的耐压水平。（对于由表面限制 击穿电压的材料，一般可提升击穿电压200V以上）。
二、SIPOS工艺简介
• 1、HCL清洁
• a、减少可动钠离子浓度，高温下氯气与反应管中 沾污的金属杂质反应生成可挥发性化合物排除， 起到清洁作用。
二、SIPOS工艺简介
3、致密化
• a离、出通硅过的高网温络（之8外00与℃网左络右外）硅退的火氧，化使相S形IO成X膜更中为的稳间定隙的氧O原--S子i—游O 键或其它更高价态的硅的氧化相。
• b、高温热退火使薄膜由无定型结构向多晶转变形成再结晶过程， 减小晶格间界密度增加其致密度及保护效果（无定形硅(a-Si)又称 非晶硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列， 每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价 键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶 格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构，原子间的晶 格网络呈无序排列。退火是对这种无序进行重新排列，减小晶粒 间界密度增加其致密度及保护效果
• b、提高器件的电性能和可靠性，微量的含氯氧化 气氛对硅中的金属杂质和填隙氧有提取作用，可 以减少或消除热氧化层错
二、SIPOS工艺简介
• 2、SIPOS膜沉积
• SIPOS膜沉积采用SIH4 －N2O气体系在约650 ℃低 压下进行热分解化学反应，在基层（主要为P/N结） 表面长一层掺氧多晶硅膜，增加基层钝化效果。
1、阻止焊料流至玻璃上，导致组装电性不良。 2、由于LTO本身是一层绝缘层覆盖在玻璃，增加玻璃的绝缘
效果。 3、避免玻璃上镀上镍和金
LTO制程原理
SiH4+O2 SiO2+2H2 沉积温度： 420±2℃
THANKS﹗
场等恶劣条件下也能长时间工作。 （5）可以提高PN结的击穿电压
一、SIPOS制程简介
• 3、SIPOS膜主要优点：
a、SIPOS是一个低压化学蒸汽沉积工艺, 用来沉积高电阻率 多晶硅层,主要应用在高压半导体器件的制造. SIPOS膜克 服了二氧化硅膜的不足,比如在二氧化硅/硅界面的固定离 子和电荷的积累、二氧化硅层的电荷保留以及在高温和高 电场中的碱离子的高移动性. 这些问题导致了高压器件击 穿和维持电压等级的降低, 由于二氧化硅层上的离子迁移, 器件不稳定性和受损的可靠性也降低了.SIPOS膜在高压器 件中用作场板以将PN结/二氧化硅界面上的高电场距离延 伸得更大.
一、SIPOS制程简介
2.Sipos制程的目的
（1）Sipos不仅可以钝化可动离子，而且对其它界面电 荷也有补偿或消除作用。
（2）Sipos膜对它上面的离子沾污和电荷积累具有自动 调节、补偿和屏蔽作用。
（3）Sipos膜可彻底消除击穿电压蠕变现象。 （4）Sipos膜具有较高的信赖性，在高温、高湿、强电
二、SIPOS工艺简介
• 4、MTO沉积
• a、在SIOX膜上长一MTO膜增加对SIOX膜的保护，防 止sipos层在高压时发生击穿。
• b、增加与玻璃结合力。 • A1:675 ℃ ,A2:685 ℃,A3:710℃
二、SIPOS工艺简介
8、化学气相沉积系统简图：
五、LTO制程简介
• LTO制程的目的
LPCVD制程总结报告
一、SIPOS制程简介 二、SIPOS工艺简介 三、LTO制程简介
一、SIPOS制程简介
• 1、SIPOS名词解释：
SIPOS指一种表面钝化工艺，中文解释为掺氧 半绝缘多晶硅，英文名为：Semi-Insulating Polycrystalline Silicon 简称SIPOS。一般钝 化膜（如SiO2、PSG)为绝缘体。但是SIPOS 膜呈电中性和半绝缘性 ，使它具备良好钝化膜 的基础条件，它可兼用于P型和N型硅的钝化。