无机材料科学基础第二章
无机材料科学基础复习重点
第二章、晶体结构缺陷1缺陷的概念2、热缺陷(弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷)热缺陷是一种本征缺陷、高于0K就存在,热缺陷浓度的计算影响热缺陷浓度的因数:温度和热缺陷形成能(晶体结构)弗伦克尔缺陷肖特基缺陷3、杂质缺陷、固溶体4、非化学计量化合物结构缺陷(半导体)种类、形成条件、缺陷的计算等5、连续置换型固溶体的形成条件6、影响形成间隙型固溶体的因素7、组分缺陷(补偿缺陷):不等价离子取代形成条件、特点(浓度取决于掺杂量和固溶度)缺陷浓度的计算、与热缺陷的比较幻灯片68、缺陷反应方程和固溶式9、固溶体的研究与计算写出缺陷反应方程T固溶式、算出晶胞的体积和重量T理论密度(间隙型、置换型)T和实测密度比较10、位错概念刃位错:滑移方向与位错线垂直,伯格斯矢量b与位错线垂直螺位错:滑移方向与位错线平行,伯格斯矢量b与位错线平行混合位错:滑移方向与位错线既不平行,又不垂直。
幻灯片7第三章、非晶态固体1熔体的结构:不同聚合程度的各种聚合物的混合物硅酸盐熔体的粘度与组成的关系2、非晶态物质的特点3、玻璃的通性4、Tg、Tf ,相对应的粘度和特点5、网络形成体、网络改变(变性)体、网络中间体玻璃形成的结晶化学观点:键强,键能6、玻璃形成的动力学条件(相变),3T图7、玻璃的结构学说(二种玻璃结构学说的共同之处和不同之处)8、玻璃的结构参数Z可根据玻璃类型定,先计算R,再计算X、Y 注意网络中间体在其中的作用。
9、硅酸盐晶体与硅酸盐玻璃的区别10、硼的反常现象幻灯片8第四章、表面与界面1表面能和表面张力,表面的特征2、润湿的概念、定义、计算;槽角、二面角的计算改善润湿的方法:去除表面吸附膜(提高固体表面能)、改变表面粗糙度、降低固液界面能3、表面粗糙度对润湿的影响4、吸附膜对润湿的影响5、弯曲表面的效应(开尔文公式的应用)6、界面的分类与特点7、多晶体组织8、粘土荷电的原因,阳离子交换序9、粘土与水的作用,电动电位及对泥浆性能的影响流动性,稳定性,悬浮性,触变性,可塑性10、瘠性料的悬浮与塑化泥浆发生触变的原因,改善方法幻灯片9第五章、相平衡1、相律以及相图中的一些基本概念相、独立组分、自由度等2、水型物质相图的特点(固液界线的斜率为负)3、单元系统相图中可逆与不可逆多晶转变的特点4、S iO2相图中的多晶转变(重建型转变、位移型转变)5、一致熔化合物和不一致熔化合物的特点6、形成连续固溶体的二元相图的特点(没有二元无变量点)7、相图应用幻灯片108、界线、连线的概念,以及他们的关系9、等含量规则、等比例规则、背向规则、杠杆规则、连线规则、切线规则、重心规则。
无机材料科学基础---第二章晶体结构
13.在石英的相变中,属于重建型相变的是 AC,属于位移式相变的是 BD 。(A α-石英→α-鳞石英;B α-石英→β-石英;C α-鳞石英 →α-方石英;D α方石英→β-方石英) P C I F 三、(1)a≠b≠c,α=β=γ= 90°的晶体属什么晶系?(2) 三斜 √ a≠b≠c,α≠β≠γ≠90°的晶 单斜 √ √ 体属什么晶系?(3)你能否据此 斜方 √ √ √ √ 确定这两种晶体的布拉维点阵? (1)斜方晶系(2)三斜晶系(3) 三方 √ 由左表可见,三斜晶系可以确定, 四方 √ √ 而斜方晶系不能确定 六方 √ 等轴 √ √ √
比 3:2:1 五、以NaCl 晶胞为例,说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和 数量。 Z(Na)=1/8×8+1/2×6=4;Z(Cl)=1+1/4×12=4;Z=4
四面体数量:8 (1/4,1/4,1/4);(1/4,1/4,3/4);(1/4, 3/4,1/4);(1/4,3/4,3/4);(3/4,1/4,1/4);(3/4,1/4, 3/4);(3/4,3/4,1/4);(3/4,3/4,3/4)各有一个四面体空隙 八面体数量:4 (0,0.5,0)组成1个八面体空隙;(0.5,0,0)组成1 个八面体空隙;(0,0,0.5)组成1个八面体空隙;(0.5;0.5; 0.5)组成1个八面体空隙 六、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、致 密度。 Z=2
结构类型 [SiO4]共用O2数 形状 络阴离子 [SiO4]2[Si2O7]6[Si3O9]2[Si4O12]8[Si6O18]12[Si2O6]4[Si4O11]6[Si4O10]4[SiO2][AlSi3O8][AlSiO4]Si:O 实例
岛状 0 组群状 1 2 2 2 链状 2 3 层状 3 架状 4
无机材料科学基础第二章-晶体结构-第6节(3)
CaO静电键强度与MgO相同,但晶体结构疏松,不稳定,易水 化。因为Ca2+离子半径大,使O2-离子的立方密堆积紧密程度变 松。 CaO 的晶格能为3469KJ/mol ,熔点2560 ℃。
6
2、CsCl型
r+/r- = 0.93(大于0.732)
CsCl晶体为Pm3m空间群(立方原始格子); a0=0.411nm; Cl-按简立方形式堆积,位于立方体的8个角顶上;Cs+填充在立方体 中心。 Cl-、Cs+的配位数均为8;单位晶胞中的分子数Z=1;
r+/r- = 0.102/0.181=0.56 (0.414~0.732)
