霍尔效应及其应用实验报告
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4关机前，应将“IＳ调节”和“IM调节”旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于零，此时指示器读数为“000”，然后才可切断电源。
5霍尔片性脆易碎、电极甚细易断，严防撞击，或用手去触摸，否则，即遭损坏！在需要调节霍尔片位置时，必须谨慎，切勿随意改变y轴方向的高度，以免霍尔片与磁极面磨擦而受损。
6决不允许将“IM输出”接到“IS输入”或“VH、Vσ输出”处，否则，一旦通电，霍尔样品即遭损坏。
7.83
7.68
7.9
7.75
7.79
3.00
9.39
9.24
9.48
9.32
9.3575
3.50
10.93
10.78
11.02
10.87
10.9
4.00
12.48
12.33
12.59
12.44
12.46
2测绘VH—IM曲线：调节Is =3.00mA值不变，调节IM，记录相应的VH数据，将VH、IM数据记于表2中。
g={4.6925,6.235,7.7925,9.3875,10.955,12.525};
h={0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.8};
i=ListPlot[Transpose[{h,g}],AxesLabel{"Im/mA","U/mV"}];
j=ListLinePlot[Transpose[{h,g}],AxesLabel{"Im/mA","U/mV"}];
①
其中e为载流子电量，为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B为磁感应强度。无论载流子是正电荷还是负电荷，Fg的方向均沿Y方向，在此力的作用下，载流子发生便移，则在Y方向即试样A、A´电极两侧就开始聚积异号电荷而在试样A、A´两侧产生一个电位差VH，形成相应的附加电场E—霍尔电场，相应的电压VH称为霍尔电压，电极A、A´称为霍尔电极。
⑨
3霍尔电压VH的测量：
在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的A、A两电极之间的电压并不等于真实的VH值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设法消除。:具体的做法是Is和B(即lM)的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的Is和B组合的A、A′两点之间的电压V1、V2、V3、和V4，然后求上述四组数据V1、V2、V3和V4的代数平均值，可得：⑩
二、实验内容与步骤：
（1）连接测试仪和试验仪之间相应的IＳ， 和Im各组连接，Is及Im换向开关投向上方测Vh，换向下方测Vσ。
（2）将试验仪的“Ｖh、Ｖσ”切换开关投向Ｖh侧，测试仪的“功能切换”也置于“Ｖh”侧，保持Ｉm不变（取Ｉm＝０．６A）调节测试仪上的“Ｉs调节”旋钮，使Is分别取不同的值，Is每取一值，调节测试仪的Is和Im换向开关依次+Is.+B;+Is.-B;-Is.-B;-Is.+B.然后分别记下V1 V2 V3 V4的值，填入表格1中。
（a）（b）
图(1)原理图
显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，试样中载流子将受一个与Fg方向相反的横向电场力：
FE=eEH②
其中EH为霍尔电场强度。FE随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力evB相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有
③
设试样的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则电流强度Is与的关系为
VH=（V1-V2+V3-V4）/4.通过上述方法，虽然不能消除所有的副效应，但引入的误差不大，可以忽略不计。
随机误差：除了上述所讲的系统误差外实验中不可避免存在随机误差．
1如电流的不稳定包括Ｉｓ和ＩＭ不稳定导致的误差因此要得到准确的实验结果必须采用更为稳定的电源．
2另外试样的厚度ｄ的测量也存在随机误差通过多次反复测量取平均值的方法可减少随机误差。
（4）测量电导率填于表三中。
（5）关闭电源，整理仪器，将仪器置于原位。
三、数据记录：
