电子技术----下册
电工电子技术上下册第2版肖志红
i(2 t) 10 cos(314t 30) 10 sin(314t 30 90) 10 sin(314t 60)
其幅值相量:
I2m 10 60 A
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4.2正弦量的相量表示
常见的转换公式为:
cos sin( )
cos
sin(
2
)
2
sin sin( )
4.2正弦量的相量表示
S
1
3
2
变量含义
变量
ui
UI
Um Im
U I
Um Im
变量含义 表示正弦交流电压、电流瞬时值(变量) 表示正弦交流电压、电流有效值(常量) 表示正弦交流电压、电流幅值(常量) 表示正弦交流电压、电流有效值相量(相量) 表示正弦交流电压、电流幅值相量(相量)
根据变量的含义,可以推出它们之间的关系。
4.2 正弦量的相量表示
4.3 元件伏安关系的相量形式
4.4 正弦交流电路分析
4.5 正弦交流电路功率
4.6 电路的谐振
4.7 三相交流电路
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引言
S 1
3
2
正弦交流电是交流电的一种特殊形式,应 用十分广泛 。
本章我们主要研究正弦电源作用下电路的 稳态响应,该响应与激励源具有相同的频 率。
Step3:根据定律列写方程,求解电压、电流,画出相量图; Step4:将电压、电流相量形式转化成瞬时形式。
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4.4正弦交流电路分析
S 1
3
2
例题分析
例题 电路如图所示,已知电压 u 10 2 sin(100t) V,R 10 Ω,
L 0.9 H, C 100µF,求电流 i 和电压uR 。
电工电子技术(2)习题册参考答案
第二部分
模拟电子电路的分析与计算 (教材第15章)
1、解:(1)作直流通路
IB U CC U BE U CC 12 0.05 mA 50 A , RB RB 240
I C I B 40 50 2000 A 2 mA U CE U CC I C RC 12 2 3 6 V
CB结正偏。 (3)解:
U BB 3 V
I B 0 IC 0
所以此时晶体管处于截止状态。 BE结电压: U BE U BB 3 V ,反偏 CB结电压: U CB U CE U BE 15 (3) 18 V ,正偏 5、电路如图所示, 试分析晶体三极管的工作状态。
4、如图所示电路,在给出的三组条件下,分别求出晶体管两个P-N结的电压 U BE 、 U CB 之值,并说明晶体管工作在何种状态。 (1) U CC 15 V, U BB 5 V, R B 10 k, RC 5 k, U BE 0.7 V, 60 ; (2) U CC 15 V, U BB 5 V, R B 300 k, RC 3 k, U BE 0.7 V, 60 ; (3) U CC 15 V, U BB 3 V, RB 300 k, RC 5 k, 60 。 解:(1) IB + RB UBB IC R
(2)作微变等效电路
ib
RS
ic
b ¦ iÂ
+ ui RB _ rbe
RC RL
+ es _
+ uo _
(3)根据微变等效电路,且有
第4页
共 15页
电工学(第7版)下册-电子技术习题册参考解答—西华大学电气信息学院电工电子教学部版权所有
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秦曾煌《电工学电子技术》(第版)(下册)笔记和课后习题详解(基本放大电路)【圣才出品】
第15章 基本放大电路15.1 复习笔记一、共发射极放大电路的组成1.电路结构图15-1是共发射极接法的基本交流放大电路。
图15-1 共发射极基本交流放大电路2.性能指标(1)输入电阻放大电路的输入端用一个等效电阻r i 表示,它称为放大电路的输入电阻,是信号源的负载,即(2)输出电阻放大电路的输出端也可用一电压源表示,它是负载电阻R L 的电源,其内阻r o 称为放大电路的输出电阻。
放大电路的输出电压与输入电压之比,称为放大电路的电压放大倍数。
即o U &iU &二、放大电路的静态分析1.用放大电路的直流通路确定静态值图15-2是图l5-1放大电路的直流通路。
画直流通路时,电容C 1和C 2可视为开路。
图15-2 图15-1交流放大电路的直流通路①由直流通路,可得出静态时的基极电流②由I B 可得出静态时的集电极电流③静态时的集-射极电压则为晶体管集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的伏安特性曲线即为输出特性曲线(图15-3)。
在图15-2所示的直流通路中,晶体管与集电极负载电阻R C串联后接于电源U CC。
可列出或图15-3 用图解法确定放大电路的静态工作点这是一个直线方程,其斜率为,在横轴上的截距为U CC,在纵轴上的截距为。
这一直线很容易在图15-3上作出,称为直流负载线。
负载线与晶体管的某条输出特性曲线的交点Q,称为放大电路的静态工作点,由它确定放大电路的电压和电流的静态值。
I B通常称它为偏置电流,简称偏流。
产生偏流的电路,称为偏置电路。
R B称为偏置电阻。
通常是改变R B的阻值来调整偏流I B的大小。
