11XPS简介-修改20130401
戴尔 Studio XPS 笔记本电脑设置指南说明书
设置指南型号 PP17S注、注意和警告注:“注”表示可以帮助您更好地使用计算机的重要信息。
注意:“注意”表示可能会损坏硬件或丢失数据,并且告诉您如何避免此类问题。
警告:“警告”表示可能会导致财产损失、人身伤害或死亡。
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本文件中使用的商标:Dell、DELL徽标、XPS和DellConnect是 Dell Inc. 的商标;Intel是 Intel Corporation 的注册商标,Core是 Intel Corporation 在美国和/或其他国家或地区的商标;Microsoft、Windows、Windows Vista 和Windows Vista 开始按钮徽标是 Microsoft Corporation 在美国和/或其他国家或地区的商标或注册商标;Blu-ray Disc是 Blu-ray Disc Association 的商标;Bluetooth是 Bluetooth SIG, Inc. 所有的注册商标,Dell 经许可使用。
本说明文件中述及的其他商标和商品名称是指拥有相应标记和名称的公司或其制造的产品。
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2009 年 1 月 P/N P505C Rev. A02设置 Studio XPS™膝上型电脑 . . . . . . 5设置计算机之前. . . . . . . . . . . . . . . . . . 5连接交流适配器. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6检查无线控件. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7连接网络电缆(可选) . . . . . . . . . . . . . 8按电源控件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9设置 Windows Vista®. . . . . . . . . . . . . 10连接至 Internet(可选). . . . . . . . . . . 10设置 5.1 音频连接 . . . . . . . . . . . . . . . 12取出和装回电池. . . . . . . . . . . . . . . . . 13使用 Studio XPS™ � � � � � � � � � � � � � � � � � � �14设备状态指示灯. . . . . . . . . . . . . . . . . 14右侧功能键 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16左侧功能键 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20显示屏功能键. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22媒体、无线和电源控制 . . . . . . . . . . . . 23计算机主机和键盘功能键 . . . . . . . . . . 24可选的图形处理器功能 . . . . . . . . . . . . 26软件功能. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26解决问题. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29网络问题. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29电源问题. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30内存问题. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31锁定和软件问题. . . . . . . . . . . . . . . . . 31使用支持工具. . . . . . . . . . . . . . . . . 33 Dell 支持中心. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33系统信息. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34硬件故障排除. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 Dell 诊断程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36目录3系统还原选项. . . . . . . . . . . . . . . . . 37系统还原. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37 Dell Factory Image Restore . . . . . . . . . 38操作系统重新安装 . . . . . . . . . . . . . . . 40获得帮助. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42技术支持和客户服务. . . . . . . . . . . . . . 43 DellConnect™. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43在线服务. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43 AutoTech 服务 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44产品信息. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45根据质保返回商品维修或退款. . . . . . . 45致电之前. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46与 Dell 联络. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47更多信息和资源. . . . . . . . . . . . . . . 48基本规格. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50索引. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 594设置 Studio XPS™本节提供了设置 Studio XPS 1340 和连接外围设备的信息。
IR2011SPBF;IR2011PBF;IR2011STRPBF;IR2011;IR2011S;中文规格书,Datasheet资料
1
/
IR2011(S) & (PbF)
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.
Symbol
VB VS VHO VCC VLO VIN dVs/dt PD RTHJA TJ TS TL
Definition
High side floating supply voltage High side floating supply offset voltage High side floating output voltage Low side fixed supply voltage Low side output voltage Logic input voltage (HIN & LIN) Allowable offset supply voltage transient (figure 2) Package power dissipation @ TA £ +25°C Thermal resistance, junction to ambient Junction temperature Storage temperature Lead temperature (soldering, 10 seconds) (8-lead DIP) (8-lead SOIC) (8-lead DIP) (8-lead SOIC)
XPS 13 二合一笔记本电脑 (9310 2n1) 服务手册说明书
XPS 13 二合一笔记本 (9310 2n1)服务手册8 2021注意、小心和警告:“注意”表示帮助您更好地使用该产品的重要信息。
:“小心”表示可能会损坏硬件或导致数据丢失,并告诉您如何避免此类问题。
:“警告”表示可能会导致财产损失、人身伤害甚至死亡。
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Dell、EMC 和其他商标是 Dell Inc. 或其附属机构的商标。
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章 1: 拆装计算机内部组件 (5)拆装计算机内部组件之前 (5)安全说明 (5)静电放电— ESD 保护 (6)ESD 现场服务套件 (6)运输敏感组件 (7)拆装计算机内部组件之后 (7)章 2: 卸下和安装组件 (8)建议工具 (8)螺钉列表 (8)XPS 13 二合一笔记本 (9310 2n1) 的主要组件 (9)基座护盖 (11)卸下基座护盖 (11)安装基座护盖 (13)电池 (14)锂离子电池预防措施 (14)卸下电池 (15)安装电池 (16)显示屏部件 (18)卸下显示屏部件 (18)安装显示屏部件 (20)扬声器 (22)卸下扬声器 (22)安装扬声器 (23)系统板 (23)卸下系统板 (23)安装系统板 (26)键盘部件 (29)卸下键盘部件 (29)安装键盘部件 (31)掌垫部件 (34)卸下掌托部件 (34)安装掌托部件 (34)章 3: 驱动程序与下载 (36)章 4: 系统设置程序 (37)进入 BIOS 设置程序 (37)导航键 (37)引导顺序 (37)系统设置选项 (38)系统密码和设置密码 (46)分配系统设置密码 (46)目录3删除或更改现有的系统设置密码 (46)清除 CMOS 设置 (47)清除 BIOS(系统设置)和系统密码 (47)更新 BIOS (47)在 Windows 中更新 BIOS (47)在 Windows 环境中使用 USB 驱动器更新 BIOS (48)从 F12 一次性引导菜单更新 BIOS (48)章 5: 故障排除 (49)处理膨胀锂离子电池 (49)找到戴尔计算机的服务编号或快速服务代码 (49)系统诊断指示灯 (49)SupportAssist 诊断程序 (50)内置自检 (BIST) (51)M-BIST (51)液晶屏内置自检 (BIST) (51)恢复操作系统 (51)WiFi 重启 (52)弱电释放 (52)实时时钟— RTC 重设 (52)章 6: 获取帮助和联系戴尔 (54)4目录拆装计算机内部组件拆装计算机内部组件之前关于此任务: 根据您所订购的配置,本文档中的图像可能与您的计算机有所差异。
戴尔Studio XPS 台式机设置指南说明书
设置指南设置指南型号:D03M 系列机型:D03M001注、小心和警告注:“注”表示可以帮助您更好地使用计算机的重要信息。
小心:“小心”表示可能会损坏硬件或导致数据丢失,并告诉您如何避免此类问题。
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2009 年 9 月P/N FY92X Rev. A00设置 Studio XPS 台式计算机 . . . . . . . 5提升计算机 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6设定计算机之前. . . . . . . . . . . . . . . . . . .7连接显示器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8连接键盘和鼠标. . . . . . . . . . . . . . . . . .10连接网络电缆(可选) . . . . . . . . . . . . .11连接电源电缆. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12按下电源按钮. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12设置操作系统. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13连接至 Internet(可选). . . . . . . . . . . .14使用 Studio XPS 台式计算机 . . . . . . 18正面视图功能. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18顶面视图功能. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20背面视图功能. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22背面板连接器. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24软件功能组件. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26 Dell DataSafe Online Backup. . . . . . . . .31 Dell 对接. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32解决问题. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33哔声代码. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33网络问题. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .34电源问题. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .35内存问题. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36锁定和软件问题 . . . . . . . . . . . . . . . . . .37使用支持工具. . . . . . . . . . . . . . . . . 39 Dell 支持中心. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .39系统信息. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40硬件故障排除. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .42 Dell Diagnostics . . . . . . . . . . . . . . . . . .42目录3目录还原操作系统. . . . . . . . . . . . . . . . . 46系统还原. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47 Dell DataSafe Local Backup . . . . . . . . .48 Dell Factory Image Restore . . . . . . . . . .49操作系统重装. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .51获得帮助. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53技术支持和客户服务. . . . . . . . . . . . . . .54 DellConnect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .54在线服务. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .54订单状态自动查询服务 . . . . . . . . . . . . .55产品信息. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .56根据质保返回商品维修或退款. . . . . . . .56致电之前. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .58与 Dell 联络. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59找到更多信息和资源. . . . . . . . . . . . 60基本规格. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62附录. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 Macrovision 产品注意事项 . . . . . . . . . .67 NOM 信息,或官方墨西哥标准(仅适用于墨西哥). . . . . . . . . . . . . . .68索引. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 694设置 Studio XPS 台式计算机本节提供了设置 Studio XPS™ 8100 台式机的信息。
