(推荐)运算放大器精选PPT
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电路的三级直接耦合放大电路。 第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。
• WIDE BANDWIDTH QUAD J-FET HIGH INPUT IMPEDANCE J–FET INPUT STAGE
按性能指标可分为高阻型、高速型、高精度型和低耗型 第四代产品采用了斩波稳零和动态稳零技术，使各性能指标参数更加理想化。
HIGH INPUT IMPEDANCE J–FET INPUT STAGE
于通用型运放。 HIGH INPUT IMPEDANCE J–FET INPUT STAGE
第四代产品采用了斩波稳零和动态稳零技术，使各性能指标参数更加理想化。 运算放大器的参数和分类
第二代产• 品普第遍采三用了代有源产负载品，简的化了输电路入的设级计，采并使用开环了增益超有了β显管著提，高，β各值方面高性能达指标1比0较0均0衡，~属5于0通0用0型倍运放，。
2.运算放大器的参数和分类
• 主要有低频增益、单位增益频率、相位边 限、功耗、输出摆幅、共模抑制比、电源 抑制比、共模输入范围、电压摆动率、输 入偏移电压、还有噪声等
• 按工作原理可分为电压放大型、电流放大 型、跨导型和互阻型。
• 按性能指标可分为高阻型、高速型、高精 度型和低耗型
3.集成运放的发展概况
按工作原• 理可第分为一电压代放大产型、品电流基放大本型、沿跨导用型和了互阻分型。立元件放大电路的设计思想，采 用集成数字电路的制造工艺，利用了少量横向PNP管，构 按性能指标可分为高阻型、高速型、高精度型和低耗型
第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。
• LOW POWER CONSUMPTION 压、还有噪声等
按工作原理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型。 ST(意法半导体)的运放产品 第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。
• WIDE COMMON-MODE (UP TO VCC+) 第三代产品的输入级采用了超β管，β值高达1000~5000倍，而且版图设计上考虑了热效应的影响，从而减小了失调电压、失调电流以
• 第四代产品采用了斩波稳零和动态稳零技术，使各性能指 标参数更加理想化。
ST(意法半导体)的运放产品
运算放大器是可以对电信号进行运算，一般具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的放大器。
• LF147 第一代产品基本沿用了分立元件放大电路的设计思想，采用集成数字电路的制造工艺，利用了少量横向PNP管，构成以电流源做偏置
OPERATIONAL AMPLIFIERS 运算放大器的参数和分类
第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。 WIDE BANDWIDTH QUAD J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS 按工作原理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型。 按性能指标可分为高阻型、高速型、高精度型和低耗型 主要有低频增益、单位增益频率、相位边限、功耗、输出摆幅、共模抑制比、电源抑制比、共模输入范围、电压摆动率、输入偏移电
及他们的温漂，增大了共模抑制比和输入电阻。
AND DIFFERENTIAL VOLTAGE RANGE 按工作原理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型。
按工作理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型。
• LOW INPUT BIAS AND OFFSET
CURRENT
谢谢观看
运算放大器 Operational Amplifier
1.运算放大器的简介
• 运算放大器是可以对电信号进行运算，一 般具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗 的放大器。
• 运算放大器最早被设计出来的目的是用来 进行加，减，微分，积分的模擬数学运算， 因此被称为“运算放大器” 。同时它也成 为实现模拟计算机〔analog computer〕的 基本建构单元。
ST(意法半导成体)的以运放电产品流源做偏置电路的三级直接耦合放大电路。
主要有低频增益、单位增益频率、相位边限、功耗、输出摆幅、共模抑制比、电源抑制比、共模输入范围、电压摆动率、输入偏移电
压按、性还 能有指• 噪标声可第等分为二高阻代型、产高速品型、普高精遍度型采和低用耗型了有源负载，简化了电路的设计，并 使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属 第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。
第三代产品的输入级采用了超β管，β值高达1000~5000倍，而且版图设计上考虑了热效应的影响，从而减小了失调电压、失调电流以
及他们的温漂而，增且大了版共模图抑制设比和计输入上电阻考。 虑了热效应的影响，从而减小了失调电
HIGH INPUT IMPEDANCE J–FET INPUT STAGE