三、放大电路的动态分析1.微变等效电路法放大电路的微变等效电路,就是把非线性元件晶体管所组成的放大电路等散为一个线性电路,也就是把晶体管线性化,等效为一个线性元件。
(1)晶体管的微变等效电路图15-4(b)所示就是晶体管微变等效电路(a )(b )图15-4 晶体管及其微变等效电路其中①晶体管的输入电阻②晶体管的电流放大系数③晶体管的输出电阻(2)放大电路的微变等效电路由晶体管的微变等效电路和放大电路的交流通路可得出放大电路的微变等放电路。
电工学 电子技术 下册试题及解答
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第九章:半导体二极管和三极管、第十章:第九章:半导体二极管和三极管、第十章:差不多放大电路二极管和三极管一、单项选择题*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判定二极管的好坏,好的管.子应为(C )A、正、反向电阻相等B、正向电阻大,反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大专门多倍D、正、反向电阻都等于无穷大*2.电路如题2 图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V,Ui=3V 当.时,则U0 的值( D )。
A、不能确定B、等于0 C、等于5V D、等于3V **3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
.A、1 个B、2 个C、3 个D、4 个题2图5.晶体管的要紧特性是具有(D ).。
A、单向导电性B、滤波作用C、稳压作用D、电流放大作用*6.稳压管的稳压性能是利用PN 结的(D )。
.A、单向导电特性B、正向导电特性C、反向截止特性D、反向击穿特性8.对放大电路进行动态分析的要紧任务是(C ).A、确定静态工作点Q B、确定集电结和发射结的偏置电压C、确定电压放大倍数Au 和输入、输出电阻ri,r0 D、确定静态工作点Q、放大倍数Au 和输入、输出电阻ri,ro *9.射极输出器电路如题9 图所示,C1、C2 足够.大,对输入的交流信号u 可视作短路。
则输出电压u0 与输入电压ui 之间的关系是( B )。
A、两者反相,输出电压大于输入电压B、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压C、两者相位差90°,且大小相等D、两者同相,输出电压大于输入电压题9图11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有.负载电阻RL 增大、大小不变,符号D、保持不变C、增大B、减少( B ) A时,电压放大倍数将.改变13.在画放大电路的交流通路经常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,./ 33这种处理方法是( A )。
电工学_下册(电子技术)第六版_秦曾煌
1.晶体三极管工作在放大状态时,其发射结处于正…偏置,集URM = 14.1 V ;若采用单相桥式整流电路,则二极管承受的最高反向压降 U RM = 14.1 V 。
5.(57.5) 10= (111001.1 )2=( 39.8 )16。
6.三变量的逻辑函数共有 8个最小项。
其全部最小项之和为 1 。
7.TTL 三态门的输出包括高电平、低电平和高阻态等三种工作状态。
二、选择题:(每题2分,共12分)1.某硅三极管三个电极的电位Ve Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ,则该管工作在A )状态。
A 饱和B 、截止C 、放大2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路,通常提供一个偏置电路以克服(D )失真。
损坏A 、截止3.电路如图1所示,引入的反馈为(B 、饱和 C )负反馈。
C 、截止和饱和交越A 、电压并联B 、电流并联 C 电压串联 电流串联4.下列电路中D )电路。
A 、加法器B 、编码器 C 、译码器计数器5.构成一个十二进制的计数器, )个触发器。
A 、 2B 、 46.摩根定律的正确表达式是:C 、D 12、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。
B 、 D 、(6分)2.放大电路电工学期考试卷01-电子技术B、填空题:(每空2分,共30分)并宜负反馈;若想要增加输出电阻,应引入电流 负反馈。
3. 理想运算放大电路工作在线性区时,有 虚断和虚短两个重要概念。
4.已知变压器二次侧电压 U =10V,采用单相半波整流电路,二极管承受的最高反向压降Y = A B^A C C+C D +AB C +B C D解:Y = B(A AC) C(D AD BD)= B(A C) C(D A B)AB CD AC =AB BC C D AC精品文档四、图 2 所示放大电路中,已知V C C=12V,金i=90k Q,吊2=30k Q , F C=2.5k Q , R=1.5k Q , F L=10k Q , 3 =80, U B E = 0.7V。
大学经典教材--电工学第一章第一部分
本学期准备继续开展电路设 计及仿真软件的学习活动,主要 是以自学为主。可以自己到实验 中心EDA实验室,登记上机。 对于使用该软件较好, 可独立设计出较复杂的系统, 并给出报告的可在期末给与加分 奖励。
