模拟电子技术基础复习题

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《电子技术基础》复习题(模拟)

一、填空题：1—1—1 半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。

常用的半导体单晶材料是硅和锗，还有部分金属与氧、硫、磷、砷等元素组成的氧化物。

1—1—2 利用半导体材料的某种敏感特性，如热敏特性和光敏特性可制成热敏电阻和光敏元件。

1—1—3 在本征半导体中，自由电子浓度等于空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度小于空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度大于空穴浓度。

1—1—4 半导体中的电流是电子电流与空穴电流的代数和。

杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的；少数载流子是由本证激发产生的。

1—1—5 使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。

正偏时PN结处于导通状态，反偏时PN结处于截止状态。

1—1—7 反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于击穿状态，该状态是稳压二极管的工作状态，是普通二极管的故障状态。

1—1—9 整流二极管的最主要特性是单项导电性，它的两个主要参数是：最大平均整流电流和最高反向工作电压。

1—1—10 在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V ；锗二极管的开启电压(死区电压)约为 0.1 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.3 V 。

1—1—11 理想二极管正向导通时，其压降为 0 V , 反向截止时，其中电流为 0 A 。

这两种状态相当于一个开关。

1—1—12 稳压二极管工作时，其反向电流必须在WmanW I I ~min 范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。

1—1—13 发光二极管内部 PN 结，当外加适当的正向电压时，N 区的自由电子和P 区的空穴在扩散过程中复合，释放的能量以光的形式表现出来。

1—1—14 发光二极管按其发光效率的高低可分为超高亮度型高亮度型和普通型。

1—1—15 用万用表及R ×100Ω或R ×1K 档测试一个正常二极管时指针偏转角很大，这时可判定黑表笔接的是二极管阳(正) 极，红表笔接的是二极管阴（负）极。

模拟电子技术基础习题及答案

第一章半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。

（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。

试求：（1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。

模拟电子技术基本概念复习题与答案

《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

×2、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。

√3、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。

×4、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。

×5、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

×6、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。

√7、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。

√8、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

×9、因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。

× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。

×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。

√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。

× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

× 16、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。

√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。

√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。

× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。

× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

模拟电子技术基础试题及答案

(120)1．纯净的半导体叫（）。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。

A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。

A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。

A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。

A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。

A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。

A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。

A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。

A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。

A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。

A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。

A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。

（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

《模拟电子技术基础》基本概念复习题及答案

《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题及答案《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题⼀、判断题1、凡是由集成运算放⼤器组成的电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

×2、凡是运算电路都可利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。

√3、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N = v P 。

×4、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。

×5、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。

×6、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。

√7、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。

√8、因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。

×9、因为P 型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。

×10、在N 型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

√ 11、稳压管⼯作在截⽌区时，管⼦两端电压的变化很⼩。

× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。

×13、放⼤电路必须加上合适的直流电源才可能正常⼯作。

√ 14、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。

× 15、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

× 16、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。

×17、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。

√ 18、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。

√ 19、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。

× 20、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。

× 21、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。

× 22、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

《模拟电子技术》复习题

《模拟电子技术》复习一、选择题：1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。

（A）B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。

（A）B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=0.7V，V E=0V，则该管子工作在A 。

（A）放大区（B）截止区（C）饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=4V，V E=3.6V，则该管子工作在B 。

（A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。

（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

（A）增大（B）减小（C）不变7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。

（A）83 （B）91 （C）1008. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。

（A）共射（B）共集（C）共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。

（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。

（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。

（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。

（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。

（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。

A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。

A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。

A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。

A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。

A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。

A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。

答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。

答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。

答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。

答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。

答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。

答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。

答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。

答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。

答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。

模拟电子技术基础复习题(基础知识填空和简答)

习题1一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V VsD -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e T V V>>，于是T V V s e I I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1e T V V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

模拟电子技术基础复习题

模拟电子技术基础复习题1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度与（）有关。

a ．杂质浓度b ．温度c ．输入电压2．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

a.．前者反偏、后者正偏 b ．前者正偏、后者正偏 c ．前者正偏、后者反偏； 3．当信号频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大增益下降（）．ａ．3dB b ． 4dB c ．5dB4．负反馈放大电路的一般表达式为FA A A f+=1 ,当11>+F A时，表明放大电路引入了（）。

a ．负反馈b ．正反馈c ．自激振荡 5．交流负反馈是指（）a ．直接耦合放大电路中引入的负反馈b ．只有放大直流信号时才有的负反馈c ．在交流通路中的负反馈6．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（）。

a. 直流负反馈 b. 交流负反馈 c. 正反馈7．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（）负反馈。

a ．电压 b ．串联 c ．并联8．欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（）电路。

a ．积分运算 b ．乘方运算 c ．同相比例运算 1、a 2、c 3、a 4、a 5、c 6、b 7、b 8、a2．在本征半导体中加入（）元素可行成Ｐ型半导体。

a.五价b.四价c.三价3．二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。

ａ．多数载流子扩散形成；ｂ．多数载流子漂移形成；ｃ.少数载流子漂移形成； 4．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。

a.便于设计 b.放大交流信号 c.不易制作大电容5．射随器适合做多级放大电路的中间隔离级，是因为射随器的（）．a.输入电阻高b.输出电阻低c. 输入电阻高，输出电阻低 6．对于放大电路，所谓开环是指（）．a. 无信号源b. 无反馈通路c. 无电源7．对于放大电路，在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈．a. 净输入量增大b. 净输入量减小c. 输入电阻增大 8．共模抑制比K CMR 是（）之比。

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。

半导体中中存在两种载流子：和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。

4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。

场效应管分为型和型两大类。

5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。

6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。

9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。

10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。

《模拟电子技术基础》复习题

模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。

2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。

填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，A 将，R i将，R o将。

uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。

A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A =；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则u放大电路的输入电阻R i=。

（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 。

（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。

4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。

5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。

6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。

7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。

8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。

9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。

二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。

《模拟电子技术基础》总复习典型习题

2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。

（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。

（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。

（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。

图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。

（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。

（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适，的波形要失真；，A u 与I B 有关。

在电路中引入直流负反馈。