内存储器——非易失性MRAM技术解析

内存储器——非易失性MRAM技术解析
AL
【期刊名称】《电脑》
【年(卷),期】2005(000)003
【摘要】尽管内存技术在几十年的发展过程中已经有了很大的变化，而且性能也提高了不少，但是并没有实质性的改变。

因为这些产品都是基于动态随机访问存储器DRAM(dynamic random—access memory)的，一旦没有持续的电力，所存储的数据就会立即消失，这就直接导致目前的PC必需经历一段不短的时间进行启动才能正式使用。

而无法像其他家电一样即开即用。

然而MRAM却是一种全新的技术，甚至有望令PC的应用方式彻底改变。

【总页数】2页(P72-73)
【作者】AL
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TP333.8
【相关文献】
1.飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来 [J], 飞思卡尔半导体
2.飞恩卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器未来 [J],
3.飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来 [J], 周鑫
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5.利用MRAM技术实现工作频率达400MHz的非易失性逻辑电路 [J], 杉林直彦;南庭（译）
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