3
②球体紧密堆积方法:Cl-按面心立方紧密堆积,Na+填入 全部八面体空隙(Na︰Cl=1︰1); ③配位多面体及其连接方式:[NaCl6]八面体以共棱方式 连接,该描述方法适宜于复杂晶体结构。
NaCl中的正八面体结构
4
属于NaCl型结构的晶体很多,表2-7所示。
按离子堆积分析, O2-按变 形的六方密堆积, Ti4+只填 充了O2-所形成的八面体空隙 的一半(Ti︰O=1 ︰2)。
16
晶胞中质点的坐标为:Ti4+(000),(1/2 1/2 1/2);
O2-(uu0),((1-u) (1-u) 0),((1/2+u)(1/2-u)1/2),
1号点 2号点 4号点 3号点
单位晶胞中质点的坐标如图所示。 属于CsCl结构的晶体有CsBr、CsI、NH4Cl 等。
7
3、闪锌矿(立方ZnS)型结构(共价晶体)
闪锌矿为Fm3m 空间群, a0=0.540nm。面心立方格子,S=按立方 紧密堆积,Zn2+交错处于八分之一小立方体中心,占据四面体空 隙的一半; 质点坐标及投影图如图所示。
无机材料科学基础第二章
=e
-U f 2RT
⋅e
∆S f 2R
=e
-U f 2RT
在热缺陷产生过程中: 在热缺陷产生过程中:G=H-TS, TS,系统的混乱度增加, 系统的混乱度增加,S 升高, 升高,内能增加, 内能增加, H 升高。 升高。所以, 所以,H、S 变化相反, 变化相反,可能是 G 达到最小, 达到最小,因此, 因此,热缺陷在热力学 上是稳定的 上是稳定的。 定的。 第二节 固溶体 一、固溶体概念 含有外来杂质原子或离子的晶体称为固溶体。 含有外来杂质原子或离子的晶体称为固溶体。 化学组成 化合物 混合物 相数 结构 具有本身固有结构 各组分保持自身结 构 固溶体 可变 单相 保持主晶相晶体结 构 二、类型
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
在一定温度下, 在一定温度下 , 肖特基缺陷和弗伦克耳缺陷形成反应的平衡常数总是保持 不变的。 不变的。因此, 因此,杂质缺陷的产生, 杂质缺陷的产生,会降低热缺陷浓度的影响。 会降低热缺陷浓度的影响。 四.判断固溶体缺陷种类的方法 固溶体类型主要通过测定晶胞参数并计算出固溶体的密度, 固溶体类型主要通过测定晶胞参数并计算出固溶体的密度,和由实验精确 测定的密度数据对比来判断。 测定的密度数据对比来判断。不同类型的固溶体, 不同类型的固溶体,密度值有着很大不同。 密度值有着很大不同。 如氧化钙进入到氧化锆中可形成阴离子空位和阳离子填隙两种固溶体, 如氧化钙进入到氧化锆中可形成阴离子空位和阳离子填隙两种固溶体,在 1600 度,固溶体具有萤石结构, 固溶体具有萤石结构,实验测定当融入 0.15 分子氧化钙时, 分子氧化钙时,晶胞参数
△Gf—生成 1mol 弗伦克尔缺陷体系自由焓变化。 弗伦克尔缺陷体系自由焓变化。 Uf—生成 1mol 弗伦克尔缺陷所需能量。 弗伦克尔缺陷所需能量。 2)离子晶体产生弗伦克尔缺陷
无机材料科学基础02-2
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波恩—哈勃循环
有: 则
D -Q S I -E-E L 2 D E L=S I -E+Q 2
第二章 晶体结构——2.2 晶体化学基本原理
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(4)晶格能的理论计算
把晶格拆散所需消耗的能量也就是把其化学键拆散所消耗的 能量,则晶格能与键能的数值相等,但符号相反。
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晶格能可通过实验测定和理论计算来求得。
(3)晶格能的实验测定
根据热力学原理,利用热化学中的赫斯(Hess)定 理和化学反应热、汽化热、离解热、电离能、电子亲
和能等实测数据,通过波恩(Born) —哈勃循环
(Haber)来求得晶格能。
第二章 晶体结构——2.2 晶体化学基本原理
单质Si:Si-Si键为共价键。1个4价Si原子,与其周围4个
Si原子共享最外层的电子,从而使每个Si原子最外层获得8 个电子。1对共有电子代表1个共价键,所以1个Si原子有4个 共价键与邻近4个Si原子结合,形成四面体结构,其中共价 键之间的夹角约为109o。
单质Si结构中的共价键与晶胞结构
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离子晶体性质 1) 离子键结合力很大,故离子晶体结构非常稳定,反映在 宏观性质上,离子晶体的熔点高,硬度大,热膨胀系数小;
2) 离子晶体若发生相对移动,将失去电平衡,离子键被破
坏,故离子晶体多为脆性;子晶体都
是很好的绝缘体; 4) 大多数离子晶体对可见光透明,在远红外区有一特征吸 收峰——红外光谱特征。 第二章 晶体结构——2.2 晶体化学基本原理
在立方晶系AX型离子晶体结构的三维模型系统中,立 方体十二条棱两端有12对间距为r的正负离子相互吸引,四条 体对角线两端有4对间距为
无机材料科学基础教学大纲
