模拟电路 例题(1-5章)资料
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
(2) A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开, Re 有电流串联负反馈,( Aum 下降), Ri 增加, R0 不变;
(1) 画出直流通路和微变等效电路 (6 分)。 (2)设 U BEQ 0.7V ,求静态工作点
I CQ 、 U CEQ (4 分)
(3)求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
,设 =30,
rbb' =19 4 (6 分)
(4) I CEO 、U CES 忽略不计,估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
(3) Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图, C1 ~ C4 足够大,
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
(3) R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B;A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A(2)B;A;C(3)B;C;C (4) C,B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体,按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类:①时间连续、数值连续信号,即模拟信号;②时间离散、数值连续信号;③时间连续、数值离散信号;④时间离散、数值离散信号,即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波),从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号,过滤掉不需要的频率信号,也可以过滤掉某些频率信号,保留其它频率信号。
幅度频谱:各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱:各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路,所谓放大作用,其放大的对象是变化量,本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型:1.电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2.电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3.互阻放大电路电路的互阻增益为4.互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻:输入电压与输入电流的比值,即对输入为电压信号的放大电路,R i越大越好;对输入为电流信号的放大电路,R i越小越好。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 解:二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中,u1=10sin ωt(V),R L =1k Ω,试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解:波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性,它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数,大一些好还是小一些好?解:动态内阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,即稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻r Z 愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中,已知电源电压V =10V ,R=200Ω,R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V,试求: ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ,I Z 将变为多少? ③当V 仍为10V ,但R L 改为2 k Ω时,I Z 将变为多少? 解:① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管,稳压仁政值均为6V ,当工作在正向时管压降均为0.7V ,如果将它们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。
(完整版)模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案
模拟电子技术胡宴如(第3版)自测题第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。
3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。
1.2 单选题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由(D )构成。
A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B )。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。
A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
(√)2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(×)3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)1.4 分析计算题1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。
解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U0=(6—0.7)V=5.3 V。
模拟电路典型例题1