和谐XPS安全自动化产品数据表说明书
Product data sheetSpecificationsTime delayed output, Harmony XPS,for Estop, guard, OSSD, 24 V AC/DC, springXPSBAT12A1ACMainRange of ProductHarmony Safety Automation Product or Component Type Safety module Safety module name XPSBATSafety module application For emergency stop and protective guard applications For OSSD monitoringFunction of moduleEmergency stop button with 2 NC contacts Guard monitoring with 1 or 2 limit switches Light curtain monitoring RFID switchMonitoring of electro-sensitive protection equipment (ESPE)Safety levelCan reach PL e/category 4 for normally open relay contact ISO 13849-1Can reach SILCL 3 for normally open relay contact IEC 62061Can reach SIL 3 for normally open relay contact IEC 61508Can reach PL c/category 1 for normally closed relay contact ISO 13849-1Can reach SILCL 1 for normally closed relay contact IEC 62061Can reach SIL 1 for normally closed relay contact IEC 61508Safety reliability dataMTTFd > 30 years ISO 13849-1Dcavg >= 99 % ISO 13849-1PFHd = 0.98E-09 for SS0 ISO 13849-1PFHd = 0.96E-09 for SS1 ISO 13849-1HFT = 1 IEC 62061PFHd = 0.98E-09 for SS0 IEC 62061PFHd = 0.96E-09 for SS1 IEC 62061SFF > 99% IEC 62061HFT = 1 IEC 61508-1PFHd = 0.98E-09 for SS0 IEC 61508-1PFHd = 0.96E-09 for SS1 IEC 61508-1SFF > 99% IEC 61508-1Type = B IEC 61508-1Electrical circuit type NC pair OSSD pairConnections - terminalsRemovable spring terminal block, 0.2...2.5 mm² solid or flexibleRemovable spring terminal block, 0.25...2.5 mm² flexible with ferrule single conductor Removable spring terminal block, 0.2...1.5 mm² solid or flexible twin conductorRemovable spring terminal block, 2 x 0.25...1 mm² flexible with ferrule without cable end, with bezel Removable spring terminal block, 2 x 0.5...1.5 mm² flexible with ferrule with cable end, with bezel [Us] Rated Supply Voltage24 V AC - 15...10 %24 V DC - 20...20 %ComplementarySynchronisation time between inputs 0.5 s 2 sType of startAutomatic/manual/monitored Power consumption in W2 W 24 V DCD i s c l a i m e r : T h i s d o c u m e n t a t i o n i s n o t i n t e n d e d a s a s u b s t i t u t e f o r a n d i s n o t t o b e u s e d f o r d e t e r m i n i n g s u i t a b i l i t y o r r e l i a b i l i t y o f t h e s e p r o d u c t s f o r s p e c i f i c u s e r a p p l i c a t i o n sPower consumption in VA5 VA 24 V AC 50/60 HzInput protection type Internal, electronicSafety outputs 2 NO1 NOSafety inputs2Maximum wire resistance500 OhmTime delay range0...900 sInput compatibility Normally closed circuit ISO 14119Mechanical contact ISO 14119OSSD pair IEC 61496-1-2Normally closed circuit ISO 138503-wire proximity sensors PNP[Ie] rated operational current5 A AC-13 A AC-155 A DC-13 A DC-13Control outputs 3 pulsed outputInput/Output type Semiconductor output Z1, 20 mA[Ith] conventional free air12 Athermal currentAssociated fuse rating6 A gG NO relay output circuit IEC 60947-1 Minimum output current20 mA relay outputMinimum output voltage24 V relay outputMaximum response time on20 msinput open[Ui] rated insulation voltage250 V 2)EN/IEC 60947-1[Uimp] rated impulse withstand4 kV II EN/IEC 60947-1voltageLocal signalling LED green power power ONLED red error errorLED yellow state 1 safety output instantaneousLED yellow state 2 safety output delayedLED yellow start 1 startLED yellow start 2 startLED yellow S12 safety input S12LED yellow S22 safety input S22Mounting Support35 mm symmetrical DIN railDepth 4.72 in (120 mm)Height 3.94 in (100 mm)Width 1.77 in (45 mm)Net Weight0.77 lb(US) (0.350 kg)EnvironmentStandards IEC 60947-5-1IEC 61508-1 functional safety standardIEC 61508-2 functional safety standardIEC 61508-3 functional safety standardIEC 61508-4 functional safety standardIEC 61508-5 functional safety standardIEC 61508-6 functional safety standardIEC 61508-7 functional safety standardISO 13849-1 functional safety standardIEC 62061 functional safety standardProduct certifications TÜVcULusIP degree of protection IP20 terminals)EN/IEC 60529IP40 housing)EN/IEC 60529IP54 mounting area)EN/IEC 60529 Ambient air temperature for-13…131 °F (-25…55 °C)operationAmbient Air Temperature for-13…185 °F (-25…85 °C)StorageRelative Humidity5…95 % non-condensingOrdering and shipping detailsCategory22477-SAFETY MODULES (PREVENTA)Discount Schedule SAF2GTIN3606482034037Nbr. of units in pkg.1Package weight(Lbs)10.65 oz (302 g)Returnability NoPacking UnitsUnit Type of Package 1PCEPackage 1 Height 2.52 in (6.4 cm)Package 1 width 5.24 in (13.3 cm)Package 1 Length 6.02 in (15.3 cm)Unit Type of Package 2S03Number of Units in Package 216Package 2 Weight11.92 lb(US) (5.409 kg)Package 2 Height11.81 in (30 cm)Package 2 width11.81 in (30 cm)Package 2 Length15.75 in (40 cm)Package 3 Height11.81 in (30 cm)Offer SustainabilitySustainable offer status Green Premium productCalifornia proposition 65WARNING: This product can expose you to chemicals including: Lead and lead compounds, which isknown to the State of California to cause cancer and birth defects or other reproductive harm. For moreinformation go to REACh Regulation REACh DeclarationEU RoHS Directive Pro-active compliance (Product out of EU RoHS legal scope)EU RoHS DeclarationMercury free YesRoHS exemption information YesChina RoHS Regulation China RoHS declarationEnvironmental Disclosure Product Environmental ProfileCircularity Profile End of Life InformationWEEE The product must be disposed on European Union markets following specific waste collection andnever end up in rubbish bins.Dimensions Drawings DimensionsFront and Side Views(A) : Product drawing(B) : Spring terminal(C) : Side view(1) : Removable terminal blocks, top(2) : Removable terminal blocks, bottom(3) : LED indicators(4) : Delay factor selector(5) : Delay base selector(6) : Sealable transparent coverMounting to DIN railScrew-mountingConnections and SchemaWiring Diagram(1) : A1-A2 (Power supply)(2) : S11–S21 (Control outputs (DC+) of safety-related inputs), S12-S22 (Input channels (CH+) of safety-related inputs)(3) : Y1 (Control output of Start/Restart input), Y2 (Input channel for automatic/manual start), Y3 (Input channel for monitored start with falling edge)13-14-23-24 : Terminals of the safety-related outputs (instantaneous)37-38 : Terminals of the safety-related outputs (delayed)Z1 : Solid state output, not safety-related。
XPS简介
25
4. 定性分析方法
4.2 化学态分析 依据: 1. 化学位移 2. 俄歇参数 3. 震激峰、多重分裂等伴峰结构 工具: 1. 谱图手册:Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy (1992) 2. Web 数据库:/xps/ (NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database)
16
2. 结合能与化学位移
2.1 结合能(binding energy)理论
电子结合能:将电子从它的量子化能级移无穷远静止状态时所需的 能量,也称电离能
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2. 结合能与化学位移
2.2 化学位移 化学环境: 1)与它结合的元素种类和数量不同 2)原子具有不同的价态
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2. 结合能与化学位移
一些反例
1. XPS 简介
1.3 表面灵敏性(surface-sensitivity)
15
1. XPS 简介
1.3 表面灵敏性(surface-sensitivity)
“Universal Curve” for IMFP
M. P. Seah, W. A. Dench, Surf. Interface Anal. 1979, 1, 2. (citations>5000 on Google Scholar)
参考文献
1. John F. Watts, John Wolstenholme, An Introduction to Surface Analysis by XPS and AES, John Wiley & Sons, 2003. 2. 吴正龙译, 《 表面分析(XPS 和 AES) 引论》, 华东理工大学出版社, 2008. 3. 辛勤, 罗孟飞, 《现代催化研究方法》, 科学出版社, 2009. 4. Siegfried Hofmann, Auger- and X-Ray Photoelectron Spectroscopy in Materials Science: A User-Oriented Guide, Springer, 2013. 5. J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy, Perkin–Elmer Corp., Physical Electronics Division, 1992. 6. /~mams/index.html (麻茂生@USTC)讲座课件: 《X 射线光电子能谱学》 《 电子能谱及其应用》. 7. / (戴维林@FDU)讲座课件:《 XPS 技术及其 在化学中的应用》. 8. 研之成理(微信号:rationalscience):《 XPS 原始数据处理(含分峰 拟合)》.