通 知 我系对非电专业学生开展SRT训练,可 在老师指导下进行电工电子技术科技活动, 培养动手能力和科研能力。该训练可贯穿至 毕业设计。愿参加者可到我处报名,报名时 间不限,在我任课的三个学期内均可。报名 人数每班不超过2人,总共可接纳10人左右 。活动地点在西主楼一区215。
半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有 不同于其它物质的特点。例如: • 当受外界热和光的作用时,它的导电能
力明显变化。
• 往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使
它的导电能力明显改变。
2.1.3 半导体二极管
一、基本结构
PN 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。
点接触型
触丝 PN结
引线
外壳
小功率高频
到50年代末,人们越来越强烈地感到, 一个个互相独立的元件、器件的小型化之路, 将走到尽头。这是因为, 一个复杂的电路,里面有大量的元器件, 这些“零件”之间要用导线连接起来。 大量的导线也限制了电路体积的缩小。 在科学技术发展的关键时刻, 往往需要富有想象力的科学家创造全新的观念。 1958年,就出现了两位这样的人物: 基尔比和诺伊斯。
以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是 主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、 保护等等。下面介绍两个交流参数。
二极管:死区电压=0 .5V,正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0 利用二极管的单向导电特性可作为电子开关。 如下面的两个例子就是其典型应用。
§1.1 半导体的基本知识
电工学电子技术第七版下册答案
电工学电子技术第七版下册答案【篇一:电工学(下册)电子技术基础第7章习题解答】txt>7.1 如图所示的基本rs触发器的电路图以及rd和sd的工作波形如图7.1所示,试画出q端的输出波形。
rdsd(b)图7.1 习题7.1的图解:rdsdq7.2 同步rs触发器电路中,cp,r,s的波形如图7.2所示,试画出q端对应的波形,设触发器的初始状态为0。
qcpcpsqr(a)(b)图7.2 习题7.2的图解:cpsr7.3 图7.3所示的主从结构的rs触发器各输入端的波形如图(b)所示。
sd=1,试画出q、q端对应的波形,设触发器的初始状态为 cpdsr(a)(b)图7.3 习题7.3的图解:cpdsrq7.4 试分析如图所示电路的逻辑功能。
图 7. 4习题7. 4的图解:j?qk?1qn?1?jq?kq?q所以构成t’触发器,具有计数功能。
7. 5 设jk触发器的初始状态为0,画出输出端q在时钟脉冲作用下的波形图。
1cpqcp图7.5习题7. 5的图解: jk触发器j、k端均接1时,计数。
cpq7.6 在图7.6所示的信号激励下,画出主从型边沿jk触发器的q端波形,设触发器的初始态为0。
cpjk(a)(b)图7.6 习题7.6的图解:cpjkqqcp图7.7 习题7.7的图解:cp为0时,保持;cp为1时,r=s=0,则保持,r=s=1时置0,当r=0,s=1时,置1,当r=1,s=0时,置0。
7.8如图所示的d触发器的逻辑电路和波形图如图所示,试画出输出端q的波形图,设触发器的初始态为0。
cpd(a)(b)图7. 8习题7. 8的图解: cpd7.9 图7.9所示的边沿t触发器,t和cp的输入波形如图7.9所示,画出触发器输出端q和q的波形,设触发器的初始状态为0。
qqqcpttcp(a)图7.9 习题7.9的图(b)解: t=1时计数,t=0的时候保持。
cptqq7.10 试将rs触发器分别转换为d触发器和jk触发器。
秦曾煌电工学下册电子技术课后答案
第14 章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。
晶体管起放大作用的外部条件,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2.晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时,其各极电流关系如下:I IC BI I I (1 )IE B C BI IC CI IB B3.晶体管的特性曲线和三个工作区域(1)晶体管的输入特性曲线:晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时,I和U BE 之间的关系。
晶体管B的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时,晶体管才会出现I B ,且I B 随U BE 线性变化。
(2)晶体管的输出特性曲线:晶体管的输出特性曲线反映当I B 为某个值时,I C 随U CE 变化的关系曲线。
在不同的I B 下,输出特性曲线是一组曲线。
I=0 以下区域为截止区,当U CE 比较小的区域为饱和区。
输出B特性曲线近于水平部分为放大区。
(3)晶体管的三个区域:晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管工作在放大区。