模拟电路典型例题——小信号放大电路在多年模拟电路的教学中,电路的分析计算对于学生是分析的难点也是考试的重点。
下面就以共射放大电路为例,介绍小信号放大电路的分析计算。
小信号放大电路分析计算方法:1、画出直流通路:电容开路,电感短路;2、画出交流通路:电容短路,电感电感开路,理想电压源短路,理想电流源开路;3、画出微变等效电路:交流通路中的三极管用微变等效电路代替。
4、在直流通路中,分析静态工作点;5、通过微变等效电路,分析动态指标;例题1:晶体管共射极基本放大电路中,已知V V CC 12=、Ω=k R B 200、Ω=k R C 2、V V BEQ 7.0=,60=β。
试确定静态工作点,并用微变等效电路法计算u A ,i r ,0r 。
图1-1 晶体管共射极基本放大电路直流通路 交流通路 微变等效电路解:1)在直流通路中,分析静态工作点:A 0565.02007.012BEQBQ m R V V I BCC =-=-=mA 39.30565.060BQ CQ =⨯==I I β V 22.5239.312C CQ CEQ =⨯-=-=R I V V CC2)作交流通路及微变等效电路,分析动态指标: Ω=Ω=⨯+=+=k I r r CQbb be 76.076039.3266030026'β15867.0260-=⨯-=-=beC u r R A βΩ===k r R r be B i 76.076.0//200//Ω≈=k R r C 20例题2:如图2.2所示分压偏置共射极基本放大电路,试求静态工作点,输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。
已知三极管50=β、Ω=k R B 601、Ω=k R B 202、Ω=k R E 2、Ω=k R C 4、Ω=k R L 4、V V CC 12=。
图1-2 分压偏置共射极基本放大电路 直流通路交流通路 微变等效电路解: 1)在直流通路中,分析静态工作点:V V R R R V CC B B B BQ 312206020212=⨯+=+=mAR R V I I EBEQBQ EQ CQ 15.127.03=-=-==uA I I CQBQ 235015.1≈==βV R R I V U E C CQ CC CEQ 1.5)24(15.112)(=+⨯-=+-=2)作交流通路及微变等效电路,分析动态指标:Ω=⨯++=++=k I r r EQbb be 453.115.126)501(30026)1('0β8.68453.14//450'-=⨯-=-=beL u r R A βΩ===k r R R r be B B i 325.1453.1//20//60////21Ω≈=k R r C 40例题3:如图 1.3所示电路,已知三极管50=β、Ω=2002E R 、Ω=k R C 3、Ω=k R B 331、Ω=k R B 1002、Ω=k R E 8.11、V U CC 10=。
《模拟电子技术》复习题综合(第5章)
《模拟电子技术》复习题综合(第5章)一、填空题1.集成运算放大器工作在线性区时,两输入端的电位可以近似为U+U-。
2.理想运算放大器的“虚短”和“虚断”的概念,就是流进运放的电流为,两个输入端的电压为,为保证运放工作在线性状态,必须引入反馈。
3.为了工作在线性工作区,应使集成运放电路处于状态;为了工作在非线性区,应使集成运放电路处于状态。
4.输入电阻很大的运算电路是比例运算放大器,电路中引入的是负反馈。
5.电压比较器中的集成运放通常工作在区,电路工作在状态或引入反馈。
6.在模拟运算电路时,集成运算放大器工作在区,而在比较器电路中,集成运算放大器工作在区。
7.过零比较器可将正弦波变为波,积分器可将方波变为波。
二、选择题1.为了工作在线性工作区,应使集成运放电路处于状态;为了工作在非线性区,应使集成运放电路处于状态。
A.正反馈B.负反馈C.正反馈或无反馈D.负反馈或无反馈2.关于理想集成运放的输入电阻和输出电阻论述正确的是。
A.输入电阻为∞,输出电阻为0B.输入电阻为0,输出电阻为∞C.输入电阻和输出电阻均为∞D.输入电阻和输出电阻均为03.右图所示电路的反馈类型和极性是。
A.电压串联负反馈B.电压串联正反馈C.电压并联负反馈D.电压并联正反馈4.右图所示电路的电压放大倍数为。
A.RRA Fuf-= B.RRA Fuf= C.RRA Fuf+=1 D.RRA Fuf-=17.为了从信号中提取高频部分,应选用。
A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器8.为防止50Hz电网电压干扰混入信号之中,应选用。
A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器9.为获取信号中的直流成分,应选用。
A.低通滤波器B.带通滤波器C.高通滤波器D.带阻滤波器三、判断题:1.在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
()2.运算电路中一般均引入负反馈。
()3.电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
模拟电路习题解答
模拟电路(童诗白第四版)习题解答(总135页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥1263第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
4A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
2012年模拟电子技术第五章 集成运算放大电路及其应用练习题(含答案)
第五章集成运算放大电路及其应用【教学要求】本章主要叙述了集成运放内部电路的组成及作用;讨论了电流源电路、差分放大器等单元电路;同时介绍了集成运放的理想化条件及它的三种基本电路和运算、集成运放的应用电路及其特点和集成运放的非线性应用;教学内容、要求和重点如表5.1。
表5.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题5-1】差动放大器如图5-1所示。
已知三极管的β1=β2=50,β3=80,r bb’=100Ω,U BE1=U BE2=0.7V,U BE3=-0.2V,V CC=12V。
当输入信号U i=0时,测得输出U o=0。
1:估算T1、T2管的工作电流I c1、I c2和电阻R e的大小。
2:当U i=10mV时,估算输出U o的值图5-1解:1:由电路可知,当U i =0时,要保证U o =0V ,则电阻R e3上压降应为12V ,,由此可求得3c I :mA R U U I e cc o c 11212)(33==--=,T 3管的设计电流3E I 为:33c E I I ≈,而T 2管集电极电阻R c2上的压降2C R U 可近似为:V U R I U EB e E R C 2.32.0313332=+⨯=+⋅≈。