《无机材料科学基础》教学大纲英文课程名称: Foundation of Inorganic Material Science课程编号:0711305总学时:88(其中理论课学时:74 实验学时:14)总学分:5.5先修课程:物理化学、晶体学适用专业:无机非金属材料工程开课单位:材料科学与工程学院无机非金属材料工程教研室执笔人:梁忠友审校人:来启辉一、课程教学内容绪论材料的发展动向及本课程的重要地位;本课程的特色及基本要求。
第一章晶体化学基本原理原子半径和离子半径;球体紧密堆积原理,六方堆积和立方堆积;配位数和配位多面体;离子的极化对化学键和结构的影响;电负性,估计化学键;鲍林规则。
第二章晶体结构与晶体中的缺陷第一节典型结构类型氯化钠型、金刚石型、氯化铯型、闪锌矿型、纤锌矿型、萤石型、金红石型、碘化镉型、刚玉型、钙钛矿型、尖晶石型。
第二节硅酸盐晶体结构岛状结构、组群状结构、链状结构、层状结构、架状结构。
第三节晶体结构缺陷,点缺陷、固溶体、非化学计量化合物,固溶体研究方法;线缺陷,包括螺旋位错和刃位错。
第三章熔体与玻璃体第一节熔体结构——聚合物理论,第二节熔体性质粘度和表面张力。
第三节玻璃通性各向同性;介稳性;熔融态向玻璃态转化的可逆性与渐变性;熔融态向玻璃态转化时物理、化学性质随温度变化的连续性。
第四节玻璃的形成玻璃态物质的形成方法简介;玻璃形成的热力学、动力学,结晶化学条件;第四节玻璃的结构晶子学说;无规则网络学说。
第五节常见玻璃类型硅酸盐玻璃;硼酸盐玻璃。
第四章表面与界面第一节固体的表面固体的表面特征;晶体表面结构;固体表面能;第二节界面行为,润湿与粘附;吸附与表面改姓;第三节晶界晶界结构与分类;多晶体的组织;晶界应力。
第四节粘土—水系统胶体化学粘土的荷电性;离子吸附与交换;电动性质;胶体性质;瘠性料的悬浮与塑化。
第五章相平衡。
第一节硅酸盐系统相平衡的特点热力学平衡态与非平衡态;硅酸盐系统中的组分、相及相律。
沈阳化工大学无机材料科学基础--3-1 缺陷类型与点缺陷
例:
(1)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV,
计算25℃及1600℃时的热缺陷浓度? (2)如果MgO晶体中,含有百万分之一的Al2O3杂 质,则在1600℃时,MgO晶体中热缺陷占优势还是 杂质缺陷占优势?说明原因。
边的质量应该相等。
注:VM不存在质量,下标M只表示缺陷位置
(3)电中性(电荷守恒)
电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数 必须相等。
无机材料科学基础
2. 缺陷反应实例
(1)杂质(组成)缺陷反应方程式
例:
1)写出CaF2加入NaF中的缺陷反应方程式
2)写出CaO加入ZrO2中的缺陷反应方程式
3)写出Al2O3加入Cr2O3中的缺陷反应方程式
肖特基缺陷(Schottky defect)
• 热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时,热缺陷浓度增加。
无机材料科学基础
弗仑克尔缺陷:(Frenkel defect)
• 定义:能量足够大的质点 离开正常格点后挤入晶格 间隙位置,形成间隙质点, 而原来位置上形成空位
• 特点:空位、间隙原子
成对出现,晶体体积不变
2. 杂质缺陷
• 定义: 是由外加杂质原子进入晶体而产生的缺 陷,亦称为组成缺陷、非本征缺陷。杂质原子的 含量一般少于0.1%。
• 类型:置换式杂质原子和间隙式杂质原子
• 特征: 杂质缺陷的浓度与温度无关。 只决定于溶解度 •杂质缺陷对材料性能的影响
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3. 非化学计量结构缺陷
• 定义:指组成上偏离化学计量而形成的缺陷。
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第二章 晶体结构缺陷
理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性 缺陷的含义:晶体点阵结构中周期性势场的畸
无机材料科学基础第二章PPT课件
➢晶向指数:点阵中一维方向结点连线-行列:
行列平行方向-晶向(如:晶棱方向)
(1)建立坐标系,原点在待标晶向上
(2)选取该晶向上原点
以外的任一点P(xa,yb,zc)
zc
P
(3)将xa,yb,zc化简为互质
O
整数比u,v,w,且
yb
xa
u∶v∶w = xa∶yb∶zc
离子半径:离子中心到其作用力所及的有 效范围的距离。正、负离子都看成球体。离 子半径是衡量键性、键强、配位关系及极化 的重要数据。
2.6.2 球体紧密堆积原理
1、等大球体的最紧密堆积及其空隙:
【 紧密堆积结构】
Close-packed structures
ABABA.. packing
hcp & fcc
2、晶胞的分类
初级晶胞: 简单晶胞,只在平行六面体的八个角顶有阵点。
复合晶胞: 除角顶外,在其体心、面心或低心位置上也有 阵点。
3、描述晶胞的形状大小
晶胞的表示-晶胞参数
三条晶轴:a,b,c 轴间夹角:α,β,γ
4、晶系和布拉菲点阵
分类依据:棱长、夹角 七种类型:七大晶系 布拉菲点阵:14种
六方紧密堆积
hcp structure
(hexagonally-close packed)
ABCABC.. packing
立方紧密堆积
fcc structure
(face-centered cubic, 面心立方)
1、等大球体的最紧密堆积及其空隙:
(1)六方最紧密堆积:ABAB……紧密堆积 方式,密排面平行于(0001)。
• {100}=(100)+(010)+(001)
无机材料科学基础课后习题答案宋晓岚黄学辉版word精品
无机材料科学基础课后习题答案宋晓岚黄学辉版无机材料科学基础课程组第二章答案2-1 略。
2-2 (1 )一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c,求该晶面的晶面指(2)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c,求出该晶面的晶面指数。
1 j 2答:(1)h:k:l= 1二-■ =3:2:1, A该晶面的晶面指数为(321);(2)h:k:l=3:2:1 ,A该晶面的晶面指数为(321)。
2-3在立方晶系晶胞中画出下列晶面指数和晶向指数:(001 )与[」-],(111 )与[一二], (二)与[111],(二二)与[236],(257 )与[」],(123 )与[二],(102),(二),(」),[110], U.], L I]答:(001)2-4定性描述晶体结构的参量有哪些?定量描述晶体结构的参量又有哪些? 答:定性:对称轴、对称中心、晶系、点阵。
定量:晶胞参数。
2-5依据结合力的本质不同,晶体中的键合作用分为哪几类?其特点是什么?答:晶体中的键合作用可分为离子键、共价键、金属键、范德华键和氢键。
离子键的特点是没有方向性和饱和性,结合力很大。
共价键的特点是具有方向性和饱和性,结合力也很大。
金属键是没有方向性和饱和性的的共价键, 结合力是离子间的静电库仑力。
范德华键是通过分子力而产生的键合, 分子力很弱。
氢键是两个电负性较大的原子相结合形成的键,具有饱和性。
2-6等径球最紧密堆积的空隙有哪两种? 一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙?答:等径球最紧密堆积有六方和面心立方紧密堆积两种,一个球的周围有8个四面体空隙、6个八面体空隙。
2-7 n 个等径球作最紧密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙?不等径球是 如何进行堆积的?答:n 个等径球作最紧密堆积时可形成n 个八面体空隙、2n 个四面体空隙。
不等径球体进行紧密堆积时, 可以看成由大球按等径球体紧密堆积后, 小球按其大小分 别填充到其空隙中, 稍大的小球填充八面体空隙, 稍小的小球填充四面体空隙, 形成不 等径球体紧密堆积。
无机材料科学基础第二章-硅酸盐晶体结构-第6节(4)综述
19
(4)以标高为50的Si4+和O2-处作一反射面,就可得到晶胞的另一半,即单位晶 胞中有2个绿宝石分子。
绿宝石结构对性能的影响:
由于结构中有较大的环形孔隙, 当有半径小、电价低的离子 (K+,Na+)存在时,呈现出 离子导电。
3、滑石的结构(Mg3[Si4O10](OH)2) 4、伊利石结构(化学式K1~1.5Al4[Si7~6.5Al1~1.5O20](OH)4) 5、白云母(化学式KAl2[AlSi3O10](OH)2 ) 五、架状结构(1、石英晶体结构;2、长石晶体结构)
1
六、硅酸盐矿物的晶体结构 概述 硅酸盐晶体种类繁多,是构成地壳的主要矿物,也是硅 酸盐工业的主要原料。
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镁橄榄石Mg2[SiO4]结构( 2MgO· SiO2) 属斜方晶系,Pbmm空间群,a=0.476nm,b=1.021nm,c=0.599nm, Z=4; 下图为镁橄榄石的晶胞立体结构图和(100)面投影图。
镁橄榄石晶胞立体图
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镁橄榄石的 特征:
①O2-近似排成平行于(100)面的两层(六方密堆);
Be2+个数=1/24+1=3个; Al3+个数=12=2个 所以为半个晶胞。
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绿宝石晶体结构(0001)面投影
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绿宝石结构分析:
(1)绿宝石的基本结构单元是[SiO4]六节环,且每个[SiO4]中有两个O2-是公共氧, 它们与四面体中的Si4+处于同一高度。六节环两层相迭,交叉错开30°,形成 复六环,环之间由Be2+和Al3+连接。 (2)图中有5个Be2+处在以c轴为100的75标高处,所以属于该晶胞的Be2+为 (1/24+1)3个。Be2+分别与2个65标高的O2-(下面一层上面的O2-)和2个85 标高的O2-(上面一层下面的O2-)相连形成[BeO4]四面体。 (3)图中有2个Al3+也处在75标高,与3个85的O2-和3个65的O2-形成[AlO6]八面 体,这些O2-也与 Be2+相配位,所以 O2-的电价是饱和的。
无机材料科学基础
第二章晶体结构与晶体结构中的缺陷2-1 氯化铯(CsCl)属萤石结构,如果Cs+离子半径为0.170nm,Cl-离子半径为0.181nm,计算球状离子所占据的空间分数(堆积系数)。
假设Cs+和Cl-离子沿立方对角线接触。
2-2 (a)MgO具有NaCl结构。