XPS 系统软件操作指南
XPS系统软件操作指南──MANUAL OF PERKIN ELMER PHI 5000C ESCA SYTEM戴维林编Edited by Dai Wei-Lin(复旦大学化学系表面化学实验室)(Surf. Chem. Lab., Dept. of Chem., Fudan Univ.)第一部分 数据采集软件—PHI系统§1. 概述:该系统通过PC137数据采集板把XPS数据和图谱存进计算机,支持软件为PHI系统。
PERKIN ELMER公司提供了多种版本的软件,从最初的DOS系统软件到如今的WINDOWS系统软件。
目前最常用的为VERSION2.0A版本。
VERSION1.2B也能使用。
该软件功能较强,可进行宽、窄扫描,多次录谱迭加,并可适应不同的能量分析器,还可在谱图上定出峰位、半峰宽,并且可进行平滑化、微分等操作。
§2. 软件安装及初始化将拷有PHI软件的软盘插入驱动器,键入命令:C:>install_A:_C:\phi SCASCD or CMASCD or SCAMCD↵其中,_代表空格;A: 指源程序盘;C:\phi为安装后的子目录;SCASCD、 CMASCD和SCAMCD分别指不同的能量分析器。
安装后,可通过简单的指令使其窗口化,即可直接在WINDOWS下用鼠标来操作。
下面主要讲一些VERSION2.0A的具体格式化过程:进入PHI后,屏幕上为一排指令,FILE、CONTROL、PARMS、DATA和 WINDOW。
首先键击CONTROL进入CONFIGURE。
选择所需的指令,如本实验室的各项指令为:SCA/SCD、MODEL80-365A、MODEL137 TIMER、EXTENTED(LENS TYPE)。
然后储存这些参数(用SAVE 指令)。
再键击FILE,击OPEN,查看C:\phi下各•PHI文件。
1) 将MODEL 137 COUNTER文件中INPUT SELECT置于ECL IN 1[PC],COUNT UP/DOWN置于UP。
XPS原理及分析
XPS:定量分析方法-4
深度剖析
倾转样品法:z深度处发射的电子要经z/cosq 的路程才能离开表面,逃逸几率随exp(-z/lm) 而减少,∴改变倾斜角度可进行深度剖析
深度剖析
惰性气体离子束刻蚀法:
同AES、SIMS
1:Co 2: Al 3: C 4: O
Co-Ni-Al多层磁带材料
耗时36h
1、光电效应
当一束能量为hν的单色光与原子发生相互作用, 而入射光量子的能量大于原子某一能级电子的结合能 时,发生电离: M + hν= M*+ + e光电效应过程同时满足能量守恒和动量守恒, 入射光子和光电子的动量之间的差额是由原子的反冲 来补偿的。 光电效应的几率随着电子同原子核结合的加紧而很 快的增加,所以只要光子的能量足够大,被激发的总 是内层电子。外层电子的光电效应几率就会很小,特 别是价带,对于入射光来说几乎是“透明”的。
三、XPS装置
组成:
x射线源
样品台
电子能量分析器 电子探测和倍增器 数据处理与控制
真空系统
核心部件:激发源; 能量分析器;和电子 探测器
仪器说明
仪器名称:X射线光电子能谱仪 产品型号:Kratos AXIS Ultra DLD 生产厂家:日本岛津-KRATOS公司
1.
Al靶
11.8eV 20.1eV 23.4eV 69.7eV 3.3 0.42 0.28 2.0
D、能量损失线
光电子能量损失谱线是由于光电子在穿过样品表面时发生
非弹性碰撞,能量损失后在谱图上出现的伴峰
特征能量损失的大小与样品有关;能量损失峰的强度取决
于:样品特性、穿过样品的电子动能
XPS结合能对照表
1.0Bi6p1 3.9 Pt 5d10.0P 3p 18.0At 6s 24.0Kr 4s 34.0K 3s 44.0Ra 6s 52.0Tm 5s 65.7V 3s1.0Ce4f 4.0 Ir 5d10.0Ti 4s 18.0Ce 5p 24.0Sn 4d 35.0Re 5p3 44.0U 6s 52.3Yb 5s 66.0Ni 3p1.0Co3d 4.0Pm 4f 10.0V 4s 18.0Pr 5p 25.0Th 6p1 35.2Mo 4p 44.4Y 4s 52.6Fe 3p 66.0Pt 5p1 1.0Cr3d 4.5Ag 4d10.0Zr 5s 18.1Hf Ntv Ox 26.0Bi 5d3 35.2W Na2WO445.0Ta 5p1 53.0Sn loss 67.8Ta 5s1.0Fe3d 4.8Dy 5d10.5Bi 6s 18.2 C 2s 26.0He 1s 35.3Y loss 45.1As 2O3 53.4Os 4f5 68.0Ra 5d1.0Ga4p 5.0 B 2p10.7Cd 4d5 18.4Sr 4p 26.0Rn 6s 35.8W O3 45.5As Ntv Ox54.0Os 5p1 68.0Tc 4s1.0Hf5d 5.0 Br 4p11.0Kr 4p 18.7Ga 3d5 26.1Lu 5p 36.0Ce 5s 45.7Ge loss 54.2Se CdSe68.5Br 3d5 1.0In 5p 5.0Ca 3d11.0Rn 6p 18.8Ga 3d 26.8Ta 2O5 36.0Gd 5s 46.0Re 5p1 54.5Se GeSe68.5Br KBr 1.0Na3s 5.0 Er 4f 11.0Sc 4s 18.9Ga 3d3 26.8Zr 4p 36.6Sr 4s 46.3Ga loss 54.9Se 3d5 68.8Cd 4p1.0Os5d 5.0Po 6p11.1Cs 5p3 19.0Eu 5p 27.0Br 4s 36.7V 3p 46.8Re 2O7 54.9Li 1s 69.0Br 3d1.0Pb6p 5.3Se 4p11.6Cd 4d3 19.0Nd 5p 28.2Sc 3p 37.0W 5p3 46.8W 5p1 54.9Li OH 69.5Br 3d3 1.0Sn5p 5.5 Cl 3p12.0Cs 5p 19.0Pb 5d5 28.6In loss 37.5Hf 5p1 47.0Mn 3p 54.9Se 3d 70.0Re loss 1.2Yb4f7 5.8Au 5d12.0Po 6s 19.0Ra 6p 28.8Rb 4s 38.0Pm 5s 47.0Rh 4p 55.2Se GeSe271.0Pt 4f7 1.4Pd4d 6.0Ta 5d12.0Te 5s 19.0Sm 5p 29.0Dy 5p1 38.0Pr 5s 47.9Ru 4p 55.3Li CO3 71.8Mg loss1.4Rh4d 6.0 Y 4d12.0Tl 5d5 19.1Ga Sb fract29.0Er 5p 38.3Sn loss 48.0Dy 5s 55.6Nb 4s 72.6Pt 4f2.0Cd5p 6.2Hg 5d12.6Cs 5p1 19.4Ga AlAs etch29.0Lu 5p 39.0Eu 5s 48.0Rn 5d 55.7Se 3d3 72.7Al 2p3 2.0Mg3s 6.9Eu 4f 13.0Tl 5d 19.5N 2s 29.1Ge 3d5 39.0Nd 5s 48.0Sb loss 56.8Au 5p3 72.9Al 2p2.0Mo4d 7.0 O 2p13.2Rb 4p 19.7Ga P fract 29.2 F 2s 39.0Tc 4p 48.5 I 4d 56.8Lu 5s 73.1Tl 5p3 2.0Nb4d 7.0Sm 4f 13.2Rb 4p 19.7Ga As fract29.4Ge 3d 39.5Tm 5p 49.5Ho 5s 57.4Er 5s 73.2Al 2p1 2.0Nd4f 7.0Sn 5s14.0Ne 2p 20.0U 6p 29.5Ho 5p1 40.0At 5d 49.5Mg CO3 58.0Ag 4p 73.8Al N2.0Ni 3d 7.0Xe 5p14.0Sc 3d 20.2Zn loss 29.7Ge 3d3 40.0Ba 5s 49.6Mg(OH)258.0Fr 5d 74.0Au 5p1 2.0Pr 4f 7.1Lu4f714.2Hf 4f7 20.5Gd 5p 30.2Ge Se 40.0In loss 49.6Mg 2p3 58.0Hg 5p3 74.2Cr 3s2.0Sb5p 7.1Tb 4f 15.0Fr 6p 20.7Ga 2O3 30.3Na 2p 40.0Tb 5s 49.7Mg O 58.1W loss 74.3Al 2O3 2.0Sc4p 7.7Gd 4f 15.0H 1s 21.0Pb 5d3 30.9Nb 4p 40.1Te 4d 49.8Mg 2p 58.2Ti 3s 74.3Al2O3-nH2O 2.0Tc4d 7.8Dy 4f 15.0Hf 4f 21.6Ta 4f7 30.9Pb loss 40.2Re 4f7 49.9Mg 2p1 58.3Te loss 74.4Pt 4f5 2.0Ti 3d 8.0 At 6p15.0Rb 4p1 21.8Tb 5p 31.0Hf 5p3 41.0Ne 2s 50.0Mg CO3 58.6Ag 4p 74.4Al (OH)3 2.0V 3d 8.0 S 3p15.0Tl 5d3 22.0Dy 5p3 31.0Po 5d 41.0Sm 5s 50.0Sr loss 58.9Y loss 74.9Cu 3p2.0Yb 4f 8.3Ho 4f 15.7Cl 3s 22.0Pm 5p 31.3W 4f7 41.2Re 4f 50.3Zr 4s 59.0Co 3p 74.9Se loss 2.0Zr 4d 8.3Lu 5d15.9Hf 4f5 22.3Ar 3s 31.5Ge Se2 41.4Re Ntv Ox 50.4Mg NtvOx159.2As loss 75.0Cs 4d5 2.5Yb4f58.4Lu2O315.9 I 5s 22.7Ta 4f 31.7Sb 4d 41.5As 3d5 50.7Os 4f7 60.8Ir 4f7 75.1Pt O2-nH2O 2.6Te5p 8.5Tm4f716.0K 3p 23.0Cs 5s 32.1Ga loss 41.8As 3d 50.7Pd 4p 61.0Mg loss 75.1W 5s2.8Cu3d 8.6Lu4f516.0P 3s 23.1O 2s 32.3W 4f 42.0As S 50.7Sc 3s 62.0Ir 4f 75.5Al Ntv Ox 2.8Mn3d 8.9 Ar 3p16.0S 3s 23.3Ho 5p3 32.4Ti 3p 42.0Th 6s 50.9Mg reoxid62.0Ir O2 76.0Cs 4d2.8Re5d 