于是T 1、T 2管的集电极电流1C I 、2C I 为:)(32.0102.32212mA R U I I C RR C C C ====。
射极电阻R e 上的电流e R I 为:)(64.021mA I I I C C R e=+=。
若设T 1管基极电位U B1=0V ,则U E1=-0.7V ,射极电阻R e 为:)(7.1764.0127.0)(1Ω=+-=--=K I U U R e R CC E e2:U i =10mA 时,U o 的大小:由于电路的结构为单入、单出型,故将T 3管构成的后级电路输入电阻R i2作为差放级的负载考虑,其电压放大倍数A u1为:)(2)//(12211be b i c u r R R R A +=β;其中: )(24.432.026)501(1001Ω=⨯++=K r be ,3332)1(e be i R r R β++=; 而3be r 为: )(2.2126)801(1003Ω=⨯++=K r be ; 所以: )(2453)801(2.22Ω=⨯++=K R i电压放大倍数为:8.45)24.41(2)245//10(501=+⨯⨯=u AT3管构成的后级放大电路的电压放大倍数2u A 为:9.33812.21280)1(333332-=⨯=⨯-=++-=e be c u R r R A ββ当输入U i =10mA 时,电路输出电压U o 为:)(8.110)9.3(8.4521V U A A U i u u o -=⨯-⨯=⋅⋅=【例5-2】图5-2给出了采用两级运放电路实现的差分比例运算电路。
模拟电路复习(1、2、3、4、5、6、8章)康华光
(3)输出电阻Ro
Ro→0
2.3.2 反相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算 (1)电压增益Av
根据虚短和虚断的概念有
vn≈ vp= 0 , ii=0 所以 i1=i2
即
v i vn vn vo R1 R2 vo R2 Av (可作为公式直接使用) vi R1
(a)V-I特性 (b)电路模型
(a)V-I特性 (b)电路模型
3.5 特殊二极管
3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电子器件
4.1 BJT
4.1.1 BJT的结构简介
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
2.3.2 反相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算 (2)输入电阻Ri
vi vi Ri R1 ii vi / R1
(3)输出电阻Ro Ro→0
2.4.1 求差电路
从结构上看, 它是反相 输入和同相输入相结合的放 大电路。 根据虚短、虚断和n 、 p 点的KCL得:
vn vp vi1 v n v n vo R1 R4 vi2 v p v p 0 R2 R3
vi1 - vn vi2 - vn vn - vo R1 R2 R3
R3 R3 - vo vi 1 vi 2 R1 R2
若 R1 R2 R3 则有 - vo vi1 vi 2
(该电路也称为加法电路)
3.1 半导体的基本知识
3.2 PN结的形成及特性
3.3 二极管
模电总结复习资料-模拟电子技术基础
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)
第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。
PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。
介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。
理想情况下,二极管相当于开关闭合与断开。
介绍了二极管的简单应用电路,包括整流、限幅电路等。
同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。
教学内容、要求和重点见如表1.1。
表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示,设U im>U R,,二极管为理想,试分析电路输出电压,并画出其波形。
解:求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态,即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路,可获得输出U o的波形。
本电路具体分析如下:当U i增大至U R时,二极管D导通,输出U o被U R嵌位,U o=U R,其他情况下,U o=U i。
这类电路又称为限幅电路。
图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示,若输入电压U i=7sinωt (V),试分析并画出电路输出电压的波形。
(设二极管的U on为0.7V,忽略二极管内阻)。
图1-2解:用恒压降等效模型代替实际二极管,等效电路如图1-2(b)所示,当U i<-3.7V时,D2反偏截止,D1正偏导通,输出电压被钳制在-3.7V;当-3.7V<U i <3.7V时,D1、D2均反偏截止,此时R中无电流,所以U o=U i;当3.7V<U i时,D1反偏截止,D2正偏导通,输出电压被钳制在3.7V。
综合上述分析,可画出的波形如图1-20(c)所示,输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。
【例题1-3】电路如图1-3(a),二极管为理想,当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波,A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时,如图1-3(b),试画出Uo点波形。
模拟电子技术例题习题
模拟电子技术B 1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ= 6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流 IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输 出电压UO的值; (2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?
