华虹半导体第二代90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产

１、１２英 寸特 色工 艺 芯 片项 目 ，公 司与 厦 门半 导
使得制造成本更低 。
体投资集 团拟共同投资 １７０亿元 ，在厦门 （海沧 ）建
目前 ，９０ｎｍ Ｇ２ ｅＦｌａｓｈ已实现 了高 良率 的稳 定 设 两 条 １２英 寸 ９０ｎｍ～６５ｎｍ 的 特 色 工 艺 芯 片生 产
量产 ，成功用于大规模生产 电信卡芯片 ，并将为智能 线 。
架 构 ，在 保 证 高 可 靠性 （即 １０万 次 擦 写及 ２５年数 据保持能力 ）的同时 ，提供 了极小面积的低功耗 Ｆｌａｓｈ ＩＰ。因此 ，９０ｎｍ Ｇ２ ｅＦｌａｓｈ能够大大缩小整体芯
士 兰 微 在 厦 门 建 两 条 １２英 寸 芯 片 生 产 线
片面积 ，从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量 ，
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业界要＾ 闻— ’
目内新 衄 华虹半导体第二代 ？Ｏｎｍ
嵌入式 闪存工艺平台成功量产
丽恒 微 电子 董事 长盛建 华 、总经 理鲍 斌 等 出席 参加 。 盛建 华介 绍 ，江苏 丽恒 微 电子计 划 ２０１ ８年启 动封测 厂建 设 ，将 主要 围绕存 储 器产 品构建 上 下游产 业链 ； 作为一家集研发 、生产和销售为一体 的企业 ，公司 目
卡芯片 、安全芯片产品以及 ＭＣＵ等多元化产 品提
２、先进化合物半导体项 目，公 司与厦门半导体
供更 具 性价 比的芯 片 制造 技 术解 决方 案 。 （来 自华 投资集团拟共同投资 ５Ｏ亿元 ，在厦门 （海沧 ）建设
虹半导体 ）
４／６英寸兼容先进化合物半导体器件生产线。（来 自
士 兰微 ）
引入丽恒微 电子 镇江大力发展集成 电路封测产业
北方华创集成 电路 ＡＬＤ设备 进驻上海集成 电路研发 中心
瞄准特色领域 “精耕 细作 ”正在成为地方政府
发展集成电路产业的新思路 ，镇江就专注于集成电
由北方华 创 下属 子公 司北 方华 创微 电子 自主研
路封测领域。继大港股份并购艾科半导体后 ，镇江 发 的 国 内首 台 １２英 寸原 子层 沉 积 （ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅ－
再 设备 近 日进 驻 上 海集 成 电路 研发 中
江苏丽恒微电子近 日在镇江举行 了开业典礼 ， 心 。北方华创微 电子为国产高端装备在先进集成 电 镇江 国家大学科技园管理办公室主任徐仁兰，江苏 路 芯片 生产 线 的应用 再 添新 秀 。
华虹半导体 日前宣布其第二代 ９Ｏｈｍ嵌入式闪 存 （９０ｎｍ Ｇ２ ｅＦｌａｓｈ）工艺平台已成功实现量产 ，技 术 实力 和竞 争力 再 度加 强 。
华虹半导体在第一代 ９０ｎｍ嵌入式 闪存 （９０ｎｍ Ｇ１ ｅＦｌａｓｈ）工 艺技 术 积 累 的基 础 上 ，９０ｎｍ Ｇ２ ｅＦｌａｓｈ 工艺平 台实现 了 多方 面 的技 术提 升 。９０ｎｍ Ｇ２微缩 了 Ｆｌａｓｈ的元胞 尺 寸 ，较第 一 代 减小 约 ２５％，为 目前 全球晶圆代工厂 ９０ｎｍ工艺节点嵌入式闪存技术的 最 小 尺寸 。此外 ，９０ｎｍ Ｇ２采用 了新 的 Ｆｌａｓｈ ＩＰ设计
尤其对 于具有高容量 ｅＦｌａｓｈ的芯片产 品 ，９０ｎｍ Ｇ２
士 兰微 近 日公告 ，公 司与 厦 门市海 沧 区人 民政
ｅＦｌａｓｈ的面积优势更为显著 。值得一提 的是 ，９０ｎｍ 府签订战略合作框架协议 ，拟合作建设两个项 目：
Ｇ２ ｅＦｌａｓｈ在第一代的基础上又缩减 了一层光掩膜 ，
前专注 固态存储硬盘 ＳＳＤ，接下来将增加内存 ＤＤＲ 产 品和 服务器 、微 服务 器 等产 品线 。
对 此 ，徐 仁 兰表示 ，此 次江 苏丽 恒微 电子 落户镇 江 ，是 镇 江市 打造 集成 电路 封装 测试 产业 的新 进展 。 资料显示 ，在 ２０１６年 ８月份于镇江举办的首届集成 电路产业创新高端对话会上 ，镇江新区表示大港股 份并购艾科半导体后 ，已经成为其集成电路产业园 的龙 头 ；下一 步 ，镇 江 新 区将 创 新 招商 引 资 手段 ，重 点发展集成电路封装测试产业。 （来 自 ＣＳＩＡ）