电机技术基础期末(模拟1)

湖南工程学院学校2005 —2006 学年度第学期
电子技术基础（模拟1 ）期末考试试卷（01）
2020年4月18日
题号一二三四五总分
分数
一、填空题（本题22分，每空1 分）
1.单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现失真。

2.设晶体三极管在信号周期时间T内的导电时间为t，试写出甲类、乙类和甲乙类三种功放电路的t与T的关系。

甲类；乙类；甲乙类。

3.射极输出器的主要特点是、和。

4.为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。

5.指出在以下几种半导体器件中，属于硅二极管的有，属于锗二极管的
有属于硅三极管的有，属于锗三极管的有。

3AX22；2CZ11；3DG4；2AP10；3DJ13
6.在反馈电路中，按反馈网络与输出回路的连接方式不同分为
和，按反馈网络与输入回路的连接方式不同，
分为和。

7.用示波器观察到NPN硅管，u ce的波形如图所示，这是失真，调整R b可使波形趋向于正弦，R b数值应。

8.硅二极管在反向电压低于5V时常发生击穿。

9.在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做。

10.放大器中引入反馈，可以稳定电压放大倍数并减小输出电阻。

二、选择题（本题5分，共5题）
1.电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（）A、减小输入电阻及输出电阻B、减小输入电阻、增大输出电阻
B、增大输入电阻、减小输出电阻D、增大输入电阻及输出电阻
2.设单级放大器的通频带为f bw1，由它组成的多级放大器的通频带为f bw,则（）
A、
1
bw
bw
f
f〈B、
1
bw
bw
f
f>C、f bw=f bw1D、不定
3.功率放大电路的输出功率等于。

①输出电压与输出交流电流幅值的乘积
②输出交流电压与输出交流电流的有效值的乘积；
③输出交流电压与输出交流电流幅值的乘积。

4.为消除截止失真，应（）
A 增大集电极电R C；B改换大的管子；C 增大基极偏置电阻R b; D减小基极偏置电阻R b。

5.与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是（）
A 效率高；
B 不用输出变压器；
C 不用输出端大电容；
D 无交越失真。

三、判断题（本题5分，共5题）
1.射极输出器为电流串联负反馈对吗？（）
2.微变等效电路只能分析晶体管在小信号输入时的动态情况，不能用于静态分析。

（）
3.小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。

（）
4.一个NPN型晶体三极管，由测量得知三个电极的电位分别为：
V E= - 6.6V，V B= - 6V，V C= - 3V
这个晶体三极管工作在放大状态。

（）
5.放大电路如图所示，设V CC=12V，R b=45KΩ,R C=3KΩ,晶体管的β=50，管子导通时的V BE=0.7V,由此可以断定该电路的静态工作点位于截止区。

（）
四、计算题（本题28分，共4题）
1.电路如图所示，设C1、C2足够大晶体管
的β=100，U BEQ=0.7V, r bb′= 300Ω
（1）求电路的静态工作点；
（2）求电路的电压放大倍数A u和
A us值。

（3）求电路的输入电阻R1输出电
阻R0的值。

（本题9分）
2.如图所示的功放电路中，设输入信号足够大，晶体管的P CM、U（BR）CEO和I CM足够大。

若晶体管T1、T2的|U CES|≈3V,计算此时的P O。

（本题6分）
3.如图所示。

要实现下列要求，将负反馈在电路上标出。

（本题8分）
（1）静态时，电路参数的改变
对u0的影响较小。

（2）加信号后，I C3的数值基本
不受R C3改变的影响。

（3）接负载R L以后，电压放大
倍数基本不变。

（4）输入端向信号源索取的电
流较小。

4.图中给出的是某三极管的输出特性。

已知：I CM=20MA , BU CEO≥30V , P CM=100mW ,
请在输出特性上分别标出截止区、放大区、饱和区、
过压区、过流区和过损耗区，并估算U CE=5V、
I C=5mA时管子的电流放大系数β。