例题习题
(1)当UI=15V时,若UO=UZ=6V,则 IR=(15-6)V/1K =9mA IDZ=-3mA<IZmin,所以稳压管未击穿。故 当UI=35V时,若UO=UZ=6V,则 RL 500 UIO U I =29mA 15V 5V R=(35-6)V/1K R RL 1000 500 IDZ=17mA, IZMAX>IDZ>IZMIN,所以UO=UZ=6V (2)当UI=35V时,若空载,则有 IDZ= IR=(35-6)V/1K =29mA,IDZ>IZMAX 稳压管将因功耗过大而损坏。
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模拟电子技术B
例题习题
1.8 现测得放大电路中这两只 管子两个电极的电流如图P1.8 所示。分别求另一电极的电流, 标出其实际方向,并在圆圈中 画出管子,且分别求它们的电 流放大系数β。 【解】 (a) I C 1mA 100 I B 10 A (b)
IC 5mA 50 I B 100 A
I BQ
VBB U BEQ Rb
3V 0.7V 460 A 5 K
ICQ=βIBQ=50460μA=23mA。
uo=VCC-ICQRC<UBE
所以T处于饱和状态
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模拟电子技术B
例题习题
第2章 基本放大电路
1. 静态工作点 (Quiescent Point) 放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。 静 态工作点Q(直流值):UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
模拟电子技术考试试题汇总及答案
,假设 、 、 中任意一个开路,将会产生什么后果?
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值),RL=20Ω, C=2000µF。试问:①正常时 ?②如果电路中有一个二极管开路, 是否为正常值的一半?③如果 为下列数值,可能出了什么故障?
(a) (b) (c)
6.某LC振荡电路的振荡频率为 ,如将LC选频网络中的电容C增大一倍,则振荡频率约为( c )。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比,主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力,同时减小对信号源索取的电流,应引入( a )。
⒉图5-2中的集成均为理想运放,各电路均满足深负反馈条件,试判断它们的反馈组态和极性,并分别估算它们的电压放大倍数。
⒊一单电源互补对称电路如图5-3所示,设 、 的特性完全对称, 为正弦波,
, 。试回答:⑴静态时,电容 两端电压就是多少?调整哪
个电阻能满足这一要求?⑵动态时,输出电路 出现交越失真,应调整哪个电阻?
图2
二、VB=
rbe=200+101
RO=RC=3.3
三、(12分)
放大电路如图3 a、b、c、d所示。
(1)试分别说明4个放大电路所属的组态;
(2)当信号源为电压源,且内阻不为零时,最好采用图中哪一个电路作为输入级?
(3)为了使放大电路有较强的带负载能力,最好采用图中哪一个电路作为输出级?
(4)当信号的频率范围比较宽,肯包含较高的频率成分时,最好采用图中哪一个电路进行放大?