9.0 F 2p16.9In 4d 23.3Y 4p 32.6Ta 5p3 42.1Ca 3s 51.0Ir 5p3 62.0Ir 5p1 77.8Ni loss 2.8Si 3p 9.0Ru 4d17.0La 5p 23.4Ta S2 33.0La 5s 42.1Cr 3p 51.0Mg NtvOx262.0Mo 4s 78.3In 4p2.8W 5d 9.0Sb 5s17.0Th 6p3 23.5Ca 3p 33.2Ge O2 42.2As 3d3 51.4Os 4f 62.0Xe 4d 79.0Cs 4d33.0Ge4p 9.0 Si 3s17.0Xe 5s 23.5Yb 5p 33.4Lu 5p 42.7Re 4f5 51.5Pt 5p3 62.3Hf 5s 80.0Ru 4s3.0 I 5p 9.1As 4p17.1Hf O2 23.8Bi 5d 33.5W 4f5 42.7Ta loss 51.5Mg reoxid62.7Ir Ntv Ox80.7Rh 4s3.0Pb6s 9.7Zn 3d17.7Pb 5d 24.0Ta 4f5 33.8Ge Ntv Ox43.0As 2S3 51.7Re loss 63.3Na 2s 81.0Hg 5p1 3.2Bi6p310.0Ba 5p17.9Ga InAs (ar)24.0Bi 5d5 34.0Fr 6s 44.0Os 5p3 51.9Mg NtvOx363.8Ir 4f5 81.8Re 5s82.0Br loss101.8Si Almand.119.4Ga loss 137.8Pb 2O3 158.9Y 2(CO3)3 181.0Ge 3s 204.1Nb NbO 235.3Mg Auger 82.0Mn 3s 101.9Hg 4f 119.4Tl CO3 137.8Se Auger159.2Bi Ntv Ox 181.1Zr 3d3 205.0Nb 3d3 237.0Pm 4p3 82.7Pb 5p3 102.0Pt 5s 120.0Hg 5s 138.3Pb 4f 159.6Ho 4d5 181.2Br 3p3 205.1S loss 237.6Ta 4d3 84.0Au 4f7 102.0Si 3N4 120.0Tl 4f 138.5Ge loss 160.0Bi 5s 182.0Br 3p 205.8Lu 4d3 237.9Rb 3p3 84.0Ba 4d3 102.6Si O 121.0Pm 4d 138.8Pb Ntv Ox161.2S PbS 182.0Fr 5p1 206.1Nb NbO2238.0Cs 4s84.7Ba 4d 102.9Zn loss 121.1 I 4p 139.0Pb CO3161.3Ho 2O3 182.1Yb 4d5 207.0Ce 4p3 238.0Rn 4f85.0Au 4f 103.0Ga 3p 122.0Ge 3p3 139.0Xe 4p 161.5S CuS, TaS2182.4Zr O2 207.0Xe 4s 238.9Mo loss85.0Th 5d5 103.0Ga 3p3 122.1Tl 4f5 139.5Zn 3s 161.7Se 3p3 182.8Er Auger 207.3P loss 241.8Ar 2p386.0Ba 4d5 103.0Pt loss 122.4Cu 3s 140.0Fr 5p3 161.9S HgS 183.7Si loss 207.4Nb Nb2O5242.0Ar 2p86.9 Kr 3d5 103.0Si O2 122.4In 4s 140.3Gd 4d5 162.2S MoS2 184.0Po 4f 207.4Nb Ntv Ox243.1W 4d587.2Kr 3d 103.0U 5d3 127.0Rn 5p3 140.7As 3p3 162.3Bi 4f5 184.9Yb 2O3 208.0Kr 3p3 243.9Ar 2p187.7Au 4f5 103.5Si O2-nH2O128.2Eu 4d5 141.2Gd2O3 162.4S Na2S2O3185.3S loss 210.0At 4f 245.0Nd 4p188.0 Al loss 103.7Al loss 128.3Tl loss 141.7Pb 4f5 162.6S FeS2 185.5 I 4s 210.8Hf 4d5 248.0Ba 4s 88.1Au2O3103.9Hg 4f5 128.6P InP etch142.0As 3p 163.9S 2p3 187.8Br 3p1 210.9Dy Auger248.0Rb 3p1 88.2Kr 3d3 104.0La 4d 129.0Ge 3p1 145.9Tb 4d5 164.0Rn 5p1 187.9 B CrB 213.0 B loss 249.6S loss 88.2Pd 4s 104.0Po 5p3 129.0P InP etch146.0Sr loss 164.0S 2p 188.0 B 1s 213.0La 4p1 250.0Sm 4p388.3Zn 3p 106.3Pb 5p1 129.0Sm 4d 147.0As 3p1 164.0Sr loss 188.0B MoB, LaB6214.0Rn 5s 253.0Mo loss89.0Os 5s 107.0Ga 3p1 129.3P GaP etch148.0At 5p1 165.1S 2p1 188.1 B WB 217.5Cl loss 253.0Tc 3d89.1Mg 2s 108.0Au 5s 130.0Be loss 148.0Pb 5s 166.6S Na2SO3 188.2 B Ni3B 218.0Pr 4p3 253.0Tc 3d590.6Sn 4p 109.7Rb 3d5 130.0Ho Auger 148.5Tb F3 167.3Er 4d5 188.9 B Ntv Ox 220.5Se Auger254.0Ra 5s91.0Fe 3s 109.7Rb OAc 130.1P 2p3 148.8Al loss 167.3Se 3p1 189.0P 2s 221.3Hf 4d3 255.0Br 3s92.8 Bi 5p3 109.9Cd 4s 130.6P 2p 149.8Pb loss 167.6Si loss 189.2Tm Auger 223.0Ce 4p1 255.0Eu 4p393.0Th 5d3 110.0Ce 4d 131.4P 2p1 149.9P loss 168.5Er 2O3 190.8 B N 225.7As 3s 255.0Pm 4p194.0 U 5d5 110.0Rb 3d 132.0Po 5p1 149.9Tb 3O7 168.5S Na2SO4 190.9Yb 4d3 226.1Ta 4d5 255.1Se Auger94.6 Tl 5p1 110.5Ni 3s 132.7Ga loss 150.5Si 2s 168.5S Na2S2O3194.0 B 2O3 228.0Mo 3d5 255.6W 4d395.2 Ir 5s 110.6Mg loss 133.4Al loss 152.0Zn loss 168.6P loss 195.0At 5s 228.0Nd 4p3 257.0Tc 3d396.0Br loss111.2Rb 3d3 133.6Si loss 152.3Dy 4d5 168.8Y loss 195.0U 5p3 229.0S 2s 260.0Re 4d597.0Ag 4s 111.8Be 1s 133.7Sr 3d5 152.9Sb 4s 169.1Te 4s 196.0Lu 4d5 229.4Mo O2 (?)260.0U 5p198.7Er Auger112.6Te 4p 133.7Sr CO3 153.0Ra 5p3 169.3Er 4d3 196.1Zr loss 229.5Mo 3d 261.0As Auger99.8 Si 2p3 113.6Be O 134.0Sr 3d 155.8Y 3d5 173.0Ba 4p 197.0La 4p3 229.7Mo S2 261.5Tb Auger 99.8Mg loss 114.7Be Ntv Ox 134.9Sm 2O3 156.1Dy 2O3 173.3Ga loss 197.5Ge Auger 229.9Se 3s 264.3Rb loss 99.9Hg 4f7 115.0At 5p3 135.5Sr 3d3 156.6Y 2O3 175.4Tm 4d 198.4Se Auger 230.0As Auger267.5S loss 100.1Si 2p 115.0Pr 4d 135.6Eu 2O3 157.0Bi 4f7 175.9Tb loss 198.7Cl 2p 231.1Mo 3d3 267.7W loss 100.2Si O 115.5Se Auger 136.8Pb O2 157.0Bi 4f 176.3Tm 2O3 198.9Cl 2p3 232.6Mo Ntv Ox268.0Fr 4f 100.4Si 2p1 116.2Si loss 136.8Rb loss 157.0Bi loss 177.0Po 5s 198.9Cl MCl 232.9Tb Auger268.4Sr 3p3 100.4Si C 117.7Tl 4f7 136.9Pb 4f7 157.0Y 3d 177.0Th 5p3 199.8Cl C-Cl 233.0Kr 3p1 270.0Cl 2s 100.6Sb 4p 117.9Al 2s 137.0Tl 5s 157.9Y 3d3 178.7Se Auger 200.0Ra 5p1 233.1Mo O3 271.3Gd 4p3 100.7Hg O 118.0Nd 4d 137.1Sn 4s 158.5Cs 4p3 178.7Zr 3d5 200.5Cl 2p1 234.0Fr 5s 273.5Re 4d3 100.9Co 3s 118.2Bi 5p1 137.5Pb O 158.8Bi 2O3 179.9Zr 3d 201.4Nb 3d 234.0Pr 4p1 274.5Er Auger 100.9Hg S 118.2Tl 2O3 137.6Pb 3O4 158.9Ga 3s 180.9Cs 4p1 202.3Nb 3d5 234.0Th 5p1 275.0La 4s278.7Sr 3p1 301.6Mg Auger340.3Pd 3d3 382.0U 4f 412.7Lu 4p1 460.2Gd Auger515.0Eu Auger 560.0Pd 3p1 279.0Os 4d5 305.0Pr 4s 341.4Ge Auger 