此时,I C = I b ,I C 与I b 成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。
此时,I B =0,I C = I CEO 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即U CE 很小时,晶体管工作在饱和区。
此时,I C 虽然很大,但I C I b 。
即晶体管处于失控状态,集电极电流I C 不受输入基极电流I B 的控制。
14.3 典型例题例14.1 二极管电路如例14.1 图所示,试判断二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压值。
电工学下册(电子技术)知识点总结
电子技术知识点总结模拟电路处理模拟信号,数字电路处理数字信号第14章半导体器件1.本征半导体概念2.N型和P型半导体的元素、多数载流子和少数载流子、“复合”运动3.PN结的单向导电性,扩散运动,漂移运动4.二极管的伏安特性、等效电阻(14.3.8)5.稳压二极管的工作区6.三极管的放大电流特性(非放大电压)、输出特性曲线(放大区、截止区、饱和区),判断硅管和锗管、PNP型和NPN型(14.5.1,14.5.2,14.5.3)第15章基本放大电路1.共发射极放大电路的组成、静态分析、动态分析,计算电压放大倍数(远大于1,输入输出电压反相)、输入电阻(高)、输出电阻(低)2.静态工作点的稳定:分压式偏置放大电路的组成3.非线性失真:饱和失真(静态工作点高)、截止失真(静态工作点低)4.射极输出器的组成、静态分析(估算法、图解法)、动态分析(微变等效电路法、图解法),计算电压放大倍数(接近1,但小于1,输入输出电压同相)、输入电阻(高)、输出电阻(低)5.多级放大电路的放大倍数,耦合方式三种:变压器耦合、阻容耦合(静态工作点相对独立)、直接耦合(静态工作点相互影响,零点漂移)6.差分(差动)放大电路:针对缓慢变化的信号,采用直接耦合,共模信号,差模信号,抑制零点漂移,电路对称性要好7.功率放大电路状态:甲类、甲乙类、乙类,为避免交越失真,需工作在甲乙类状态下第16章集成运算放大器1.理想运算放大器的理想化条件:开环电压放大倍数∞,差模输入电阻∞,开环输出电阻0,共模抑制比∞,工作区:线性区和饱和区2.虚短、虚断3.运算放大器的比例运算、加法运算和减法运算4.电压比较器第17章电子电路中的反馈1.负反馈对放大电路工作性能的影响:降低放大倍数、提高放大倍数的稳定性、改善波形失真2.深度负反馈的条件(AF>>1)第18章直流稳压电源1.整流电路的作用2.滤波器的作用3.稳压环节的作用第20章门电路和组合逻辑电路1.二进制、十六进制和十进制的转化2.基本逻辑门电路概念:与、或、非3.逻辑代数运算:交换律、结合律、分配律、吸收律、反演律4.常用的组合逻辑电路:加法器、编码器、译码器5.例:判奇电路第21章触发器和时序逻辑电路1.触发器的触发条件、触发时间、功能2.可控RS触发器可能会出现空翻现象3.JK触发器如何转化为T触发器和D触发器4.常用的时序逻辑电路:寄存器(数码和移位)、计数器。
电工学(下册)电子技术基础-第2章-习题解答
习 题 22.1 电路如图2.1所示,1k ΩR =,测得D 5V U =,试问二极管VD 是否良好(设外电路无虚焊)?解:内部PN 结或电极已开路,D 已损坏。
2.2 电路如图2.2所示,二极管导通电压D(on)U 约为0.7V ,试分别估算开关断开和闭合时输出电压o U 的数值。
图2.1 习题2.1电路图 图2.2 习题2.2电路图解: S 断开:断开VD ,D 5V U =。
所以VD 导通,o 50.7 4.3V U =-=S 闭合:断开VD ,)V (1125D-=⨯+-=RR RU ,所以VD 截止,o 6V U = 2.3 分析判断图2.3所示各电路中二极管是导通还是截止,并计算电压ab U ,设图中的二极管都是理想的。
图2.3 习题2.3电路图解:(a )断开VD ,U D =5+5=10V>0,VD 导通 ,ab 5V U =-;(b)断开VD,D2151V23U=-⨯=-+,VD截止ab252V23U=⨯=+;(c)断开VD1 VD2,D1D212V,5127VU U==-+=,所以VD1优先导通,U D2= −5V,VD2截止,U ab=0V;(d) )断开VD1 VD2,D1D212V,12517VU U==+=所以 VD2优先导通,D15VU=- VD1截止,ab5VU=-2.4 一个无标记的二极管,分别用a和b表示其两只引脚,利用模拟万用表测量其电阻。
当红表笔接a,黑表笔接b时,测得电阻值为500。
当红表笔接b,黑表笔接a时,测得电阻值为100k。
问哪一端是二极管阳极?解:b端是阳极2.5 二极管电路如图 2.4(a)所示,设输入电压i()u t波形如图 2.4(b)所示,在05mst<<的时间间隔内,试绘出输出电压o()u t的波形,设二极管是理想的。
图2.4 习题2.5电路图解:i()2tu t=,断开VD,D6iu u=-,当Du>时,VD导通,即3st>,60.2630.20.2iouu t-=⨯+=++当Du<时,VD截止,即3st<,6Vou=()ou tt/ms2.6 在图2.5所示的电路中,设二极管为理想的,已知i30sin(V)u tω=,试分别画出输出电压ou的波形,并标出幅值。