③(a) ,说明电容开路,无滤波作用。
模拟电子技术 例题
当vi>2.5V 时,D1 导通,假设此时D2 尚未导通,则 Vo=(2/3).(Vi-2.5)+2.5V; 令vo=10V,则vi=13.75V,可见当vi>13.25V 时,D1、D2 均导通,此时 Vo=10V。传输特性曲线略。
例 3.试判断图中二极管是导通还是截止?并求出 AO 两端电压VA0。设二极管 为理想的。
8
解:(1)Vc2=Vcc/2=6V,调 R1 或 R3 可以满足。 (2)交越失真,可以增大 R2。 (3)由于 T1,T2 的静态功耗 PT1=PT2=βIBVCE=β(Vcc-2|V
BE|)/(R1+R3)-Vcc/2=1156mV>>PCM, 所以会烧坏功放管。 例 3.图为某收音机的输出电路 (1)说明电路的名称; (2)简述 C2、C3、R4、R5 的作用; (3)已知电路的最大输出功率 Pmax=6.25w, 计算对称功率管 T2、T3 的饱和压 降|Vces|。
例 4.两个稳压管的稳压值VZ1=5V,VZ2=7V,它们的正向导通压降均为 0.6V, 电路在以下二种接法时,输出电压Vo 为多少?若电路输入为正弦信号V I=20sinωt(V),画出图(a)输出电压的波形。
2
解:图(a)中 D1、D2 都承受反向偏压,所以输出电压Vo=VZ1+VZ2=5V+7V=12V 若输入正弦信号VI=20sinωt(V):
答:(1)OTL 功率放大电路。
9
(2)C2、C3组成的自举电路,可增大输出幅度。C3使加到 T2、T3 管 的交流信号相等,有助于使输出波形正负对称。R4为 T2、T3提供偏置电压, 克服交越失真。R5 通过直流负反馈的方式为 T1提供偏置且稳定静态工作点。 调节 R5可使 K 点电位达到0.5Vcc。 (3)|Vቤተ መጻሕፍቲ ባይዱES|=2V
(完整版)模拟电子技术5章习题答案
5 放大电路的频率响应自我检测题一.选择和填空1.放大电路对高频信号的放大倍数下降,主要是因为 C 的影响;低频时放大倍数下降,主要是因为 A 的影响。
(A. 耦合电容和旁路电容;B. 晶体管的非线性;C. 晶体管的极间电容和分布电容)2.共射放大电路中当输入信号频率为f L 、f H 时,电路放大倍数的幅值约下降为中频时的 A ;或者说是下降了 D dB ;此时与中频相比,放大倍数的附加相移约为 G 度。
(A. 0.7,B. 0.5,C. 0.9); (D. 3dB ,E. 5dB ,F. 7dB); (G. -45°,H. -90°,I. -180°)3.某放大电路||v A 的对数幅频响应如图选择题3所示。
由图可见,该电路的中频电压增益M ||v A = 1000 ; 上限频率H f = 108 Hz ; 下限频率L f = 102 Hz ;当H f f =时电路的实际增益= 57 dB ;当L f f =时电路的实际增益= 57 dB 。
10410610101081012020lg /v A dB6040图选择题34.若放大电路存在频率失真,则当i v 为正弦波时,o v D 。
(A.会产生线性失真 B.为非正弦波 C.会产生非线性失真 D.为正弦波)5.放大电路如图选择题5所示,其中电容C1增大,则导致 D 。
(A.输入电阻增大 B. 输出电阻增大 C.工作点升高 D.下限频率降低)+V CCsv图选择题5二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)1.改用特征频率f T 高的晶体管,可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。
( √ )2.增大分布电容的容量,可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。
( × ) 3.幅度失真和相位失真统称为非线性失真。
( × )4.当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真,则输出电压波形将为非正弦。
《模拟电子技术》模拟题1-5(含答案)
《模拟电子技术》模拟题1一、判断(10分)1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。
()2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。
()3、PN结具有单向导电特性。
()4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。
()5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。