LOW INPUT压BIA、S AN失D O调FFS电ET C流URR以ENT及他们的温漂，增大了共模抑制比和输入 电阻。
• WIDE BANDWIDTH QUAD J-FET HIGH INPUT IMPEDANCE J–FET INPUT STAGE
按性能指标可分为高阻型、高速型、高精度型和低耗型 第四代产品采用了斩波稳零和动态稳零技术，使各性能指标参数更加理想化。
HIGH INPUT IMPEDANCE J–FET INPUT STAGE
于通用型运放。 HIGH INPUT IMPEDANCE J–FET INPUT STAGE
第四代产品采用了斩波稳零和动态稳零技术，使各性能指标参数更加理想化。 运算放大器的参数和分类
第二代产• 品普第遍采三用了代有源产负载品，简的化了输电路入的设级计，采并使用开环了增益超有了β显管著提，高，β各值方面高性能达指标1比0较0均0衡，~属5于0通0用0型倍运放，。
2.运算放大器的参数和分类
• 主要有低频增益、单位增益频率、相位边 限、功耗、输出摆幅、共模抑制比、电源 抑制比、共模输入范围、电压摆动率、输 入偏移电压、还有噪声等
• 按工作原理可分为电压放大型、电流放大 型、跨导型和互阻型。
• 按性能指标可分为高阻型、高速型、高精 度型和低耗型
3.集成运放的发展概况
按工作原• 理可第分为一电压代放大产型、品电流基放大本型、沿跨导用型和了互阻分型。立元件放大电路的设计思想，采 用集成数字电路的制造工艺，利用了少量横向PNP管，构 按性能指标可分为高阻型、高速型、高精度型和低耗型
第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。
• LOW POWER CONSUMPTION 压、还有噪声等
按工作原理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型。 ST(意法半导体)的运放产品 第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。
• WIDE COMMON-MODE (UP TO VCC+) 第三代产品的输入级采用了超β管，β值高达1000~5000倍，而且版图设计上考虑了热效应的影响，从而减小了失调电压、失调电流以
• 第四代产品采用了斩波稳零和动态稳零技术，使各性能指 标参数更加理想化。
ST(意法半导体)的运放产品
运算放大器是可以对电信号进行运算，一般具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的放大器。
• LF147 第一代产品基本沿用了分立元件放大电路的设计思想，采用集成数字电路的制造工艺，利用了少量横向PNP管，构成以电流源做偏置
OPERATIONAL AMPLIFIERS 运算放大器的参数和分类
第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。 WIDE BANDWIDTH QUAD J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS 按工作原理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型。 按性能指标可分为高阻型、高速型、高精度型和低耗型 主要有低频增益、单位增益频率、相位边限、功耗、输出摆幅、共模抑制比、电源抑制比、共模输入范围、电压摆动率、输入偏移电
及他们的温漂，增大了共模抑制比和输入电阻。
AND DIFFERENTIAL VOLTAGE RANGE 按工作原理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型。
按工作理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型。
• LOW INPUT BIAS AND OFFSET
CURRENT
谢谢观看
运算放大器 Operational Amplifier
1.运算放大器的简介
• 运算放大器是可以对电信号进行运算，一 般具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗 的放大器。
• 运算放大器最早被设计出来的目的是用来 进行加，减，微分，积分的模擬数学运算， 因此被称为“运算放大器” 。同时它也成 为实现模拟计算机〔analog computer〕的 基本建构单元。
ST(意法半导成体)的以运放电产品流源做偏置电路的三级直接耦合放大电路。
主要有低频增益、单位增益频率、相位边限、功耗、输出摆幅、共模抑制比、电源抑制比、共模输入范围、电压摆动率、输入偏移电
压按、性还 能有指• 噪标声可第等分为二高阻代型、产高速品型、普高精遍度型采和低用耗型了有源负载，简化了电路的设计，并 使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属 第二代产品普遍采用了有源负载，简化了电路的设计，并使开环增益有了显著提高，各方面性能指标比较均衡，属于通用型运放。
第三代产品的输入级采用了超β管，β值高达1000~5000倍，而且版图设计上考虑了热效应的影响，从而减小了失调电压、失调电流以
及他们的温漂而，增且大了版共模图抑制设比和计输入上电阻考。 虑了热效应的影响，从而减小了失调电
HIGH INPUT IMPEDANCE J–FET INPUT STAGE
LOW INPUT压BIA、S AN失D O调FFS电ET C流URR以ENT及他们的温漂，增大了共模抑制比和输入 电阻。