半导体基础知识习题PPT课件

a)80
b)60
c)75
2021/6/4
d)100 14
6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电级1, 2, 3的电位各为V1=2V, V2=6V, V3=2.7V,则( b ) a) 1为e, 2 为b, 3为c
-5V
0.7V 0V
10.75V 10V
0.7V 0V
放大状态
2021/6/4
饱和状态
截止状态
3
练习： 2、放大电路中某三极管各极对地电位为V2=4.7V, V1=10V，V3=5V。判断该管的材料、管型、管脚的极性。
答案：锗管，NPN管，3脚为基极，2脚为发射极，1 脚为集电极。
2021/6/4
导体的多数载流子是（ a ）
a) 自由电子
b）空穴
2021/6/4
8
1-4 用万用表的R*10和R*100档测量同一个二极管的 正 向 电 阻 , 两 次 测 量 的 值 分 别 是 R1 和 R2, 则 二 者 相 比,( C )。
a)R1>R2
b)R1=R2 c)R1<R2 d)说不定哪个大
1-5稳压管（ C1 ）,稳压管工作在（ C2 ）状态。
解：
图1： IE=3+0.5=3.5 mA
50μA
3mA
1 23
β≈IC/IB=3/0.05=60 c b e
图1
图2：IB=4.3-4.2=0.1mA
2021/6/4 β≈IC/IB=4.2/0.1=42
4.2mA
4.3mA
1 23
ce b
图2
2
练习： 1、判断下列各管的工作状态：
5V
10.3V
a)0.7V b)0.2V
c)0.3V
d)0.5V
1-8 图1-8给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性。 硅管的特性曲线（ b ）
a)由a和c组成
b)由a和d组成
c)由b和c组成
d) 由b和d组成
1-9 由锗二极管VD，电源E和电阻R（R=3kΩ）组成电
路1-9所示，该电路中电流比较准确的值是（ C ）
三极管的三种工作状态及特性
工作 状态
截止 状态
放大 状态
饱和 状态
条件
发射结反偏 集电结反偏
发射结正偏 集电结反偏
发射结正偏 集电结正偏
参数 关系
IB＝0 UCE≈VCC
IC≈0
应用
2021/6/4
开关电路
IC=βIB UCE≈VCC-ICRC
放大电路
IB UCE≈0
开关电路
1
练习：图1、2两三极管都工作在放大状态，分别根据两个 电极电流方向和大小，①确定第三个电极的电流方向和大 小。②标出b、c、e极和管型（NPN或PNP）③估算β值。
a1)是二极管 b1)不是二极管 c1)是特殊的二极管
a2)正向导通 b2)反向截止
c2)反向击穿
1-6 二极管的导通条件是( b )
a)uD>0
b)uD>死区电压
c)uD>击穿电压
d)uD<死区电压
1-7锗二极管的导通电压（ c ），死区电压（ b ）。
202硅1/6/二4 极管的导通电压（ a ），死区电压（ d ）。9
a)
V2
-3V
5V
3
2 -0.7V
3
b)
1 6V
V3
-6V
2 5.7V
3
c)
解 在正常工作的情况下NPN型硅管发射结的直流压 降Ube =0.6到0.8伏；PNP型锗管 Ube =-0.2到-0.3伏。
V1管的 U B U E B U E 2 .3 V ( 3 ) V 0 .7 V .
)
a)Si材料
b) NPN材料
c) Ge 材料
d)PNP管
e)工作在放大区
2、三极管的ICEO大, 说明其( d ).
a)工作电流大
b)击穿电压高
c)寿命长
d)热稳定性差
3、工作在放大区的某三极管, 当IB从20uA增大到40uA
时, Ic从1mA变为2mA, 则它的β值约为( b
)
a)10
b)50
导通时UD=0.7V, 其输出电压( C
UZ1=UZ2=7V,
)V.
正向
a)1.4V b)7V
c) 10V
d)14V
R +
VSZ1
10V
VSZ2
U0
图1-12
2021/6/4
12
1、对放大电路中的三极管测量，各级对地的电压为
UB=2.7V (b
, )
UE=(2Ve,
UC=6V , )
则该管为( a
1-11 稳压管稳压电路如图1-11所示, 其中UZ1=7V, UZ2=3V , 该电路的输出电压为( C )
a)0.7V b)1.4V c)3V
d)7V
R +
R
+
24V
VSZ1 VSZ2 U0
12V VSZ1
VSZ2 U0
-
-
2021/6/4 图1-10
图1-11
11
1-12 稳压管电路如图1-12所示,
V3管是PNP型锗管
三个极： 2为B； 1为E； 3为C
2021/6/4
7
选择题
1-1 本征半导体掺入五价元素成为( b )
a)本征半导体 b) N型半导体 c) P型半 导体
1-2 N型半导体的多数载流子是( a )
a)电子 b)空穴 c)正离子
d)负
离子 1-3 P型半导体中的多数载流子是（ b ），N型半
a) 0 b) 0.27mA
c) 0.4mA
d) 0.5mA
ID
ba
V
dc
E 1. D R
UD
5V
2021/6/4
图1-8
图1-9
10
1-10 稳压管电路如图1-10所示, 稳压管的稳压值
Uz=6.3V,正向导通压降UD=0.7V,其输出电压为( C ).
a)6.3V b)0.7V
c)7V
d)14V
可见V1 是NPN硅管。三个极： 2为B； 3为E；1为C
2021/6/4
6
V2管的 U B E U B U E 0 V ( 0 .7 ) V 0 .7 V
V2管是NPN型硅管 三个极： 1为B； 2为E； 3为C
V3管的 U B E U B U E 5 .7 V 6 V 0 .3 V
c)100
2021/6/4
13
4、 电路如图1-24所示, 该管工作在( c )区.
a)放大 20k
b)截止பைடு நூலகம்+UCC
4k 12V
=100
c)饱和
UBE=0.7V 图1-24 UCES=0.3V
5 、 测 得 三 极 管 IB=30uA 时 IC=2.4mA, IB=40uA 时 IC=3mA,则该管 的交流 电流放大系数为( b )
4
练习3 用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个 电极对地的电压，其数值如图所示。试指出每只晶体 管的E、B、C三个极，并说明该管是硅管还是锗管。
1
1
1
6V
0V
6V
V1
2 -2.3V
a)
V2
-3V
5V
3
2 -0.7V
3
b)
V3
-6V
2 5.7V
3
c)
2021/6/4
5
1
1
6V
0V
V1
2 -2.3V