()6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。
()7、直流负反馈不能稳定静态工作点。
()8、晶体二极管击穿后立即烧毁。
()9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。
()10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。
()二、选择(10分)1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下,可以稳定电压。
A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通,反偏截止B、正偏截止,反偏导通C、正偏导通,反偏导通D、正偏截止,反偏截止4、既能放大电压,也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大,表明电路()。
5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定;B、交流放大倍数越大;C、抑制温漂能力越强;D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入( )反馈,为减小输出电阻,应引入( )反馈。
A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是( )。
A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中,已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形,设二极管为理想二极管。
(每题10分,共20分)R(a )(b )图1四、简答题(每题5分,共10分)1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件,以及起振条件。
模拟电子技术题库1-10章-学生(全书)
模拟电子技术复习题§1半导体二极管【知识点】1.半导体的基本知识和PN结单向导电性2.晶体管的电流放大作用3.二极管伏安特性曲线和主要参数4.二极管的基本特性、电路符号、工作原理5.晶体管的基本特性、电路符号、工作原理1、根据在纯净的半导体中的掺入的微量___元素不同,可形成P型半导体和N型半导体。
N型半导体又称为__电子__型半导体,其内部少数载流子是自由电子_____。
2、二极管导通后,硅二极管的正向压降约为_0.7___V,锗二极管的正向压降约为_0.3__V。
3、利用二极管的__单相导电性______可以组成整流电路。
4、光电二极管的功能是将___光____信号转换为__电____信号,发光二极管的功能是将_电___信号转换为___光____信号。
5、P型半导体中多数载流子是__空穴_____A、正离子B、负离子C、空穴6、二极管的正向电阻___小于____反向电阻。
A、大于B、小于C、等于7、稳压管的稳压性能是利用__ B______实现的。
A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性8、半导体中的空穴和自由电子数目相同,这样的半导体称为_____B ___A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体9、晶体二极管有一个PN结,所以有单向导电性。
(对)10、二极管的反向电阻越大,其单向导电性能就越好。
(对)11、常用的半导体材料有硅和锗。
(对)12、晶体二极管单向导电性是什么?答:当通入正向电压时导通,通入反向电压截止。
13、在图电路中,( B )图的小指示灯不会亮。
§2半导体三极管及其基本放大电路【知识点】1.放大电路的基本概念2.静态工作点的概念和了解分压式偏置放大电路静态工作点稳定条件、稳定过程3.放大电路波形失真及其调整方法4.电压放大倍数,输入、输出电阻的概念5.射极输出器的特性及应用6.差分放大电路的结构和性能、特点7.基本放大电路的三种基本组态8.放大电路的耦合方式及频率特性9.基本共射放大电路的结构及工作原理10.基本放大电路的分析方法1、画放大器的直流通路时把_电容__视为开路,画交流通路时把___电容_和_电源_视为短路。
模拟电路例题及习题.ppt
2、由已知条件知:fc=1000KHz,fI=455KHz,带宽9KHz, 所以实际信号频率fL=fc+ fI =1000+455=1455KHz,接收效果 较好的频点为452KHz或458KHz。要想使接收效果更好一些, 收音机电路应调整未变频之前的高频放大器的选频特性,使 其中心频率为1003KHz或997KHz。
答:回路电感为0.317mH,有载品质因数为1.546
例2-1:用电容部分接入方式设计一个窄带阻抗变换网络,仅 使用LC并联谐振电容部分接入形式电路即可。工作 频换率后1输G入Hz阻,抗带为宽R5in0=M5H0Ωz,。负载阻抗RL=30Ω。要求变
C1
C1
L
L
Rin
C2 RL
Rin
C2 R’L
(a)电阻部分接入
2-3 图示为一电容抽头的并联振荡回路。谐振频率f0=1MHz, C1=400 pf,C2=100 pF 求回路电感L。若 Q0=100, RL=2kΩ,求回路有载 QL值。
解2-3
C C1C2 40000 80 pF , C1 C2 500 1
L (2 f0 )2 C
1
(2 106 )2 80 1012 0.317mH
工作区(线性区)
L
C
Rp
工作区(线性区)
U
U
i
i
fL- fc= fI
0
10fc00
f 0
1000
f
电路及模拟电路习题
E1-1:电路如E1-1所示,已知R=3Ω。
在下列两种情况下,求流过电阻R的电流I和R两端的电压UAB,并说明其实际方向:〔1=6V,=9V;〔2=6V,=9V。
E1-3:求题图E1-3所示电路中的。
E1-18:在题图E1-18所示电路中〔点画线圆内的元件是晶体管,已知:=3K Ω,=1.5KΩ,=40μA,=1.6mA,求,和C点的电位。
E1-19:题图E1-19所示电路中,已知I=2A,=6V,求电阻R的值。
E1-20:电路如题图E1-20所示,已知:=2A,=4A,=8V,=5V,=6V, =2Ω,=4Ω,=6Ω,=8Ω,=10Ω,求各电源的输出功率。
第二章E2-1:如题图E2-1所示电路,求:电流I与电压U。
E2-3:如题图E2-3所示电路,已知:=400Ω,=600Ω,=60Ω,=40A,=36A.求:=?,=?E2-5:如题图E2-5所示电路,已知:=2A,=4A,=2Ω,=4Ω,=6Ω,=8Ω,=10Ω,求:各电源的输出功率。
E2-7:电路如题图E2-7所示,求流过6Ω电阻的电流。
E2-9:电路如题图E2-9所示,求b点电位。
E2-11:已知电路如题图E2-11〔a、〔b所示,从图〔a得知=10V,从图〔b得知a,b两点之间的短路电流=22mA,求有源二端网络N的戴维宁等效电路。
E2-13:电路组成及参数如题图E2-13所示,如D点接地,求:A,B,C三点的电位。
E2-15:电路如题图E2-15所示,已知===10V,=2Ω,===1Ω,I=10A,求:E=?E2-17:电路如题图E2-17所示,S断开时,电压表读数为18V;S闭合时电流表读数为1.8A。
求:戴维宁等效电路;并求闭合时电压表的读数。
E2-19:如题图E2-19所示电路,已知=2.8A,===5A,=12V,=20V.求:=?E2-21:如题图E2-21所示电路,求各支路电流。
E2-23:如题图E2-23所示电路,用结点电压法求结点a,b之间的电压Uab。
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(1)求电压放大倍数
rbe
300 1 β 26 mV
IE
1.34k
A V
Vo Vi
β Ib RL Ib rbe
β RL rbe
RL
RC
// RL
33 33
1.5kΩ
60 1.5 67.2 1.34
(2)求输入电阻
Ri
Rb 1
//
rbe
560 1.34 560 1.34
1.34 k
例题2:填空
5、某单管共射放大电 路的输出特性和交、直 流负载线如图所示,由 此可以得出:
由123、 、 、交电静集流源态电负 iiCB电 集 极载压 电电 线1V阻极3.05C,R电mCA=cRA流=6L'2I63V2C1k0。=mΩ1AA1,m.5负AK5,载0 集电电阻R极RLL电=压33kVK放大电路中的三极管三个电极的电位分别为:VA= 6V、VB=11.3V、VC = 12V,则三极管对应的电极是:A为 集电 极、 B为 基 极、 C为发射 极。晶体管属 PNP 型三极 管;
2、双极型三极管是 电流 控制器件,场效应管是 电压 控制器 件;结型场效应管的栅源极之间必须加 反向 偏置电压,才能 正常放大工作;
Re↑→Ic(IE)↓→rbe↑→|Av|↓。Ri=Rb// rbe↑
⑶因Ce对交流有旁路作用,Re的变化对交流量不会有影 × 响,当Re增大时,|Av|和 Ri均无变化。
例题5:放大电路分析
例1:放大电路如图所示,已知VCC=15V, Rb1=560kΩ, Rc=3kΩ, β=60,VBE=0.7V, RL=3kΩ,电容C1、C2都足够大,试求电路 的静态参数(IB、IC、VCE)及中频动态参数 (AV、Ri、Ro)。
例题4:判断