（本题5分）
五、综合题（本题40分，共4题）
1.用直流电子电压表测得各三极管在放大电路中各管脚对地电位如表所示，判断三极管的电极，管型及所用材料。

2.图示电路为一未画全的功率放大电路，要求：
1、填上晶体管T1～T4的发射极箭头，使之构成一个完整的准互补功率放大电路。

2、假设当输入电压幅值足够大时，功放管可达到饱和，且饱和压降U CE（sat）可忽略，估算
电路的最大不失真输出功率。

3.共发射基本放大电路如图所示。

又知：U BE=0.7V，β=60。

(1)用近似法求静态工作时的：I BQ、
I CQ、U CEQ。

（2）在给
出的输出特性曲线上画
出直流和交流负载线
（注明工作点位置）。

4.如图所示，T 工作在甲类，Q点在交流负载线的中点，写出Po、Pom
电源供给功率及放大电路效率的计算公式。

湖南工程学院学校2005 —2006 学年度第学期
电子技术基础期末考试试题
参考答案
2020年4月18日
题号一二三四五总分
分数
一、填空题（本题22分，共10题）
1.解：截止
2.解：t = T t = T/2 T/2 < t < T
3.解：高阻输入低阻输出幅度跟随相位跟随
4.解：高；大。

5.解：2CZ11；2AP10；3DG4、3DJ13；3AX22 。

6.解：电压反馈，电流反馈；串联反馈，并联反馈
7.解：饱和；增加。

8.解：齐纳
9.解:交越失真
10.解：（略）
二、选择题（本题5分，共5题）
1.解：B
2.解：A
3.解: ②
4.解：D
5.解：A
三、判断题（本题5分，共5题）
1.解：×
2.解：√
3.解：×
4.解：√
5.解：×
四、计算题（本题28分，共4题）
1.解：
（1）)
/(
)
(
02
01
2
1
2R
R
U
R
R
R
V
I
I
BEQ
b
b
b
CC
EQ
CQ
+
-
+
=
≈mA
22
.1
≈
V
R
R
R
I
V
U
I
BQ C
CQ
CC
CEQ
CQ
I
I
5
)
(
,
0122
.0
/02
01
≈
+
+
-
=
=
=
β
（2）
Ω
≈
+
+
=
'K
I
r
r
E
b b
be4.2
26
)
1(β9.
38
)
1(
1
-
=
+
'
-
=
e
be
L
u R
r
R
A
β
β
S
u
us R
R
R
A
A
+
-
=
⋅
=
1
1
5.
18
（3）Ω
=
≈
Ω
≈K
R
R
K
R
C
O
85
.6
,
5.8
1
2.解：
W
R
U
U
p
L
CES
CC
o
9
2
)
(2
=
-
=
3.解：略。

4.
五、
综合题（本题40分，共4题）
1.解：T1管：NPN型硅管①c ；②e；③b
T2管：PNP型锗管①e ；②b；③c
T3管：PNP型硅管①e ；②c ；③b
2.解：（1）T1、T3、T4为NPN管，都是最下端的电极为发射极T2为PNP管，发射极是
与C2相连的电极。

（2）P o（max）=9W
L
CC L
CC
om R U R U P 82)2(
22
==
3.I BQ =(E C -U BE )/R b =(12-0.7)=37.7(μA) I CQ =βI BQ =60×37.7=2.26(mA)
U C E Q =E C -I C Q ·R C =12-2.26×10-3×2.7=5.9(V)
4.解：
输出功率为 L
om
om om o R U U I P 221
2==
电源供给功率为
L
CC CC L
CC
CC C UCC R U U R U U I P 222=
== 取大效率为 25.04
1
82====
L L UCC om m R R P P η
由此可见甲类功放效率低。

其原因在于负载电阻上存在着直流功耗。

消除的办法是采用变压器耦合。