1测绘VH—Is曲线调节IM=0.6A，保持其值不变，调节Is并记录相应的VH数据，将VH、Is数据，记于表1中。（表中VH是绝对值取平均）
表1 IM=0.6AIs：1.00—4.00mA
Is/(mA)
V1/(mV)
六、实验注意事项：
1．测试仪面板上的“IS输出”、“IM输出”和“VH、Vσ输入”三对接线柱应分别与实验仪上的三对相应的接线柱要正确连接。仪器开机前应将Is、IM调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于最小状态，然后再开机。
2“VH、Vσ切换开关”应始终保持闭合状态。
3仪器接通电源后，预热数分钟即可进行实验。
（物理学创新实验班）
【摘要】szy
本实验通过了解霍尔原理及霍尔元器件的使用，测绘 并测量霍尔系数、电导率。试验在测量过程中，由于各种副效应会引起各种误差。在此做以分析和修正，采用 对称测量法以消除副效应。经过修正后的实验，更大程度地降低了实验误差，使K的测量更加接近真实值。
【关键词】
霍尔片载流子密度霍尔系数霍尔电压mathematica
4.*10^23
7.E-03
2.50
7.79
1.558*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
3.00
9.3575
1.55958*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
3.50
10.9
1.55714*10^(-5)
4.*10^23
/
4.00
12.46
1.5575*10^(-5)
4.*10^23
/
平均值
/
1.*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
所以：霍尔系数： = =1. ^(-5)
载流子浓度： =4. ^23
电导率： (480.+480+482.+481.)/4=481.02
载流子迁移率 7. *(-3)
五、误差分析：
系统误差：
1霍尔电压公式的推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。由于地磁场的存在会产生一定的系统误差．
480
2
138.8
482.
2.5
173.1
481.
四、数据处理
求样品的 、n、 和 的值。（已知：d=0.5mm，b=4.0mm,l=3.00mm）
1作图法：(mathematica)
a={3.12125,4.6875,6.2225,7.79,9.3575,10.9,12.46};
b={1,1.5,2,2.5,3,3.5,4};
V2/(mV)
V3/(mV)
V4/(mV)
VH=(v1+v2+v3+v4)/4 (mV)
+Is +B
+Is -B
-Is -B
-Is +B
1.00
3.18
3.065
3.21
3.03
3.12125
1.50
4.74
4.59
4.78
4.64
4ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ6875
2.00
6.27
6.12
6.32
6.18
6.2225
2.50
c=ListPlot[Transpose[{b,a}],AxesLabel{"I/mA","U/mV"}];
d=ListLinePlot[Transpose[{b,a}],AxesLabel{"I/mA","U/mV"}]
Show[c,d]
f[x_,y_]:=Sum[(y+b[[k]]x-a[[k]])^2,{k,1,7}];
【引言】
霍尔效应是霍尔于1879年发现的，这一效应在科学实验和工程技术中有着广泛的应用。霍尔系数的准确测量在应用中有着十分重要的意义。由于霍尔系数在测量过程中伴随着各种副效应，使得霍尔系数在测量过程中变得比较困难。因此我们在测量过程中采取了“对称测量法”消除副效应。
【正文】
一、实验原理
1霍尔效应：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。图（1、a）所示的N型半导体试样，若在X方向的电极D、E上通以电流Is，在Z方向加磁场B，试样中载流子将受洛仑兹力：
fe随电荷积累增多而增大当达到稳恒状态时两个力平衡即载流子所受的横向电场力eeh与洛仑兹力evb相等样品两侧电荷的积累就达到平衡故有设试样的宽度为b厚度为d载流子浓度为n则电流强度is与的关系为由34两式可得即霍尔电压vhaa?电极之间的电压与isb乘积成正比与试样厚度d成反比
霍尔效应及其应用实验报告
2．2由RH求载流子浓度n 由比例系数得 ，。