电工学(下册)电子技术复习题
A. B. C.
19.将 化简后得(A)。
A. B. C.
三、解析题
1.放大电路如图。已知RB1=270kΩ,RC=3kΩ,UC=6V,UBE=0.6V,晶体管的β=50。
(1)求静态IB、IC和UCE;
(2)求晶体管的输入电阻rbe;
(3)画出放大电路的微变等效电路;
(4)求电压放大倍数Au;
(1)画出运算电路;
(2)计算各电阻的阻值(设RF=100kΩ)。
解:(1)
(2) ,
4.试用运算放大器实现 运算。
(1)画出运算电路;
(2)计算各电阻的阻值(设RF=100kΩ)。
解:(1)
(2) ,
5.模拟运算电路如图3.3所示。试求:
(1)uo1的表达式;
(2)uo2的表达式;
(3)uo的表达式。
13.将逻辑式 化简后的结果为Y=()。
14.将十进制数(27)10转换为二进制数为()。
二、选择
1.附图所示电路的二极管是理想器件,AO两端的电压UAO为(C)。
A.4VB.-10VC.-4V
2.在图示电路中,二极管D1、D2、D3的工作状态为(B)。
A.D1、D2截止,D3导通B.D1导通,D2、D3截止
7.放大电路如图﹝a﹞所示,其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示,图中Q为静态工作点。则晶体管β=(50),静态IC=(2mA),UCE=5V,电阻RB≈(250kΩ),RC=(2.5kΩ),最大不失真输出电压Uom=(3V)。
8.理想运算放大器的理想化条件是Auo→(∞),rid→(∞),rod→(0),KCMRR→(∞)。
11.设整流变压器副边电压有效值为U。单相半波整流电路整流电压的平均值为(0.45)U,二极管承受的最大反相电压为()U;单相全波整流电路整流电压的平均值为()U,二极管承受的最大反相电压为()U;单相桥式整流电路整流电压的平均值为()U,二极管承受的最大反相电压为()U。
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案
电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案前言作为一名电子技术专业的学习者,掌握电工学知识是基础中的基础。
而掌握电工学知识的最好方法,就是不断练习。
本文提供了电工学第七版下册的课后练习题及其答案。
希望能够对大家在学习电工学的过程中提供一定的帮助。
第一章电子技术基础1. 有一只20kΩ,±5%的电阻,求它允许误差的范围?答案允许误差的范围为: 20kΩ × 5% = 1kΩ所以这只电阻的阻值范围为: 20kΩ±1kΩ2. 什么是三极管?答案三极管是一种半导体器件,也叫做双极型晶体管。
它由三个掺杂浓度不同的半导体材料构成(一般为PNP或NPN),分别称为发射极、基极和集电极。
三极管是一种电流控制器件,通过控制基极电流来控制集电极电流。
三极管在电子技术中广泛应用,尤其是在放大器、开关电路和振荡电路中使用较为广泛。
第二章半导体二极管1. 硅板在常温下引入施主原子,会发生什么变化?答案硅板在常温下引入施主原子(如磷原子),会使其变成N型半导体。
引入施主原子的过程叫做掺杂。
在N型半导体中,掺有大量的自由电子,这些自由电子会带负电荷。
由于施主原子掺入的电子不会和晶体中的晶格原子结合,因此其自由电子是比导带中的电子能量更低的电子,即位于导带下方。
2. 硅板在常温下引入受主原子,会发生什么变化?答案硅板在常温下引入受主原子(如硼原子),会使其变成P型半导体。
引入受主原子的过程叫做掺杂。
在P型半导体中,掺有大量的空穴,空穴带正电荷。
由于受主原子掺入的空穴缺少了一个电子,因此其空穴的能量比空穴带中的能量更高,即位于空穴带上方。
第三章晶体管及其基本电路1. 晶体管的三个引脚分别代表什么?答案晶体管的三个引脚分别代表:1.发射极(E):用来连接基极和集电极之间的导体,主要负责发射电子。
2.基极(B):设置在发射极与集电极之间的控制电极,主要控制电流。
3.集电极(C):负责接受发射极电子,主要负责放大电流。
电工学下册-电子技术基础练习题
(b)
(c)
图 16-2
2
电子技术基础
16-4 在如图 16-3 所示的基本放大电路中,设晶体管的β=100,UBEQ=-0.2V,rbb′=200Ω, C1,C2足够大。
1.计算静态时的IBQ,ICQ和UCEQ。 2.计算晶体管的rbe的值。 3.求出中频时的电压放大倍数Au。 4.若输出电压波形出现底部削平的失真,问晶体管产生了截止失真还是饱和失真? 若使失真消失,应该调整电路中的哪个参数?