384.9Tl 4d5 420.4Ta loss 462.5Ta 4p1 515.6V 2p 560.9Ti 2s 280.1Ru 3d5 305.5K loss 342.0Th 4f5 386.0Tm 4p1 421.6Mo loss 463.1In loss515.9V 2O3 562.8Ta 4s 281.0Ru Ntv Ox 307.2Rh 3d5 343.0Ho 4p1 388.0U 4f5 423.3W 4p3 464.0Bi 4d3 517.1V 2O5 565.0Na Auger 281.1Ru O2 308.5Rh Ntv Ox343.0Zr 3p1 388.3Se Auger 424.5N loss 466.1Ru 3p3 517.3V O2 567.0Rn 4d3 282.2Ru 3d 308.9Rh 2O3 346.5Pd loss 389.8K loss 425.0As Auger 466.8Nb 3s 518.5Re 4p1 568.1Cu Auger 282.6 C VC 308.9Sr loss 346.6Ca 2p 390.3Yb 4p1 425.0Tc 3p3 468.0As Auger519.0As Auger 570.9Ga Auger 282.9 C NbC 309.4Rh 3d 347.1Ca O 391.7Ga Auger 425.5Pb loss 468.5Tm 4s 519.6Pt 4p3 572.5Te CdTe 283.0 C TaC 310.4Ge Auger347.2Mg Auger 391.7Mg Auger 429.6Zr 3s 471.0Os 4p3 519.7V 2p1 572.9Te 3d5 283.0Sm 4p1 311.0Tb 4p1 347.8Ca UHV Ox393.8Mo 3p3 433.0Ge Auger 471.5Zn Auger521.3Rh 3p1 573.0Zn Auger 284.0Tb Auger 311.1Y 3p1 349.0Sm 4s 393.8Y 3s 434.3Pb 4d3 473.0Po 4d5 524.0Na Auger 573.6Ag 3p3 284.2Ru 3d3 311.9Ir 4d3 353.0Au 4d3 395.6Tb 4s 436.0Ho 4s 474.0Se Auger524.8Ge Auger 574.1Cr B 284.5 C HOPG 311.9Rh 3d3 357.2Sr 3s 397.0N CrN 437.3Hf 4p1 474.7In loss528.2Sb 3d5 574.3Cr 2p3 284.5Se Auger 312.5Mg Auger357.9Ge Auger 397.1N AlN 437.8Ca 2s 480.8Yb 4s 529.4O Ag2O, NiO575.0Cr 2p 285.0 C 1s 313.0 C loss 357.9Mg Auger 397.3N TiN 440.0Bi 4d5 484.9Sn 3d5 529.6Sb 2O3 575.5Cr Ntv Ox 285.4 C C-OR 314.5Pt 4d5 358.3Hg 4d5 397.6N Si3N4 443.6Ge Auger 486.3Sn O 529.8O MgO 575.6Cr 2O3 286.0Cl loss 315.1Se Auger358.6Se Auger 398.4N 1s 443.8In 3d5 486.4Ga Auger530.5O NaOH 576.5Te O2 286.0Tb 4p3 315.2Ho 4p3 359.0As Auger 398.4N BN 444.3In 2O3 487.3Sn O2 531.1O Al2O3 576.6Cr Ntv Ox 287.0 C C-Cl 319.5Ar 2s 359.2Lu 4p3 398.4Sc 2p3 444.4In Ntv Ox488.4Ru 3p1 531.1Sb 2O5 577.0Fr 4d5 287.8 C C=O, C-F 320.0Nd 4s 359.3Zr loss 399.8Se Auger 444.8In P fract488.8Ho Auger531.8O 1s LiOH 577.0Te 3d 288.9 C COOR 320.8Er 4p3 360.8Nb 3p3 399.9Tm Auger 444.9In GaAs 490.5W 4p1 532.3Pd 3p3 577.2Hg 4p3 289.0Eu 4p1 321.2K loss 363.0Eu 4s 400.6Ta 4p3 445.0Tc 3p1 493.3Sn 3d3 532.5Ga Auger 577.7Cr Ntv Ox 289.0Kr 3s 321.8Rb 3s 363.6Ga Auger 401.0Sc 2p 445.2In Ntv OH494.6Zn Auger532.5O B2O3, SiO2578.2Ir 4p1 289.4 C MCO3 322.0U 5s 363.7Dy Auger 401.9Sc 2O3 445.9In Ntv CO3494.8Ir 4p3 532.6Sb 3d 579.5Cr O3 290.0Ce 4s 323.6Mg Auger366.0Er 4p1 402.2N H4 446.4Re 4p3 496.3Rh 3p3 532.9O HgO 579.8Ge Auger 290.6Gd 4p1 326.8Ge Auger366.8Ag 2S 403.2Sc 2p1 446.9Pb loss 497.1Se Auger533.0At 4d3 580.0Cr KCrO4 290.8C C-CO3, CF2329.4Zr 3p3 367.7Ag O 404.1Cd O 447.3Ga Auger 497.2Sn 3d 533.8Hf 4s 581.8Zn Auger 291.7 C pi->pi* 331.0Pm 4s 368.2Ag Ag, Ag2O405.0Cd 3d5 448.0In 3d 497.4Na Auger536.4Na Auger 583.3Te 3d3 292.7 C CF3 331.2Pt 4d3 368.5Mg Auger 405.1Cd Te 450.3Er 4s 498.0Sc 2s 537.6Sb 3d3 583.5Cr 2p1 292.9K 2p3 KX 332.0Dy 4p1 370.0Eu Auger 405.4Cd Se, CO3451.4In 3d3 499.0Sn loss 541.0Rn 4d5 586.2Er Auger 293.0Os 4d3 332.3Tm 4p3 371.0Ag 3d 405.5Tl 4d3 453.0Se Auger 500.0Po 4d3 544.0Tc 3s 586.9Tm Auger 294.0Th 5s 333.0Th 4f7 371.0As Auger 406.7Cd (OH)2 453.9Ti 2p3 503.8Ga Auger544.2Sb loss 588.9Ga Auger 295.0K 2p 333.1Mg Auger374.2Ag 3d3 407.2N O3 454.3Na Auger 505.0Mo 3s 546.3Au 4p3 591.0Ru 3s 295.6Dy 4p3 334.0Au 4d5 376.0Gd 4s 408.0Cd 3d 455.1Ti O 507.0At 4d5 548.0Os 4p1 593.6W 4s 295.7K 2p1 335.0Pd 3d5 376.2Nb 3p1 411.0Tb Auger 456.0Ti 2p 507.5Sn loss548.1Cu Auger 600.0Gd Auger 296.2Ir 4d5 335.4Pd Ntv Ox377.2K 2s 411.3Mo 3p1 457.4Ti 2O3 507.9Lu 4s 552.4Na Auger 600.7Te loss 296.2Se Auger 337.0Pd O 377.3U 4f7 411.7Cd 3d3 458.0As Auger 512.1V 2p3 553.2O loss 603.0Fr 4d3 299.0Ra 4f 337.5Pd 3d 377.8Hg 4d3 412.0Pb 4d5 458.2Ti CaTiO3513.2Na Auger553.3Sb loss 603.0Ra 4d5 299.2Y 3p3 339.0As Auger379.5Hf 4p3 412.3Ge Auger 458.7Ti O2 513.5Ga Auger557.1Tb Auger 604.0Ag 3p1 300.6Sr loss 339.8Yb 4p3 381.0Mg Auger 412.6Dy 4s 460.0Ti 2p1 513.9Dy Auger558.5Zn Auger 609.1Pt 4p1609.6Tl 4p3 675.0Xe 3d 724.0Pt 4s 819.7Te 3p3 915.9Cr Auger999.0 O Auger 1107.0N Auger1243.8Pd Auger 617.0Cd 3p3 676.0Th 4d5 724.8Cs 3d5 826.0In 3s 918.6Cs Auger1003.0Nd 3d3 1108.0Sm 3d3 1245.9Tl Auger 619.0 I 3d 676.7In loss 724.8Cs Cl 830.5Co Auger925.3Co 2s 1003.6Cr Auger 1109.8Cd Auger1249.0Ge 2p1 619.2 I 3d5 677.9Tm Auger724.9Cs2O:SiO2833.0Ce Auger929.0Rn 4p1 1004.8Te 3s 1112.9Sb Auger1250.8Pt Auger 619.2 I KI 679.0Bi 4p3 736.0U 4d5 833.0F Auger930.9 I 3p1 1008.7Ni 2s 1116.6Ga 2p3 1259.8Ru a 623.2Ni Auger680.2Hg 4p1 740.0At 4p3 835.2La 2O3 931.7Cu Cl 1013.0O Auger 1117.7Sc Auger1264.2Mo Auger 625.2Re 4s 682.0Sm Auger740.0Cs 3d3 836.0La 3d5 931.8Pr 3d5 1014.7V Auger 1126.0Eu 3d5 1265.0Rh Auger 626.1Ho Auger682.4Xe 3d3 748.0Ho Auger 