2.3结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ。电导率σ与载流子浓度n以及迁移率μ之间有如下关系：σ＝n eμ⑧
由比例系数得，μ＝|RH|σ，通过实验测出σ值即可求出μ。
根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大的材料。因|RH|＝μρ，就金属导体而言，μ和ρ均很低，而不良导体ρ虽高，但μ极小，因而上述两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体μ高，ρ适中，是制造霍尔器件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以霍尔器件都采用N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔器件的输出电压较片状要高得多。就霍尔元件而言，其厚度是一定的，所以实用上采用来表示霍尔元件的灵敏度，KH称为霍尔元件灵敏度，单位为mV/（mA T）或mV/（mA KGS）。
（3）将试验仪的“Ｖh、Ｖσ”切换开关投向 侧，测试仪的“功能切换”也置于“ ”侧，保持 不变（取 ＝3.0mA）调节测试仪上的“ 调节”旋钮，使 分别取不同的值， 每取一值，调节测试仪的Is和Im换向开关依次+Is.+B;+Is.-B;-Is.-B;-Is.+B.然后分别记下V1 V2 V3 V4的值，填入表格2中。
⑥
霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其RH和d已知，因此在实际应用中式⑤常以如下形式出现：
VH=KHIsB⑦
其中比例系数KH=称为霍尔元件灵敏度，它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。Is称为控制电流。
2与霍尔系数有关的物理量测量：
2.1．由RH的符号（或霍尔电压的正、负）判断试样的导电类型 。判断的方法是按图（1）所示的Is和B的方向，若测得的VH＝VAA＇＜0，（即点A的电位低于点A´的电位）则RH为负，样品属N型，反之则为P型。
Is/(mA)
霍尔电压VH=(v1+v2+v3+v4)/4 (mV)
霍尔系数 =
载流子浓度：
载流子迁移率
1.00
3.12125
1.*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
1.50
4.6875
1.5625*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
2.00
6.2225
1.55563*10^(-5)
表2：Is =3.00mAIM：0.300—0.800A
IM(A)
v1(mV)
v2(mV)
v3(mV)
v4(mV)
VH=(v1+v2+v3+v4)/4
(mV)
+Is +B
+Is -B
-Is -B
-Is +B
0.300
4.77
4.62
4.76
4.62
4.6925
0.400
6.26
6.12
6.35
6.21
Show[i,j]
m[x_,y_]:=Sum[(y+h[[k]]x-g[[k]])^2,{k,1,6}];
Solve[{D[m[x,y],x]0,D[m[x,y],y]0},{x,y}]
{{x15.4291`,y-0.`}}
所以图像的解析式为： =15.6907* -0.03191(mV)
2计算法：
Solve[{D[f[x,y],x]0,D[f[x,y],y]0},{x，y}]
{{x3.42854,y0.}}
所以图像的解析式为：
=3.1126* +0.0098(mV)
根据 知道理论上Vh—Is应该过原点，但是拟合的曲线与远点有一些偏差，不过很小。得到 =3.1126，从而霍尔系数K为1. ^(-5) 。
④
由（3）、（4）两式可得
⑤
即霍尔电压VH（A、A´电极之间的电压）与IsB乘积成正比与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。由式⑤可见，只要测出VH（伏）以及知道Is（安）、B（高斯）和d（厘米）可按下式计算RH（厘米3／库仑）。
6.235
0.500
7.82
7.67
7.92
7.76
7.7925
0.600
9.4
9.24
9.53
9.38
9.3875
0.700
11.01
10.86
11.05
10.9
10.955
0.800
12.55
12.39
12.66
12.5
12.525
3测量电导率:
表三：
电导率 /( )
1
69.5
480.
