模拟电子技术基础考试试题复习资料

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模拟电子技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，

而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为（），等效成断开；

4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大

电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输

出电流采用（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大

倍数A F=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（）BW，其中BW=（），

（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信

号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互

补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出

电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于

（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一

一、填空（每空1分，共20分）

1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，

T接成共基

组态，

T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏

置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）

1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示

（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极

1分，共3分）

（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===

B C I I β， 985.01≈+=β

βα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题

（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？

R应如何接入？（在图中连接）

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套（附答案）

模拟综合试卷一

一．填充题

1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN 晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为 V ；若u i1=1500µV, u i2=500µV ，则差模输入电压u id 为 µV ，共模输入信号u ic 为 µV 。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。二．选择题

1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE 的变化情况为（）。 A ．β增加，I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加，u BE 减小 C ．β和u BE 减小，I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个

模拟电子技术基础习题及答案

第一章半导体器件

1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：

二极管正偏时，T

D U U S e

I I ≈ ， S

T D I I ln

U U ≈ 对于硅管：mV 6.179A

1mA

1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA

5.0mA

1ln mV 26U D =≈

1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？

（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：

（1）mA 2.7e 10

1.0e

I I mA

26mA 65012

U U S T

D =⨯⨯=≈-

（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则

107.72101.02)27(I )10(I pA

6.12101.02)27(I )67(I 3

7.31210

10S

S 41210

2767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=

T=300k(即27℃)，

300

26q K mA 26300q

q KT )27(U T ==⨯==即

则67℃时，

7.716pA 107.7mA

2.7ln 8.22U ,C 10mA

7.655pA

6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV

8.22263300

)10(U mV 5.2934030026

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一

一、填空题

1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和

四部分组成。

二、选择题

1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性

B 单向导电性C反向击穿特性

2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑

3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型

B P沟道耗尽型MOS型

C N沟道增强型MOS型

D N沟道耗尽型MOS型

E N沟道结型

F P沟道结型

图2－10

4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ

B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ

C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ

D 其它情况

5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比

B 提高输入电阻

C 提高放大倍数

模拟电子技术基础题库及答案解析考研备考期末复习

模拟电子技术题库

第一章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ √ ）

（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（× ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ √ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（× ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。（ √ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。（× ）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽

（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。 A. I S e U B. T

U U I e

S C. )1e (S －T U U I

（3）稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 AC 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题