836.5Te loss 932.0Cs Auger1020.3Te Auger 1128.0La 3p3 1265.8Ge loss 626.4V 2s 685.1 F CaF2749.0Cs loss 837.2La B6 932.3Cu S 1021.7Zn O 1128.9Ag Auger1272.0Ce 3p1 627.8Rh 3s 685.7 F 1s 756.2Sn 3p1 837.9Co Auger932.4Cu 2O 1021.8Zn 2p3 1129.0Sn Auger1272.0U 4p1 628.2Cu Auger685.7 F LiF 758.0Nd Auger 841.1Gd Auger932.6Cu 2p3 1022.3Zn S 1131.8Te Auger1275.7Tb 3d3 629.4Ga Auger688.9 F CF2 761.1Pb 4p1 844.2Cs Auger932.9Cu 2O 1022.5Sb Auger 1135.0Ag Auger1296.2Dy 3d5 630.6 I 3d3 690.9Ir 4s 761.2Au 4s 846.0Fe Auger933.9Cu O 1027.0Pm 3d5 1137.0Ba 3p1 1298.6Mo Auger 634.5Er Auger695.7Cr 2s 761.8Cs loss 846.7Tl 4s 934.0Xe 3p3 1027.2Cr Auger 1141.0Xe 3s 1303.3Mg 1s 635.0Cu Auger697.4Co Auger763.4Gd Auger 851.0Po 4p1 934.6Cu(OH)21031.0Zn loss 1143.4Ga 2p1 1304.0Cl Auger 636.0Ra 4d3 700.3Tb Auger766.4Sb 3p3 851.6Mn Auger936.6Bi 4s 1031.9Sb Auger 1148.9Sc Auger1307.0Hf Auger 638.7Mn 2p3 702.0Ne Auger768.0Rn 4p3 852.6Ni 2p3 940.7Cu CT 1034.9Ti Auger 1151.0In Auger1315.3Mg loss 640.4Ni Auger703.1In 3p1 768.6Mn 2s 852.9Ni B 942.2Cu CT 1042.0At 4s 1153.0Fr 4s 1316.1Pt Auger 640.5Ga Auger703.5 F loss 770.2Sn loss 853.0La 3d3 943.8Cu CT 1043.0U 4p3 1155.0Eu 3d3 1318.0Ta Auger 640.9Mn Mn3O4705.0Po 4p3 772.8Cd 3s 853.8Ni O 944.0Sb 3s 1044.8Zn 2p1 1159.4Pd Auger1319.0Nb Auger 641.0Mn MnO 705.2Ni Auger777.7Ni Auger 854.3Ni Ntv Ox944.1Mn Auger1049.6Sn Auger 1170.0Th 4p1 1321.6Lu Auger 641.0Mn Mn2O3706.7Fe 2p3 778.3Co 2p3 855.4Ni(OH)2945.5Sb Auger1052.0Pm 3d3 1184.0Ce 3p3 1322.3Re Auger 641.6Mn MnO2707.2Fe S2 779.0U 4d3 859.0F Auger952.2Cu 2p1 1055.3V Auger 1185.5Rh Auger1323.9As 2p3 642.4Au 4p1 707.5Ga Auger779.2Co O 863.0Ne 1s 952.2Pr 3d3 1055.5Zn loss 1186.8Gd 2O31324.5Mo Auger 643.5 I loss 709.8Fe O 779.5Co 3O4 869.9Ni 2p1 952.5Cs Auger1058.0Ra 4p1 1186.9Gd 3d5 1326.3Mg loss 643.6Pb 4p3 710.4Fe2O3-g780.0Ba 3d5 870.5Cs Auger959.5Cr Auger1058.0Sn Auger 1190.0Ag Auger1334.0Pt Auger 645.0Mn 2p 710.5Fe 3O4780.0Ba CO3, OAc870.7Te 3p1 959.9Te Auger1063.0Ba 3p3 1194.0Ca Auger1335.1Dy 3d3 647.5Cu Auger710.8Fe2O3-a780.6Co (OH)2 875.0 I 3p3 965.0Th 4p3 1067.7Ti Auger 1196.4Zn 2s 1337.7Zr Auger 649.7Mn 2p1 711.5Fe OOH780.9Co Ntv Ox 878.1F Auger969.3Te Auger1071.8Na2O-SiO21208.0Ra 4s 1352.9Ho 3d5 651.0Cd 3p1 711.6 F loss 782.2Sb loss 879.0Ra 4p3 970.4 I Auger1071.9Na OH 1213.0Pd Auger1358.7Er 3d5 652.2Zn Auger712.2Ni Auger784.0Fe Auger 882.0Ce O2 976.8V Auger1072.0 I 3s 1217.0Cs 3s 1359.5As 2p1 655.0Eu Auger713.0Co Auger793.7Co 2p1 884.0Ce 3d5 979.7O Auger1072.0Na 1s 1217.0Ge 2p3 1363.6Yb Auger 655.7Ga Auger713.0Th 4d3 795.2Ba 3d3 885.2Sn 3s 980.0Fr 4p1 1072.0Na Cl 1217.0Ru Auger1365.5Mo Auger 657.2 I loss 714.1In loss 797.0Pr Auger 886.0At 4p1 981.0Nd 3d5 1076.4In Auger 1219.6Gd 3d3 1367.1Tm Auger 658.0Os 4s 714.6Sn 3p3 802.0Ba loss 886.5Ba Auger981.8 I Auger1081.0Sm 3d5 1221.4C Auger1368.2Zr Auger 659.4Zn Auger715.1Er Auger803.6Hg 4s 888.0Fe Auger994.6Te Auger1084.0In Auger 1225.0Ag Auger1373.3Tb 3p3 665.2In 3p3 719.5Cu Auger805.0Bi 4p1 888.4Te loss 995.0Po 4s 1092.5Te Auger 1234.7Rh Auger1378.9Gd 3p3 665.3Ho Auger719.6Ag 3s 808.9Tb Auger 891.7Pb 4s 995.0Sb Auger1097.0Rn 4s 1234.8Ge loss1390.9Pb Auger 669.7Xe 3d5 719.9Fe 2p1 810.0Fr 4p3 898.0Ba Auger996.0Xe 3p1 1097.2Cu 2s 1235.0K Auger1392.6Zr Auger 671.5Pd 3s 721.5Tl 4p1 812.6Sb 3p1 900.3Mn Auger997.3Cr Auger1102.8Ti Auger 1242.0Pr 3p3 1393.3Ho 3d3817.0Ba loss 902.0Ce 3d3 998.0Cs 3p3 1103.1Cd Auger 1242.1Tb 3d5 1395.0Si Auger。
XPS
光电子特征峰
16000
Pt4f5/2
Pt4f7/2
14000
intensity / cps
12000
10000
8000
6000 82 80 78 76 74 72 70 68 66 64 62
Binding Energy / eV
Your company slogan
光电子特征峰伴峰 光电子特征峰伴峰
X‚U光电 能谱 线 能谱
X-ray photoelectron spectroscopy analysis
彭三 史景涛
Your company slogan
内
1. XPS概述 概述 2. XPS基本原理 基本原理 3. XPS能谱仪 能谱仪 4. XPS的应用 的应用
5. XPS谱的认识 XPS谱的认识
Your company slogan
优点及特点: 优点及特点:
⑴固体样品用量小,不需要进行样品前处理,从而避免 了引入或丢失元素所造成的误分析 ⑵表面灵敏度高,一般信息深度<10nm ⑵表面灵敏度高,一般信息深度<10nm ⑶分析速度快,可多元素同时测定 ⑷可以给出原子序数3 92的元素信息,以获得元素成分 ⑷可以给出原子序数3-92的元素信息,以获得元素成分 分析 ⑸可以给出元素化学态信息,进而可以分析出元素的化 学态或官能团 ⑹样品不受导体、半导体、绝缘体的限制等 ⑺是非破坏性分析方法。结合离子溅射,可作深度剖析
4000
Zn2p1/2
32000 30000 28000
3500
3000
2500 406 404 402 400 398 396 394
26000 1050 1040 1030 1020 1010
XPS简介
84.0
932.7 918.35 568.25 Pd
AEIES200
83.980.02 368.210.03 932.660.06 918.640.04 567.970.04 Pd AEIES200B
XPS X射线光电子谱仪的能量校准
能量坐标标定
Seah给出的结合能标定值
Al K Mg K
X射线光电子谱(XPS)
X-ray Photoelectron Spectroscopy
XPS
引言
X射线光电子谱是重要的表面分析技术之一。它不仅能 探测表面的化学组成,而且可以确定各元素的化学状 态,因此,在化学、材料科学及表面科学中得以广泛 地应用。 X 射线光电子能谱是瑞典 Uppsala 大学 K.Siegbahn 及 其同事经过近 20年的潜心研究而建立的一种分析方法。 他们发现了内层电子结合能的位移现象,解决了电子 能量分析等技术问题,测定了元素周期表中各元素轨
E E
XPS X射线光电子谱仪的能量校准
X射线光电子谱仪的能量校准