1.5
104.8
2在霍尔效应产生的同时会伴随产生各种其他的效应因此实验测得的两极间电压并不等于真实的霍尔电压值而是包含着各种副效应所引起的附加电压．如比较常见的副作用为：a.厄廷好森效应引起的电势差。b.能斯特效应引起的电势差ＵN。c.里纪-勒杜克效应产生的电势差ＵRd.不等电势效应引起的电势差Ｕ。
综上所述，在确定的磁场B和电流Is下，以上测出的电压是霍尔效应电压与副效应产生的附加电压的代数和。我们采取取绝对值之和再取平均值的方法以消除误差。即:
5霍尔片性脆易碎、电极甚细易断，严防撞击，或用手去触摸，否则，即遭损坏！在需要调节霍尔片位置时，必须谨慎，切勿随意改变y轴方向的高度，以免霍尔片与磁极面磨擦而受损。
6决不允许将“IM输出”接到“IS输入”或“VH、Vσ输出”处，否则，一旦通电，霍尔样品即遭损坏。
7.83
7.68
7.9
7.75
7.79
3.00
9.39
9.24
9.48
9.32
9.3575
3.50
10.93
10.78
11.02
10.87
10.9
4.00
12.48
12.33
12.59
12.44
12.46
2测绘VH—IM曲线：调节Is =3.00mA值不变，调节IM，记录相应的VH数据，将VH、IM数据记于表2中。
g={4.6925,6.235,7.7925,9.3875,10.955,12.525};
h={0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.8};
i=ListPlot[Transpose[{h,g}],AxesLabel{"Im/mA","U/mV"}];
j=ListLinePlot[Transpose[{h,g}],AxesLabel{"Im/mA","U/mV"}];
①
其中e为载流子电量，为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B为磁感应强度。无论载流子是正电荷还是负电荷，Fg的方向均沿Y方向，在此力的作用下，载流子发生便移，则在Y方向即试样A、A´电极两侧就开始聚积异号电荷而在试样A、A´两侧产生一个电位差VH，形成相应的附加电场E—霍尔电场，相应的电压VH称为霍尔电压，电极A、A´称为霍尔电极。
⑨
3霍尔电压VH的测量：
在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的A、A两电极之间的电压并不等于真实的VH值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设法消除。:具体的做法是Is和B(即lM)的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的Is和B组合的A、A′两点之间的电压V1、V2、V3、和V4，然后求上述四组数据V1、V2、V3和V4的代数平均值，可得：⑩
二、实验内容与步骤：
（1）连接测试仪和试验仪之间相应的IＳ， 和Im各组连接，Is及Im换向开关投向上方测Vh，换向下方测Vσ。
（2）将试验仪的“Ｖh、Ｖσ”切换开关投向Ｖh侧，测试仪的“功能切换”也置于“Ｖh”侧，保持Ｉm不变（取Ｉm＝０．６A）调节测试仪上的“Ｉs调节”旋钮，使Is分别取不同的值，Is每取一值，调节测试仪的Is和Im换向开关依次+Is.+B;+Is.-B;-Is.-B;-Is.+B.然后分别记下V1 V2 V3 V4的值，填入表格1中。
（a）（b）
图(1)原理图
显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，试样中载流子将受一个与Fg方向相反的横向电场力：
FE=eEH②
其中EH为霍尔电场强度。FE随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力evB相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有
③
设试样的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则电流强度Is与的关系为
VH=（V1-V2+V3-V4）/4.通过上述方法，虽然不能消除所有的副效应，但引入的误差不大，可以忽略不计。
随机误差：除了上述所讲的系统误差外实验中不可避免存在随机误差．
1如电流的不稳定包括Ｉｓ和ＩＭ不稳定导致的误差因此要得到准确的实验结果必须采用更为稳定的电源．
2另外试样的厚度ｄ的测量也存在随机误差通过多次反复测量取平均值的方法可减少随机误差。
（4）测量电导率填于表三中。
（5）关闭电源，整理仪器，将仪器置于原位。
三、数据记录：
1测绘VH—Is曲线调节IM=0.6A，保持其值不变，调节Is并记录相应的VH数据，将VH、Is数据，记于表1中。（表中VH是绝对值取平均）