根据O2-半径为0.140nm和Mg2+半径为0.072nm,计算球状离子所占据的空间分数(堆积系数)。
(b)计算MgO的密度。
2-3 氧化锂(Li2O)的晶胞结构构成:O2-离子呈面心立方堆积,Li+离子占据所有四面体空隙。
计算:(a)晶胞常数;(b)Li2O的密度;(c)O2-离子密堆积的结构格子,其空隙所能容纳的最大正离子半径是多大?(d)有0.01mol%SrO溶于Li2O中的固溶体的密度。
(注:Li+离子半径:0.74? ,O2-离子半径:1.40?)2-4 ThO2 具有CaF2结构。
Th4+离子半径为0.100 nm。
O2-离子半径为0.140 nm。
(a)实际结构中的Th4+正离子配位数与预计配位数是否一致?(b)结构遵循鲍林规则否?2-5 石墨、云母和高岭石具有相似的结构。
说明他们的结构区别及由此引起的性质上的差异。
2-6(a)在氧离子立方密堆中,画出适合于阳离子位置的间隙类型和位置,八面体间隙位置数与氧离子数之比为多少?四面体间隙位置数与氧离子数之比为多少?(b)用键强度和鲍林规则来解释,对于获得稳定的结构各需要何种价离子,其中:1)所有八面体间隙位置均填满,2)所有四面体间隙位置均填满,3)填满一半八面体间隙位置,4)填满一半四面体间隙位置并对每一种举出一个结构类型名称和正负离子配位数。
2-7 很简明地说明下列名词的含义:类质同晶现象,同质多象现象,多型现象,反结构(如反萤石结构),倒反结构(如反尖晶石结构)。
2-8 Si 和Al的原子量非常接近(分别为28.09和26.98),但SiO2及Al2O3的密度相差很大(分别为2.65及3.96)。
无机材料科学基础辅导2
第二章晶体结构【例2-1】计算MgO和GaAs晶体中离子键成分的多少。
【解】查元素电负性数据得,,,,则MgO离子键%=GaAs离子键%=由此可见,MgO晶体的化学键以离子键为主,而GaAs则是典型的共价键晶体。
【提示】除了以离子键、共价键结合为主的混合键晶体外,还有以共价键、分子间键结合为主的混合键晶体。
且两种类型的键独立地存在。
如,大多数气体分子以共价键结合,在低温下形成的晶体则依靠分子间键结合在一起。
石墨的层状单元内共价结合,层间则类似于分子间键。
正是由于结合键的性质不同,才形成了材料结构和性质等方面的差异。
从而也满足了工程方面的不同需要。
【例2-2】 NaCl和MgO晶体同属于NaCl型结构,但MgO的熔点为2800℃, NaC1仅为80l℃,请通过晶格能计算说明这种差别的原因。
【解】根据:晶格能(1)NaCl晶体:N0=6.023×1023 个/mol,A=1.7476,z1=z2=1,e=1.6×10-19 库仑,,r0==0.110+0.172=0.282nm=2.82×10-10 m,m/F,计算,得:E L=752.48 kJ/mol(2)MgO晶体:N0=6.023×1023个/mol,A=1.7476,z1=z2=2,e=1.6×10-19库仑,r0==0.080+0.132=0.212 nm=2.12×10-10 m,m/F,计算,得:E L=3922.06 kJ/mol则:MgO晶体的晶格能远大于NaC1晶体的晶格能,即相应MgO的熔点也远高于 NaC1的熔点。
【例2-3】根据最紧密堆积原理,空间利用率越高,结构越稳定,但是金刚石的空间利用率很低,只有34.01%,为什么它也很稳定?【解】最紧密堆积的原理只适用于离子晶体,而金刚石为原子晶体,由于C-C共价键很强,且晶体是在高温和极大的静压力下结晶形成,因而熔点高,硬度达,很稳定。
无机材料科学基础 第2章 结晶学基础
晶体固有的性质对材料的性质具有重 要的决定作用。
Construction Materials
结晶学基础
Construction Materials
晶体的基本概念
§2.1晶体的 基本概念与性质
晶体的基本性质
Construction Materials
2.1.1
晶体的概念:
晶体是内部质点在三 维空间按周期性重排 列的固体。 Or:晶体是具有格子 构造的固体。
Construction Materials
举 例
有一单斜晶系晶 体的晶面ABC在X、Y、 Z轴上的截距分别为3a、 2b、6c(如图1-15)。 其晶面指数求解过 程 为: X、Y、Z三晶轴的单位 分别为a、b、c,因此 其截距系数分别为3、 2、6,其倒数比为:2 ︰3︰1 , 因 此 其 晶 面 指数为(231)。
Construction Materials
7
映转轴(符号Lns):
一根假想的直线和垂直在此直线的一个平面,相 应的对称操作是绕此直线旋转一定角度以及对此平面 的反映。
在晶体的宏观对称中不存在独立的映转轴。 映转轴可以由其它对称要素等效,他们之间的等 效关系为:
L s L P Li
1 1
Construction Materials
晶面平行于某一坐标轴时米氏指数为0。 凡晶面与某一坐标轴的负端相交时,应在相应 米氏指数上方加一负号“-”。 晶面族:在对称性高的晶体中,不平行的 两组以上的晶面,它们的原子排列状况是相同 的,这些晶面构成一个晶面族。 晶面族指数:用晶面族中某个最简便的晶面 指数填在大括号{ }内作为该晶面族的指数。
1 对称要素的组合
Construction Materials
无机材料科学基础2
11
定理1:如果一个对称面P包含Ln,则必有n个对称面包含 Ln,且任意两相邻p之间的交角为360/2n.
▲
P1
P3 L3×P//
P2 L33P//
12
逆定理:如果两个对称面以α角相交,其交线必为 一个n次对称轴Ln,且n=360/2α
P1 2 P2 3 P1 6 1 P2 4 P1 5 P2 6 1
1、晶体定向 晶体定向就是在晶体上选择一个坐标系统。 即选择坐标轴和确定各坐标轴上的单位之比。 晶轴
18
晶轴的选择
是晶体构造的行列方向 反映晶体的固有对称规律
对称轴;
对称面法线;
平行主要晶棱方向;
晶轴尽可能的垂直,并使轴单位接近于相等
19
三轴定向
c (z)
四轴定向(三方、六方晶系)
c d
β
α b (y) γ b a
例:H2O ,对称元素,C2, v, v’ 对称操作
ˆ ˆ ˆ ˆ C2 , v , v ' , E
v’ C2 v
C2v
ˆ E ˆ C
ˆ E
ˆ E ˆ C
ˆ C2
ˆ C2 ˆ E ˆ v'
ˆ v
ˆ v ˆ E ˆ C
ˆ v'
ˆ v' ˆ C2 ˆ E
2
2
ˆ ˆ v' v
ˆ v
5
6 1
4
3 2
P3
P2
P1
13
定理2:如果有一个二次轴L2垂直Ln,则必有n个L2垂直Ln, 且任意两相邻之间的交角为360/2n
L2 ▲ L2
L2×L3 ⊥
L33L2 ⊥
L2
定理1:如果一个对称面P包含Ln,则必有n个对称面包含 Ln,且任意两相邻p之间的交角为360/2n.
无机材料科学基础 (2)
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二、影响因素
σ
温度
影响
组成
单位表面的质点数
表面质点受内部的 结合力
1. T↑ 质点间距↑ 作用力↓ ↓ (T↑ 100 oC ↓ 1%或4~10N/m)
2. O/Si ↓ 聚合物尺寸↑ 质点数↓ ↓ 3. R2O含量↑ 解聚作用↑ 聚合物尺寸↓
5、B2O3对黏度的影响(硼反常)
[B O 3 ] O nb [B O 4 ]
A. 在B2O3-SiO2中加入Na2O [BO3]
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B. 在Na2O-SiO2中加入 B2O3
C. 在R2O-B2O3-SiO2系统中 当(RO + R2O)/B2O3 < 1,引入R2O,[BO4] 增加,
例如 :Al-Si酸盐熔体σ=317mN/m, 加入33%
K2O使此熔体表面张力降至212mN/m;加入7%V2O5 则表面张力可降至100mN/m。
6. 两种熔体混合时,表面张力不具加和性, 其中较小的被排挤到表面富集,混合体的表
面张力以较小的为主。
7. 负离子F-和SO32- 都有降低表面张力的明显作用。 8. 添加各种氧化物对熔体表面张力的影响
使 σ ↑:SiO2、Al2O3、CaO、MgO (无表面活性) 使 σ ↓:
(1) K2O、PbO、B2O3、Sb2O3、Cr2O3 (有表面活性) (2) V2O5、As2O5、SO3 (强表面活性剂)
0.3 M gO
0.3 C aO
思路:组成 结构 性质
组成变
聚合物分布变 结合力变 活化能变
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晶 轴 及 轴 角
三、六方晶系的晶轴
⑶轴单位和轴率
轴单位是晶轴上的单位长,是晶轴所在行列上的结 点间距。X、Y、Z轴上的轴单位分别以a、b、c表示, 或者以a0、b0、c0表示。 由于结点间距很小(以nm计),需借助X射线分析 方能测定,根据晶体外形不能确定轴单位的真实长度, 但应用几何结晶学的方法可以求出它们的比率,即a︰ b︰c,这一比率称为轴率。 例如,中级晶族晶体中只有一个高次轴,以高次轴 为Z轴,通过高次轴的作用可以可使X、Y轴重合,因此 轴单位a=b≠c,轴率a︰c因晶体的种类而异。
格子构造中,在不同方向上 质点的排列一般不同,晶体 的性质也就随着方向的不同 而有所差异。如蓝晶石的硬 度、云母的解理、石英折射 率等。
4~4.5 6~ 7
蓝晶石晶体的硬度
4、对称性:是指某种相同的性质在不同的方向或位
置上作有规律地重复。对称性是晶体非常重要的性质, 也是晶体分类的基础。
5、最小内能:在相同的热力学条件下晶体与同种物
2 、均一性: 由于晶体是具有格子构造的固体,在
同一晶体的各个不同部分,质点的分布一样,故晶体 的各部分的物理化学性质相同。 非晶体也具有均一性。但非晶体不具格子构造,其 均一性是统计的、平均近似的均一,称为统计均一 性;而晶体均一性取决于格子构造,称为结晶均一 性。两者有本质区别。
3、异向性: 同一晶体的
以L4或Li4为z轴,以垂直Z轴并相互垂直的两 a = b≠c 个L2或P的法线为X、Y轴;当无L2或P时,X、 α=β=γ=90° Y轴平行晶棱选取 以L6、Li6、L3为Z轴,以垂直Z轴并彼此相交 a = b≠c 为120°的三个L2或P法线为X、Y、U轴;当 α=β=90°γ=120° 无L2或P时,X、Y、U轴平行晶棱选取 以相互垂直的3L2为X、Y、Z,在L22P对称 型中以L2为Z轴,以2P法线为X、Y轴 以L2或P的法线为Y轴,以垂直Y轴的主要晶 棱方向为Z及X轴 a≠b ≠ c α=β=γ=90° a≠b ≠ c α=γ=90° β> 90°
质的非晶质体、液体、气体相比较,其内能最小。
6、稳定性:由于晶体具有最小内能,因而结晶状态
是一个相对稳定的状态,质点只在其平衡位置上振动。 非晶体不稳定,有自发地向晶体转化的趋向。 晶体和非晶体在一定条件下是可以相互转化的。
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2.1.2
三维空间点阵中直线点阵与平面点阵的表达
在研究晶体形态时,仅确定其对称型和有哪些单形 组成,仍不能获得晶体的具体形态。因此,必须进 一步确定各单形在空间的相对位置,这就需要在晶 体上选定一坐标系统,并用一定的数学符号表示晶 面、晶棱等在空间的方位,这就是晶体定向和结晶 符号所要解决的内容。
1912年,X射线晶体衍射实验成功,对晶体的研究 从晶体的外部进入到晶体的内部,使结晶学进入 一个崭新的发展阶段。
现已证明,一切晶体不论其外形如何,它的内部 质点(原子、离子或分子)都是在三维空间有规 律排列,主要表现为同种质点的周期重复,构成 了所谓的“格子构造”。
所有晶体都具有格子构造——晶体的共同特点。
⑵行列:结点在直线上的排列即构成行列。
行列中相邻结点间的距离称为该行列的结点间距。 同一行列或彼此平行的行列上结点间距相等; 不同方向的行列,其结点间距一般不等。
行
列
⑶ 面网:结点在平面上的分布构成面网。 面网上单位面积内结点的数目称为网面密 度。 互相平行的面网,网面密度相同;不平行 的面网,网面密度一般不等。 相互平行的相邻两面网之间的垂直距离称 为面网间距。
优先与对称轴或对称面的法线重合;若无对称轴 和对称面,则晶轴可平行主要晶棱选取。
⑵在上述前提下,应尽可能使晶轴相互垂直或
趋于垂直,并使轴单位趋于相等。即尽可能使α =β =γ =90°,a=b=c。
各晶系选择晶轴的原则及晶体常数特点
晶 系 等轴 晶系 四方 晶系 三、 六方 晶系 斜方 晶系 单斜 晶系 选 轴 原 则 以相互垂直的L4、Li4或L2为X、Y、Z轴 晶体常数特点 a = b=c α=β=γ=90°
由四方柱和四方双 锥组成的两个聚 形,对称型均为L44L25PC
1、晶体定向的概念
晶体定向:在晶体上选择坐标系统。即选定坐标轴 (晶轴)和确定各晶轴上轴单位之比(轴率)。 ⑴晶轴:是交于晶体中心的三条直线,晶轴的选择 不是任意的,应与格子构造中的行列平行,并一般 应与对称轴、对称面的法线或晶棱重合。
晶轴分别以 X轴(前端为“+”,后端为“-”)、Y轴 (右端为“+”,左端为“-”)和Z轴(上端为“+”, 下端为“-”)表示,或称a、b、c轴。对于三方和六方晶 系要增加一个U轴(前端为“-”,后端为“+”)。
⑵轴角:晶轴正端之间的夹角 。 分别以 α
(Y∧Z)、β(Z∧X)、γ(X∧Y)表示。
周期结构与点阵 三维空间点阵中直线点阵与平面点阵的表达式
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2.1.1
周期结构与点阵
1、点阵
兹以氯化铯(CsCl)的晶体结构为例。 无论Cl- 或Cs+在晶体结构的任何一方向 上都是每隔一定的距离重复出现一次。
为了进一步揭示质点周期性重复的规律,我们可以对它 作某种抽象。先在结构中选出任一几何点,这个点可以 取在阴或阳离子的中心,也可以取它们之间的任意一点, 然后在结构中找出与此点相当的几何点,称为“相当 点”。
晶体的正确的定义:晶体是内部质点在三 维空间呈周期性重复排列的固体;或者说 晶体就是具有格子构造的固体。
石 盐 晶 体 结 构
Cl-
Na+
无色水晶
水 晶 晶 簇
水晶晶簇
黄 铁 矿
石 盐
冰
州
石
石 榴 石
绿 柱 石
钻石原石
金 刚 石
石 墨
萤
石
§2.1 晶体的周期结构与点阵
例:晶面HKL在晶轴上的截距分别为2a、3b、6c, 则截距系数的倒数比为1/2︰1/3︰1/6=3︰2︰1, 去其比例符号,加上小括号,即为该晶面的米氏符 号(321)。
晶面符号图解
晶面符号的括号内数字称为晶面指数。晶面指数 是按照X、Y、Z轴顺序排列的,一般式写作(hkl); 如果晶面与晶轴的负端相交,则在其相应的指数上 加“-”。 而对于三方、六方晶系,晶面指数按照X、Y、U、 Z轴的顺序排列,一般式写作(hk i l),而且h+k +i =0。 如果晶面平行于某晶轴,那么它在该晶轴上的截距 系数为∞,则其晶面指数就是1/∞=0。例如,与X、 Y轴平行,与Z轴相交的晶面,其晶面符号为 (001)。
相当点的条件是:
⑴如果原始几何点是取在质点的中心,则相当点所 占的质点的种类应是相同的,也就是占据同种质点 的中心; ⑵这些质点周围的环境以及方位应是相同的,也就 是说这些质点周围相同的方向上要有相同的质点。
相当点可以简单的定义为晶体结构中物质环境和几 何环境完全相同的点,也称“等同点”。 在氯化铯的晶体结构中,无论原始点选在Cl-还是 Cs+的中心,或者其它任何地方,找出的相当点的 分布相同。 相当点的分布可以体现晶体结构中所有质点的重复 规律。
2 晶体的结构与常见晶体结构类型
§2.1 §2.2 §2.3 §2.4 §2.5 §2.6
晶体的周期结构与点阵 点阵宏观对称性与类型 点阵结构的微观对称性---空间群 元素晶体的常见晶体结构 合金与金属间化合物常见晶体结构 无机非金属化合物常见晶体结构
结晶学的主要研究内容
晶体生长学 :研究晶体发生、成长机理和晶体的
(1)符合整个空间点阵的对称性。 (2)晶轴之间相交成的直角最多。 (3)体积最小。 (4)晶轴交角不为直角时,选最短的晶轴,且交角接近直角
。
点阵、结构和单胞
1.
点阵:晶体的周期性,忽略填充空间的实际结构(分子) 。 点阵矢量:由点阵矢量移动晶体到一个等效位置的平移。
初基点阵矢量: 可选择的最小点阵矢量。
面
网
⑷。 由八个结点、六个两两平行而且相等的 面组成。
平行六面体
晶胞
如上确定的六面体称为晶胞,由矢量a, b和c确定的方向称 为晶体学的晶轴 X, Y, Z。 如果晶胞中只包含一个阵点,则这种晶胞被称为初基的 (primitive)。
相当点在三维空间作规则排列而成的格子状 几何图形称为“空间点阵”或“空间格子”。
为研究晶体 内部质点的重 复规律不受晶 体大小限制, 设想空间点阵 为无限图形。
空 间 点 阵
2、空间点阵要素
⑴结点:空间格子中的点,代表晶体结构中的相当点,
只具几何意义,不代表任何质点。但在实际晶体中,结 点的位置可以被同种质点所占据。
2、晶面在晶轴上截距系数之比为简单 整数比——整数定律
⑴晶面是面网,晶轴是行 列,晶面截晶轴于结点,或 者晶面平移后截晶轴于结点 (晶轴上的截距系数之比不 变,晶面符号不变)。所以 如果以晶轴上的结点间距a、 b、c作为度量单位,则晶面 在晶轴上的截距系数之比必 为整数比。
⑵如图所示,平行Z轴的一组面网截X轴于a1点,截Y轴 分别于b1、b2、b3、b4……bn点,网面密度a1b1> a1b2>a1b3>……a1bn,它们在X、Y轴上的截距系数 之比则分别为1︰1、1︰2、1︰3……1︰n,显然,网 面密度越大,晶面在晶轴上的截距系数之比越简单。 根据布拉维法则,因此, 晶面在晶轴上的截距系数之 比为简单整数比。这一规律 被称为整数定律。 晶面指数一般是小的整数, 晶面符号中最常见的指数为 1和0,其次为2和3,超过3 的很少。
初基晶胞: 初基点阵矢量定义的平行六面体,仅包含一个
点阵点。
晶体结构: 原子在晶体中的周期性排列。 它可以通过在每 点阵点安放一个称为基元(或型主)的一组原子来描述。