X 射线光电子能谱分析的首要任务是谱仪的能
量校准。一台工作正常的 X 射线光电子谱仪应
是经过能量校准的。 X 射线光电子谱仪的能量校准工作是经常性的, 一般地说,每工作几个月或半年,就要重新校 准一次。
XPS X射线光电子谱仪的能量校准
电子相关作用。如考虑这两项的影响,准确的理
论计算公式为
EB E
SCF
Erelax E relat Ecorr
其中:Erelat和Ecorr分别为相对论效应和电子相关作用对结
合能的校正,一般小于Erelax。
XPS X射线光电子谱基本原理
绝热近似
44光电子能谱XPSssm
5.带有微弱磁性的样品 ➢ 当样品具有磁性时,由样品表面出射的光电子就会在
磁场的作用下偏离接收角,最后不能到达分析器,因 此,得不到正确的XPS谱。 ➢ 当样品的磁性很强时,还有可能使分析器头及样品架 磁化的危险。 ➢ 对于具有弱磁性的样品,可以通过退磁的方法去掉样 品的微弱磁性。
离子束溅射技术
➢仅提供表面3~5nm厚的表面信息,其组成不能反映体相成分。 ➢样品表面的C, O污染以及吸附物的存在也会大大影响其定量
分析的可靠性。
➢ 表面元素的化学价态分析
➢是XPS的最重要的一种分析功能,也是XPS谱图解析最难, 比较容易发生错误的部分。
➢在进行元素化学价态分析前,首先必须对结合能进行正确的 校准。最好是自己制备标准样,才能获得正确的结果。
➢以俄歇为主的则采用筒镜型能量分析器,对俄歇电 子的传输效率高 。
➢计算机系统
➢控制谱仪和采集数据; ➢谱图的计算机处理也是一个重要的部分,如元素的 自动标识、半定量计算,谱峰的拟合和去卷积等。
实验技术
➢样品制备技术 通常情况下只能对固体样品进行分析。由于涉及到样 品在真空中的传递和放置,待分析的样品一般都需要 经过一定的预处理,分述如下:
催化剂表面的Co物种主要为Co2+,Co2+(2p3/2, 1/2) = 781.0 和 797.0 eV (B.E.)的 Co物种可以分别指认为Co(OH)2 和/或Co-Mo-Ox (3 ≤ x ≤ 4)二元氧化物簇的 贡献;此外,780.0 和796.0 eV (B.E.)处的肩峰暗示催化剂表面存在少量
XPS的采样深度
➢一般定义X射线光电子能谱的采样深度为光电子平均 自由程的3倍。根据平均自由程的数据可以大致估计各 种材料的采样深度。
XPS基本数据
443.8 (1.08) 284.9 443.87 (0.71)
50 Sn 3d5
Sn°
484.9 (0.81) 284.7 485.01 (0.68)
51 Sb 3d5
Sb°
528.2 (1.0) 284.6 528.26 (0.80)
52 Te 3d5
Te°
572.8 (1.12) 284.2 572.97 (0.83)
18
2 He 1s
He+/Be He+/C
14
6
HOPG 284.5 (0.42)
15
7
400.9 (1.31) 285.0
16
8
CuO
529.7 (0.98) 284.9 934.0 (1.42)
17
9
688.9 (1.8) 285.0 291.9 (1.6)
3
Li°
Li 1s
LiOH
54.9 (1.65) 285.0 531.8 (1.6)
1
1
H 2°
H 1s
LiH
Fundamental XPS Data from Pure Elements, Pure Oxides, and Chemical Compounds
2 13
Atomic Number of Element
C(1s) BE = 285.0 eV Charge Referencing
MoS2
162.7 (0.39) 229.7 (0.80)
NaCl
199.3 (1.19) 285.0 1072.0 (1.40)
3
21 Sc 2p3
Sc° Sc2O3
398.6 (0.9) 285.8 398.46 (0.69) 401.9 (1.27) 285.0 530.0 (1.33)
XPS简介
电负性:F >O > C > H
4个碳元素所处化学环境 不同
4.常见有机化合物的电子结合能
⑴简单的烃类化合物及其衍生物 ①小分子烃类化合物C1s的Eb变化不大 ②多卤代或C+的结合能增值较大 ③其他类型化合物C1s的化学位移最大不超过3eV ⑵含氮化合物 ①铵盐中N1s的电子结合能变化不大,在400±1.0范围 ②芳胺的N1s的电子结合能大于铵盐中N+1s 的电子结合能 ⑶含磷化合物 ①三价P+的电子结合能高于三价P ②五价P的电子结合能高于三价P
原子序数 元素种类 测试能级 2~12 He~Mg 1s 13~33 Al~As 2p 34~66 Se~Dy Sm 3d 67~71 Ho~Lu 4d 72~92 Ta~U 4f
4.谱带强度
二.电子能谱仪简介
主要由超高真空系统、激发光源、单色器、样品室、 能量分析器、检测器和记录系统组成。如下图:
进一步逸出,导致动能的改变和谱峰的变宽。
消除方法:①导体样品要确保样品和谱仪金属部分之间的优良 电接触,通过谱仪消除荷电。 ②绝缘体需要一个附加的低能电子枪中和样品表面的正电荷, 称之为电中和法。
6.仪器的主要性能指标:评价X射线光电子能谱仪性能优
劣的主要指标是仪器的灵敏度和分辨率,可分别用信号强 度S和半峰高高度△E1/2来表示。 灵敏度:灵敏度高有利于提高元素检测的最低极限和一般的 测量精度,可以在较短的时间内获得高信噪比的测量结果。 分辨率:包括绝对分辨率和相对分辨率。 ①绝对分辨率:谱峰的半峰高宽带定义为绝对分辨率。对 △E1/2的贡献来自X射线激发源的自然线宽△Ex ,受激原 子的能级线宽△EN和能量分析器的线宽△EA 。若三者具 有高斯分布,则: △E1/2 = (△EX + △EN + △EA )1/2 ②相对分辨率:谱峰的半峰高宽带与基线的比值,即△E1/2 /E.
XPS简介
主要内容
知识回顾 1. XPS 简介 2. 结合能与化学位移 3. 谱图的一般特征 4. 定性分析方法 5. 分峰拟合 6. 不当实例 7. 价带谱图处理 8. 预约
3
知识回顾
4
知识回顾
ARXPS提供以下信息: 超薄膜中多层膜排列顺序 膜层厚度 薄膜中元素及价态分布(深度 剖析重构)
5
electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA)
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is a surface-sensitive quantitative technique that measures the elemental composition, empirical formula, chemical state, and electronic state.
20
2. 结合能与化学位移
2.3 终态效应 震激(Shake up)和震离(Shake off)
2. 结合能与化学位移
Shake-up satellites may occur when the outgoing photoelectron simultaneously interacts with a valence electron and excites it (shakes it up) to a higher-energy level; the energy of the core electron is then reduced slightly giving a satellite structure a few electron volts below(but above on a binding-energy scale) the core level position.
戴尔 Inspiron 1120 服务手册说明书
Dell™ Inspiron™ 1120 服务手册注、警告和严重警告本说明文件中的信息如有更改,恕不另行通知。
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2010 年 7 月 修订版 A00管制型号:P07T 系列管制类型:P07T002开始之前电池内存模块键盘硬盘驱动器掌垫电源按钮板无线小型插卡音频板 币形电池 显示屏 摄像头 中盖 交流适配器连接器 系统板 处理器散热器 扬声器 快擦写 BIOS注:“注”表示可以帮助您更好地使用计算机的重要信息。
警告:“警告”表示可能会损坏硬件或导致数据丢失,并告诉您如何避免此类问题。
严重警告:“严重警告”表示可能会造成财产损失、人身伤害甚至死亡。
1 支架10.断开交流适配器连接器电缆与系统板上连接器的连接。
1 交流适配器连接器电缆2 交流适配器连接器1 音频电缆连接器2 螺钉(3 颗)3 音频板4 扬声器电缆连接器5 小型插卡3.装回将音频板固定至计算机基座的三颗螺钉。
4.将音频电缆和扬声器电缆连接至其各自在音频板上的连接器。
5.将小型插卡天线电缆连接至小型插卡。
6.装回掌垫(请参阅装回掌垫)。
7.按照步骤 5 至步骤 7(在装回硬盘驱动器中)的说明进行操作。
8.装回键盘(请参阅装回键盘)。
9.装回电池(请参阅装回电池)。
精致面面俱到 戴尔XPS13 9310二合一笔记本
9310纵观电脑发展的历史,人们一直都在致力于将更多更强的元器件塞进体积更小的空间当中,发挥更丰富、实用的功能。
人们首先将屏幕和键鼠设备整合到了一起,于是从台式机发展出了笔记本电脑,之后再用触摸屏取代了键鼠设备,进而诞生了平板电脑。
而在市场上,有这样一类设备,它们兼顾了传统笔记本电脑和平板电脑的特点,衍生出了更加多样的使用形态,这就是2in1笔记本电脑。
今天要给大家介绍的就是来自戴尔的XPS13系列最新的93102in1笔记本电脑。
颜值至上,只挑对眼戴尔的XPS系列自面世以来,一直就是广大颜值用户的宠儿。
而其中XPS13系列,作为XPS家族中尺寸最小的存在,却一直保持了极高的性能水平。
XPS1393102in1笔记本选用了整块6000系铝合金金属打造外壳,同时经过了阳极氧化工艺打磨,仅是外壳就能体会戴尔的细腻用心。
XPS1393102in1笔记本机身最薄处仅7mm,整机轻至1.32kg,小巧的体积可以很轻松地放进职场女性的包内,轻巧的重量也不至于让电脑成为拖累。
C面掌托部分的材质与机身其它部位有所不同,戴尔提供了黑色碳纤维和白色硅纤维2种材质。
碳纤维材料较多应用于顶级跑车的外壳,最主要的特点就是质轻且坚韧,在这里的应用有效降低了整机的重量,同时保持了掌托部分的韧性和强度。
外观惹眼,屏幕养眼相比于前几代,此次XPS1393102in1笔记本采用了全新的16:10屏幕比例,相比于16:9的屏幕比例增加了近百万的像素点,使单屏能够显示更多内容,在观感上也更加舒适。