放大电路如图所示,对射 极电阻Re的变化是否会影 响放大倍数Av和输入电阻Ri 的问题,有三种不同的看
法,请判断正误,并说明 原因。
⑴当Re增大时,负反馈增强,因此|Av|↓、 Ri↑。
×
Ce的旁路作用,Re不产生交流负反馈,前提错误。
⑵当Re增大时,静态电流Ic减小,因此|Av|↓、 Ri↑。 √
(1) 电子、空穴 (2)正离子、负离子
(3)都有 (4)不确定 4、PN结加正向偏置时,耗尽层 (2);
(1)变宽 (2)变窄 (3)不变 (4)不确定
例题1:选择
5、判定图中二极管D1,D2 导通截 止情况; (3) (1)D1 导通D2截止 (2)D1 截止D2截止 (3)D1截止D2导通 (4)D1导通D2导通
UDS 常 数
(4)结型N沟道场效应管 I DSS
UGS / V O
例题1:选择
10、某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出, 大小为8mA,则此场效管为 (2) 。 (1) P沟道结型管 (2) 耗尽型PMOS (3) 增强型PMOS (4)N沟道结型管 (5) 耗尽型NMOS (6) 增强型NMOS
例题2:填空
3、正常工作的基本共射放大电路,当换上一个β比原来大的 三极管后,出现了失真,这个失真必定是 饱和失真 。 若失该了电,路这原失来真发必生是了截非止线失性真失真。,但在减小Rb后,失真消
4、在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中,电压放大 倍数小于1的是 共集 组态;输入电阻最大的是 共集 组态, 输出电阻最小的是 共集 组态;既能放大电压,也能放大电流 的是 共射 组态;可以放大电压,但不能放大电流的是 共基 组态;只能放大电流,但不能放大电压的是 共集组态。
解:根据直流通路图求解静态参数
图示电路为基本共射放大电路,求解 I B 、I C
IB
VCC VBE Rb1
15 0.7 560
25.5μA
IC β IB 60 25.5 1.53mA
VCE VCC I C RC 15 1.53 3 10.4V
根据h参数微变等效电路求解动态参数
例题1:选择
1、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的
负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻(。3)
(1)10kΩ
(2)2kΩ (3)4kΩ (4)3kΩ
2、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 (3) , 而少数载流子的浓度则与 (1) 有很大关系。
(1)温度 (2)掺杂工艺 (3)杂质浓度 (4)晶体缺陷 3、空间电荷区是由 (2) 构成的;
例题1:选择
6、三极管工作在放大区时,发射结(1) ,集电结(2)。 (1) 正向偏置 (2) 反向偏置 (3)无偏置电压
7、3AX22型三极管的极限参数为:V(BR)CEO=18V, I数CM属=正10常0m工A作,范PC围M=内12的5m是W(,2)试判。断下列各静态工作点参 (1) ICQ=34mA,VCEQ=4V (2) ICQ=10mA,VCEQ=10V (3) ICQ=110mA,VCEQ=1V (4) ICQ=5mA,VCEQ=20V
8、放大电路如图,集电
极电阻RC的作用是 (3)。
(1)放大电流
(2)调节偏流IBQ
(3)防止输出交流对地短路,把放大了的电流转换为电压
(4)调节ICQ
例题1:选择
9、某场效应管的转移特性如图所示,则此场效 管为 (1) 。
(1)绝缘栅N沟道耗尽型
ID / mA
(2)绝缘栅P沟道耗尽型 (3)绝缘栅N沟道增强型
(3)求输出电阻
在输出端开路,输入电压为零的条件下,求输出电阻
Ro RC 3k
例2:放大电路如图所示,已知VCC=15V,
Rb1=470kΩ, Rc=3kΩ,Re1=2kΩ, β=60,
VBE=0.7V, RL=3kΩ,电容C1、C2和Ce都足够 大,试求电路的静态参数(IB、IC、VCE)及 中频动态参数(AV、Ri、Ro)。
456、 、 、rAbVe 电电要流路使20放 最 电0大 路大RrbL'e系 不不5数 失失1 β真真5=01,输5基出110..,551极正.5计K正弦算弦电5电0电压压流有放的效大振值倍幅约数应为A小1V.5=于V
-50 20μA
例题3:判断
1、稳压二极管在加正向偏压时,特性与普遍二极管一致。 √ 2、三极管输入电阻rbe与静态电流IE有关,因而rbe是直流电× 阻。 3、当温度升高时,三极管的ICBO、增加,VBE减小。 √ 4、在放大电路的三种组态中,输出电压和输入电压的相位都×相 反。