图 1

图 2

一、填空题

1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路

②共基放大电路 ③共集放大电路

一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最，频带最宽的电路是；只能放大电流，

小的电路是

②，输出电阻最小的电路是

③

② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ①

不能放大电压的电路是 ③

；只能放大电压，不能放大电流的电路是

②

。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系

BEQ

数为β，B- E 间动态电阻为 r 。填空：

V CC U BEQ

（ 1）静态时， I 的表达式为

， I 的表达式为

I BQ

R B

I CQ I BQ

；

，U 的表达式为

CEQ

U CEQ V CC I R C CQ

R L （2）电压放大倍数的表达式为

A u

，输入电阻的表达式为

r be

，输出电阻的表达式为

R R // r be R R ；

0 C

i B

（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将

C ，

A B CQ bc u R 将 B 。

A.增大

B.不变

C.减小

当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 B

A 失真。

A.饱和

B.截止 3、如图 1所示电路中，

（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻

A u

为 1k Ω，则放大电路的输入电阻 R = 1 。

（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ，则放大电路的输出电阻 Ro

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）

导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温

度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）

放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳

定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路

的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），

（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，

而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互

补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）

等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

《模拟电子技术基础》复习资料

成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1

一、单选题

1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－1

2.3Ｖ，Ve ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。则三极管的工作状态为（）。

A. 放大

B. 饱和

C. 截止

2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。

A. 电流串联负反馈

B. 电压并联负反馈

C. 电流并联负反馈

D. 电压串联负反馈

3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。

A. 差

B. 好

C. 差不多

4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。

A. 0. 45

B. 0. 9

C. 1. 2

5. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。

A. P 沟道增强型MOS 管

B. P 沟道结型场效应管

C. N 沟道增强型MOS 管

D. N 沟道耗尽型MOS 管

6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。

A. P 沟道增强型MOS 管

B. P 沟道耗尽型MOS 管

C. N 沟道增强型MOS 管

D. N 沟道耗尽型MOS 管

7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。

A. 提高放大倍数

B. 稳定直流静态工作点

C. 稳定交流输出

D. 提高输入电阻

8. 利用二极管的（）组成整流电路。

A. 正向特性

B. 单向导电性

C. 反向击穿特性

9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A. 可能

B. 不能

10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。

《模拟电子技术基础》复习资料

成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1

一、单选题

1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－1

2.3Ｖ，Ve＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。则三极管的工作状态为（）。

A. 放大

B. 饱和

C. 截止

2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。

A. 电流串联负反馈

B. 电压并联负反馈

C. 电流并联负反馈

D. 电压串联负反馈

3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。

A. 差

B. 好

C. 差不多

4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。

A. 0. 45

B. 0. 9

C. 1. 2

5. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。

A. P 沟道增强型MOS 管

B. P 沟道结型场效应管

C. N 沟道增强型MOS 管

D. N 沟道耗尽型MOS 管

6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。

A. P 沟道增强型MOS 管

B. P 沟道耗尽型MOS 管

C. N 沟道增强型MOS 管

D. N 沟道耗尽型MOS 管

7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。

A. 提高放大倍数

B. 稳定直流静态工作点

C. 稳定交流输出

D. 提高输入电阻

8. 利用二极管的（）组成整流电路。

A. 正向特性

B. 单向导电性

C. 反向击穿特性

9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A. 可能

B. 不能

10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。

模拟电子技术基础-总复习最终版

（1）共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大
电路
。
A、放大差模抑制共模能力
B、电压放大能力
C、抑制差模放大共模能力
（2）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以
。
A．减小温漂
B. 增大放大倍数
C. 提高输入电阻
（3）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用
。
A．共射放大电路
B. 共集放大电路
（3）当NPN型晶体管工作在放大区时，发射极电压uBE A、 > B、 < C、 = D、≤
uon。
解：（1） C （2）C （3）A
第一章：自测题一、二习题1.1、1.12
3、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
管号上中下
管型材料
T1 e b c PNP Si
T2 c b e NPN Si
T3 e b c NPN Si
T4 b e c PNP Ge
T5 c e b PNP Ge
T6 b e c NPN Ge
4、下图中三极管均为硅管，RB和RC的电阻值选取合适，从偏置情况分
析判断下图中各三极管的工作状态。
（a）
（b）
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。各电路的交流通路如解图P2.2所示。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总

一.选择题

1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大

B 减小

C 不变

D 等于零

2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )

A. 处于放大区域

B. 处于饱和区域

C. 处于截止区域

D. 已损坏

3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.区域不定

4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性

5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真

6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可

能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高

C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C )

A. 存在于RC耦合电路中的负反馈

B. 放大直流信号时才有的负反馈

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案

试卷一专升本试卷及其参考答案

试卷一（总分150分）

（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）

一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）

a. 增加

b. 不变

c. 减小

d. 不能确定

2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）

a. 处于放大区域

b. 处于饱和区域

c. 处于截止区域

d. 已损坏

图2

3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）

a. 10kΩ

b. 2kΩ

c. 1kΩ

d. 0.5kΩ

4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）

a.放大区

b.饱和区

c.截止区

d.区域不定

图4

5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL

' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-

RL'/gm a.gmRL-

图5

6. 图5中电路的输入电阻Ri为（）

a. Rg+(Rg1//Rg2)

b. Rg//(Rg1+Rg2)

c. Rg//Rg1//Rg2

[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS

7. 直流负反馈是指（）

a. 存在于RC耦合电路中的负反馈

b. 放大直流信号时才有的负反馈

模拟电子技术期末考试复习资料

《模拟电子技术》课程综合复习资料

一、判断题

1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

答案：错

2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

答案：对

3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。答案：错

4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。

答案：错

5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。答案：错

一、单选题

1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为U

E =3V，U

=3.7V，U

=3.3V，则

该管工作在（）。

A．放大区

B．饱和区

C．截止区

D．击穿区

答案：B

2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为

f时，放大器增益的幅值将（）。

A．降为1

B．降为中频时的1/2倍

C．降为中频时的1/

D．降为中频时的倍

答案：C

3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。

A．35

C．45

D．60

答案：A

4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。

A．放大

B．饱和

C．截止

D．已损坏

答案：D

5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。（设二极管的导通压降为0.7V）

A．-5V

B．-4.3V

C．-5.7V

D．-10V

答案：C

6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。

A．Ge，PNP管

B．Ge，NPN管

C．Si，PNP管

D．Si，NPN管

答案：B

7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

6.某LC振荡电路的振荡频率为，如将LC选频网络中的电容C增大一倍，则振荡频率约为（ c ）。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力，同时减小对信号源索取的电流，应引入（ a ）。
， , 则
(2)图5-2(b), 反馈组态为电流串联负反馈，故，其中
, ,则
3.解：⑴静态时，C2两端电压就为，调整R1或R3可满足这一要求。⑵应调整R2，以增大IB，可增大R2。⑶若、、中任意一个开路，则和的静态功耗为：
，功率管将过热烧毁。
4．解：① ，
，则。
②如果一个二极管开路，则成为半波整流、电容滤波电路，此时UO(AV)将较正常时稍低，但比正常值的一半高得多。
模拟试卷5
一、填空(16分)
1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）

导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温

度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）

放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定

交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的

放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（），

（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）

信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）

类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻

（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

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