XPS1393102in1笔记本选用了1块13.4英寸4K UHD+ 3840×2400分辨率的触控全面屏,屏幕两侧的边框仅4.18mm,同时还在屏幕顶部嵌入了1颗2.25mm的四元透镜式摄像头。
屏幕素质方面,这块超高分辨率的屏幕除支持触控以外,还拥有90%DCI-P3电影级色域、1500:1高对比度和500nit 的高亮度,并取得VESA HDR400官方认证。
戴尔DELLXPS-9300
戴尔DELLXPS-9300
作者:
来源:《消费电子》2022年第01期
戴尔XPS-9300笔记本电脑采用广色域4K防蓝光显示屏,机身由航空铝精密锻造而成,侧面采用钻石切割工艺,每一处细节都能精准实现,只为给创作者带来精致体验。
就和现在大多数笔记本一样,XPS-9300已经用上了Intel第十代酷睿Ice Lake处理器,有Core i7-1065G7和Core i5-1035G1两个选择,采用LPDDR4内存,最大容量32GB,配备高速PCI-E NVMe SSD,最高容量2TB,屏幕是13.4英寸的16:10 4K触控IPS屏,分辨率
3840*2400,相比于16:9屏幕增加了7%的显示面积,在office软件中更加高效,支持Windows Hello人脸识别和指纹识别功能,预装Windows 1 0家庭版操作系统并包含office家庭和学生版,有银色是白色两种配色。
XPS-93004K触控全面屏,采用了全新16:10的比例的四边窄全面,同样尺寸下屏幕显示面积更大,而且在处理表格/浏览网页时显示多3行,减少滚动鼠标和翻页的时间,效率更高满足阅读者的需求。
屏幕其中央區域最高亮度可以去到45415 cd/m2,而这时整个屏幕的平均亮度为425.1cd/m2,平均伽马值为2.41左右,白平衡△E为2.1,默认模式下色温是6500K,更大更清晰的屏幕能够拥有更舒适的观感,同时带来更震撼的视野,帮助创作者呈现出色的效果。
XPS-9300机身由航空铝精密锻造而成,侧面采用钻石切割工艺,每一处细节都能精准实现,只为给创作者带来精致体验。
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X射线光电子能谱仪简介
主要内容XPS基本原理XPS仪器构造XPS冶金学科的应用
XPS基本原理XPS是什么X-ray Photoelectron Spectroscopy(X射线光电子能谱,简称XPS)是利用波长在X 射线范围的高能光子照射被测样品,测量由此引起的光电子能量分布的一种谱学方法。
样
品在X射线作用下,各种轨道电子都有可能从原子中激发成为光电子,由于各种原子、分子的轨道电子的结合能是一定的,因此可用来测定表面化学元素组成、含量及形态。
样品表面受辐射损伤小,能检测周期表中除H、He以外的所有元素。
XPS基本原理一定能量(hυ)的X光照射到样品表面,和待测光电物质发生作用,可以使待测物质原子
中的电子效应脱离原子成为自由电子(光电子)。
Kinetic Energy 动能光电子
E K E X-ray fermi level hυBinding Energy2p 结合能 E B 2s 1s 能量守恒hυ =E+E+* −hυ> E A + h υ⎯→ A+ e B K B XPS基本原理这些光电子进入能量分析器,利用能量分析器的色散作用,可获得按能量大小分布的X射线光电子谱,如图所示。
右图为金属铝的XPS谱图(激发源为单色AlK)α(a)扫描全谱;(b)为(a)高能端的扩展。
XPS基本原理样品处理简单,无损伤XPS特色广泛适应性能获取丰富的化学信息定量分析较好原子浓度>1%的所有元素(除 H, He 外)的鉴别在最外层表面10nm 表面元素组成的半定量测定(误差<±10%)内,XPS 可提供亚单层灵敏度;探测深度1~20原子单层(<10 nm) 优异的化学信息(化学位移和各种终态效应,以及完善的标准化合物数据库);关于分子环境的信息(氧化态、成键状态等)使用价带谱,分析能带中的电子态密度样品10nm 内的
非破坏性元素深度剖析
XPS仪器构造型号:Kratos AXIS Ultra DLD
XPS仪器构造计算机控制激发源主要构成XPS 接收与输出能量分析器进样系统真空系统电(离)子检测器XPS仪器构造单色化X 射线光源:Al Kα 1486.6eV Mg Kα 1253.6eV UHV 激发源(超高真空系统) 计算机控制能量分析器检测器进样系统接收与输出真空系统-8-1010~10 Torr -7-910~10 Torr XPS工作示意图
应用领域冶金学科应用一定金属材料的许多性质,如腐蚀、氧化、应力、疲劳、磨损、脆性、粘着、形变、摩擦等,不仅与金属的表面形貌有关,也与表面组成,以及吸附、分凝、扩散等表面现象有关。
应用实例一实例一:利用XPS检测双相钢连续退火表面氧化物化学成分。
(李远鹏,江社明等. 双相钢中铝含量对表面氧化物及抑制层形貌的影响. 钢铁研究学报, v24(5),2012)对3种不同铝含量的双相钢试
样经过连续退火热镀锌实验后,利用XPS分析表面的氧化物组成。
结果如下:
应用实例一度强Mn2p结合能/ev 图钢中铝元素含量不同的双相钢表面氧化物的XPS图谱从图中看出,3种双相钢表面Mn2P3/2峰的位置都位于641.6eV,表明了锰的氧化物存在形式为MnO。
应用实例一度强Cr2p 结合能/ev 图钢中铝元素含量不同的双相钢表
面氧化物的XPS图谱从图中看出,3种双相
钢表面Cr2P3/2峰的位置都位于576.8eV,表明
了铬的氧化物存在形式为CrO。
23
应用实例一度强Mo3d结合能/ev 图钢中铝元素含量不同的双相钢表面氧化物的XPS 图谱从图中看出,随着铝含量的增加,Mo3d峰的位置向高结合能方向有轻微偏移,分别为226.2、226.5、226.6eV,证实了钼在表面的状态为金属态。
图中的Mo3d的XPS窄谱背景噪声大,Mo3d特征峰的强度极为微弱,表明了退火后双相钢表面钼的相对含量极低。
应用实例一度强Al2p结合能/ev 图钢中铝元素含量不同的双相钢表面氧化物的XPS图谱从图中看出,只有wAl=0.12%和wAl=0.4%的双相钢的Al2p结合能谱图,缺少wAl=0.09%的双
相钢的Al2p谱图。
这是因为铝含量低于XPS仪器探
测能力的下限,检测不到铝的信号。
3种双相钢表
面Al2P峰的位置都位于74.7eV,表明了铝的氧化物
存在形式为AlO。
含铝0.4%的双相钢Al2p峰的强度
比含铝0.12%的双相钢的Al2p峰23 大得多,说明随
着钢中铝含量的增加,表面生成的AlO数量也大大
增加。
23
应用实例一结合扫描电镜的结果分析:wAl=0.09%的双相钢表面的氧化物形貌为颗粒状和长条状的氧化物;XPS分析表明,这两种氧化物为MnO和CrO。
23 含铝wAl=0.12%的双相钢表面均匀分布扁平状的氧化物,氧化物平均直径为126.2nm。
含铝wAl=0.4%的双相钢表面为细小弥散分布的氧化物,平均直径为70.7nm。
除了MnO和CrO,这两种双相23 钢表面还生成了AlO。
23
应用实例二实例二:利用XPS检测低铬X65管线钢
CO腐蚀产物膜化学成分2。
(孙建波,柳伟等.低铬X65管线钢CO腐蚀产物膜的特征及形成机2制. 金属学报,v45(1),2009)经高温高压CO腐蚀模拟实验后,利用XPS分析3 种含Cr 钢腐2蚀产物膜,结果如下:
应用实例二
应用实例二XPS结果:Cr2p3/2在576.2,577.3和585.4eV 附近有明显的结合能峰,分别对应CrO ,Cr(OH)和233CrO。
这表明Cr在低铬X65钢次外层膜中主23要以,Cr(OH)和CrO的化合态存在。
323XPS结果分析:当钢中含有Cr 元素时,除了生成FeCO的腐3蚀反应
外,还会存在如式(1)所示的阳极反应,生成腐蚀
产物Cr(OH);次外层膜中3CrO的形成可能与Cr(OH)
脱离腐蚀环境后233的脱水有关(式2)。
应用实例三实例三:利用XPS检测高碳钢亚表层碳含量变化,分析高碳钢被空蚀后珠光体的两相分离行为。
(刘诗汉,陈大融. 双相钢空蚀破坏的力学机制. 金属学报, v45(5),2009)对高碳钢进行振动空蚀实验,用XPS对高碳钢表面元素的结合能峰强等的变化进行检测,分析空蚀破坏行为。
高碳钢的化学成分如表1。
表1高碳钢的化学成分w% C Si Mn P S 珠光体渗碳体 1.08
≤0.30 ≤0.32 ≤0.030 ≤0.030 89% 11% 应用实例三随着空蚀实验的进行,珠光体中的两相出现分离(图13b),从SEM图上看,表层渗碳体(SEM图像中呈黑色细条状)消失,形成铁素体片中的缝隙。
图13 高碳钢在42min表面形貌特征的高倍SE M 图像
应用实例三出现这种情况有两种可能,一是渗碳体脱落,一是铁素体突出。
如果是渗碳体脱落,在一定深度内其含量都会减少。
如果是铁素体突出而没有大量材料脱落,则
在亚表层的某个深度必然表现为渗碳体含量的增加。
究竟是那种情况仅通过表面的SEM图像做不出明确的判断。
为此,用XPS通过溅射对材料亚表面进行检测,并比较实验前后渗碳体含量的变化。
应用实例三
应用实例三图14a是初始表面C1s的XPS谱,谱图中及Fe-C峰位及C-C峰位分别位于283.10和284.79eV处,有一定距离,双峰特征明显。
经过142min,溅射掉浅表层的43nm再测,得到只有1
个峰的谱图(图14b),且峰位向Fe-C结合能方向偏移。
通过曲线拟合发现,Fe-C峰位于283.76eV,其强度相对于初始表面的峰因此可以确定,不是表面渗强提高了约26%,而C-C峰位于碳体脱落了,而是铁素体向外突284.19eV,强度降低了约50%,表明铁出。
这一结论也与材料空蚀过程素体的含量下降而渗碳体的含量上升。
中失重很小的结果相吻合。
应用实例四实例四:利用XPS检测碳钢表面纳米晶层磨损,表面组成的改变。
(刘莉
莉,麦永津等. 45#钢表面纳米晶层的高温磨损特性. 摩擦学学报,v30(3),2010)图未喷丸45#钢样品表面Fe2p的XPS图谱从图中看出,未喷丸45#钢样品磨面存在着Fe、FeO和FeO的混合物。
23 应用实例四图喷丸45#钢样品300 ℃磨擦磨损试验后磨损表面Fe2p的XPS图谱从图中看出,喷丸45#钢样品,则只探测到FeO的峰,说明磨面只有FeO 。
2323
应用实例四XPS检测结果分析:由于表面喷丸纳米化处理在45#钢表层组织结构中造成了大量的晶界、位错、空位等缺陷,为氧原子的向内扩散及/或金属原子向外扩散提供了更多的通道,有利于铁的富氧的氧化物的生成,疏松和脆性的FeO对试样的摩擦磨损性能产生重要的影响。
23
谢谢!。