表1 IM=0.6AIs：1.00—4.00mA
Is/(mA)
V1/(mV)
六、实验注意事项：
1．测试仪面板上的“IS输出”、“IM输出”和“VH、Vσ输入”三对接线柱应分别与实验仪上的三对相应的接线柱要正确连接。仪器开机前应将Is、IM调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于最小状态，然后再开机。
2“VH、Vσ切换开关”应始终保持闭合状态。
3仪器接通电源后，预热数分钟即可进行实验。
（物理学创新实验班）
【摘要】szy
本实验通过了解霍尔原理及霍尔元器件的使用，测绘 并测量霍尔系数、电导率。试验在测量过程中，由于各种副效应会引起各种误差。在此做以分析和修正，采用 对称测量法以消除副效应。经过修正后的实验，更大程度地降低了实验误差，使K的测量更加接近真实值。
【关键词】
霍尔片载流子密度霍尔系数霍尔电压mathematica
4.*10^23
7.E-03
2.50
7.79
1.558*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
3.00
9.3575
1.55958*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
3.50
10.9
1.55714*10^(-5)
4.*10^23
/
4.00
12.46
1.5575*10^(-5)
4.*10^23
/
平均值
/
1.*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
所以：霍尔系数： = =1. ^(-5)
载流子浓度： =4. ^23
电导率： (480.+480+482.+481.)/4=481.02
载流子迁移率 7. *(-3)
五、误差分析：
系统误差：
1霍尔电压公式的推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。由于地磁场的存在会产生一定的系统误差．
480
2
138.8
482.
2.5
173.1
481.
四、数据处理
求样品的 、n、 和 的值。（已知：d=0.5mm，b=4.0mm,l=3.00mm）
1作图法：(mathematica)
a={3.12125,4.6875,6.2225,7.79,9.3575,10.9,12.46};
b={1,1.5,2,2.5,3,3.5,4};
V2/(mV)
V3/(mV)
V4/(mV)
VH=(v1+v2+v3+v4)/4 (mV)
+Is +B
+Is -B
-Is -B
-Is +B
1.00
3.18
3.065
3.21
3.03
3.12125
1.50
4.74
4.59
4.78
4.64
4ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ6875
2.00
6.27
6.12
6.32
6.18
6.2225
2.50
c=ListPlot[Transpose[{b,a}],AxesLabel{"I/mA","U/mV"}];
d=ListLinePlot[Transpose[{b,a}],AxesLabel{"I/mA","U/mV"}]
Show[c,d]
f[x_,y_]:=Sum[(y+b[[k]]x-a[[k]])^2,{k,1,7}];
【引言】
霍尔效应是霍尔于1879年发现的，这一效应在科学实验和工程技术中有着广泛的应用。霍尔系数的准确测量在应用中有着十分重要的意义。由于霍尔系数在测量过程中伴随着各种副效应，使得霍尔系数在测量过程中变得比较困难。因此我们在测量过程中采取了“对称测量法”消除副效应。
【正文】
一、实验原理
1霍尔效应：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。图（1、a）所示的N型半导体试样，若在X方向的电极D、E上通以电流Is，在Z方向加磁场B，试样中载流子将受洛仑兹力：
fe随电荷积累增多而增大当达到稳恒状态时两个力平衡即载流子所受的横向电场力eeh与洛仑兹力evb相等样品两侧电荷的积累就达到平衡故有设试样的宽度为b厚度为d载流子浓度为n则电流强度is与的关系为由34两式可得即霍尔电压vhaa?电极之间的电压与isb乘积成正比与试样厚度d成反比
霍尔效应及其应用实验报告
2．2由RH求载流子浓度n 由比例系数得 ，。
2.3结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ。电导率σ与载流子浓度n以及迁移率μ之间有如下关系：σ＝n eμ⑧
由比例系数得，μ＝|RH|σ，通过实验测出σ值即可求出μ。