及ri,ro的表达式(设β1,β2
,rbe1,rbe2及电路中各电阻均为已知
量)
2.设输入一正弦信号时,输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的 Q 点不
合适,问第一级产生了什么失真?如何消除?若原因是第二级 Q 点不合适,问第二级产生
了什么失真?又如何消除?
Rb12 + C1 +
Rc1 Rb2 + C2 T1
a:增大、b:减小、c:不变(包括基本不变)
1.要使静态工作电流Ic减小,则Rb2应
。
2.Rb2在适当范围内增大,则电压放大倍数
阻
。
,输入电阻
,输出电
3.Re在适当范围内增大,则电压放大倍数
阻
。
,输入电阻
,输出电
4.从输出端开路到接上RL,静态工作点将
,交流输出电压幅度要
。
5.Vcc减小时,直流负载线的斜率
,输出特性曲线将
,
而且输出特性曲线之间的间隔将
。
16-2 设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为 5V和 10V,求图 16-1 中各电路的输出电压 U0,已知稳压管的正向压降为 0.7V。
1kΩ
1kΩ
(完整版)电工学(下册)电子技术基础第3章习题解答
第3章晶体三极管及其放大电路3.1 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图3.1所示,试判断晶体管的类型(NPN或PNP),说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c,求出电流放大系数 。
图3.1 习题3.1图解:(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40(b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1503.2 试判断图3.2所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的I B最大;放在哪个位置时的I B最小,为什么?bVT+V CC①②③+V BBI B图3.2 习题3.2图解:在①时,发射极相当于一个二级管导通,此时I B就等于此导通电流。
在②时,三极管相当于两个并联的二极管,此时I B等于两个二级管导通电流之和,所以此时的电流最大。
在③时,发射极导通,集电结反偏,集电结收集电子,所以I B电流下降,此时电流最小。
3.3.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图3.3所示,判断晶体管三极管的类型(NPN或PNP)及三个电极,并分别说明它们是硅管还是锗管。
解:(a) ①-e ②-c ③-b 硅NPN(b) ①-b ②-c ③-e 锗PNP(c) ①-b ②-e ③-c 锗PNP图3.3 习题3.3图3.4 用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图3.4所示,判断这些晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、放大、截止或已损坏)。
硅管0V-3V2.7V (a)锗管 1.1V1.3V(b)硅管-5V-1.3V-0.6V (c)锗管--0.3V(d)硅管-9V-5V-6V(e)硅管3V0V(f)图3.4 习题3.4图解:(a) 截止 (b) 饱和 (c) 放大 (d) 饱和 (e) 截止 (f) 损坏3.5 某晶体管的极限参数为I CM = 20mA 、P CM = 200mW 、U (BR)CEO = 15V ,若它的工作电流I C = 10mA ,那么它的工作电压U CE 不能超过多少?若它的工作电压U CE = 12V ,那么它的工作电流I C 不能超过多少?解:)V (1510200,15min ,min C CM (BR)CEO CE =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=I P U U)mA (67.1612200,20min ,min CE CM CM C =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=U P I I3.6 图3.5所示电路对正弦信号是否有放大作用?如果没有放大作用,则说明理由并将错误加以改正(设电容的容抗可以忽略)。
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电工学下册ppt课件
Si
Si
pS+i
Si
多
掺杂后自由电子数目
余 大量增加,自由电子导电
电 成为这种半导体的主要导
子 电方式,称为电子半导体
或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
磷原子
在N 型半导体中自由电子 是多数载流子,空穴是少数
载流子。
14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
Si
Si
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
++++++ ++++++
对相反的运动 最终达到动态 平衡,空间电
多子的扩散运动
扩散的结果使空 间电荷区变宽。
荷区的厚度固 定不变。PN结 处于相对稳定 的状态。
14.2.2 PN结的单向导电性
1. PN 结加正向电压(正向偏置) P接正、N接负
PN 结变窄
---- - - ---- - - ---- - -
第14章 半导体器件
14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 双极型晶体管 14.6 光电器件 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和 电流放大作用; 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线,理解主要参数的意义; 三、会分析含有二极管的电路。
14.1.1 本征半导体
完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征 半导体。
价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
共价键中的两个电子,称为价电子。
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第四章半导体理论第一节半导体的导电特性[0504]关于P型半导体的下列说法,错误的是______。
A.空穴是多数载流子B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成[0505]关于N型半导体的下列说法,正确的是______。
A.只存在一种载流子:自由电子B.在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C.在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体D.在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成[0506]金属导体的电阻率随温度升高而______;半导体的导电能力随温度升高而______。
A.升高/升高B.降低/降低C.升高/降低D.降低/升高[0507]对于半导体材料,若______,导电能力减弱。
A.环境温度降低B.掺杂金属元素C.增大环境光照强度D.掺杂非金属元素[0508]关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是______。
A.自由电子、空穴、位于晶格上的离子B.无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质C.对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质D.对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质[0509]P型半导体中的多数载流子是______。
A.自由电子B.空穴C.束缚电子D.晶格上的离子[0510]N型半导体中的多数载流子是______。
A.自由电子B.空穴C.束缚电子D.晶格上的离子[0512]一般来说,本征半导体的导电能力____,当掺入某些适当微量元素后其导电能力____。
A.很强/更强B.很强/降低C.很弱/提高D.很弱/更弱[0513]若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称______,若以自由电子导电为主的称______。
A.PNP型半导体/NPN型半导体B.N型半导体/P型半导体C.PN结/PN结D.P型半导体/N型半导体[0514]下列描述中不属于本征半导体的基本特征是______。
A.温度提高导电能力提高B.有两种载流子C.电阻率很小,接近金属导体D.参杂质后导电能力提高第二节PN结的单向导电性[0515]半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要特性是______。
A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性[0516]如果将一个普通的PN结的两端通过一电流表短路,回路中没有其他电源。
当用光线照射该PN结时,电流表的读数______。
A.为零B.增大C.减小D.视光强确定[0517]下列PN结两端的电位值,使PN结导通的是______。
A.P端接+5 V,N端通过一电阻接+7 V B.N端接+2 V,P端通过一电阻接+7 VC.P端接-3 V,N端通过一电阻接+7 V D.P端接+1 V,N端通过一电阻接+6 V[0518]下列说法正确的是______。
A.P型半导体带正电B.N型半导体带正电C.PN结为电的中性体D.PN结存在内电场,用导线短接时,有电流产生第三节二极管、稳压管的基本特性[0519]如图电路,R=10 kΩ,忽略二极管导通时的管压降,则电流表的读数是______。
A.0 mA B.1.5 mAC.0.3 mA D.15 mA[0520]如图电路,R =1 k Ω,设二极管导通时的管压降为0.5 V ,则电压表的读数是______。
A .0.5 VB .15 VC .3 VD .5 V [0521]如图,设输入信号i u 为正弦波,幅值为1 V ,二极管导通时的正向电压降为0.6 V ,关于输出信号0u 波形的说法,正确的是______。
A .输出电压值范围介于-0.6、+0.6之间B .输出电压值范围介于0、+0.6之间C .输出电压值范围介于-0.6、0之间D .输出电压值范围介于0、1之间 [0522]如图,设输入信号i u 为正弦波,幅值为10 V ,E =5 V 。
忽略二极管导通时的正向电压降,关于输出信号0u 波形的说法,正确的是______。
A .输出电压值范围介于-10 V 、+5 V 之间B .输出电压值范围介于+5 V 、+10 V 之间C .输出电压值范围介于-15 V 、+5 V 之间D .输出电压值范围介于-10 V 、-5 V 之间[0523]如图电路中,V C =-12 V ,V A =+3 V ,V B =0 V 。
设二极管正向管压降为0.5 V ,则V F =___ V 。
A .+2.5 VB .+3.5 VC .+0.5 VD .-0.5 V[0524]关于二极管的功能,下列说法错误的是______。
A .整流功能B .滤波功能C .钳位功能D .小范围稳压功能 [0525]图中二极管的管压降均为0.7 V ,可求得U 0=______。
A .9 VB .0 VC .1.4 VD .2.1 V[0526]对于晶体二极管来说,以下说法错误的是______。
A .正向电阻很小B .无论加多大的反向电压,都不会导通C .未被反向击穿前,反向电阻很大D .所加正向电压大于死区电压时,二极管才算真正导通[0527]二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为______。
A .死区电压B .击穿电压C .截止电压D .峰值电压[0528]在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是______。
A .0.1/0.5B .0.2/0.5C .0.5/0.7D .0.5/1.0[0529]在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是______。
A .0.1~0.2/0.3B .0.2~0.3/0.7C .0.3~0.5/0.7D .0.5/0.7[0530]用动圈式模拟万用表欧姆挡检测二极管的极性,红黑表笔分别接二极管的两个极,测其电阻,再调换表笔再测一次电阻,电阻______的那一次,黑表笔接的是______极。
A .大/阴B .小/阴C .小/阳D .大/阴或小/阳[0531]在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用______挡,这是因为______。
A .R ³1/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏B .R ³100/防止二极管导通时正向电流过大而烧坏C .R ³1/防止过压反响击穿二极管D .R ³100/防止过压反响击穿二极管[0532]在采用动圈式模拟万用表的欧姆挡检测二极管的极性时,若红黑表笔分别接二极管的两个极测其电阻,调换表笔后再测一次电阻。
若二次所测电阻值都比较小或都很大,说明二极管性能______。
A .正常/正常B .不正常/正常C .正常/不正常D .不正常/不正常[0533]用万用表测试二极管性能时,如果正反向电阻相差很大,则说明该二极管性能______,如果正反向电阻相差不大,则说明该二极管______。
A .好/好B .好/不好C .不好/不好D .不好/好[0534]如图,设输入信号u i 为正弦波,幅值为10 V 。
D Z 为双向限幅的稳压管,U Z =5 V 。
关于输出信号u 0波形的说法,最为恰当的是______。
A .输出电压值范围介于-10 V 、+5 V 之间B .输出电压值范围介于+5 V 、+10 V 之间C .输出电压值范围介于-10 V 、+10 V 之间D .输出电压值范围介于-5 V 、+5 V 之间[0535]如图,设输入信号u i 为正弦波,幅值为10 V 。
D Z 为稳压管,其U Z =5 V 。
若忽略二极管及稳压管的正向导通压降,关于输出信号u 0波形的说法,最为恰当的是______。
A .输出电压值介于0 V 、+5 V 之间B .输出电压值介于-10 V 、+5 V 之间C .输出电压值介于-10 V 、+10 V 之间D .输出电压值介于-5 V 、+5 V 之间 [0536]某电工师傅在一整流滤波电路后,欲加稳压环节使电压稳定在 6 V 。
但手头仅有U Z =5.8 V 的稳压管和正向导通电压为0.2 V 的二极管。
关于该环节的正确电路是______。
(R 为稳压管限流电阻)[0537]稳压管的稳压功能通常是利用下列______特性实现的。
A .具有结电容,而电容具有平滑波形的作用B .PN 结的单向导电性C .PN 结的反向击穿特性D .PN 结的正向导通特性[0538]一电路如图所示,设稳压管的稳压值U Z = 6 V ,当U 12由零变化到12 V 时,测出U 32的变化特性是______。
[0539]一电路如图所示,设稳压管的稳压值U Z = 6 V ,当U 12由零变化到12 V 时,测出U 32的变化特性是______。
[0540]图中稳压管的稳压值为6 V ,正向压降为0.7 V ,可求得U0=______。
A .6 VB .0.7 VC .6.7 VD .5.3 V[0541]图中稳压管的稳压值为5 V ,二极管正向导通管压降为0.7 V 。
可求得U 0=______。
A .20 VB .5.7 VC .1.4 VD .10 V[0542]稳压管正常工作时,一般情况下是工作在______状态。
A .反向击穿B .放大C .正向击穿D .截止第四节 单相整流电路[0543]整流电路的目的是______。
A .直流电变交流电B .电压放大C .交流电变直流电D .功率放大[0544]如图,单相半波整流电路中,为使电路可靠工作,整流二极管的反向耐压值必须大于______。
A .负载电压平均值B .整流变压器副边电压最大值C .整流变压器副边电压有效值D .整流变压器原边电压最大值[0545]单相半波整流电路,输入交流电压有效值为100 V ,则输出的脉动电压平均值为______;二极管承受的最高反向电压为______。
A .45 V /100 VB .90 V /100 VC .90 V /141 VD .45 V /141 V[0546]在单相半波整流电路中,输出直流电压平均值U 0=______;二极管承受的最高反向电压U DRM =______。
(设U 为整流电路输入的交流电压的有效值)A .0.45U ,U 3 B .0.9U ,U3C .0.45U ,U 2 D .0.9U ,U 2[0547]如图所示电路,它是______。
A .单相半波不可控整流电路B .单相半波可控整流电路C .单相全波可控整流电路D .单相全波不可控整流电路[0549]一整流电路,其负载端的平均电压为输入交流电压有效值的0.45倍,则此整流电路为______电路。
A .全波整流B .半波整流C .桥式整流D .全波整流或桥式整流[0550]如图,单相桥式整流电路,整流电路输入的交流电压有效值为20 V 。