根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大的材料。因|RH|＝μρ，就金属导体而言，μ和ρ均很低，而不良导体ρ虽高，但μ极小，因而上述两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体μ高，ρ适中，是制造霍尔器件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以霍尔器件都采用N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔器件的输出电压较片状要高得多。就霍尔元件而言，其厚度是一定的，所以实用上采用来表示霍尔元件的灵敏度，KH称为霍尔元件灵敏度，单位为mV/（mA T）或mV/（mA KGS）。
（3）将试验仪的“Ｖh、Ｖσ”切换开关投向 侧，测试仪的“功能切换”也置于“ ”侧，保持 不变（取 ＝3.0mA）调节测试仪上的“ 调节”旋钮，使 分别取不同的值， 每取一值，调节测试仪的Is和Im换向开关依次+Is.+B;+Is.-B;-Is.-B;-Is.+B.然后分别记下V1 V2 V3 V4的值，填入表格2中。
⑥
霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其RH和d已知，因此在实际应用中式⑤常以如下形式出现：
VH=KHIsB⑦
其中比例系数KH=称为霍尔元件灵敏度，它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。Is称为控制电流。
2与霍尔系数有关的物理量测量：
2.1．由RH的符号（或霍尔电压的正、负）判断试样的导电类型 。判断的方法是按图（1）所示的Is和B的方向，若测得的VH＝VAA＇＜0，（即点A的电位低于点A´的电位）则RH为负，样品属N型，反之则为P型。
Is/(mA)
霍尔电压VH=(v1+v2+v3+v4)/4 (mV)
霍尔系数 =
载流子浓度：
载流子迁移率
1.00
3.12125
1.*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
1.50
4.6875
1.5625*10^(-5)
4.*10^23
7.E-03
2.00
6.2225
1.55563*10^(-5)
表2：Is =3.00mAIM：0.300—0.800A
IM(A)
v1(mV)
v2(mV)
v3(mV)
v4(mV)
VH=(v1+v2+v3+v4)/4
(mV)
+Is +B
+Is -B
-Is -B
-Is +B
0.300
4.77
4.62
4.76
4.62
4.6925
0.400
6.26
6.12
6.35
6.21
Show[i,j]
m[x_,y_]:=Sum[(y+h[[k]]x-g[[k]])^2,{k,1,6}];
Solve[{D[m[x,y],x]0,D[m[x,y],y]0},{x,y}]
{{x15.4291`,y-0.`}}
所以图像的解析式为： =15.6907* -0.03191(mV)
2计算法：
Solve[{D[f[x,y],x]0,D[f[x,y],y]0},{x，y}]
{{x3.42854,y0.}}
所以图像的解析式为：
=3.1126* +0.0098(mV)
根据 知道理论上Vh—Is应该过原点，但是拟合的曲线与远点有一些偏差，不过很小。得到 =3.1126，从而霍尔系数K为1. ^(-5) 。
④
由（3）、（4）两式可得
⑤
即霍尔电压VH（A、A´电极之间的电压）与IsB乘积成正比与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。由式⑤可见，只要测出VH（伏）以及知道Is（安）、B（高斯）和d（厘米）可按下式计算RH（厘米3／库仑）。
6.235
0.500
7.82
7.67
7.92
7.76
7.7925
0.600
9.4
9.24
9.53
9.38
9.3875
0.700
11.01
10.86
11.05
10.9
10.955
0.800
12.55
12.39
12.66
12.5
12.525
3测量电导率:
表三：
电导率 /( )
1
69.5
480.
1.5
104.8
2在霍尔效应产生的同时会伴随产生各种其他的效应因此实验测得的两极间电压并不等于真实的霍尔电压值而是包含着各种副效应所引起的附加电压．如比较常见的副作用为：a.厄廷好森效应引起的电势差。b.能斯特效应引起的电势差ＵN。c.里纪-勒杜克效应产生的电势差ＵRd.不等电势效应引起的电势差Ｕ。
综上所述，在确定的磁场B和电流Is下，以上测出的电压是霍尔效应电压与副效应产生的附加电压的代数和。我们采取取绝对值之和再取平均值的方法以消除误差。即: